PL80250B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL80250B1
PL80250B1 PL13495869A PL13495869A PL80250B1 PL 80250 B1 PL80250 B1 PL 80250B1 PL 13495869 A PL13495869 A PL 13495869A PL 13495869 A PL13495869 A PL 13495869A PL 80250 B1 PL80250 B1 PL 80250B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
photoconductive
substrate
electrostatic
photoconductive material
image
Prior art date
Application number
PL13495869A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Rank Xerox Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rank Xerox Limited filed Critical Rank Xerox Limited
Publication of PL80250B1 publication Critical patent/PL80250B1/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/087Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and being incorporated in an organic bonding material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G13/00Electrographic processes using a charge pattern
    • G03G13/14Transferring a pattern to a second base
    • G03G13/18Transferring a pattern to a second base of a charge pattern
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G13/00Electrographic processes using a charge pattern
    • G03G13/22Processes involving a combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)

Description

Uprawniony z patentu: Rank Xerox Limited, Londyn (Wielka Brytania) Sposób elektrostatycznego powielania obrazów Przedmiotem wynalazku jest sposób powielania elektrostatycznego obrazów.Znany jest, przykladowo z opisu patentowego nr 2297691 Stanów Zjednoczonych Ameryki, spo¬ sób elektrostatycznego powielania obrazów, pole¬ gajacy na tym, ze fotoprzewodzaca warstwe izo¬ lacyjna laduje sie elktrostatycznie, po czym ladu¬ nek ten zostaje selektywnie rozproszony przez naswietlanie powielanym obrazem. Zostaje przez to wytworzony utajony obraz elektrostatyczny od¬ powiadajacy obrazowi, którym naswietlono war¬ stwe fotoprzewodzaca. Na otrzymany utajony obraz elektrostatyczny naklada sie za pomoca przy¬ ciagania elekitrostatyicznego proszek elektroskopo- wy. Wytwarza sie w ten sposób obraz widzialny z materialu elektroskopowego, odpowiadajacy obra¬ zowi utajonemu. Obraz ten jest nastepnie utrwa¬ lany na miejscu lub po przeniesieniu na inna po¬ wierzchnie przez przedruk elektrostatyczny.Za pomoca opisanego wyzej sposobu wytwarza sie dobrej jakosci kopie i sposób ten jest w pra¬ ktyce szeroko stosowany. Fotoprzewodzaca warst¬ wa izolacyjna narazona jest jednak na scieranie, bo styka sie dosc intensywnie ze scierajacym ma¬ terialem dwuskladnikowym wywolywacza. Po kaz¬ dym cyklu roboczym powierzchnie tej warstwy trzeba czyscic z pozostalych na niej czastek pig¬ mentu. Ogranicza to liczbe maiterialów fotoprze- wodzacych, nadajacych sie do stosowania w powie¬ laczach do wielokrotnego kopiowania do tych, któ- 10 re maja powierzchnie twarda i odporna na scie¬ ranie. Dlatego tez w pewnych przypadkach, wy¬ wolywanie trzeba przeprowadzac w miejscu oddalo¬ nym od powierzchni swiatloczulej. Moze to zachodzic albo na podstawowym drukujacym czlonie pod¬ porowym, albo na jakiejs innej powierzchni. Wyr eliminowuje sie przez to zmniejszenie jakosci foto- przewodzacej powierzchni, a tym samym upraszcza sie proces, przez usuniecie koniecznosci czyszcze¬ nia powierzchni swiatloczulej po kazdym cyklu.Znany jest równiez sposób, polegajacy na tym, ze utajony obraz elektrostatyczny wytworzony na izolujacej powierzchni, takiej jak fotoprzewodza¬ ca powierzchnia izolacyjna, przenosi sie na druga 15 powierzchnie z izolujacego materialu, przez dopro¬ wadzenie do zetkniecia lub pozornego zblizenia z powierzchnia zawierajaca obraz utajony i wy¬ tworzenie pola elektrycznego o duzym natezeniu pomiedzy obiema powierzchniami. Po rozdziele- 20 niu okazuje sie, ze przeniesienie ladunku elektrycz¬ nego pomiedzy powierzchniami nastepuje w kie¬ runku wyznaczonym przez pole stosowane w celu przeniesienia obrazu elektrostatycznego. Mimo za¬ dowalajacych wyników przy stosowaniu tego spo¬ sobu prowadzi on ostatecznie, w wyniku przeno¬ szenia ladunku do rozproszenia pierwotnie wy¬ tworzonego obrazu utajonego. Ogranicza to stoso¬ wanie sposobu jedynie do wytwarzania jednej kopii w jednym cykltL 25 80 250S0 3 Celem wynalazku jest opracowanie sposobu ele¬ ktrostatycznego powielania obrazów, który umozli¬ wialby wielokrotne wytwarzanie kopii, przy czym wywolywanie obrazu mogloby odbywac sie w miej¬ scu oddalonym od powierzchni warstwy fotoprze- wodzaccj.Cel ten zostal osiagniety wedlug wynalazku dzieki temu, ze jako material fotaprzewodzacy sto¬ suje sie material posiadajacy ciemniowa niezme- ozeniowa opornosc wlasciwa wieksza anizeli 1015 cm-cm i swietlna, zmeczeniowa opornosc wlasci¬ wa rzedu 108—1013 om-cm. Dzieki tym wlasciwos¬ ciom material fotoprzewodzacy odznacza sie trwa¬ lym przewodnictwem tla podczas przenoszenia la¬ dunku.Przez zetkniecie wstepnie, jednorodnie naladowa¬ nego podloza z powierzchnia fotoprzewodzaca, na której zarejestrowano obraz elektrostatyczny, otrzy¬ muje sie takie same polaryzacje ladunku we wszy¬ stkich etapach postepowania. Jest zatem mozliwe^ w wyniku przenoszenia ladunku elektrostatycznego i wlasciwosci zmeczenia swietlnego materialu foto- przewodzacego, wytworzenie takiego samego co do wartosci i poloryzacjd obrazu utajonego na mate- iiale dielektryka, jak wzorcowy obraz utajony na fotoprzewodniku. W wyniku przewodnictwa na¬ swietlonych obszarów tla fotoprzewodnika, które zwykle wytwarza sie w fotoprzewodniku w wyni¬ ku przebicia powietrza zawartego pomiedzy zet¬ knietymi powierzchniami, ulega rozproszeniu, dzie¬ ki czemu pierwotnie wytworzony na fotoprzewod¬ niku obraz utajony pozostaje nienairuszony. Wy¬ twarzanie obrazu i wywolywanie wedlug wynalaz¬ ku przeprowadzac mozna w miejscu oddalonym od wzorcowego obrazu utajonego, co pozwala na za¬ chowanie wzorcowego obrazu utajonego do nastep¬ nych odwzorcowan.Wynalazek jest przykladowo wyjasniony na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat wy¬ twarzania jednorodnego ladunku na powierzchni plyty fotoprzewodzacej; fig. 2 — schematycznie naswietlenie naladowanej rtyty, w celu wytworze¬ nia utajonego obrazu elektrostatycznego; fig, 3 — schemat ladowania wstepnego podloza; fig. 4 — uklad warstwowy otrzymany w wyniku zlozenia wstepnie naladowanego podloza z czlonem zawie¬ rajacym utajony obraz elektrostatyczny; fig. 5 — schemat tworzenia obrazu na podlozu; fig. 6 — schemat wywolywania elektrostatycznego obrazu utajonego utworzonego na plycie podloza; fig. 7 — stapianie wywolanego obrazu proszkowego na powierzchni plyty w celu wytwarzania trwalej odbitki.Na fig. 1 przedstawiona jest elektrofotograficzna plyta 20, skladajaca sie z przewodzacego podloza fcl, pokrytego powierzchniowo fotoprzewodzaca izo¬ lacyjna warstwa 22. Jednorodny ladunek elektro¬ statyczny 23 naklada sie w ciemni na powierzch¬ nie warstwy 22 w jakikolwiek