PL66466B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL66466B1 PL66466B1 PL137832A PL13783269A PL66466B1 PL 66466 B1 PL66466 B1 PL 66466B1 PL 137832 A PL137832 A PL 137832A PL 13783269 A PL13783269 A PL 13783269A PL 66466 B1 PL66466 B1 PL 66466B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- photosensitive
- arsenic
- mixture
- layer
- layers
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N arsenic triselenide Chemical compound [Se]=[As][Se][As]=[Se] WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- -1 arsenic triselenite Chemical compound 0.000 claims 1
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 9
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(chloromethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=CC=CC2=C1CCl HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 150000001934 cyclohexanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003791 organic solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- JBTFGQBMTQVQAA-UHFFFAOYSA-N [As].[Se].[Se].[Se] Chemical compound [As].[Se].[Se].[Se] JBTFGQBMTQVQAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N aldehydo-D-glucose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- ODGAOXROABLFNM-UHFFFAOYSA-N polynoxylin Chemical compound O=C.NC(N)=O ODGAOXROABLFNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.XI.1972 66466 KI. 57e,5/04 MKP G03g 5/04 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Bogna Klamer, Zbigniew Miarzynski, Krzysztof Schmidt-Szalowski Wlasciciel patentu: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania warstw swiatloczulych, zwlaszcza elektrofotograficznych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia warstw swiatloczulych, nadajacych sie szcze¬ gólnie do wyrobu plyt elektrofotograficznych, droga nanoszenia cieklej mieszaniny zawierajacej zwiazki selenu.Jako substancje swiatloczule w technice elek¬ trofotograficznej stosuje sie wysokooporowe foto- przewodniki. Ze znanych fotoprzewodników prak¬ tyczne zastosowanie w elektrofotografii znalazly: selen oraz mieszaniny i zwiazki selenu z innymi pierwiastkami, a takze tlenek cynku.Jeden ze znanych sposobów wytwarzania warstw elektrofotograficznych polega na zmieszaniu sproszkowanej substancji swiatloczulej ze spoiwem organicznym i odpowiednimi rozpuszczalnikami i naniesieniu takiej mieszaniny w stanie cieklym na podloze. Po odparowaniu rozpuszczalników po¬ wstaje warstwa swiatloczula, która dzieki obec¬ nosci spoiwa ma odpowiednia wytrzymalosc me¬ chaniczna i dobrze przylega do podloza. Sama operacja nanoszenia warstwy na podloze, na przy¬ klad przez wylanie lub natryskanie, jest prosta i nie wymaga kosztownej aparatury.Jako spoiwo organiczne moga byc stosowane rózne substancje, na przyklad zywice syntetycz¬ ne, o odpowiednich wlasciwosciach mechanicz¬ nych i dostatecznie duzej opornosci elektrycz¬ nej. Znanych jest wiele substancji spelniajacych te warunki. - Wlasnosci uzytkowe warstw elektrofotograficz- 10 25 30 nych wytwarzanych tym sposobem zaleza glów¬ nie od rodzaju uzytej substancji swiatloczulej.Najczesciej w warstwach, wytwarzanych przez naniesienie cieklej mieszaniny substancji swiatlo¬ czulej, spoiwa organicznego i rozpuszczalników, jako substancje swiatloczula stosuje sie tlenek cynku. Znany jest takze sposób wytwarzania warstw swiatloczulych przez naniesienie' cieklej mieszaniny zawierajacej czysty selen (opis paten¬ towy NRF nr 872427).Znane sa warstwy swiatloczule zawierajace jako substancje swiatloczula zwiazki i mieszaniny se¬ lenu z innymi pierwiastkami. Jednak tych sub¬ stancji dotychczas nie nanoszono na podloze w postaci cieklej mieszaniny ze spoiwem i rozpusz¬ czalnikami. Wedlug znanego sposobu wytwarza¬ nia warstw swiatloczulych zawierajacych: selen i arsen lub selen, arsen i jod, substancje te na¬ nosi sie na podloze bez spoiwa, metoda