PL6881B1 - Urzadzenie do elektrycznego przesylania obrazów. - Google Patents
Urzadzenie do elektrycznego przesylania obrazów. Download PDFInfo
- Publication number
- PL6881B1 PL6881B1 PL6881A PL688126A PL6881B1 PL 6881 B1 PL6881 B1 PL 6881B1 PL 6881 A PL6881 A PL 6881A PL 688126 A PL688126 A PL 688126A PL 6881 B1 PL6881 B1 PL 6881B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cell
- layers
- crystals
- decomposition
- individual
- Prior art date
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 52
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 86
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000002287 horizontal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Description
Trudnosci, na jakie napotykalo do¬ tychczas bardzo szybkie przesylanie obra¬ zów na drodze elektrycznej oraz liczne próby usuniecia tych trudnosci, sa dobrze znane z pismiennictwa specjalnego oraz ze zgloszen patentowych.Wprawdzie przeksztalcenie elementów obrazu na elektryczne prady pulsujace za- pomoca komórek fotoelektrycznych oraz przenoszenie tych impulsów wzdluz prze¬ wodów lub na falach elektrycznych, jak równiez zupelnie zadawalajacy rozrzad swiatla w odbieraczu, nie przedstawiaja zbytnich trudnosci w obecnym stanie tech¬ niki pradów szybkozmiennych oraz wzmacniaczy. Jednakze rozlozenie obrazu w nastawiaczu oraz synchroniczne i fazowe zlozenie elementów obrazu w odbieraczu przedstawialo wciaz wszelkie trudnosci przy budowie urzadzen do natychmiasto¬ wej fotografji na odleglosc lub nawet do ,,widzenia na odleglosc" zapomoca elek¬ trycznosci.Wynalazek niniejszy dotyczy nowego urzadzenia do szybkiego rozlozenia danego obrazu na poszczególne elementy po¬ wierzchniowe oraz do synchronicznego zlo¬ zenia tych elementów w odbieraczu. W tym celu uzywa sie do rozlozenia oraz zlozenia obrazu zamiast dotychczas stosowanego ru¬ chomego promienia swietlnego lub mecha¬ nicznego urzadzenia „wyczuwajacego" ograiniczoinego' w przestrzeni peku promie¬ ni swietlnych równoleglych przechodza-cych; prztz jedna lub kilka komórek swietlnych 4~fozrza \ szeregu cienkichwarstw osrodka optycz¬ nie zmiennego. Poszczególne warstwy tych komórek posiada]ja wlasnosci 'optyczne, które moga byc zmieniane jedna po dru¬ giej zapomoca napiec elektrycznych. Po dwie takie komórki moga byc umieszczone w wysylaczu i w odbieraczu i synchronicz¬ nie poddane dzialaniu równych czestotli¬ wosci. Swiatlo pochodzace z obrazu prze¬ noszonego przechodzi przytem przez oby¬ dwie komórki wysylacza przed dojsciem do komórki fotoelektiycznej. Równiez pro¬ mienie swietlne zródla swiatla w odbiera- catit na które oddzialywaja impulsy ko¬ mórki fotoelektrycznej, przechodza przez obydwie komórki rojzrzadcze iodbie- raaza w sposób podobny jak w wy¬ sylaczu. Dla wykonania rozrzadu swia¬ tla mozna poslugiwac sie znanym zja¬ wiskiem Kerr'a podwójnego zalamania elektrycznego, w ten sposób, ze poszcze¬ gólne optycznie zmienne warstwy stano¬ wia dielektryk wieloplytowego kondensa¬ tora komórki Kerr'a, przyczem plyty tego kondensatora sa elektryzowane kolejno.Zjawisko Kerr'a pozwala osiagnac to, ze zarówno poziome, jak i pionowe szeregi obrazów przechodza przez komórke Kerr'a jedne po drugich. Jezeli przytem czesto- tliwtosc elektrycznego pobudzania jednej komórki jest wielokrotnie wieksza od cze¬ stotliwosci pobudzania drugiej komórki umieszczonej prostopadle do pierwszej, wtedy kazdorazowy punkt krzyzowania sie szeregów obrazów przebiega po calej po¬ wierzchni iohrazu, rozkladajac w ten spo^ sób obraz na punkty. Poszczególne linje obrazu sa wiec elektrooptycznie segrego¬ wane zapomoca zjawiska Kerr^a, to zna¬ czy, ze sa one badz nieprzepuszezane, badz ;wyswietlane.Mozria jednak uzywac dla elektro- ^0tycaaaeig6 rozrzadu zamiast