sposób. W przed¬ stawionym przypadku urzadzenie ladujace jest ko- rotronem 24, polaczonym ze zródlem 25 wysokiego napiecia, które jest uziemione. Na powierzchni ply¬ ty fotoprzewodzacej wytwarza sie jednorodny la¬ dunek w kierunfcu wskazanym strzalka, a nastep¬ nie naladowana warstwe 22 naswietla sie selek- 4 tywnie przez zródlo promieniowania elektromagne¬ tycznego, pokazane na fig. 2. Zródlo promieniowa¬ nia 30 rzutuje, poprzez uklad soczewek H^ wzór swiatel i cieni, bedacy obrazem optycznym orygi- 5 nalu 31, na powierzchnie totoprzewodzacej plyty 20, W czasie naswietlania, elektrostatyczny ladunek nalozony na te powierzchnie ulega rozproszeniu w tych miejscach, na które pada swiatlo, dzieki cze¬ mu, na itych obszarach plyty, na które "nie padalo 10 swiatlo, ladunek pozostaje.Sposób wedlug wynalazku wymaga stosowania fotoprzewodzaoego materialu izolujacego o znanych wlasciwosciach zmeczenia swietlnego, Uzyskane za¬ tem w opisie wynalazku okreslenie material foto- 5 przewodzacy oznacza taka substancje, która pod wplywem naswietlania ulega zmeczeniu swietlne¬ mu. Zjawisko zmeczenia polega na rymy ze prze¬ wodnictwo materialu na powierzchniach oswietlo¬ nych trwa dluzszy okres czasu, tak ze utajony "obraz odpowiada uzytemu wzorowi swietlnemu. To utajone przewodnictwo materialu fotoprzewodzace- go zastosowane jest w sposób, który dostarcza je¬ dynej w swoim rodzaju metody odwzorowywania elektostatycznego. Stosowac tu mozna jakikolwiek fotoprzewodzacy material izolujacy spelniajacy wy¬ magania wynalazku.Typowymi fotoprzewodzacymi materialami izo¬ lujacymi sa nieorganiczne barwniki fotoprzewo- 30 dzace, takie jak tlenek olowiu, tlenek cynku, siar¬ czek kadmu, siarkoselenek kadmu zawieszony w materialach wiazacych, chlorowiec z domieszka se¬ lenu, stopy arsenoselenowe oraz chlorowiec z do¬ datkiem stopu arsenoselenowego, a takze organicz- 35 ne barwniki fotoprzewodzace, takie jak keton trój- nitrofluorowy z domieszka karbazolu poliwinylo¬ wego, ftalocyjanian i ich odmiany polimorficzne.Optymalne wyniki uzyskuje sie jesli opór wlasci¬ wy stosowanego materialu swiatloczulego wynosi 40 w ciemnosci, w stanie nie zmeczonym wiecej niz 1015 om-cm, a opór w stanie zmeczenia od okolo 10' do 10H om-cm.Pgyte fotoprzewodzaca umiescic mozna zgodnie z wynaliiilhiinn na podporze wykonanej z dowol- 45 nej substancji podporowej. Na ogól jednak naj¬ lepiej jest stosowac material podporowy o opor¬ nosci mniejszej od opornosci warstwy fotoprzewo- dzacej, wtedy bowiem material taki odgrywa role uziemienia podczas naswietlania elektrostatycznie 51 naladowanej warstwy pokrywajacej. Do takich ma¬ terialów naleza: glin, mosiadz, przewodzace szklo, miedz, cynk, papier oraz jakiekolwiek odpowiednie podloza z tworzyw sztucznych o wymaganych wlas¬ nosciach przewodnictwa. 55 Fig: 3 przedstawia ladowanie wstepne podloza 35.Podloza 35 w celu wytworzenia jednorodnego la¬ dunku na jego powierzchni, kladzie sie na uzie¬ mionej metalowej plycie 36 i przesuwa sie nad nia zródlo jonów 37 zasilane przez zródlo 38 wysokie- 60 go napiecia. Mement ladujacy podobny jest do przedstawionego na fig. 1. Stosuje sie te sama polaryzacje ladunku jak w przypadku fotopirzewo- dzacej plyty 2* z fig. 1. Na przyklad jesli utajony obraz elektrostatyczny jest dodatni pod wzgledem 65 polaryzacji elektrycznej, to wierzch plyty przewo-M25t ózs&ej nalezy ladowac jednorodnie dodatnim la¬ dunkiem elektrycznym.Podloze moze byc