PL66146B1 - - Google Patents

Description

66146 KL 21e,31/26 Opublikowano; 31.VII.1972 MKP GOlr 31/26 CZYTELNIA UKD Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Sikorski, Tadeusz Piotrowski, Zdzi¬ slaw Soltys, Jaroslaw Swiderski Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej przy Naukowo- -Produkcyjnym Centrum Pólprzewodników, Warsza¬ wa (Polska) Sposób pomiaru drogi dyfuzji nadmiarowych nosników pradu w pólprzewodnikach Przedmiotem wynalazku jest sposób pomiaru drogi dyfuzji .nadmiarowych nosników pradu iw pólprzewodnikach. Sposób znajduje korzystne za¬ stosowanie przy produkcji przyrzadów pólprze¬ wodnikowych, w badaniach jednorodnosci krysz¬ talów.Stasowane dotychczas metody pomiaru drogi dy¬ fuzji nadmiarowych nosników pradu zakladaja jednorodnosc badanego krysztalu. Zawodnosc tego zalozenia jest dotkliwa w spotykanych czesto w praktyce przypadkach niejednorodnego rozkladu koncentracji nosników pradu oraz zbyt duzej lub zmiennej w obszarze mierzonym predkosci rekom¬ binacji powierzchniowej.Znany sposób pomiaru drogi dyfuzji polega na punktowym oswietleniu badanej próbki pólprze¬ wodnika i zmierzeniu wywolanego tym oswietle¬ niem fotoprzewodnictwa. Wielkosc efektu fotoprze¬ wodnictwa badanej próbki porównuje sie nastep¬ nie z efektem fotoprzewodnictwa wytworzonym ta sama sonda swietlna w próbce wzorcowej która umieszcza sie w miejsce próbki 'badanej, po czym na tej podstawie wylicza sie droge dyfuzji L.Wada znanego sposobu jest koniecznosc posiada¬ nia wzorcowych próbek danego materialu pólprze¬ wodnikowego o podobnej wartosci rekombinacji powierzchniowej. Dalsza iwada jest koniecznosc wymieniania próbki .badanej na próbke wzorcowa, co utrudnia lub nawet uniemozliwia dokladne foa- 10 25 30 danie punktowe, falszujac przez to wyniki pomia¬ rów.Celem wynalazku jest taki sposób pomiaru dro¬ gi dyfuzji nadmiarowych nosników pradu w pól¬ przewodnikach, który pozwolilby dokonywac po¬ miar z fwieksza niz dotychczas dokladnoscia, bez koniecznosci usuwania badanej próbki z urzadze¬ nia pomiarowego przed zakonczeniem pomiaru, jak tez bez wzgledu na stopien niejednorodnosci materialu pólprzewodnikowego.Cel ten osiagniety zosta! w sposobie bedacym przedmiotem wynalazku, zgodnie z którym badana próbke pólprzewodnika oswietla sie na zmiane swiatlem o dwu róznych spektralnych przedzialach promieniowania mierzac jednoczesnie wywolywa¬ ne w próbce napiecia fotoprzewodnictwa, nastep¬ nie droge dyfuzji wyznacza sie ze stosunku tak pomierzonych wartosci fotoprzewodnictwa.Korzyscia techniczna jaka zapewnia sposób we¬ dlug wynalazku, to przede wszystkim mozliwosc pomiaru drogi dyfuzji w pólprzewodnikach o znacznym stopniu niejednorodnosci, z wieksza niz dotychczas dokladnoscia i bez zmiany poloze¬ nia próbki w urzadzeniu pomiarowym. Dalsze ko¬ rzysci, to umozliwienie dokonywania pomiarów bardzo malych wartosci drogi dyfuzji, takze na malych obszarach i w miejscach trudno dostep¬ nych.Przykladowe wykonanie pomiaru sposobem we¬ dlug wynalazku opisane jest nizej. Badana próbke 661463 pólprzewodnika ""umieszcza sie w palu sondy swietlnej, nastepnie swiatlo sondy koncentruje sie jako punkt swietlny na wybranym obszarze prób¬ ki. Mierzy sie napiecie fotoprzewodnictwa, po czym zmienia sie spektralny zakres promieniowa- 5 nia swietlnego i powtórnie mierzy sie napiecie fotoprzewodnictwa przy zmienionym zakresie wid¬ ma. Przykladowo próbke oswietla sie pelnym wid¬ mem swiatla bialego i czescia 'tego widma, wpro¬ wadzajac w droge promieniowania odpowiednie 10 filtry.Ze stosunku fotoprzewodnictwa w dwu prze¬ dzialach promieniowania swietlnego, znajac cha¬ rakterystyki zródla swiatla i filtrów które .to ele¬ menty sa stalymi urzadzenia pomiarowego, wyzna- 15 cza sie wedlug znanych wzorów wielkosc drogi dyfuzJL ' / V-^. ^ ¦¦-..Sposób wedlug wynalazku pozwala ponadto wyznaczac predkosci rekombinacji powierzchnio- 4 wej, a takze pomiar pochodnej opornosci wlasci¬ wej. Dla tych pomiarów, nie zmienia sie polozenia próbki, zmienia sie jedynie zespól filtrów formu¬ jacych sklad spektralny promieniowania. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób pomiaru drogi dyfuzji nadmiarowych nosników pradu w pólprzewodnikach polegajacy na punktowym oswietlaniu badanej próbki pól¬ przewodnika i pomiarze wywolanego oswietleniem napiecia fotoprzewodnictwa, znamienny tym, ze badana próbke pólprzewodnika oswietla sie na zmiane swiatlem o dwu róznych spektralnych przedzialach promieniowania mierzac jednoczesnie wywolywane w próbce napiecia fotoprze wodni ot wa, nastepnie droge dyfuzji wyznacza sie ze stosunku tak pomierzonych wartosci fotoprzewodnictwa. ZF „Ruch" W-wa, z. 625-72, nakl. 205 + 20 egz. Cena zl 10,— PL