zj^awiska J£err'ii fówtiiei zjawisko Biofa, t ju raane w fizyce zjawisko zmiany optycznycjh wla¬ snosci przepuszczajacego swiatlo osrodka przy mechanicznem oddzialywaniu na ten osrodek, szczególnie przy wywolaniu w nim drgan wlasnych. Doswiadczenia Cady wykazaly, ze prady szybkozmienne wzbu¬ dzaja w krysztalach piezoelektrycznych drgania wlasne lub harmoniczne gdy za¬ chodzi rezonans z drganiami elektryczne- mi dzialajacemi na krysztal. Zjawisko pie¬ zoelektryczne, które mozna zauwazyc sizidzególmiej w kwarcu i w szeregu innych krysztalów, moze byc zuzytkowane we¬ dlug niniejszego wynalazku równiez do rozkladania i skladania obrazów, przy¬ czem poszczególne warstwy komórki skla¬ daja sie zamiast z plynnego dielektryku z krysztalów drgajacych, np. z cienkich list¬ ków kwarcu szlifowanego w kierunku osi.Rzecza zasadnicza w danym wypadku jest to, aby kazdy z tych listków, miedzy któ- remi znajduja sie okladki kondensatora, posiadal inne drgania wlasne.Fig/ 1 zalaczonego rysunku wskazuje schematycznie zasade rozkladania obra¬ zów dla wyjasnienia wynalazku,, Z powierzchni obrazu wskazanej na ry¬ sunku przez strzalke 1 wychodza promie¬ nie swietlne, które sa równolegle skiero¬ wane do polaryzatora 2, skad przechodza przez pionowa (to znaczy o pionowych warstwach) komórke rozrzadcza 3, przez pozioma komórke 4 oraJz analizator 5 komórki Kerr'a, przez soczewke 6 do punktu ogniskowego 7. W wysylaczu znaj¬ duje sie w tym punkcie komórka fotoelek- tryczna, która w znany sposób przeksztal¬ ca dzialanie swiatla w zmiany pradu, któ¬ re moga w znany sposób byc przeniesione do stacji odbiorczej badz zapomoca prze¬ wodników, badz przez fale elektryczne.Rozlozenie obrazu / na poszczególne punkty swietlne, dzialajace jedne po dru¬ gich na komórite fotoelektryczna, odbywa sie w ten sposób, ze swiatlo zostaje prze¬ puszczone koleino przez poszczególnewarstwy komórek rozrzadczych zapomoca odpowiedniego oddzialywania elektrycz¬ nego na te komórki. Jednak przepuszcza¬ nie to odbywa sie znacznie szybciej w ko¬ mórce 4 niz w komórce 3 i to takt ze pod¬ czas jednego przejscia przez komórke 3, wytwarza sie kolejno kilka poszczególnych przejsc w komórce 4. Zastopowanie do te¬ go celu elektrycznosci pozwala uskutecz¬ nic to w czasie trwajacym ulamek sekun- dy.Stacja odbiorcza posiada, jak zaznaczo¬ no wyzej;, podobne urzadzenie komórek 3 i 4 (jak na fig. 1). Róznica polega na tern, ze w punkcie ogniskowym 7 soczewki 6, zamiast komórki fotoelektrycznej, znajdu¬ je sie zródlo swiatla (nip. punktowa lampa wolframowa), na które moga oddzialywac prady pochodzace z komórki fotoelek¬ trycznej wysylacza. Urzadzenie oddzialy¬ wujace moze skladac sie z komórki Kerr'a w zwyklej formie wykonania, gdyz zada¬ nie jej polega w danym wypadku jedynie na regulowaniu silnego zródla swiatla za¬ pomoca pradów fotoelektrycznych wysy- lacza. Promienie swietlne o zmiennem na¬ tezeniu wychodzace z punktu 7 odbieracza zostaja przez soczewke 6 równolegle skie¬ rowane poprzez nikol 5, który w odbiera¬ czu dziala jako polaryzator. Nastepnie przechodza promienie przez obydwie ko¬ mórki 4 i 3 oraz nikol 2, dzialajacy obecnie jako analizator do ekranu 1. Poniewaz ko¬ mórki 4 i 3 odbieracza sa wzbudzane syn¬ chronicznie z komórkami 3 i 4 wysylacza, punkt skrzyzowania odbieracza posiada kaz¬ dorazowo to samo polozenie w przestrzeni co punkt wysylacza, tak ze przepuszcza na ekran 1 na te same miejsca tylko te nate¬ zenia swiatla, które odpowiadaja w zupel¬ nosci obrazowi oryginalnemu^ Na schemacie (fig. 1) przedstawione sa komórki rozrzadcze J i 4 tylko o pieciu warstwach elektrooptyezriych. Oczywiscie konieczna jest znacznie wieksza ilosc warstw dla rozlozenia obrazu. I tak np. dla rozlozenia obrazu na 10,000 puaktow musza