wykonane z jakiegokolwiek materialu dielektrycznego lub izolujacego. Typowy¬ mi materialami sa octan eeluftozy, etyloceluloza, polistyren, polietylen, chlorek poliwinyki, papier izolujacy, polltetr^uoroetylea, fluorek pottwinyki, poMmekm, poliweglan i inne podobne- substancje izolujace. Chociaz najlepsze wyniki osiaga sie sto¬ sujac niewrazliwe na wilgoc pokrycia z tworzyw sztucznych, niozna stosowac równiez pokrycia czu¬ le na wilgoc, takie jak zelatyna i kazeina.Jak widac na fig. 4 wstepnie naladowane podlo¬ ze 38 z przewodzaca uziemiona podstawa 36 do¬ prowadza sie do zetkniecia z zawierajaca obraz fotoprzewodizaca powierzchnia 23. W tan sposób zestatefe lab prawie zetkniete dielektryczne pod¬ loze*5" i zawierajaca obraz powierzchnia plyty fo- toprzewodzacej oddzielone sa od siebie jedynie przez bardzo cienka; warstwe powietrza. Podczas gdy plyta 2* styka sie z podlozem 35, do tylnej strony podloza przyklada sie napiecie za pomoca urzadzenia koronowego 24, przedstawionego na fig. 5. Przebicie powietrza wewnatrz szczeliny powietrz¬ nej oddzielajacej wymienione powierzchnie zacho¬ dzi w tych miejscach, które odpowiadaja obszarom nie zawierajacym obrazu (obszarom tla na plycie fotoprzewodzacej. Przebicie elektryczne powietrza powoduje czesciowe zneutralizowanie ujemnego la¬ dunku przez dodatni ladunek przebicia, oznaczony schematycznie przez 4*. Odpowiadajacy mu ladu¬ nek ujemny, z przebicia powietrza, ozadza sie pe- cza,lhowo na powierzchni fotoprzewodzacej war¬ stwy t*. Oznaczono go przez 41. Dzieki jednak trwalemu przewodnictwu warstwy fotoprzewodza¬ cej w obszarach naswietlonych, osadzony na nich ladunek ujemny rozprasza sie i mozna odzyskac pierwotny obraz utajony 33. Proces moze zatem zo¬ stac powtórzony w calosci. Obraz otrzymany na podlozu jest identyczny z oryginalnym obrazem utajonym. Mamo, iz wynalazek omówiony jest w wypadku przebicia powietrza i przenoszenia la¬ dunku podczas zetkniecia powierzchni, przenosze¬ nie ladunku moze byc równiez przeprowadzone podczas zblizenia obu powierzchni, a nawet gdy sa one od siebie oddalone.Fig. 6 przedstawia sposób wywolywania obrazu elektrostatycznego wytworzonego zgodnie z opisem fig. 5. Podloze 35 osadza sie w otworze dna kasety 4i i przytwierdza sie zaciskami do plyty podstawy 3& Kasete przechyla sie nastepnie w obie strony, w celu osadzenia proszku wywolujacego 41 na zawierajacej obraz powierzchni. W miare opada¬ nia mieszaniny na wierzch plyty 35 czastki prosz¬ ku przyczepiaja sie same do obszarów obrazu uta¬ jonego, tworzac na plycie obraz proszkowy.Fig. 7 przedstawia ostatni etap wykonywania odbitki. Podloze 35 z obrazem proszkowym 42 umieszcza sie w piecu 45, ogrzewanym przez grzej¬ nik elektryczny 46 do temperatury wyzszej od tem¬ peratury topnienia proszku wywolujacego. Po prze¬ prowadzonym na powierzchni plyty przenoszacej stopnieniu obrazu proszkowego, otrzymuje sie cal¬ kowicie utrwalona kopie, gotowa do uzycia.Stosujac sposób wedlug wynalazku mozna sto- 19 15 20 25 sowac jakikolwiek odpowiedni sposób wywolywa¬ nia. Stosowac mozna dowolny odpowiedni sposób utrwalania, na przyklad przedstawiona powyzej metode stapiania itemperaturowego. Stosowane mo- 5 £3 byc równiez irnie sposoby utrwalania, takie jak stapiania par i utrwalanie warstwowe. ' Wynalazek jest szczególowo objasniony w nizej podanych przykladach.Przyklad I. Papier elektrografkany oznaczo¬ ny przez 1197—2 produkowany przez Weyerhauser