PL59495B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL59495B1 PL59495B1 PL127202A PL12720268A PL59495B1 PL 59495 B1 PL59495 B1 PL 59495B1 PL 127202 A PL127202 A PL 127202A PL 12720268 A PL12720268 A PL 12720268A PL 59495 B1 PL59495 B1 PL 59495B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- carbon
- torr
- heating
- pressure
- temperature
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 boron BoC, tantalum Chemical compound 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 27.Y.1968 (P 127 202) 25.111.1970 59495 KI. 21 gi 13/04 MKP H«l9(ft BIBLIOTEKA UKD Wspóltwórcy wynalazku: mgr Wojciech Maslankiewicz, inz. Ryszard Gutowski, mgr inz. Jan Tatarkiewicz Wlasciciel patentu: Doswiadczalne Zaklady Lampowe „Lamina", Pia¬ seczno (Polska) Sposób wytwarzania materialu podatnego na pokrywanie metalami szlachetnymi, zwlaszcza na elementy przyrzadów elektronowych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia materialu podatnego na pokrywanie metalami szlachetnymi, zwlaszcza na elementy przyrzadów elektronowych, wykazujacego pomijalna emisje termiczna, stabilna emisje wtórna, oraz wlasnosci mechaniczne nie odbiegajace od materialu rdzenia, dajacego sie latwo i trwale pokrywac elektrolitycz¬ nie takimi metalami jak zloto, platyna, ren i rod.Znane sa metody usuwania niepozadanej emisji termicznej z wysoko obciazalnych elektrod lamp elektronowych przez pokrycie tych elektrod wegli¬ kami cyrkonu ZrC, boru BoC, tantalu TaC, i molib¬ denu MoC. Pokrycia takie obok najczesciej dobrych wlasnosci odpnomieniowania, wysokiej temperatu¬ ry topnienia i nie aktywowania sie torem, maja po¬ wazne wady jak zla przyczepnosc, duza opornosc dla wysokiej czesitotliwosci i kruchosc materialu.Szeroko stosowane pokrycia metalami szlachetny¬ mi .wykonywane sa metoda przeciagania przez krople roztopionego metalu szlachetnego lub nano¬ szenie pokryc plaszczowych ze wzgledu na to, ze takie metale jak wolfram, molibden lub tantal ma¬ ja w kapielach galwanicznych wysokie nadnapie- cie wodoru co uniemozliwia otrzymanie na tych metalach powlok o grubosci wiekszej niz okolo 20 nm. Stostowane w celu stlumienia emisji ter¬ micznej naweglanie elektrod prowadzone bylo do¬ tychczas glównie w atmosferze tlenu i dwutlenku wegla. Inne metody naweglania, na przyklad odkla¬ danie wegla w kapieli, lub zagrzanie elementu w 15 20 25 30 pojemniku zawierajacym wegiel sa trudne techno¬ logicznie i nie daja dobrych wyników.Znane jest równiez naweglanie ksztaltek cera¬ micznych przy wysokiej temperaturze w prózni lub w atmosferze gazów obojetnych. Mamy tu jednak do czynienia z odlozeniem warstewki wegla bez przeksztalcenia podloza.Celem wynalazku jest usuniecie wyzej przedsta¬ wionych niedogodnosci droga wytworzenia na ma¬ teriale rdzenia warstwy weglika przez przeksztal¬ cenie przypowierzchniowej warstwy rdzenia utwo¬ rzonego z molibdenu lub tantalu w weglik molib¬ denu lub tantalu. Uzyskuje sie to zgodnie z wyna¬ lazkiem przez wyzarzenie materialu rdzeniowego na przyklad molibdenu lub tantalu w temperatu¬ rze 1300—1500°C, pnzy cisnieniu mniejszym od 10-4 Tr przez 10—20 minut, nastepnie obnizenie tempe¬ ratury do 1200^1300 °C i naweglaniu w przeciagu 1—5 minut przy cisnieniu par weglowodorów mniejszym niz 1 Tr, przy czym temperatura ele¬ mentu grzejnego i naweglanego jest tak dobrana, aby dysocjacja termiczna weglowodorów zachodzi¬ la na elemencie grzejnym.Badania wykazuja, ze zamiana powierzchni mo¬ libdenu lub tantalu w weglik przy ogrzewaniu