PL61032B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 25.IX.1970 61032 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/34 Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Ignatowicz, Andrzej Kobus, Andrzej Dajna Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Ele¬ ktronowej), Warszawa (Polska) Sposób naparowywania cienkich warstw zwiazków podwójnych oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu .Przedmiotem wynalazku jest sposób naparowy¬ wania cienkich warstw zwiazków podwójnych, szczególnie O' duzej róznicy cisnien par skladników w temperaturze parowania oraz urzadzenie do sto¬ sowania tego sposobu.Dotychczas stosowane sposoby naparowywania cienkich warstw zwiazków podwójnych polegaly na podgrzewaniu litego materialu, które bylo zród¬ lem par zwiazku naparowywanego. Pary te na¬ stepnie kondansowaly na podlozu umieszczanym nad zródlem par. Caly proces odbywal sie w prózni.Urzadzenia realizujace opisane sposoby, zawie¬ raly pod kloszem zródlo parowania zwiazku pod¬ wójnego i w pewnej odLeglosci od niego podloze, na którym kondemsuje cienka warstwa.W przypadku naparowywania cienkich warstw zwiazku podwójnego, którego skladniki maja szcze¬ gólnie duza róznice cisnienia par w temperaturze parowania, w wyniku zachodzacej, dysocjacji zwiaz¬ ku w czasie naparowywania, kondansujaca wars¬ twa wykazuje zazwyczaj niedomiar skladnika bar¬ dziej lotnego, na skutek jego szybszego odparowa¬ nia. W zwiazku z tym, naniesiona warstwa zwiaz¬ ku podwójnego wykazuje odstepstwo od skladu stechiometrycznego. Jako zwiazki podwójne nalezy rozumiec zwiazek dwóch pieirwiastików, przyklado1 wo moze to byc pólprzewodzacy zwiazek miedzy¬ metaliczny. 15 20 25 30 Celem wynalazku jest opracowanie sposobu na¬ parowywania zwiajzków podwójnych, aby otrzyma¬ na warstwa nie wykazywala niedomiaru skladnika bardziej lotnego oraz opracowanie urzadzenia dc stosowania sposobu wedlug wynalazku.Cel ten, wedlug wynalazku, osiagnieto przez na¬ parowywanie cienkach warstw zwiazku podwójne¬ go, którego lity material w postaci ziarnistej do¬ starcza sie stopniowo do zródla parowania oraz przez wprowadzenie dodatkowego zródla par bar¬ dziej lotnego skladnika zwiazku podwójnego i równoczesne grzanie podloza cienkiej warstwy.Rozmiary czesci rozdrobnionego litego materialu zwiazku podwójnego sa zalezne od rodzaju tego zwiazku i przykladowo dla teliurku rteci, HgTe, srednica ziaren powinna byc rzedu 1 do 5 mim.Poprzez spowodowanie parowania rozdrobnione¬ go materialu litego, o dostatecznie duzych roz¬ miarach uzyskuje sie zmniejszenie zmian stosunku skladników w strumieniu odparowywanym w cza¬ sie procesu gazowania. Ponadto, dzieki wprowadze¬ niu dodatkowego strumienia par skladnika bar¬ dziej lotnego, uzyskuje sie uzupelnienie niedomia¬ ru tego skladnika w procesie kondensacji warstwy, a przez grzanie podloza w czasie kondensacji uzy¬ skuje sie gruibokirystalicznosc struktury warstwy i jej lepsza jednorodnosc.W urzadzeniu do stosowania sposobu wedlug wy¬ nalazku zostal umieszczony zbiornik na rozdrobnio¬ ny lity material zwiazku oraz lejek szklany, po- 6103261032 3 przez który dostarczany jest rozdrobniony material do oslony, w której nastepuje podgrzewanie roz¬ drobnionego materialu.Sposób i urzadzenie wedlug wynalazku zostanie objasnione blizej przy pomocy rysunku.Zródlem parowania zwiazku jest tasma 1 z me¬ talu trudnotopliweigo — na przyklad molibdenu lub wolframu. Polaczona jest ona z doprowadze¬ niami pradowymi 2 i grzana oporowo. Na tasmie 1 umieszczony jest parowalnik 3 wykonany z tego samego materialu co tasma 1. Lity material w po¬ staci ziaren 4 a zadanej wielkosci gromadzony jeist w zasobniku 5 i dostarczane sa w okreslonych momentach czasu do zródla parowania z zasobni¬ ka 5 poprzez szklany lejek 6.Dodatkowe zródlo par 7 z materialem skladnika bardziej lotnego, umieszczone jest w sasiedztwie zródla parowania zwiazku i grzane przez promie¬ niowanie cieplne zródla glównego lub za pomoca grzejnika elektrycznego.Podloze 8, na którym kondensuge sie naparo¬ wywana wairstwa, umieszczone jest z maska 9 w specjalnym uchwycie 10, i razem podgrzewane sa do temperatury zapewniajacej optymalna krystali¬ zacje. Podgrzewanie dokonuje sie przy pomocy grzejnika 11. 15 20 25 Zastosowana przeslona 12, umieszczona miedzy zródlem parowania zwiazku i podlozem 8, podwa¬ la na sprecyzowanie momentów rozpoczecia i za¬ konczenia procesu kondensacji warstwy. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób naparowywania cienkich warstw zwiaz¬ ków podwójnych z litego materialu zwiazku pod¬ wójnego, znamienny tym, ze lity material zwiazku podwójnego w postaci rozdrobnionerj jako zródlo par dostarcza sie stopniowo do parowalnika i pod¬ grzewa wraz z dodatkowym zródlem par bardziej lotnego zwiazku, przy równoczesnym podgrzewaniu podloza kondensowanej, cienkiej naparowywanej warstwy.
2. 2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1, zawierajace zródlo parowania materialu zwiazku podwójnego umieszczone w parowalniku, podloze, na którym kondensiuje cienka warstwa zwiazku, oraz maske, znamienne tym, ze zawiera zasobnik (5) z rozdrobnionym litym materialem zwiazku podwójnego, przykladowo z ziarnami (4) materialu zwiazku, który to zasobnik (5) polaczony jest z parowalnikiem (3) poprzez szklany lejek (6), oraz dodatkowe zródlo par (7) z materialem skladnika bardziej lotnego ze zwiazku podwójnego. ZG „Ruch" W-wa, zam. 831-70 nakl. 210 e~z. PL