posiadac obydwie komórki po 100 carstw, co jednak! moze byc z latwoscia uskutecznione przy uzyciu bardzo cien¬ kich warstw. Polaryzatory wzglednie ana¬ lizatory 2 i 5 sa utworzone nie z naturalne¬ go szpatu wapiennego, lecz ze sztucznych krysztalów azotanu sodowego (saletry so¬ dowej), które sie lepiej do tego celu nada¬ ja i moga byc otrzymane tor odpowiednich wielkosciach.Przy zastosowaniu w punkcie 7 odbie¬ racza, dla rozrzadu swiatla, specjalnej ko¬ mórki Kerr'a, mozna obejsc sie bez anali¬ zatora dla tej komórki lub bez polaryzd- tora 5 urzadzenia rozkladajacego obraz, gdyz Iswiatlo wychodzace z komórki 7 jest juz polaryzowane.Fig. 2 wskazuje elektryczne polacze¬ nie komórki rozrzadczej ze zródlem pradu zmiennego, w fwypadku gdy stosuje sie dla rozrzadu komórki zjawisko Kerr^a.Plyty kondensatora, tworzace jedna z okladek kondensatora, sa polaczone bez¬ posrednio z jednym z nacisków zródla pra¬ du zmiennego W, podczas gdy plyty, sta¬ nowiace druga okladke, sa polaczone z drugim zaciskiem zródla W 'poprzez cewki lub opory c, c/, e, f, których wielkosci! sa stopniiowane. Jedynie w obwodzie 6 pierw¬ szej z tych plyt moze nie byc wlaczoiny podobny opór.Widocznem jest z powyzszego, ze na¬ ladowanie poszczególnych plyt kondensa¬ tora nie nastepuje jednoczesnie, gdyz opo¬ ry c, d, e, f powoduja przesuniecie faz.Przesuniecie to zalezne jest od wielkosci wlaczonych oporów pradu zmiennego b, c, ^ d, e, f. Dla utrzymania amplitudy napiecia mniej wiecej na jednym poziomie mozna wlaczyc do obwodów plyt kondensatorów poza oporami amowemi równiez i opory indukcyjne. t Warstwy komórek nie sa umieszczone prostopadle jedtoe do drugich, lecz skrzy- — 3 —zowane w sposób ukosny, Fig. 3 [wskazuje forme urzadzenia przepuszczajacego obra¬ zy, którego poszczególne elementy po¬ wierzchniowe posiadaja ksztalt rombowy.Przy zastosowaniu tak ulozonych plyt kondensatorowych wystarcza mnfejsze skrecanie plaszczyzny polaryzacyjnej przez napiecia przylozone do tych plyt.Zamiast stosowac optyczny rozrzad warstw przy pomocy zjawiska Kerr'a moz¬ na, jak zaznaczono wyzej, równiez stojo- wac w tym celu inne zjawiska, jak np, zja¬ wisko Biot'a, ]przyczem zamiast nitro-ben- zolu komórki Kerr'a stosuje sie krysztaly drgajace. Przy dzialaniu na podobna ko¬ mórke, zbudowana z krysztalów drgaja¬ cych, pradów zmiennych (dla wywolania ciaglej zmiany czestotliwosci elektrycz¬ nej w zakresie czestotliwosci drgan wla¬ snych listków krysztalów, zostaja wpro¬ wadzone w drgania wlasne tylko' te kry¬ sztaly, które znajduja sie kazdorazowo w rezonansie z czestotliwoscia elektryczna, W ten sposób, tylko w tern miejscu i w tej chwili zostaja, optycznie zmienione polary¬ zowane promienie swietlne przechodzace równolegle przez komórke, tak ze przy odpowiedniem nastawieniu piolaryzatora oraz analizatora nastepuje wówczas uka¬ zanie (sie swiatla. Poniewaz zas czestotliwo¬ sci rozrzadcze drugiej komórki, ustawio¬ nej prostopadle do pierwszej, sa wielokrot¬ nosciami czestotliwosci pierwszej komórki i wraz z czestotliwosciami punktów obrazu okreslajacemi wartosci naswietlenia moga byc przeniesione po drutach lub na falach nosnych (podstawowych) modulowanych do odbieracza, synchronizm miedzy wysy- laczem a odbieraczem jest zapewniony.Nie jest koniecznem, aby linje obrazu przechodzily same przez piezoelektryczne krysztaly; krysztaly te moga sluzyc nato¬ miast do rozrzadu innego ciala przezroczy¬ stego, jak np, cienkich plytek szklanych, z któremi sa polaczone mechanicznie drga¬ jace krysztaly np, zapomoca kitu, W tym wypadku \szklo drga drganiami wlasnemi krysztalu i oddzialywa równiez na prze¬ chodzace promienie swietlne. Podobne urzadzenie przedstawia liczne korzysci, z których glówne polegaja na tern, ze swia¬ tlo nie