Corp. naladowano wstepnie ladunkiem ujemnym do potencjalu 7700 V za pomoca laboratoryjnego korotronu zasilanego ze zródla wysokiego napiecia.Kartke tlenkowo-cynkowego papieru, produkowa¬ nego przez Charles Bruning Go., naladowano za pomoca podobnego korotronu do potencjalu 1100 V.Przezroczysty oryginal umieszczono na naladowa¬ nym tlentoowo-cynkowym papierze i naswietlano za pomoca 75-watowego reflektora fotograficznego.Dla papieru tlenkowo-cymkowego oswietlenie wy- cd nosic winno 0,39— . Naladowana powierz- envsek chnie elektrograficznego podloza zetknieto z za¬ wierajaca obraz powierzchnia papieru tlenkowo- -cynkowego tak, ze powierzchnia dielektryczna i fo- tQpxzewodzaca zostaly zestawione razem. Tylna po¬ wierzchnie plyty podloza naladowano ujemnie za pomoca korotronu laboratoryjnego do potencjalu 5200 V. Elektrografirzna plyte podloza, oddzielono nastepnie od zawierajacego obraz papieru tlenko¬ wo-cymkowego, po czym na plycie wywolano obraz wymieniona wyzej metoda magnetycznego szczot¬ kowania. Zastosowano przy tym dodatnia polaryza¬ cje tonera, Nastepnie naladowano wstepnie, w spo¬ sób wyzej opisany druga kartke papieru elekzro- graficznego i zetknieto ja z zawierajaca obraz oty¬ ta fotoprzewodzaca. Powtórzono dalsze gp^np wy. zej etapy postepowania i wywolano drugi obraz.Cale postepowanie powtórzono cztery razy w ce¬ lu przedstawienia mozliwosci stosowania ukladu do wielokrotnego kopiowania.Przyklad H. Powtórzono postepowanie we¬ dlug przykladu pierwszego z ta róznica, ze papier 45 eleltfrogra*iczny zastapiono papierem impregnowa¬ nym polietyienem. Otrzymano podobne wyniki.Przyklad IIL Powtórzono postepowanie we¬ dlug przysiadu pierwszego z ta róznica, ze papier Uenkowo-cyokowy zastajHoiio ketonem trójnitaroauo- 50 rowym z domieszka karbazolu polrwinylowego umieszczonym na podkladzie glinowym. Prócz te¬ go* zmieniono polaryzacje stosowanych napiec po- zostawiajac jednakze ich wartosci nie amienione.Zastosowano ujemna polaryzacje toneru i otrzy- 55 mano obraz na kilku osobno uzytych kartkach pa¬ pieru elektrograficznego.Przyklad IV. Powtórzono postepowanie we¬ dlug przykladu trzeciego z ta róznica, ze papier elektrograficzny zastapiono papierem impregnowa- 60 nym polietylenem.Przyklady te sa szczególnymi wypadkami stoso¬ wania sposobu wedlug wynalazku za wzgledu na wyszczególnione materialy i konikrotne warunki, w których je uzyto. Mozna jednak stosowac kazdy 65 z odpowiednich, poprzednio wymienionych typo-\ T wych materialów otrzymujac podobne wyniki. Po¬ nadto mozna stosowac w razie potrzeby modyfika¬ cje sposobu wedlug wynalazku. Na przyklad, ele¬ ktrostatyczny uklad odwzorowujacy mozna przy¬ stosowac do polaczenia z drukowaniem technika si¬ towa. Prócz tego stosowac mozna jako domieszki w wywolywaczu, materiale fotoprzewodzacym i plycie przenoszacej inne substancje wzmagajace dzialanie lub w inny pozadany sposób wplywaja¬ ce na wlasnosci tych materialów. Na przyklad czulosc widmowa plyty fotoprzewodzacej mozna zmienic przez uzycie jako domieszki do materialu, z którego jest ona wykonana, barwników swiatlo¬ czulych. PL PL

Claims (11)