naparo¬ wywania w prózni (opis patentowy NRF nr 1250737).Znane warstwy swiatloczule, wytwarzane przez nanoszenie cieklej mieszaniny substancji swiatlo¬ czulej ze spoiwem i rozpuszczalnikami, nie sa od¬ powiednie do wyrobu plyt elektrofotograficznych ze wzgledu na ich mala swiatloczulosc oraz znacz- czne pogarszanie sie ich wlasnosci uzytkowych przy wielokrotnym powtarzaniu procesu elektro¬ fotograficznego. Dlatego warstwy z tlenku cynku stosuje sie tylko do wyrobu papierów elektrofo- 664663 tograficznych, przeznaczonych do jednorazowego uzycia. Z tych wzgledów nie zostaly zastosowane w praktyce warstwy wytwarzane z cieklej mie¬ szaniny zawierajacej czysty selen (opis patentowy NRF nr 872427).Duza czulosc i dobre wlasnosci uzytkowe mialy dotychczas tylko plyty elektrofotograficzne wy¬ twarzane przez naparowywanie w. prózni czystego selenu albo mieszanin i zwiazków selenu z inny¬ mi pierwiastkami. Zasadnicza wada tego sposobu jest duzy koszt wytwarzania plyt elektrofoto¬ graficznych wynikajacy z koniecznosci stosowania drogiej i malo wydajnej aparatury do naparo¬ wywania w prózni.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy¬ twarzania warstw swiatloczulych, a zwlaszcza elek¬ trofotograficznych, który zapewnialby otrzymanie warstwy o wlasnosciach uzytkowych nie gorszych od powszechnie stosowanych obecnie warstw na¬ parowywanych w prózni, a nie wymagalby po¬ slugiwania sie technika prózniowa.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie spo¬ sobu wytwarzania warstw swiatloczulych, a zwlasz¬ cza elektrofotograficznych, przez nanoszenie cie¬ klej mieszaniny substancji swiatloczulej, spoiwa organicznego i rozpuszczalników wedlug wynalazku, który polega na tym, ze jako substancje swiatlo¬ czula stosuje sie bezpostaciowy trójselenek arse¬ nu, korzystnie o srednicy ziarna mniejszej niz 1 [im. Trójselenek arsenu miesza sie ze spoiwem organicznym w stosunku od 0,05 g do 2 g, korzyst¬ nie od 0,2 g do 1 g, spoiwa organicznego na 1 g trójselenku arsenu i dodaje sie rozpuszczalnik or¬ ganiczny lub mieszanine rozpuszczalników. Ciekla mieszanine trójselenku arsenu, spoiwa i rozpusz¬ czalników nanosi sie na podloze metalowe w ilos¬ ci zapewniajacej utworzenie warstwy, w której na 1 cm2 powierzchni podloza przypada od 0,02 mg do 20 mg, korzystnie od 1 mg do 3 mg trójselenku arsenu. Przez odparowanie rozpuszczalników otrzy¬ muje sie trwala warstwe swiatloczula, przy czym w przypadku uzycia spoiwa organicznego, jak zy¬ wice: mocznikowo-formaldehydowa, epoksydowo- -melaminowa, silikonowa oraz polichlorek winylu, polioctan winylu i polistyren, warstwe wygrzewa sie w temperaturze od 80° do 180°- Wlasnosci tak otrzymanych warstw swiatloczu¬ lych zaleza od rodzaju uzytego do ich wytworze¬ nia spoiwa organicznego oraz od stosunku, w któ¬ rym zostalo ono zmieszane z trójselenkiem arse¬ nu. Dobierajac odpowiednio te warunki otrzymu¬ je sie warstwy swiatloczule o wlasnosciach dosto¬ sowanych do rodzaju urzadzenia, w którym ma¬ ja byc stosowane, oraz do warunków ich uzytko¬ wania. W szczególnosci mozna otrzymywac war¬ stwy o róznej swiatloczulosci oraz warstwy ladu¬ jace sie do róznej wartosci potencjalów."Warstwy swiatloczule wytwarzane wedlug wy¬ nalazku odznaczaja sie duza swiatloczuloscia i ko¬ rzystnym rozkladem widmowym swiatloczulosci.Maja one doskonale gladka powierzchnie i dobra odpornosc mechaniczna. Spelniaja zatem dobrze wszelkie wymagania, jakie stawia sie warstwom swiatloczulym stosowanym do wyrobu plyt elek¬ trofotograficznych. Przedstawiony sposób znacz- 4 nie upraszcza technike wytwarzania plyt elektro¬ fotograficznych i pozwala na osiagniecie znacz¬ nych korzysci ekonomicznych w porównaniu ze stosowanym dotychczas sposoberri pokrywania plyt 5 bezpostaciowym selenem przez naparowywanie w prózni. Sposób ten stosuje sie do wytwarzania warstw swiatloczulych na podlozu o dowolnych wymiarach i ksztalcie. Podloze takie moze miec nie tylko powierzchnie plaska jak plyta, lecz takze io powierzchnie wypukla lub wklesla jak czasza, wa¬ lec i inne.Szczególy procesu wytwarzania warstw swiatlo¬ czulych wedlug wynalazku wyjasniaja nastepu¬ jace przyklady. 