PL66466B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL66466B1
PL66466B1 PL137832A PL13783269A PL66466B1 PL 66466 B1 PL66466 B1 PL 66466B1 PL 137832 A PL137832 A PL 137832A PL 13783269 A PL13783269 A PL 13783269A PL 66466 B1 PL66466 B1 PL 66466B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
photosensitive
arsenic
mixture
layer
layers
Prior art date
Application number
PL137832A
Other languages
English (en)
Inventor
Klamer Bogna
Miarzynski Zbigniew
Schmidt-Szalowski Krzysztof
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Publication of PL66466B1 publication Critical patent/PL66466B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.XI.1972 66466 KI. 57e,5/04 MKP G03g 5/04 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Bogna Klamer, Zbigniew Miarzynski, Krzysztof Schmidt-Szalowski Wlasciciel patentu: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania warstw swiatloczulych, zwlaszcza elektrofotograficznych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia warstw swiatloczulych, nadajacych sie szcze¬ gólnie do wyrobu plyt elektrofotograficznych, droga nanoszenia cieklej mieszaniny zawierajacej zwiazki selenu.Jako substancje swiatloczule w technice elek¬ trofotograficznej stosuje sie wysokooporowe foto- przewodniki. Ze znanych fotoprzewodników prak¬ tyczne zastosowanie w elektrofotografii znalazly: selen oraz mieszaniny i zwiazki selenu z innymi pierwiastkami, a takze tlenek cynku.Jeden ze znanych sposobów wytwarzania warstw elektrofotograficznych polega na zmieszaniu sproszkowanej substancji swiatloczulej ze spoiwem organicznym i odpowiednimi rozpuszczalnikami i naniesieniu takiej mieszaniny w stanie cieklym na podloze. Po odparowaniu rozpuszczalników po¬ wstaje warstwa swiatloczula, która dzieki obec¬ nosci spoiwa ma odpowiednia wytrzymalosc me¬ chaniczna i dobrze przylega do podloza. Sama operacja nanoszenia warstwy na podloze, na przy¬ klad przez wylanie lub natryskanie, jest prosta i nie wymaga kosztownej aparatury.Jako spoiwo organiczne moga byc stosowane rózne substancje, na przyklad zywice syntetycz¬ ne, o odpowiednich wlasciwosciach mechanicz¬ nych i dostatecznie duzej opornosci elektrycz¬ nej. Znanych jest wiele substancji spelniajacych te warunki. - Wlasnosci uzytkowe warstw elektrofotograficz- 10 25 30 nych wytwarzanych tym sposobem zaleza glów¬ nie od rodzaju uzytej substancji swiatloczulej.Najczesciej w warstwach, wytwarzanych przez naniesienie cieklej mieszaniny substancji swiatlo¬ czulej, spoiwa organicznego i rozpuszczalników, jako substancje swiatloczula stosuje sie tlenek cynku. Znany jest takze sposób wytwarzania warstw swiatloczulych przez naniesienie' cieklej mieszaniny zawierajacej czysty selen (opis paten¬ towy NRF nr 872427).Znane sa warstwy swiatloczule zawierajace jako substancje swiatloczula zwiazki i mieszaniny se¬ lenu z innymi pierwiastkami. Jednak tych sub¬ stancji dotychczas nie nanoszono na podloze w postaci cieklej mieszaniny ze spoiwem i rozpusz¬ czalnikami. Wedlug znanego sposobu wytwarza¬ nia warstw swiatloczulych zawierajacych: selen i arsen lub selen, arsen i jod, substancje te na¬ nosi sie na podloze bez spoiwa, metoda naparo¬ wywania w prózni (opis patentowy NRF nr 1250737).Znane warstwy swiatloczule, wytwarzane przez nanoszenie cieklej mieszaniny substancji swiatlo¬ czulej ze spoiwem i rozpuszczalnikami, nie sa od¬ powiednie do wyrobu plyt elektrofotograficznych ze wzgledu na ich mala swiatloczulosc oraz znacz- czne pogarszanie sie ich wlasnosci uzytkowych przy wielokrotnym powtarzaniu procesu elektro¬ fotograficznego. Dlatego warstwy z tlenku cynku stosuje sie tylko do wyrobu