PL73232B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL73232B2
PL73232B2 PL14724371A PL14724371A PL73232B2 PL 73232 B2 PL73232 B2 PL 73232B2 PL 14724371 A PL14724371 A PL 14724371A PL 14724371 A PL14724371 A PL 14724371A PL 73232 B2 PL73232 B2 PL 73232B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
substrate
plate
electrodes
semiconductor
layer
Prior art date
Application number
PL14724371A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL14724371A priority Critical patent/PL73232B2/pl
Publication of PL73232B2 publication Critical patent/PL73232B2/pl

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

Pierwszenstwo: Zglosznie ogloszono: 20.04.1973 Opis patentowy opublikowano: 30.04.1975 73232 KI. 21g,ll/02 MKP H01v 5/00 Twórcy wynalazku: Stanislaw Jung, Maciej Stadnicki, Aleksander Hryn¬ kiewicz Uprawniony z patentu tymczasowego: Zaklad Doswiadczalny Nr 2 Prze¬ myslowego Instytutu Elektroniki, Torun (Polska) Sposób wykonywania elektrod i polaczen na plytce halotronu Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonywania elektrod i polaczen na plytce halotronu, wykona¬ nego w postaci naparowanej na plytke podloza warstwy pólprzewodnika, wzdluz której przepusz¬ czany jest doprowadzony sciezkami przewodzacymi prad oraz mierzone poprzeczne napiecie Halla. W tej konstrukcji halotronu elektrody sa tworzone w miejscach styku naparowanej warstwy pólprze¬ wodnika ze sciezkami przewodzacymi oraz w miej¬ scach wlutowania przewodów laczeniowych w sciez¬ ki przewodzace.Folaczenia na plytce podloza wykonane sa w po¬ staci sciezek przewodzacych laczacych elektrody na¬ parowanej warstwy pólprzewodnika z elektrodami kontaktowymi wyprowadzen. Wymagane jest by elektrody posiadaly silna przyczepnosc do podloza w miejscach wlutowania przewodów oraz mala i liniowa wzgledem pradu rezystywnosc w szczegól¬ nosci na styku sciezek przewodzacych z warstwa pólprzewodnika. Dotychczas elektrody i sciezki przewodzace na plytkach podloza naparowanych halotronów wykonywane byly dwoma sposobami.Wedlug jednego sposobu na plytke podloza w pierwszej kolejnosci naparowywano warstwe z pól¬ przewodnika a nastepnie nanoszono sciezki przewo¬ dzace sposobem nie wymagajacym podwyzszonej temperatury np. przez nadruk farbami przewodza¬ cymi. Drugi sposób polegal na wykonaniu w pierw¬ szej kolejnosci sciezek przewodzacych na podlozu, nastepnie ich wpaleniu w podloze w celu uzyskania 10 15 25 30 dobrej przyczepnosci do podloza i w dalszej kolej¬ nosci naparowaniu warstwy pólprzewodnikowej.W pierwszym sposobie uzyskano dobre wlasciwo¬ sci styku pomiedzy warstwa pólprzewodnika a sciez¬ kami przewodzacymi, natomiast wada tego rozwia¬ zania byla slaba przyczepnosc sciezki do podloza, co uniemozliwialo wykonanie wlutowania przewodów do elektrod wyprowadzeniowych o odpowiedniej wytrzymalosci mechanicznej. W drugim sposobie przez wpalenie sciezek przewodzacych w podloze uzyskano mozliwosc wykonania elektrod wyprowa¬ dzeniowych o odpowiedniej wytrzymalosci mecha¬ nicznej ale nastepnie wskutek naparowywania war¬ stwy pólprzewodnika z naniesionymi uprzednio sciezkami przewodzacymi wytwarzaly sie zwiazki chemiczne pólrzewodnika z materialem sciezki, two¬ rzac elektrody w postaci zlacz o podwyzszonej rezy- stywnosci i nieliniowej charakterystyce wzj^dem pradu.Celem wynalazku bylo opracowanie sposobu wy¬ konania elektrod i ich polaczen (na plytce Jail^tro- nu), posiadajacych mala rezystywnosc i liniowa cha¬ rakterystyke wzgledem pradu w miejscach laczenia warstwy pólprzewodnikowej ze sciezkami przewo¬ dzacymi oraz silna przyczepnosc do podloza w miej¬ scach wlutowywania wyprowadzen. Nalezalo opra¬ cowac taki sposób wykonawstwa poszczególnych ope¬ racji by zapewnic mozliwosc wpalenia elektrod wyprowadzeniowych, unikajac wplywu podwyzszo¬ nej temperatury na zlacze naparowanej warstwy 73 23273 232 3 pólprzewodnikowej z materialem sciezki przewo¬ dzacej. Zagadnienie to rozwiazano ustalajac taka kolejnosc wykonywania poszczególnych operacji, ze operacje odbywajace sie w podwyzszonej tempera¬ turze sa przeprowadzane przed utworzeniem styku metal-pólprzewodnik.Wedlug wynalazku na plytke podloza halotronu nanosi sie w pierwszej kolejnosci badz przez napa- rowanie w prózni, badz przez nadruk, elektrody z metali szlachetnych do wlutowania wyprowadzen, które nastepnie wpala sie w podloze. W nastepnej kolejnosci na plytke podloza naparowywuje sie warstwe pólprzewodnika, która umieszcza sie poza wykonanymi uprzednio elektrodami kontaktowymi.Nastepnie nanosi sie poprzez nadruk farbami prze¬ wodzacymi w normalnej temperaturze, badz w inny znany sposób sciezki przewodzace, laczace elektrody kontaktowe wyprowadzen z odpowiednimi punktami doprowadzenia pradu i pomiaru napiecia Halla na warstwie pólprzewodnika tworzac elektrody we¬ wnetrzne tej warstwy. W dalszej kolejnosci do elek¬ trod kontaktowych dolutowywuje sie przy pomocy spoiwa przewody podlaczeniowe.Przedstawiony sposób wykonania elektrod i ich polaczen na plytce halotronu zapewnia proste wy¬ konanie przyrzadu o dobrych wlasciwosciach elek¬ trycznych i odpowiedniej wytrzymalosci mechanicz¬ nej wyprowadzen. Halotron taki stanowi uniwer¬ salny element do wykorzystania w róznych warun¬ kach pracy, przy pomiarach zwiazanych z nateze¬ niem pola magnetycznego.Sposób wykonania elementów na plytce halotronu wedlug niniejszego wynalazku zostal zilustrowany przykladowo na rysunkach fig. 1 do 4. Poszczególne figury przedstawiaja kolejne etapy postepowania.Fig. 1 przedstawia pierwsza operacje nanoszenia, na jednym koncu prostokatnej plytki podloza 1, elektrod kontaktowych 2, wykonanych z metali szla- 4 chetnych poprzez nadruk lub naparowywanie, które nastepnie sa wpalane w podloze.Fig. 2 przedstawia plytke po wykonaniu nastep¬ nej operacji, to znaczy naparowania w podwyzszo¬ nej temperaturze pólprzewodnikowej warstwy 3, która umieszczono w centralnej czesci plytki, tak ze podczas osadzania sie pólprzewodnik nie ma sty¬ ku z innym materialem niz podloze.Fig. 3 przedstawia plytke halotronowa po nanie¬ sieniu sciezek przewodzacych 4, laczacych elektrody kontaktowe 2 z odpowiednimi punktami roboczymi warstwy pólprzewodnikowej 3. Sciezki te nanoszone sa w normalnej temperaturze, np. przez nadruk farbami przewodzacymi.Fig. 4 przedstawia calkowicie wykonana plytke halotronowa po wykonaniu ostatniej operacji jaka jest wlutowanie w elektrody kontaktowe 2 przewo¬ dów odprowadzajacych 5 przy pomocy spoiwa 6.Tak wykonana plytka halotronowa odpowiednio za¬ bezpieczona przez zalewe hermetyzujaca, sluzy jako przyrzad czujnikowy do pomiaru pól magnetycznych w róznych warunkach pracy. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania elektrod i polaczen na plytce halotronu wykonanego w postaci naparowanej war¬ stwy pólprzewodnika na plyte podloza, znamienny tym, ze na plytke podloza halotronu (1) nanosi sie w pierwszej kolejnosci elektrody (2), które nastep¬ nie wpala sie w podloze, po czym naparowuje sie warstwe pólprzewodnika (3), która z kolei jest laczo¬ na przy pomocy sciezek przewodzacych (4), wyko¬ nanych sposobem nie wymagajacym podwyzszenia temperatury do granic powodujacych reakcje fizy¬ ko-chemiczne pólprzewodnika i materialu sciezki z elektrodami kontaktowymi (2), do których w na¬ stepnej kolejnosci sa wlutowane przewody lacze¬ niowe (5) przy pomocy spoiwa (6). 10 15 20 25 30Kl.21g.il/02 73 232 MKP H01v 5/00 Fig.
1. PL PL
PL14724371A 1971-03-31 1971-03-31 PL73232B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL14724371A PL73232B2 (pl) 1971-03-31 1971-03-31