ele¬ mentu naweglanego w sposób posredni jest niemo¬ zliwa przy cisnieniu weglowodorów wiekszym od 1 tora, poniewaz przy cisnieniach wyzszych osiada bezposrednio wegiel. Zilustrowac to mozna droga porównania przyrostu opornosci. Na przyklad przy- 5949559495 rost opornosci ~ A R dla temperatury elementu na- weglanego 1200—1300°C wynosi p < 1 tora 1 2%^-5% p 1 tora - 10%H-+20% Z porównania tego wynika, iz przy cisnieniu p 1 tora proces jest niekonitrolowany. Przy nawegla- niu wiejkiszym od 8% przyrostu opornosci znacznie wzrosta kruchosc naweglonych drutów. Przy na- wegleniu na 2-5-5% drut o srednicy d mozna nawi¬ nac na rdzen o srednicy 2d, podczas gdy przy na- wegleniu na 8-1-10% mozna go nawinac na rdzen o srednicy lOd. Tak wiec istotnym elementem osiagniecia nowego efektu technicznego jakim jest wytworzenie warstwy weglika bez warstwy wegla 15 jest przeprowadzenie procesu przy cisnieniu par weglowodorów nizszym niz 1 tor.Material wytworzony przy zastosowaniu tego sposobu moze byc poddany dodatkowej obróbce dla zwiekszenia wspólczynnika emisyjnosai cieplnej. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania materialu podatnego na po¬ krywanie metalami szlachetnymi, zwlaszcza na ele¬ menty przyrzadów elektronowych, w którym meta¬ liczny material rdzeniowy wyzarzany jest w prózni, a bezposrednio po tym naweglany przez ogrzewa¬ nie w atmosferze zawierajacej wegiel przy tempe¬ raturze tak dobranej, aby dysocjacja termiczna weglowodorów zachodzila na elemencie grzejnym znamienny tym, ze cisnienie par weglowodorów do¬ prowadza sie w znany sposób do wartosci mniej¬ szej niz 1 tor. Zaklady Kartograficzne, Wroclaw, zam. C/1059, 290 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL59495B1 true PL59495B1 (pl) | 1969-12-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20010091389A (ko) | 저압-ｄｃ-열화학증착법을 이용한 탄소나노튜브 수직배향증착 방법 | |
| US3949106A (en) | Method for producing isotropic pyrolisis carbon coatings | |
| US3741797A (en) | Low density high-strength boron on beryllium reinforcement filaments | |
| KR102238109B1 (ko) | 그래핀의 제조 방법, 그래핀 및 이의 기재 | |
| KR101808891B1 (ko) | 단결정 인상 장치용 흑연 도가니 및 그 제조 방법 | |
| Zou et al. | Uniform single-layer graphene growth on recyclable tungsten foils | |
| US3458341A (en) | Metal boride-metal carbide-graphite deposition | |
| US3564565A (en) | Process for adherently applying boron nitride to copper and article of manufacture | |
| US4291444A (en) | Process of manufacturing a tungsten lamp filament | |
| US3788893A (en) | Coated filaments | |
| PL59495B1 (pl) | ||
| US3769086A (en) | Porous, electrically conductive member | |
| US2833676A (en) | Metal coated dielectrics and method for producing same | |
| KR20210059052A (ko) | 그래핀이 코팅된 금속재 제품 및 이의 제조방법 | |
| US2860075A (en) | Method of making a heater for vacuum deposition | |
| US3393084A (en) | Coating carbon substrates with refractory metal carbides | |
| Chappell et al. | The fabrication of ceramic-coated carbon fibre duplex elements | |
| US4045597A (en) | Process for modifying amorphous carbon filaments | |
| JP4358313B2 (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック | |
| JP5783669B2 (ja) | 触媒金属微粒子形成方法 | |
| US3556834A (en) | Low temperature method for producing amorphous boron-carbon deposits | |
| US4123583A (en) | Filamentary reinforcement product | |
| JPS5945638B2 (ja) | 炭化チタンウイスカ−の製造方法 | |
| Bystrov et al. | Plasmachemical synthesis of titanium carbide on copper substrates | |
| JP2021018890A (ja) | ヒータおよびるつぼ |