papierów elektrofo- 664663 tograficznych, przeznaczonych do jednorazowego uzycia. Z tych wzgledów nie zostaly zastosowane w praktyce warstwy wytwarzane z cieklej mie¬ szaniny zawierajacej czysty selen (opis patentowy NRF nr 872427).Duza czulosc i dobre wlasnosci uzytkowe mialy dotychczas tylko plyty elektrofotograficzne wy¬ twarzane przez naparowywanie w. prózni czystego selenu albo mieszanin i zwiazków selenu z inny¬ mi pierwiastkami. Zasadnicza wada tego sposobu jest duzy koszt wytwarzania plyt elektrofoto¬ graficznych wynikajacy z koniecznosci stosowania drogiej i malo wydajnej aparatury do naparo¬ wywania w prózni.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy¬ twarzania warstw swiatloczulych, a zwlaszcza elek¬ trofotograficznych, który zapewnialby otrzymanie warstwy o wlasnosciach uzytkowych nie gorszych od powszechnie stosowanych obecnie warstw na¬ parowywanych w prózni, a nie wymagalby po¬ slugiwania sie technika prózniowa.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie spo¬ sobu wytwarzania warstw swiatloczulych, a zwlasz¬ cza elektrofotograficznych, przez nanoszenie cie¬ klej mieszaniny substancji swiatloczulej, spoiwa organicznego i rozpuszczalników wedlug wynalazku, który polega na tym, ze jako substancje swiatlo¬ czula stosuje sie bezpostaciowy trójselenek arse¬ nu, korzystnie o srednicy ziarna mniejszej niz 1 [im. Trójselenek arsenu miesza sie ze spoiwem organicznym w stosunku od 0,05 g do 2 g, korzyst¬ nie od 0,2 g do 1 g, spoiwa organicznego na 1 g trójselenku arsenu i dodaje sie rozpuszczalnik or¬ ganiczny lub mieszanine rozpuszczalników. Ciekla mieszanine trójselenku arsenu, spoiwa i rozpusz¬ czalników nanosi sie na podloze metalowe w ilos¬ ci zapewniajacej utworzenie warstwy, w której na 1 cm2 powierzchni podloza przypada od 0,02 mg do 20 mg, korzystnie od 1 mg do 3 mg trójselenku arsenu. Przez odparowanie rozpuszczalników otrzy¬ muje sie trwala warstwe swiatloczula, przy czym w przypadku uzycia spoiwa organicznego, jak zy¬ wice: mocznikowo-formaldehydowa, epoksydowo- -melaminowa, silikonowa oraz polichlorek winylu, polioctan winylu i polistyren, warstwe wygrzewa sie w temperaturze od 80° do 180°- Wlasnosci tak otrzymanych warstw swiatloczu¬ lych zaleza od rodzaju uzytego do ich wytworze¬ nia spoiwa organicznego oraz od stosunku, w któ¬ rym zostalo ono zmieszane z trójselenkiem arse¬ nu. Dobierajac odpowiednio te warunki otrzymu¬ je sie warstwy swiatloczule o wlasnosciach dosto¬ sowanych do rodzaju urzadzenia, w którym ma¬ ja byc stosowane, oraz do warunków ich uzytko¬ wania. W szczególnosci mozna otrzymywac war¬ stwy o róznej swiatloczulosci oraz warstwy ladu¬ jace sie do róznej wartosci potencjalów."Warstwy swiatloczule wytwarzane wedlug wy¬ nalazku odznaczaja sie duza swiatloczuloscia i ko¬ rzystnym rozkladem widmowym swiatloczulosci.Maja one doskonale gladka powierzchnie i dobra odpornosc mechaniczna. Spelniaja zatem dobrze wszelkie wymagania, jakie stawia sie warstwom swiatloczulym stosowanym do wyrobu plyt elek¬ trofotograficznych. Przedstawiony sposób znacz- 4 nie upraszcza technike wytwarzania plyt elektro¬ fotograficznych i pozwala na osiagniecie znacz¬ nych korzysci ekonomicznych w porównaniu ze stosowanym dotychczas sposoberri pokrywania plyt 5 bezpostaciowym selenem przez naparowywanie w prózni. Sposób ten stosuje sie do wytwarzania warstw swiatloczulych na podlozu o dowolnych wymiarach i ksztalcie. Podloze takie moze miec nie tylko powierzchnie plaska jak plyta, lecz takze io powierzchnie wypukla lub wklesla jak czasza, wa¬ lec i inne.Szczególy procesu wytwarzania warstw swiatlo¬ czulych wedlug wynalazku wyjasniaja nastepu¬ jace przyklady. 