1. Zastrzezenia patentowe i. Sposób elektrostatycznego powielania obrazów droga pozornego styku powierzchni fotoprzewodza¬ cej materialu izolujacego, niosacej obraz elektro¬ statyczny z jednorodnile naladowana powierzchnia izolujacego podloza, wytworzenia pola elektryczne¬ go pomiedzy wymienionymi powierzchniami o na¬ tezeniu powodujacym wyladowanie pomiedzy tymi powierzchniami, rozdzielnia tych powierzchni, przez co selektywnie przeniesiony pomiedzy tymi po¬ wierzchniami ladunek tworzy elektrostatycznie na¬ ladowany wzór na dielektrycznym podlozu zgod¬ ny w ksztalcie z utajonym obrazem elektrostatycz¬ nym na materiale fotoprzewodzacym, znamienny tym, ze jako material fotoprzewodzacy stosuje sie material posiadajacy ciemniowa, niezmeczeniowa opornosc wlasciwa wieksza anizeli 1015 onvcm i swietlna zmeczeniowa opornosc rzeczywista 108— 101S onvcm, a tym samym odznaczajacy sie trwa¬ lym przewodnictwem tla podczas przenoszenia la¬ dunku.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze na powierzchni fotoprzewodzacego materialu izo¬ lujacego 6 duzym zmeczeniu swietlnym tworzy sie pierwszy obraz elektrostatyczny, a nastepnie po¬ wierzchnie podloza izolacyjnego laduje sie jedno¬ rodnie, po czym powierzchnia podkladu prawie styka sie z zawierajacym obraz materialem foto¬ przewodzacym, a nastepnie oddziela sie wymienio¬ ne powierzchnie, gdy pole elektryczne pomiedzy tymi powierzchniami wzrosnie do stopnia powodu¬ jacego wyladowanie i utworzenie na powierzchni podloza wtórnego obrazu elektrostatycznego, zgod¬ nego, pod wzgledem ksztaltu i polaryzacji z pierw, szym obrazem elektrostatycznym.
3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze powierzchnie jednorodnie naladowanego fotoprze¬ wodzacego materialu izolujacego o duzym zmecze- 290 8 niu swietlnym naswietla sie selektywnie ze zród¬ la promieniowania elektromagnetycznego, powierz¬ chnie dielektrycznego podloza laduje sie jednorod¬ nie ladunkiem o identycznej polaryzacji jak pola- 5 ryzacja wzorcowego elektrostatycznego obrazu uta¬ jonego, po czym jednorodnie naladowana po¬ wierzchnie podloza dielektrycznego doprowadza sie do pozornego zetkniecia z zawierajaca obraz po¬ wierzchnia materialu fotoprzewodzacego; powierz- io chnie te rozdziela sie przy jednoczesnym przyloze¬ niu napiecia co najmniej do materialu fotoprzewo¬ dzacego lub podloza dielektrycznego.
4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze etapy ladowania powierzchni podloza, doprowa- 10 dzenia obu powierzchni do zetkniecia i rozdziela¬ nia ich powtarza sie wielokrotnie.
5. Sposób wedlug zastrz. 2 lub 3, lub 4, znamien¬ ny tym, ze podloze polaryzuje sie ujemnie, a nate¬ zenie pola elektrycznego zwieksza sie droga do- 20 starczania ladunku elektrostatycznego do podloza, podczas gdy podloze znajduje sie w pozornym zetknieciu z materialem fotoprzewodzacym.
6. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze podloze polaryzuje sie ujemnie, a pole elektryczne 25 zwieksza sie za pomoca ladunku elektrostatyczne¬ go, dostarczonego do materialu fotoprzewodzacego, podczas gdy material fotoprzewodzacy doprowa¬ dzony jest do pozornego zetkniecia z podlozem izo¬ lujacym. 30
7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako material fotoprzewodzacy stosuje sie material nalezacy do grupy skladajacej sie z organicznych i nieorganicznych fotoprzewodzacych mieszanin izolujacych, których opornosc wskutek zmeczenia 35 swietlnego zmienia sie w zakresie od 108 do 1013 om/cm.
8. Sposób wedlug zastrz.. 1, znamienny tym, ze jako material fotoprzewodzacy stosuje sie material zawierajacy nieorganiczny, barwnik fotoprzewodza- 40 cy nalezacy do grupy zawierajacej tlenek olowiu, tlenek cynku, siarczek kadmu i siaricoselenek kad¬ mu zawieszony w zywicy wiazacej..
9. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym* se jako material fotoprzewodzacy stosuje sie stop ar- 45 seno-selenowy.
10. Sposób wedlug zastrz. 9, znamienny tym, ze stosuje sie stop arseno-selenowy z domieszka chlo¬ rowca.
11. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 50 jako material fotoprzewodzacy stosuje sie material zawierajacy organiczny barwnik fotoprzewodzacy z grupy zawierajacej poliwinylokarbazol i ftalo- cyjaniian.80 250 ¥- 25 _l 36 22 k 23 ZL FI-" K iQ 31 / 20 FIG. 2 36 ur-37 36 ^\\SW& 35 22^ ---""""jy-T"-^ 7777777777/?: J 35 F/6. 3 -is n F/6. 480 250 ,25 £ 36 Fh 24 £®* *, &K40-&* *, W40 e^4l?^--Z*f±L^4l^2 20 35 21 F/6. 5 F/6. 6 45 f/6. 7 CZY i tLNIA Ll- :;-dy Portowego :•'¦*¦¦ P ¦ ¦ »i Lr »*Bj LDA — Zaklad 2 — Typo, zam. 588/75 — 100 egz. Cena 10 zl PL PL
PL13495869A 1968-07-26 1969-07-21 PL80250B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74788368A 1968-07-26 1968-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL80250B1 true PL80250B1 (pl) 1975-08-30

Family

ID=25007071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL13495869A PL80250B1 (pl) 1968-07-26 1969-07-21

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5313974B1 (pl)
BE (1) BE736414A (pl)
CA (1) CA934805A (pl)
CH (1) CH514871A (pl)
CS (1) CS204964B2 (pl)
DE (1) DE1937057C3 (pl)
ES (1) ES369878A1 (pl)
FR (1) FR2016823A1 (pl)
GB (1) GB1281235A (pl)
NL (1) NL6911250A (pl)
PL (1) PL80250B1 (pl)
SU (1) SU526298A3 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239062A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Victor Co Of Japan Ltd 静電潜像の転写方式

Also Published As

Publication number Publication date
ES369878A1 (es) 1971-07-16
CA934805A (en) 1973-10-02
GB1281235A (en) 1972-07-12
JPS5313974B1 (pl) 1978-05-13
CH514871A (de) 1971-10-31
FR2016823A1 (pl) 1970-05-15
DE1937057B2 (de) 1979-08-30
DE1937057C3 (de) 1980-05-22
DE1937057A1 (de) 1970-01-29
SU526298A3 (ru) 1976-08-25
BE736414A (pl) 1970-01-22
CS204964B2 (en) 1981-04-30
NL6911250A (pl) 1970-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU917713A3 (ru) Электрофотографический копировальный аппарат
US4508052A (en) Developing device
GB1565232A (en) Electrophotographic copying
CA1332117C (en) Imaging system
US3216844A (en) Method of developing electrostatic image with photoconductive donor member
US3719481A (en) Electrostatographic imaging process
US3703376A (en) Induction imaging system
US3271146A (en) Xeroprinting with photoconductors exhibiting charge-storage asymmetry
EP0430703B1 (en) Xeroprinting process
US3429701A (en) Multiple copy electrophotographic device utilizing a charge pattern at the interface of a photoconductive layer and a dielectric layer
CA1332118C (en) Imaging system
US3653891A (en) Forms overlay technique using tesi
US3589290A (en) Relief imaging plates made by repetitive xerographic processes
US3784301A (en) Electrophotographic border apparatus
US4524117A (en) Electrophotographic method for the formation of two-colored images
US4967236A (en) Charge retention xeroprinting
US3414409A (en) Particle transfer
US3794418A (en) Imaging system
PL80250B1 (pl)
US3676118A (en) Reflex xerographic imaging system
US3326709A (en) Electrostatic printing
EP0166576B1 (en) A method for the production of images
EP0166544B1 (en) A developing process for two-coloured electrophotography and a developing apparatus for the same
US3341326A (en) Dark decay controlled xerography
US4294903A (en) Process for electrostatically developing and pressure-fixing a reversed image including charge dissipation prior to fixing