zostaje zmienione chromatycznie, jak przez kwarc, lecz pozostaje Walem i ze drgania kwarcu zostaja wtedy mecha¬ nicznie tlumione, co zmniejsza znacznie stopien bezwladnosci calego urzadzenia.Fig, 4 przedstawia schematycznie po¬ dobna komórke krysztalowa, zbudowana wedlug danego wynalazku, przyczem po¬ dana ilosc krysztalów oczywiscie nie odpo¬ wiada rzeczywistosci. Drgania obwodu drgajacego 1 zostaja doprowadzone do okladek 3 i 4 komórki krysztalowej za po¬ srednictwem transformatora sprzegajace¬ go 2. Znajdujace sie miedzy okladkami 3 i 4 krysztaly 5—12 posiadaja dlugosc rozmaita, a wiec rózne drgania wlasne.Przy ciaglej zmianie drgan elektrycznych obwodu 1 zapomoca obrotowego konden¬ satora 13, krysztaly 5—12 zostaja wpra¬ wione jedne po drugich w drgania wlasne, co umozliwia stosowanie ich idlo rozrzadu przechodzacego przez te krysztaly swiatla polaryzowanego wedlug niniejszego wyna¬ lazku. Podobny rozrzad odbywa sie i w drugiej komórce, ustawianej prostopadle do pierwszej, z ta róznica jedynie, ze drga¬ nia wlasne krysztalów, a wiec i czestotli¬ wosci rozrzadcze sa wyzsze.Zastosowanie krysztalów drgajacych pozwala równiez nie umieszczac pomiedzy krysztalami specjalnych warstw przewo¬ dzacych dla wzbudzania elektrycznego po¬ szczególnych krysztalów. Wystarczaja w tym celu dwie elektrody wzglednie oklad¬ ki kondensatora dla komórki rozrzadczej, zlozonej z wielu warstw krysztalów, jak to wskazuje fig, 5. Nietylko mozna ukladac poszczególne warstwy krysztalów jedne na drugich, Jecz mozna je nawet scisnac bez zmiany ich wlasnosci optycznych zalez¬ nych od czestotliwosci rozrzadczych, Po- — 4 —szczególne krysztaly drgaja bez oddzialy¬ wania na sasiednie krysztaly nawet w tym wypadku, gdy wszystkie krysztaly sa bar¬ dzo silnie przycisniete jedne do drugich- Zabieg ten wywoluje jedynie, poza nie¬ znaczna zmiana drgan wlasnych kryszta¬ lów, tlumienie tychze drgan, co wplywa dodatnio fta zmniejszenie bezwladnosci calego zespolu krysztalów. Skrócenie cza¬ su tlumienia drgan poszczególnych kry¬ sztalów, których normalnie tlumienie jest bardzo slabe, posiada wielkie znaczenie przy bardzo dokladnem (rozkladaniu obra¬ zu i przy bardzo wielkich szybkosciach przenoszenia obrazów (widzenie na odle¬ glosc) dla osiagniecia odpowiednio szyb¬ kich zmian optycznych ^przechodzacych przez komórke promieni swietlnych.Jako materjal piezoelektryczny okazal sie najodpowiedniejszym kwarc. Anizotro¬ powe krysztaly kwarcu posiadaja jednak te wade, ze polaryzuja swiatlo chromatycz¬ nie, t. j. (wywoluja zmiane zabarwienia przechodzacych przez nie promieni swietl¬ nych. Dla usuniecia tej wady, wywolanej tak izjwanem rozsiewaniem skrecaj acem, wy¬ nalazek niniejszy przewiduje odpowiednie urzadzenie obydwóch komórek rozrzad¬ ezych w ten sposób, ze chromatyczna pola¬ ryzacja jednej komórki zostaje usunieta przez fdrtlga komórke. Cel ten moze byc osiagniety np. przez wykonanie jedbej z komórek z fcryslzitalów lewoiskreeajacych, a drugiej z krysztalów prawoiskrecaja- cych, jak to jest wskazane schematycznie na fig. 6 zapomoca strzalek. Podobne urza^ dzenie wykasuje chromatyczna zmiane przechodzAGego pfzez nte bialego swiatla i pozwala na zupelne zaciemnienie i wyja¬ snienie pola widzenia.Na drodze uproszczenia budowy komó¬ rek stanowi jeszcze jeden krok naprzód zastosowanie, zamiast pojedynczych list¬ ków krysztalów, jednego tylko krysztalu anizotropowego, np. pryzmatu kwarcowego wypelniajacego cala szerokosc obrazu. Je¬ dynie wazna rzecza jest przytem to, aby poszczególne warstwy równolegle tego krysztalu mogly byc wprawione w doga¬ nia wlasne rózne tak, jak w pryzmacfe Ulo¬ zonym z krysztalów oddzielnych.Dla rozrzadu swiatla w celu rozróznie¬ nia wartosci naswietlenia poszczególnych punktów obrazu