PL57864B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL57864B1 PL57864B1 PL120205A PL12020567A PL57864B1 PL 57864 B1 PL57864 B1 PL 57864B1 PL 120205 A PL120205 A PL 120205A PL 12020567 A PL12020567 A PL 12020567A PL 57864 B1 PL57864 B1 PL 57864B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- inductor
- heating element
- frequency
- generator
- crucible
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
Opublikowano; 15.IX.1969 57864 KI. 21 h, 18/10 MKP H05b UKD Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Andrzej Bukowski, mgr inz. Andrzej Otto Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa, (Pol¬ ska) Induktor do beztyglowego topienia i monokrystalizacji materialów, w szczególnosci krzemu o duzych srednicach Przedmiotem wynalazku jest induktor do bez¬ tyglowego topienia i monokrystalizacji materialów, a w szczególnosci krzemu o srednicach wiekszych od 22 mm.Znane sa rózne metody beztyglowego topienia i krystalizacji krzemu w skali przemyslowej.Obok niewatpliwych zalet tych metod w odnie¬ sieniu do czystosci beztyglowego procesu w porów¬ naniu z metodami tyglowymi na przyklad metoda Czochralskiego, powazna wada metod beztyglowych jest ograniczona srednica otrzymywanych mono¬ krysztalów. Ograniczenie to wynika z ciezaru stre¬ fy cieklej uzaleznianego od srednicy preta, która dazy do rozlania sie pokonujac sily napiecia po¬ wierzchniowego stopionego materialu.Z opisów znanych rozwiazan potwierdzonych do¬ swiadczalnie wynika, ze zjawisko to wystepuje juz przy srednicach topionych pretów okolo 22—23 mm.Zjawisko rozlewania sie strefy stopionej przy wiekszych srednicach pretów, zostalo jednak roz¬ wiazane w odniesieniu do beztyglowego topienia i krystalizacji przez zastosowanie dwóch induk- torów, z których pierwszy zasilany z generatora wysokiej czestotliwosci 1—4 MHz sluzy do topie¬ nia obrabianego materialu, natomiast drugi- zasila¬ ny z generatora wysokiej czestotliwosci 1—50 kHz stanowi ekran magnetyczny i sluzy do wywolania tak zwanego podporu magnetycznego, zapobiega¬ jac w ten sposób rozlewaniu sie strefy stopionej. 10 20 25 30 Zastosowanie takiej metody jak wynika z wyzej omówionego przykladu wymaga zastosowania dwóch induktorów oraz do zasilania dwóch gene¬ ratorów o bardzo zróznicowanej czestotliwosci wy¬ twarzanych pradów.Znana jest takze metoda uzyskania podporu magnetycznego, przez zastosowanie jednego induk¬ tor a bedacego jednoczesnie elementem grzejnym i ekranem magnetycznym przy zasilaniu go róz¬ nymi pradami wysokiej czestotliwosci poprzez mo¬ dulacje amplitudowa czestotliwosci 4 MHz czesto¬ tliwoscia 50 kHz.Powoduje to jednak koniecznosc stosowania ge¬ neratorów o specjalnej konstrukcji umozliwiaja¬ cej taka modulacje, co jest zagadnieniem bardzo zlozonym i klopotliwym.Wszystkie znane dotychczas induktory oraz spo¬ soby ich zasilania wymagaja jak podano wyzej zastosowania dwóch generatorów zasilajacych, o bardzo zróznicowanej czestotliwosci, lub jed¬ nego generatora lecz o skomplikowanej budowie zmodulowana czestotliwoscia pradu zasilania, co bardzo komplikuje calosc urzadzenia.Celem wynalazku jest zaprojektowanie i wyko¬ nanie takiego induktora, który zasilony z genera¬ tora wysokiej i jednolitej czestotliwosci umozliwi jednoczesnie topienie lub monokrystalizacje w pro¬ cesie beztyglowym oraz bedzie stanowil jedno¬ czesnie ekran magnetyczny dajac podpore magne¬ tyczna, co umozliwi podniesienie srednicy obrabia- 5786457864 nych pretów powyzej 22—23 mm. Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie dwuzwoj owego in¬ duktora o specjalnej konstrukcji zasilanego z jed¬ nego generatora o czestotliwosci 1—4 MHz.Induktor wedlug wynalazku przedstawiony jest przykladowo na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia induktor w widoku z góry, a fig. 2 — in¬ duktor w przekroju wzdluz linii A—A z fig. 1.Induktor sklada sie z jednego lub wielu o mniej¬ szej srednicy zwojów 1, które sa elementem grzej¬ nym i umieszczonego pod nim o wiekszej sred¬ nicy zwoju 2, który jest ekranem magnetycznym dla podtrzymania strefy stopionej, polaczonego zwora 3. W punktach 4 do induktora podlaczone sa doprowadzenia pradowe z generatora wysokiej czestotliwosci.Dla lepszego wyjasnienia istoty wynalazku we wnetrzu zwojów induktora umieszczono pret ter¬ micznie obrabianego materialu, w którym obszar 5 jest polikrysztalem, obszar 6 jest strefa stopiona, obszar 7 jest frontem monokrystalizacji, a obszar 8 jest monokrysztalem.Nalezy zaznaczyc, ze zarówno element grzejny jak równiez ekran magnetyczny, pokryte sa cienka warstwa gabczastego chromu, ze wzgledów na ko¬ niecznosc zachowania malych odleglosci pomiedzy 5 induktorem, a stopiona strefa. PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe io 1. Induktor do beztyglowego topienia i mono¬ krystalizacji materialów, w szczególnosci krzemu o duzych srednicach, znamienny tym, ze sklada sie z jednego lub wielu górnych o mniejszej sred¬ nicy zwojów (1), które stanowia element grzejny 15 oraz jednego dolnego o wiekszej srednicy zwoju (2), który stanowi ekran magnetyczny zamkniety zwora (3), przy czym oba te elementy zasilane sa z jednego generatora o jednolitej czestotliwosci. 20
2. Induktor wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze element grzejny i ekran magnetyczny pokryte sa cienka warstwa gabczastego chromu. Fl9.1 ZG „Ruch" W-wa, zam. 680-69 nakl. 290 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL57864B1 true PL57864B1 (pl) | 1969-06-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3759671A (en) | Horizontal growth of crystal ribbons | |
| Ravi | The growth of EFG silicon ribbons | |
| Dold et al. | Floating-zone growth of silicon in magnetic fields. I. Weak static axial fields | |
| JPH0633218B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| JP2967092B2 (ja) | 浮上溶解装置 | |
| US3795488A (en) | Method for producing crystal boules with extensive flat, parallel facets | |
| PL57864B1 (pl) | ||
| KR970011030A (ko) | 단결정 성장방법 및 그 장치 | |
| KR100297575B1 (ko) | 단결정제조방법및그인발장치 | |
| US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| US3960511A (en) | Zone melting process | |
| JPS5645889A (en) | Growing method of semiconductor single crystal | |
| US3933572A (en) | Method for growing crystals | |
| Gupta et al. | Limitations in using kilohertz radio frequencies for float zone silicon crystals | |
| JP3628355B2 (ja) | 高周波誘導加熱コイル装置 | |
| US3585008A (en) | Advance melt zone production of a monocrystalline rod | |
| US3251655A (en) | Apparatus for producing crystalline semiconductor material | |
| US3607114A (en) | Apparatus for producing a monocrystalline rod, particularly of semiconductor material | |
| JPH0329751B2 (pl) | ||
| JP2592244B2 (ja) | 均一結晶の育成装置 | |
| JPS55126597A (en) | Single crystal growing method | |
| US3622282A (en) | Method for producing a monocrystalline rod by crucible-free floating zone melting | |
| JPH01148793A (ja) | リボン状シリコン結晶の水平引抜き法 | |
| JPS63103889A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPS55104998A (en) | Production of silicon carbide crystal layer |