15 Przyklad 1. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenii, rozdrobnionego na ziarno o sred¬ nicy nie wiekszej niz 1 mikrometr, miesza sie z zywica mocznikowo-formaldehydowa, wzieta w -ilosci 42 g w przeliczeniu na substancje stala, 20 i dodaje sie 400 ml cykloheksanonu i 100 ml cy- kloheksanolu. Mieszanine homogenizuje sie przez roztarcie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 60 godzin i wylewa sie ja na podloze metalowe w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza 25 przypadaly 3 mg trójselenku arsenu. Po odparo¬ waniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 140°C w ciagu 0,5 godz. otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 2. 100 g bezpostaciowego trójse- 30 lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z zywica epoksydowo-melaminowa, wzieta w ilos¬ ci 50 g w przeliczeniu na substancje stala, i do¬ daje sie 50 ml octanu amylu, 350 ml cykloheksa- ¦ nonu i 100 ml cykloheksanolu- Mieszanine homo- 35 genizuje sie przez 3-krotne przepuszczenie przez tarczowy mlyn koloidalny i wylewa sie ja na pod¬ loze metalowe w takiej ilosci, aby na 1 cm2 po¬ wierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparowywaniu rozpuszczalników w 40 temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 180°C, w ciagu 1 godz. otrzymujac gotowa war¬ stwe swiatloczula.Przyklad 3. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie 45 z zywica silikonowa, wzieta w ilosci 48 g w prze¬ liczeniu na substancje stala, i dodaje sie 50 ml benzenu, 350 ml cykloheksanonu i 100 ml cyklo¬ heksanolu. Mieszanine homogenizuje sie przez roz¬ tarcie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 50 80 godz. i wylewa sie ja na podloze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg. trójselenku arsenu. Po odparo¬ waniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 180°C, w ciagu 1 godz. 55 otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 4. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 52 g polichlorku winylu rozpuszczonego w 450 mT cykloheksanonu i dodaje sie 70 ml cykloheksa- 60 nolu. Mieszanine homogenizuje sie przez roztar¬ cie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 60- godz. i wylewa sie ja na podloze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przy¬ padalo 2,5 mg trójselenku arsenu. Po odparowa- 65 niu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia66466 warstwe wygrzewa sie w 120°C, w ciagu 1 godz. otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 5. 100 g bezpostaciowego trójse- lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 40 g polistyrenu rozpuszczonego w 100 ml to¬ luenu i dodaje sie 400 ml cykloheksanom! i 50 ml cykloheksanolu. Mieszanine homogenizuje sie przez 5-krotne przepuszczenie przez tarczowy mlyn ko¬ loidalny i wylewa sie ja na podloze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparo¬ waniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia warstwe wygrzewa sie w 80°C, w ciagu 0,5 godz* otrzymujac gotowa warstwe swiatloczula.Przyklad 6. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 36 g polioctanu winylu rozpuszczonego w 200 ml octanu amylu i dodaje sie 350 ml cykloheksanom! i 250 ml acetonu. Mieszanine homogenizuje sie przez roztarcie w obrotowym mlynie kulowym w ciagu 80 godz. i natryskuje sie ja na podloze me¬ talowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparowaniu rozpuszczalników w temperaturze oto¬ czenia warstwe wygrzewa sie w 80°C, w ciagu 0,5 godz. otrzymujac gotowa warstwe swiatloczu¬ la.Przyklad 7. 