SU857889A1 - Способ измерени времени релаксации энергии носителей зар да в полупроводниках - Google Patents

Description

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ РЕЛАКСАЦИИ ЭНЕРГИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1

Изобретение относитс  к измерению физических параметров полупроводников и может быть Использовано дл  контрол  полупроводниковых СВЧ приборов.

Феноменологическое врем  релаксации энергии носителей зар да ТЕ.  вл етс  основным параметром, определ ющим чувствительность полупроводниковых датчиков СВЧ моплности, ее частотную зависимость и т. д. Величина Tg, зависит от различных факторов, в частности от степени легировани  полупроводника.

Известен способ измерени  времени релаксации энергии носителей зар да в полупроводниках , основанный на измерени х электрических параметров как на СВЧ, так и на посто нном токе, заключающийс  в том, что создают специальные тестовые диодные структуры, содержащие п-п переход, пропускают через них посто нный ток и измер ют продольные и поперечные составл ющие токов, по которым определ ют параметры полупроводника.

Недостаток этого способа заключаетс  в том, что он требует изготовлени  сложных тестовых структур.

Известен также способ, основанный на том, что в полупроводнике создают неоднородное электрическое поле с различными градиентами, один из которых  вл етс  плавным , другой - резким. К образцу прикладывают напр жение в противоположный направлени х и по величине разности токов определ ют параметры полупроводника 2.

Однако этот способ пригоден дл  измерени  параметров однородных образцов и не может быть использован дл  структур, содержащих переходы.

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ измерени  времени релаксации энергии носителей зар да в полупроводниках , заключающийс  в приложении к образцу напр жени  заданной величины, разогревающего носители зар да, и измерении его сопротивлени , из которого использу  расчетную формулу

Т - ЗКТо&

П)

ЧaejvioS

наход  врем  релаксации, где - (Ко-№| -коэффи11ИРнт нелинейности соR противлени  образца;

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках, содержащий η—п⁺ переход, включающий приложение к образцу напряжения заданной величины, разогревающего носители заряда, и измерение его сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения при расширении их диапазона в область больших концентраций носителей заряда, к образцу прикладывают напряжение той же величины обратной полярности, измеряют его сопротивление, затем измеряют сопротивление образца при малом напряжении, когда не происходит разогрев носителей, и, используя полученные значения сопротивлений и заданного напряжения, определяют искомый параметр.