PL65875B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 15/VTL1972 65875 KI. 21c,54/05 MKP HOlc 17/00 I l i iT- '•. i Q T C & A ¦:*.*s-*-.li-:£ • '*¦ Wspóltwórcy wynalazku: Elzbieta Baranska, Benedykt Licznerski, Sta¬ nislaw Osadnik, Roman Szeloch Wlasciciel patentu: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) Sposób wytwarzania cermetowych oporników cienkowarstwowych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia oporników cienkowarstwowych cermetowych, dajacych sie korygowac metoda utleniania.Znanych jest caly szereg materialów, które w postaci cienkowarstwowej znajduja zastosowanie jako warstwy oporowe. Ogólnie mozna je podzie¬ lic na warstwy metaliczne (opornosci od kilkudzie¬ sieciu do kilkuset omów na kwadrat powierzchni) i warstwy cermetowe (opornosci od kilkuset do kilkunastu tysiecy omów na kwadrat powierzchni).Wykonywanie opornosci w .szerszych granicach tolerancji nie przedstawia wiekszych trudnosci dla srednio zaawansowanych opracowan technologicz¬ nych, zarówno w jednej jak i drugiej grupie ma¬ terialowej. Jednym z najtrudniejszych zagadnien technologicznych jest natomiast wykonywanie opornosci w waskich granicach tolerancji (orien¬ tacyjnie ponizej 2%). W tym wypadku niezbedna jest korekcja opornosci. Ze znanych sposobów wyróznia sie korekcja przez anodyzacje. Umozliwia ona ciagly pomiar opornosci w trakcie korygowa¬ nia, a jednoczesnie wytwarza sie na powierzchni zwarta warstwa tlenku, .spelniajaca role warstwy ochronnej. Korekcja przez anodyzacje jest znana i stosowana w przypadku metalicznych warstw oporowych, dajacych sie anodyzowac (T<4, Ti i in¬ ne). W grupie warstw cermetowych nie znane sa dotad stabilne warstwy oporowe, dajace sie ano¬ dyzowac. Znany jest równiez sposób naparowywa¬ nia warstw cermetowych polegajacy na tym, ze 10 15 20 25 2 na podloze naklada sie warstwe izolacyjna a na¬ stepnie warstwe metaliczna i kolejno warstwe izo¬ lacyjna.Droga obróbki termicznej otrzymuje sie warstwy oporowe o róznym zakresie wartosci rezystancji.Wsród stosowanych metali jest równiez tytan. Wa¬ da tego sposobu jest brak mozliwosci kontrolowa¬ nia wartosci uzyskiwanych opornosci, gdy£ opor¬ nosc nie moze byc mierzona w czasie obróbki ter¬ micznej. Innym znanym sposobem jest naparowy¬ wanie mieszanin lub spieków CrSiO i NiCrSiO po¬ legajace na tym, ze w wysokiej prózni naklada sie te skladniki jednoczesnie na podloze izolacyjne.Wada tego sposobu jest brak mozliwosci precyzyj¬ nego kontrolowania parametrów warstwy oporo¬ wej w czasie dalszej obróbki.Celem wynalazku jest usuniecie wad i niedo¬ godnosci znanych sposobów, zas zadaniem tech¬ nicznym wynalazku jest opracowanie sposobu wy¬ twarzania cermetowych oporników cienkowarstwo¬ wych o opornosci kilku tysiecy omów na kwadrat, której zmiany moga byc latwo kontrolowane w procesie wytwarzania.Zadanie to zostalo osiagniete przez prózniowe naniesienie warstwy cermetowej z mieszaniny lub spieku tytanu i tlenku krzemu, której sklad do¬ biera sie w zaleznosci od zadanych parametrów warstwy. Warstwa oporowa z takich skladników doprowadzana jest do waskich granic tolerancji n -t- ,£33 £Q~ 65 875 'm3 / ¦ przez utlenianie elektrochemiczne luib utlenianie w plazmie wyladowania jarzeniowego.Przedmiot wynalazku jest objasniony w przykla¬ dzie wykonania.Znanym sposobem eksplozyjnym naparowuje sie warstwe o skladzie 50°/o SiO i 50fl/o Ti w prózni 5 • 10~5 Tr. Temperatura podloza w czasie parowa- nia wynosi 2O0^C; szybkosc parowania 5 A/sek. Po naparowaniu, warstwy poddaje sie obróbce ter¬ micznej w 300°C przez 1 godzine. Opornosc kory¬ guje sie przez anodyzacje do wartosci 5 kilogra¬ mów na kwadrat z tolerancja 0,5'°/o.Rozwiazanie wedlug wynalazku laczy zalety zna¬ nych warstw cermentowydh w zaletami znanych warstw metalicznych, dajacych sie korygowac 875 4 przez anodyzacje. Nie wymaga ona rozwiazania trudniejszych problemów anizeli te, które wyste¬ puja w obydwóch wymienionych typach warstw. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cermetowych oporników cienkowarstwowych przez prózniowe naparowywa- 10 nie skladników warstwy na podloze dielektryczne, znamienny tym, ze nanosi sie na podloze dielektry¬ czne, mieszanine lub spiek tlenku krzemu i tyta- ., nu, a opornosc uzyskanej warstwy koryguje sie przez utlenianie elektrochemiczne lub utlenianie w 15 plazmie wyladowania jarzeniowego. ZF „Ruch", W-wa, zam. 496-72, nakl. 200 ega. + 20 Cena zl 10,— PL PL