PL59768B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 30.IV.1970 59768 KI. 21 e, 31/26 MKP G 01 r %/lllfi UKD Wspóltwórcy wynalazku: doc. dr Stanislaw Sikorski, mgr inz. Ewa Mar¬ kowska Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut TechnologiiElektro¬ nowej), Warszawa (Polska) Sposób pomiaru ruchliwosci nosników ladunku w pólprzewodnikach niejednorodnych Przedmiotem wynalazku jest sposób pomiaru ruchliwosci nosników ladunku w pólprzewodnikach niejednorodnych.Wlasciwie dotychczas brak jest sposobów po¬ miaru ruchliwosci nosników, które umozliwialyby uwzglednienie wplywu niejednorodnosci pólprze¬ wodników. Dotychczasowe (pomiary ruchliwosci, zarówno holowskiej jak i unoszenia, sa prowadzo¬ ne zawsze na specjalnie dobranych i stosunkowo duzych plytkach wycietych z monokrysztalu i przygotowanych, w przypadku pomiaru ruchli¬ wosci holowskiej, w formie holotronów.Natomiast w przypadku pomiaru ruchliwosci unoszenia plytki sa przygotowane w formie pró¬ bek analogicznych do uzywanych przy metodzie wedrujacej linii swietlnej przy pomiarze dirogi dyfuzji. Koniecznosc stosowania kontaktów oraz odpowiedniego ksztaltu próbek wyklucza mozli¬ wosc takich pomiarów w trakcie poszczególnych operacji technologicznych, prowadzacych do otrzy¬ mania przyrzadów pólprzewodnikowych lub po¬ miedzy takimi operacjami.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu po¬ miaru ruchliwosci z uwzglednieniem niejednoro¬ dnosci w pólprzewodniku.Cel ten wedlug wynalazku zostal osiagniety przez umieszczenie badanej plytki pólprzewodnika w polu magnetycznym oraz punktowe oswietlenie powierzchni pólprzewodnika promieniem swie¬ tlnym. Punktowe oswietlenie powierzchni pólprze- 10 15 25 30 wodnika zapewnia generacje nosników ladunku w obszarze niewiele przewyzszajacym kolo o pro¬ mieniu równym sumie promienia punktu swie¬ tlnego i dlugosci drogi dyfuzji.Generowane nosniki poruszajace sie pod wply¬ wem wewnetrznego pola elektrycznego wywola¬ nego niejednorodnoscia i odchylane przez pole magnetyczne równolegle do kierunku oswietlenia powoduja powstanie objetosciowego zjawiska fo- tomaignetoelektrycznego. Bez pola magnetycznego powstaje w tych warunkach objetosciowe zjawi¬ sko fotowoltaiczne. Ze stosunku napiecia wywola¬ nego objetosciowym zjawiskiem fotowoltaicznym do napiecia wywolanego objetosciowym zjawi¬ skiem fotomagnetoelektrycznym oblicza sie sume szukanych ruchliwosci donorów i dziur.Sposób wedlug wynalazku zostanie wyjasniony blizej za pomoca rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia plytke pólprzewodnika z zaciskami wyj¬ sciowymi, a fig. 2 — plytke umieszczona miedzy nabiegunnikami. Na fig. 1 plytka 1 ma dwie pary zacisków wyjsciowych a—a oraz b—b. Ponadto plytka jest umieszczona w polu magnetycznym B, , pomiedzy nabiegunnikami 2 elektromagnesu. Pro¬ mien swietlny 4 odbity od zwierciadla 3 pada na badana plytke 1, tworzac na niej punkt swietlny, wywolujac powstanie objetosciowego zjawiska fo- tomagnetoelektrycznego. Bez pola magnetycznego powstaje w tych warunkach objetosciowe zjawi¬ sko fotowoltaiczne. Ze stosunku napiecia Vt wy- 5976859768 wolanego objetosciowym zjawiskiem fotowolta- icznym do napiecia U2 wywolanego objetosciowym zjawiskiem fotoir.agnetoelektrycznym oblicza sie sujme szukanych ruchliwosci donorów |xn i akcep¬ torównp 2 u0 U2 gdzie B — indukcja magnetyczna, \iQ — ambipo- larna, \ix — ruchliwosc grupowa. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru ruchliwosci nosników ladun¬ ku w pólprzewodnikach niejednoro inych znamien- 10 ny tym, ze badana plytke umieszcza sie w polu magnetycznym, po czym oswietla sie ja punktowo równoleglym do pola magnetycznego promieniem swietlnym, a nastepnie mierzy sie napiecia beda¬ ce -wynikiem objetosciowego efektu" fotomagneto- elektrycznego i fotowoltaicznego, przy czym. ze stosunku tych napiec oblicza sie ruchliwosc nos¬ ników.
2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze równoleglosc promienia swietlnego do pola ma¬ gnetycznego uzyskuje sie przez umieszczenie zwierciadla miedzy nabiegunnikami magnesu. <,b !a U, / 7 1 < a U, Ol Flg.1 Fig.2 PL