100 g bezpostaciowego trójse¬ lenku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z lakierem nitrocelulozowym, wzietym w ilosci 42 g w przeliczeniu na substancje stala, i dodaje sie 100 ml octanu butylu, 300 ml cykloheksanonu i 100 ml cykloheksanolu. Mieszanine homogenizu¬ je sie przez roztarcie w obrotowym mlynie ku¬ lowym w ciagu 60 godz. i wylewa sie ja na pod¬ loze metalowe, w takiej ilosci, aby na 1 cm2 po¬ wierzchni podloza przypadalo 2,5 mg trójselenku arsenu. Po odprowadzeniu rozpuszczalników w temperaturze otoczenia otrzymuje sie gotowa war¬ stwe swiatloczula.Przyklad 8. 100 g bezpostaciowego trójselen- 5 ku arsenu, jak w przykladzie 1, miesza sie z 40 g kalafonii rozpuszczonej w 500 ml cykloheksanonu.Mieszanine homogenizuje sie przez roztarcie w obro¬ towym mlynie kulowym w ciagu 60 godz. i wyle¬ wa sie ja na podloze metalowe w takiej ilosci, aby 10 na 1 cm2 powierzchni podloza przypadaly 2 mg trójselenku arsenu. Po odparowaniu rozpuszczal¬ nika w temperaturze otoczenia otrzymuje sie goto-* wa warstwe swiatloczula. 15 PL PL
Claims (5)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw swiatloczulych, zwlaszcza elektrofotograficznych przez nanosze- szenie cieklej mieszaniny substancji swiatloczulej, 20 spoiwa organicznego i rozpuszczalników, znamien¬ ny tym, ze jako substancje swiatloczula stosuje sie bezpostaciowy trójselenek arsenu-
2. Sposób wedlug zastrzez. 1, znamienny tym, ze srednica ziarna trójselenku arsenu jest korzyst- 25 nie mniejsza niz 1 [.im.
3. Sposób wedlug zastrzez. 1 i 2, znamienny tym, ze stosunek wagowy spoiwa organicznego do trój¬ selenku arsenu w mieszaninie wynosi od 0,05 do 2, korzystnie od 0,2 do 1. 30
4. Sposób wedlug zastrzez. 1—3, znamienny tym, ze na 1 cm2 powierzchni podloza nanosi sie od 0,02 mg do 20 mg, korzystnie od 1 mg do 3 mg trójselenku arsenu.
5. Sposób wedlug zastrzez. 1—4, znamienny tym, ze warstwe swiatloczula wygrzewa sie w tempe¬ raturze od 80°C do 180°C, zaleznie od rodzaju uzy¬ tego spoiwa organicznego. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL66466B1 true PL66466B1 (pl) | 1972-06-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1622364C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| GB1375398A (pl) | ||
| US2512257A (en) | Water-resistant compound lens transparent to infrared | |
| DE2009346A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| US2997387A (en) | Photographic reproduction | |
| US3121007A (en) | Photo-active member for xerography | |
| US4015985A (en) | Composite xerographic photoreceptor with injecting contact layer | |
| PL66466B1 (pl) | ||
| JPS5569934A (en) | Formation method of fluorescent screen | |
| US3447957A (en) | Method of making a smooth surfaced adhesive binder xerographic plate | |
| DE2028639C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungs material | |
| US2642367A (en) | Method of protecting lenses | |
| GB818068A (en) | Methods for producing a base for electrostatic printing | |
| US4298670A (en) | Photosensitive element for electrophotography | |
| JPS5461936A (en) | Photoreceptor for electrophotography | |
| PL80390B1 (pl) | ||
| US3975306A (en) | Method for improving the photo-induced discharge characteristics of certain cadmium chalcogenides | |
| JPS5627154A (en) | Electrophotographic receptor | |
| US4043813A (en) | Photoconductive particles of zinc oxide | |
| US3543025A (en) | Electroradiographic x-ray sensitive element containing tetragonal lead monoxide | |
| SU438205A1 (ru) | Электрофотографическа пластина | |
| JPS5525030A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
| US4098609A (en) | Method of making improved photoconductive particles | |
| AT232857B (de) | Elektrophotographisches Material | |
| DE1597843C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines pulverförrnigen Photoleiters |