mozna stosowac w odbie¬ raczu przy dostatecznem tlumieniu drgan wlasnych krysztalów badz zapomoca ci¬ snienia, badz zapomoca przyklejenia cial izotropowych (szklo), zamiast komórki Kerr'a (7 fig. 1) równiez krysztal piezo¬ elektryczny.Nie jest jednak koniecznem uzycie spe¬ cjalnego urzadzenia (7, fig. 1) do rozrzadu natezen swiatla w • odbieraczu. Wedlug ni¬ niejszego wynalazku, mozna uniknac ko¬ niecznosci stosowania tego urzadzenia, do¬ stosowujac jedna lub obydwie komófki od¬ bieracza do spelniania jednoczesnie funk¬ cji urzadzenia jrozrzadczego swiatla dla poszczególnych punktów obrazu. W tyifc celu wystarcza, aby prady, pochodzac^ z komórki fotoelektrycznej wysylacza, zo¬ staly zuzytkowane do modulacji pradów rozrzadezych Idla komórki roizrzadczej swiatla w odbieraczu. W tym wypadku wystarcza wiec przekazac z wysylacza do odbieracza tylko: 1) prady rozrzadcze dla otwarcia jed¬ nej komórki; 2) prady rozrzadcze dla otwarcia dru¬ giej komórki. < W odbieraczu uzywa sie wtedy tylko stale zródlo swiatla oraz dwfe komórki roz¬ rzadcze. Jedna :z komórek zostaje wzbu¬ dzana jedna z diwóch zmiennych czestotli¬ wosci rozrzadezych, a druga zmodulowana czestotliwoscia. Równiez moga byc obydwa prady rozrzadcze komórek modulowane jed¬ noczesnie przez komórki fotoelektryczne tak, aby obydwie komórki odbieracza by¬ ly wzbudzane przez komórke fotoelektrycz- na. Dla przenoszenia czestotliwosci roz¬ rzadezych stosuje sie wspólna fale nósna — 5 —wysokiej czestotliwosci, W odbieraczu zo¬ staja zmienne czestotliwosci rozrzadcze odmodulowane w sposób znany w radjote- legrafji, np, zapomoca prostownika, Urzadzenie do przenoszenia obrazów przedstawione jest schematycznie na fig, 7 i 8. Poniewaz chodzi tu tylko o objasnie¬ nie zasady wynalazku, urzadzenia wyso¬ kiej czestotliwosci zostaly ograniczone do naj niezbedniej szych czesci. Oczywiscie moga tu znalezc zastosowanie wszystkie urzadzenia modulacyjne i wzmacniajace.Fig, 7 wskazuje wysyfacz, a fig, 8 od¬ bieracz urzadzenia do przesylania obra¬ zów.Na fig, 7 jeisft wskazana, jako zródlo drgan nietlumionych, lampa katodowa i, dostarczajaca do anteny 2 fali nosnej, W obwodzie anodowym lampy / wlaczona j«st lampa modulacyjna 3 dla krótkiej fali nosnej wytworzonej przez lampe 1. Cyfry 4 i 5 oznaczaja dalsze dwie lampy katodo¬ we, do obwodów drgajacych, których wla¬ czone sa kondensatory obrotowe 6 i 7; lampy 4 i 5 dostarczaja czestotliwosci roz- rzadczych dla komórek 8 i 9, z któremi sprzezone sa zapomoca cewek 10 i 11.Kondensatory 6 i 7 moga byc ze soba po- lapzione mechanicznie w ten sposób, ze kon¬ densator 7 obraca sie z kilkakrotnie wiek¬ sza szybkoscia niz kondensator 6. Stosu¬ nek liczby obrotów tych kondensatorów jest uzalezniony od ilosci przechodzacych przez komórki 8 i 9 Iinji swietlnych, a wiec od stopnia dokladnosci rozlozenia obrazu i od wielkosci komórek. Przy stu linjach obrazu kondensator 7 musi obracac sie sto razy predzej od kondensa¬ tora 6. Równiez obszary czestotliwosci objete kondensatorami 6 i 7 róznia sie miedzy soba, Zalezne sa one od drgan wlasnych poszczególnych krysztalów w komórkach 8 i 9, przyczem nalezy zwrócic uwage na to, aby krysztaly komórki roz¬ kladajaoej S obraz posiadaly inne drgania wlasne,, niz krysztaly komórki 9. Czestotli¬ wosci rozrzadcze, wytworzone przez lam¬ py 4 i 5, dzialaja przez transformatory 12 i 13 na komórke rozrzadcza lampy modu¬ lacyjnej 3 obwodu lampy 1 wytwarzaja¬ cej fale nosna, Jednoczesnie jednak zosta¬ je modulacja zmieniona przez komórke fo- toelektryczna 14 w ten sposób, ze gdy ko¬ mórka 14 jest nienaswietlona, a wiec opór jej jest nieskonczenie wielki, modulacja nie ma miejsca, podczas gdy przy naswie¬ tlonej komórce 14, prady modulacyjne sa mniej lub wiecej oslabione, zaleznie