15 Przyklad 1. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenii, rozdrobnionego na ziarno o sred¬ nicy nie wiekszej niz 1 mikrometr, miesza sie z zywica mocznikowo-formaldehydowa, wzieta w -ilosci 42 g w przeliczeniu na substancje stala, 20 i dodaje sie 400 ml cykloheksanonu i 100 ml cy- kloheksanolu. Mieszanine homogenizuje sie przez roztarcie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 60 godzin i wylewa sie ja na podloze metalowe w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza 25 przypadaly 3 mg trójselenku arsenu. Po odparo¬ waniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 140°C w ciagu 0,5 godz. otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 2. 100 g bezpostaciowego trójse- 30 lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z zywica epoksydowo-melaminowa, wzieta w ilos¬ ci 50 g w przeliczeniu na substancje stala, i do¬ daje sie 50 ml octanu amylu, 350 ml cykloheksa- ¦ nonu i 100 ml cykloheksanolu- Mieszanine homo- 35 genizuje sie przez 3-krotne przepuszczenie przez tarczowy mlyn koloidalny i wylewa sie ja na pod¬ loze metalowe w takiej ilosci, aby na 1 cm2 po¬ wierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparowywaniu rozpuszczalników w 40 temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 180°C, w ciagu 1 godz. otrzymujac gotowa war¬ stwe swiatloczula.Przyklad 3. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie 45 z zywica silikonowa, wzieta w ilosci 48 g w prze¬ liczeniu na substancje stala, i dodaje sie 50 ml benzenu, 350 ml cykloheksanonu i 100 ml cyklo¬ heksanolu. Mieszanine homogenizuje sie przez roz¬ tarcie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 50 80 godz. i wylewa sie ja na podloze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg. trójselenku arsenu. Po odparo¬ waniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 180°C, w ciagu 1 godz. 55 otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 4. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 52 g polichlorku winylu rozpuszczonego w 450 mT cykloheksanonu i dodaje sie 70 ml cykloheksa- 60 nolu. Mieszanine homogenizuje sie przez roztar¬ cie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 60- godz. i wylewa sie ja na podloze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przy¬ padalo 2,5 mg trójselenku arsenu. Po odparowa- 65 niu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia66466 warstwe wygrzewa sie w 120°C, w ciagu 1 godz. otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 5. 100 g bezpostaciowego trójse- lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 40 g polistyrenu rozpuszczonego w 100 ml to¬ luenu i dodaje sie 400 ml cykloheksanom! i 50 ml cykloheksanolu. Mieszanine homogenizuje sie przez 5-krotne przepuszczenie przez tarczowy mlyn ko¬ loidalny i wylewa sie ja na podloze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparo¬ waniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 80°C, w ciagu 0,5 godz* otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 6. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 36 g polioctanu winylu rozpuszczonego w 200 ml octanu amylu i dodaje sie 350 ml cykloheksanom! i 250 ml acetonu. Mieszanine homogenizuje sie przez roztarcie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 80 godz. i natryskuje sie ja na podloze me¬ talowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparowaniu rozpuszczalników w temperaturze oto¬ czenia warstwe wygrzewa sie w 80°C, w ciagu 0,5 godz. otrzymujac gotowa warstwe swiatloczu¬ la.Przyklad 7. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z lakierem nitrocelulozowym, wzietym w ilosci 42 g w przeliczeniu na substancje stala, i dodaje sie 100 ml octanu butylu, 300 ml cykloheksanonu i 100 ml cykloheksanolu. Mieszanine homogenizu¬ je sie przez roztarcie w obrotowym mlynie ku¬ lowym w ciagu 60 godz. i wylewa sie ja na pod¬ loze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 po¬ wierzchni podloza przypadalo 2,5 mg trójselenku arsenu. Po odprowadzeniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia otrzymuje sie gotowa war¬ stwe swiatloczula.Przyklad 8. 100 g bezpostaciowego trójselen- 5 ku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 40 g kalafonii rozpuszczonej w 500 ml cykloheksanonu.Mieszanine homogenizuje sie przez roztarcie w obro¬ towym mlynie kulowym w ciagu 60 godz. i wyle¬ wa sie ja na podloze metalowe w takiej ilosci, aby 10 na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparowaniu rozpuszczal¬ nika w temperaturze otoczenia otrzymuje sie goto-* wa warstwe swiatloczula. 15 PL PL

Claims (5)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw swiatloczulych, zwlaszcza elektrofotograficznych przez nanosze- szenie cieklej mieszaniny substancji swiatloczulej, 20 spoiwa organicznego i rozpuszczalników, znamien¬ ny tym, ze jako substancje swiatloczula stosuje sie bezpostaciowy trójselenek arsenu-
2. Sposób wedlug zastrzez. 1, znamienny tym, ze srednica ziarna trójselenku arsenu jest korzyst- 25 nie mniejsza niz 1 [.im.
3. Sposób wedlug zastrzez. 1 i 2, znamienny tym, ze stosunek wagowy spoiwa organicznego do trój¬ selenku arsenu w mieszaninie wynosi od 0,05 do 2, korzystnie od 0,2 do 1. 30
4. Sposób wedlug zastrzez. 1—3, znamienny tym, ze na 1 cm2 powierzchni podloza nanosi sie od 0,02 mg do 20 mg, korzystnie od 1 mg do 3 mg trójselenku arsenu.
5. Sposób wedlug zastrzez. 1—4, znamienny tym, ze warstwe swiatloczula wygrzewa sie w tempe¬ raturze od 80°C do 180°C, zaleznie od rodzaju uzy¬ tego spoiwa organicznego. PL PL
PL137832A 1969-12-29 PL66466B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL66466B1 true PL66466B1 (pl) 1972-06-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1622364C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
GB1375398A (pl)
US2512257A (en) Water-resistant compound lens transparent to infrared
DE2009346A1 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
US2997387A (en) Photographic reproduction
US3121007A (en) Photo-active member for xerography
US4015985A (en) Composite xerographic photoreceptor with injecting contact layer
PL66466B1 (pl)
JPS5569934A (en) Formation method of fluorescent screen
US3447957A (en) Method of making a smooth surfaced adhesive binder xerographic plate
DE2028639C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungs material
US2642367A (en) Method of protecting lenses
GB818068A (en) Methods for producing a base for electrostatic printing
US4298670A (en) Photosensitive element for electrophotography
JPS5461936A (en) Photoreceptor for electrophotography
PL80390B1 (pl)
US3975306A (en) Method for improving the photo-induced discharge characteristics of certain cadmium chalcogenides
JPS5627154A (en) Electrophotographic receptor
US4043813A (en) Photoconductive particles of zinc oxide
US3543025A (en) Electroradiographic x-ray sensitive element containing tetragonal lead monoxide
SU438205A1 (ru) Электрофотографическа пластина
JPS5525030A (en) Electrophotographic photoreceptor
US4098609A (en) Method of making improved photoconductive particles
AT232857B (de) Elektrophotographisches Material
DE1597843C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines pulverförrnigen Photoleiters