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL14724371A PL73232B2 (pl) 1971-03-31 1971-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL73232B2 true PL73232B2 (pl) 1974-08-31

Family

ID=19953922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL14724371A PL73232B2 (pl) 1971-03-31 1971-03-31

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL73232B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010050315B4 (de) Verfahren zur Herstellung von gesinterten, elektrischen Baugruppen und damit hergestellte Leistungshalbleitermodule
Lu et al. Mechanisms underlying the unstable contact resistance of conductive adhesives
CN103889144B (zh) 陶瓷基板及其制造方法
DE19750123A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung
US10338019B2 (en) Sensor substrate and sensor device
Spear Electron bombardment effects in thin dielectric layers
KR101628414B1 (ko) 센서 장치 및 제조 방법
US3260980A (en) Semiconductor device op low thermoelectric error voltage
PL73232B2 (pl)
JP7029449B2 (ja) 光パルス発生器及び光パルス発生器の操作方法
JP2016219609A (ja) 熱電変換素子、発電デバイス
KR900003849B1 (ko) 배선 기판과 이를 사용한 서말 프린팅 헤드
US3390453A (en) Method of making a sandwich resistor
US4068205A (en) Resistance element for a resistance thermometer
CH660258A5 (de) Keramikgehaeuse fuer einen hybridschaltkreis.
US3293586A (en) Hall plate devices
HK14797A (en) Device for controling a soldering joint by electronic mesurement of the soldering joint area
SU996138A1 (ru) Электрод дл микросварки
CZ2019496A3 (cs) Senzorový substrát pro detekci plynných látek
JP2000048939A (ja) 通電デバイスおよびその製造方法
EP4628862A1 (en) Temperature sensor
SU656127A1 (ru) Коллектор с рекуперацией энергии
SU1003195A1 (ru) Ненакаливаемый катод
JPH087768A (ja) 蛍光表示管及び蛍光表示管の検査方法
TW202240604A (zh) 薄型溫度感測器