od stopnia naswietlania, Z powyzszych wyja¬ snien oraz z fig, 7 jest widocznem, ze swia¬ tlo, wychodzace z powierzchni obrazu 15 i przechodzace przez polaryzator 16, zosta¬ je poddane dzialaniu komórek 8 i 9 uza¬ leznionych od czestotliwosci lamp 4 i 5 i dopiero wtedy obraz zostaje rozlozony na swe poszczególne elemeiniy skladowe.Przez analizator 17 przechodza wiec ko¬ lejno jedne po drugich poszczególne war¬ tosci naswietlenia tych elementów i przez soczewke 18 zostaja skierowane do komór¬ ki fotoelektrycznej 14. Komórka ta powo¬ duje wtedy zmiany fali1 nosnej wytwarza¬ nej przez lampe /, wzglednie zmiany pra¬ dów modulacyjnych tejze fali, W ten sposób modulowana fala prze¬ chodzi przez antene 19 (fig* 8) do obwo¬ du detektorowego 20, gdzie zostaje odmo- duloiwana wzglednie wyprostowana, Za¬ pomoca transformatorów 21 i 22 moze wte¬ dy nastapic odpowiedni rozrzad komórek 8a i 9a synchronicznie z rozrzadem komó¬ rek 8 i 9 wysylacza (fig, 7).Podczas gdy jednak komórki 8 i 9 wy¬ sylacza zostaja calkowicie zamykane lub otwierane przez prady rozrzadcze lamp 4 i 5, otwieranie komórek 8d i 9a odbieracza (fig. 8) odbywa sie pod kontrola pradów rozrzadczych zaleznych od komórki foto¬ elektrycznej 14. W ten sposób promienie swietlne, wychodzace ze zródla swiatla 23 do komórek 8a i 9a przez soczewke 24 i polacyzator 25, sa zmienione nietylko co — 6 —do polozenia w przestrzeni, lecz równiez co do natezenia swiatla tak, ze przez ana¬ lizator 26 przechodzi na ekran 27 wieczne odbicie obrazu 15 przeslanego przez wysy- lacz.Oczywiscie, moze komórka fotoelek- tryczna 14 oddzialywac zamiast bezposred¬ nio, równiez i posrednio na lampe modu- lacyjna 3 np. za posrednictwem mostku Whcatstone'a, gdyz chodzi tylko o to, aby komórka fotoelektryczna powodowala zmiane czestotliwosci rozrzadczych lampy wysylajacej 1, modulucja bowiem komór¬ ki tej nie wywiera wplywu na rozrzad ko¬ mórek wysylacza. Jezeli tylko jedna z dwóch czestotliwosci rozrzadczych ma byc modulowana, cewka 10 komórki 8 staje s'e zbyteczna, Zmiana czestotliwosci rozrzadczych w wysylaozu moze miec miejsce, ziamiast za¬ pomoca kondensatorów obrotowych, rów¬ niez zapomoca obrotowych samoiinduk- cji lub podobnych urzadzen,, Rów¬ niez przejscie z jednej czestotliwlosci na druga moze miec miejsce, zamiast w sposób ciagly, równiez i w sposób przery¬ wany (schodkowy) co moze byc uskutecz¬ nione przez odpowiednie rozszerzenie kondensatora obrotowego lub zapomoca specjalnego obrotowego urzadzenia sprze¬ gajacego/ Zamiast lampy 1, moze byc oczywiscie uzyty równiez wysylacz oddzielny, a za¬ miast przesylania bezdrutowego mozna stosowac równiez przesylanie przy pomo¬ cy pradów nosnych kierowanych iwzdluz przewodników. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe. 1. Urzadzenie do elektrycznego prze¬ sylania obrazów na odleglosc, znamienne tern,, ze do rozlozenia i zlozenia obrazu slu¬ zy komórka rozrzadcza zlozona z licznych cienkich warstw optycznie zmiennego osrodka, którego optyczne wlasnosci po¬ szczególnych warstw moga byc kolejno zmieniane jedne po drugich zapomoca na¬ piec elektrycznych. 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tern, ze optycznie zmienne war¬ stwy tworza dielektryk umieszczony mie¬ dzy szeregiem plyt kondensatorowych, przyczem dielektryk ten staje sie podwój¬ nie zalamujacym pod wplywem napiecia elektrycznego. 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 i 2, znamienne tern, ze kolejne zmiany optycz¬ nych wlasnosci poszczególnych warstw zo¬ staja wywolane przez napiecia elektrycz¬ ne przylozone do plyt kondensatora i przesuniete w czasie. 4. Urzadzenie wedlug zastrz, 1 i 2 znamienne tern, ze przesuniecie w czasie napiec rozrzadczych plyt kondensatora jest spowodowane wlaczeniem do obwodu poszczególnych pradów rozrzadczych opo¬ rów róznej wielkosci. 5. Urzadzenie iwedlug zastrz. 1 i 2, znamienne tern, ze dla osiagniecia mniej wiecej równych amplitud napiecia, przylo¬ zonego do poszczególnych plyt kondensa¬ tora, wlaczone sa szeregowo^ do /obwodu poszczególnych pradów rozrzadczych opo¬ ry omowe i indukcyjne. 6. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tern, ze warstwy optycznie zmien¬ ne komórki rozrzadczej zlozone sa z drga¬ jacego osrodka przezroczystego, przy¬ czem «qptyczne wlasnosci tego osrodka zmieniane sa w stanie drgajacym. 7. Urzadzenie wedlug zastrz, 1, zna¬ mienne tern, ze poszczególne warstwy zmienne komórki rozrzadczej zlozone sa z osrodków przezroczystych o róznych drganiach wlasnych. 8. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tern, ze optycznie zmienne warstwy komórki rozrzadczej zlozone sa z piezo¬ elektrycznych krysztalów o róznych drga¬ niach wlasnych. 9. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna^ - 7 —miernie tern, ze optycznie zmienne warstwy komórki rozrzadczej zlozone sa z kwarcu. 10. Urzadzenie wedlug zastrz,. 1, zna¬ mienne tem, ze optycznie zmienne warstwy komórki roerzadczej zlozone sa z ciala drgajacego, sporzadzonego z krysztalu piezoelektrycznego i polaczonego z nim paiwteiróczystego ciala izotropowego (szkla). 11. Urzadzenie wedlug zastrz,. 1, zna¬ mienne tern, ze miedzy poszczególnemi optycznie •zmiemiemi warstwami kryszta¬ lów znajduja sie cienkie warstwy metalo- we^ do których doprowadzone sa zmienne prady elektryczne wprawiajace krysztaly w drgania wlasne. 12. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tem, ze warstwy krysztalów umie¬ szczone sa bezposrednio jedne na drugich, a wprawienie w drgania wlasne tych kry¬ sztalów odbywa sie zapomoca tylko dwóch zewnetrznych okladek, do których dopro¬ wadzone sa zmienne czestoltKwosci. f3. Urzaefeeme wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tem, ze poszczególne warstwy kry¬ sztalów komórki rozrzadczej posiadaja rózne wielkosci, a zatem i rózne drgania wlasne. 14. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tem, ze komórka Jttzirzadcza sklada sse z szeregu umieszczonych miedzy dwo¬ ma okladkami kondensatora krysztalów piezoelektiTrczaiych, których drgania wla¬ sne sa tlumione zapomoca cisnienia lub nalozonych na nie cial izotropowych, np. sakla. i5u Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne temr ze komórka rozrzadcza skla¬ da sie z jednego tylko krysztalu piezo¬ elektrycznego takiej budowy i ksztaltu, ze poszczególne jego warstwy krystaliczne zmieniaja swe wlasnosci optyczne kolejno Jedne po drugich pod wplywem zmien¬ nych pradów elektrycznych^ 16. Urzadzenie wedlug zastrz, 1, zna- nieone tem, ze dfr roekladaraa oraz sklada¬ nia obrazu sluza po dwie umieszczone jedna za druga na drodze promieni swietlnych komórki rozrzadcze, przyczem warstwy jednej z komórek umieszczone sa prosto¬ padle, lub prawie prostopadle, do warstw drugiej komórki. 17. Urzadzenie wedlug zastrz. 16, znamienne tem, ze optycznie zmienne war¬ stwy obydwóch umieszczonych jedna za druga komórek rozrzadczych skladaja sie, z krysztalów tego rodzaju, ze chromatycz¬ ne dzialanie na promienie swietlne jednej komórki zostaje usuniete przez dzialanie drugiej komórki. 18. Urzadzenie wedlug zastrz. 16, znamienne tem, ze optycznie zmienne war¬ stwy jednej z komórek zlozone sa z kwar¬ cu lewoskrecajacego, a .optycznie zmien*- ne warstwy drugiej komórki z prawoskre- cajacego kwarcu. 19. Urzadzenie wedlug zastrz. 16, znamienne tem, ze optycznie zmienne war¬ stwy umieszczonych jedna za. druga ko¬ mórek rozrzadczych wzbudzane sa w za¬ leznosci jedna od drugiej w ten sposób, ze czestotliwosc wzbudzania warstw jednej 2 komórek jest wielokrotnoscia czestotliwo¬ sci wzbudzania warstw drugiej komórki, 20. Urzadzenie wedlug zastrz. 1;, zna¬ mienne tem, ze sklada sie z polaryzatora i analizatora oraz warstw osrodka, o zmiennych wlasnosciach optycznych pod wplywem napiec elektrycznydh, umieSfcfcBO- nych miedzy potaTyzatorem a analiza¬ torem i urza lejnych zmian wlasnosci optycznych tych warstw. 21. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tem, ze jako optyczny polaryzator i analizator stosuje sie sztuczne krysztaly saletry sodowej (azotanu sodowego). 22. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tem, ze zarówno w wysylaczu, jak i w odbieraczu stosuje sie poddbne komór¬ ki rozrzadcze swiatla wedlug zastrz, 1, któ¬ rych warstwy wzbcdzane sa aynchrofliear- ^ 8 —nie, przyczem komórka wysylacza sluzy do rozkladania, a komórka odbieracza do skladania obrazu. 23. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tern, ze czestotliwosc rozrzadcza komórki odbieracza jest wytworzona w wysylaczu i przekazana do komórki od¬ bieracza zapomoca modulacji czestotliwo¬ sci fali nosnej. 24. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tem, ze komórka rozrzadcza swia¬ tla w odbieraczu sluzy, nietylko do skla¬ dania obrazu w przestrzeni, lecz równiez i do regulowania natezenia swiatla po¬ szczególnych elementów skladowych obrazu. 25. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tern, ze do komórki rozrzadczej swiatla w odbieraczu, poza czestotliwoscia¬ mi powodujacemi zlozenie obrazu w prze¬ strzeni, doprowadza sie równiez prady zmieniane przez komórke fotoelektryczna wysylacza, stosownie do naswietlania po¬ szczególnych czesci obrazu, a to w tym ce¬ lu aby uniknac stosowania specjalnego urzadzenia do rozrzadu swiatla w odbie¬ raczu. Telefunken Gesellschaft f ii r drahtlose T e 1 e g r a p h i e m. b. H. Zastepca: M. Skrzypkowski, rzecznik patentowy.Do opisu patentowego Nr 6881. Ark. i. * 3' 7 * 5 IM JT' &¦ a- JSr 7T &A m JSr-3 mmemmmmm J*i Ark.
2. J¥ .7 MW—i 1|- ^ZSr & y& -tt- xo ^a/ww—mm a 27 2ff 22 ^z**3 6a *<* & 24 Druk L. Boguslawskiego, Warszawa. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL6881B1 true PL6881B1 (pl) | 1927-03-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5617243A (en) | Electro-optical system and method of displaying images | |
| US5251058A (en) | Multiple beam exposure control | |
| EP0422957B1 (en) | Multiple beam optical modulation system | |
| Brixner et al. | Generation and characterization of polarization-shaped femtosecond laser pulses | |
| TWI729098B (zh) | 脈衝光之波形計測方法及波形計測裝置 | |
| EP0422687A1 (en) | Switchable color filter | |
| JPH0232692A (ja) | 順次カラーシャッター式ディスプレイ装置および前記装置の提供方法 | |
| WO2005024497A1 (ja) | 光制御装置および光制御方法 | |
| NL8401455A (nl) | Veld sequentieel kleurenweergeefstelsel. | |
| JPS61212821A (ja) | 三次元表示装置 | |
| US2766659A (en) | Device for controlling light intensity | |
| US2118160A (en) | Television process and apparatus | |
| PL6881B1 (pl) | Urzadzenie do elektrycznego przesylania obrazów. | |
| US1789521A (en) | Television system | |
| JPH11514109A (ja) | 光束の強度変調のための装置及びその製造方法及び光束の強度変調のための方法及び該装置の使用法 | |
| CN101520596B (zh) | 投影机 | |
| SU4721A1 (ru) | Аппарат дл электрической телефотографии и телескопии | |
| GB360699A (en) | Television apparatus | |
| GB289416A (en) | Improvements in television methods and apparatus | |
| JPH04299309A (ja) | カラー画像用ディスプレイ装置 | |
| US2030235A (en) | Optical valve | |
| US2225922A (en) | Light decomposing and assembling device | |
| GB417564A (en) | Improvements in devices for generating electromagnetic fields oscillating with quasi-optical frequencies | |
| JPH02157790A (ja) | レーザ投影装置 | |
| Ropagnol et al. | Intense THz Source of Sub-Cycle Pulses with Tunable Elliptical Polarization |