PL57864B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL57864B1
PL57864B1 PL120205A PL12020567A PL57864B1 PL 57864 B1 PL57864 B1 PL 57864B1 PL 120205 A PL120205 A PL 120205A PL 12020567 A PL12020567 A PL 12020567A PL 57864 B1 PL57864 B1 PL 57864B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
inductor
heating element
frequency
generator
crucible
Prior art date
Application number
PL120205A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Andrzej Bukowski mgr
inz. AndrzejOtto mgr
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Publication of PL57864B1 publication Critical patent/PL57864B1/pl

Links

Description

Opublikowano; 15.IX.1969 57864 KI. 21 h, 18/10 MKP H05b UKD Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Andrzej Bukowski, mgr inz. Andrzej Otto Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa, (Pol¬ ska) Induktor do beztyglowego topienia i monokrystalizacji materialów, w szczególnosci krzemu o duzych srednicach Przedmiotem wynalazku jest induktor do bez¬ tyglowego topienia i monokrystalizacji materialów, a w szczególnosci krzemu o srednicach wiekszych od 22 mm.Znane sa rózne metody beztyglowego topienia i krystalizacji krzemu w skali przemyslowej.Obok niewatpliwych zalet tych metod w odnie¬ sieniu do czystosci beztyglowego procesu w porów¬ naniu z metodami tyglowymi na przyklad metoda Czochralskiego, powazna wada metod beztyglowych jest ograniczona srednica otrzymywanych mono¬ krysztalów. Ograniczenie to wynika z ciezaru stre¬ fy cieklej uzaleznianego od srednicy preta, która dazy do rozlania sie pokonujac sily napiecia po¬ wierzchniowego stopionego materialu.Z opisów znanych rozwiazan potwierdzonych do¬ swiadczalnie wynika, ze zjawisko to wystepuje juz przy srednicach topionych pretów okolo 22—23 mm.Zjawisko rozlewania sie strefy stopionej przy wiekszych srednicach pretów, zostalo jednak roz¬ wiazane w odniesieniu do beztyglowego topienia i krystalizacji przez zastosowanie dwóch induk- torów, z których pierwszy zasilany z generatora wysokiej czestotliwosci 1—4 MHz sluzy do topie¬ nia obrabianego materialu, natomiast drugi- zasila¬ ny z generatora wysokiej czestotliwosci 1—50 kHz stanowi ekran magnetyczny i sluzy do wywolania tak zwanego podporu magnetycznego, zapobiega¬ jac w ten sposób rozlewaniu sie strefy stopionej. 10 20 25 30 Zastosowanie takiej metody jak wynika z wyzej omówionego przykladu wymaga zastosowania dwóch induktorów oraz do zasilania dwóch gene¬ ratorów o bardzo zróznicowanej czestotliwosci wy¬ twarzanych pradów.Znana jest takze metoda uzyskania podporu magnetycznego, przez zastosowanie jednego induk¬ tor a bedacego jednoczesnie elementem grzejnym i ekranem magnetycznym przy zasilaniu go róz¬ nymi pradami wysokiej czestotliwosci poprzez mo¬ dulacje amplitudowa czestotliwosci 4 MHz czesto¬ tliwoscia 50 kHz.Powoduje to jednak koniecznosc stosowania ge¬ neratorów o specjalnej konstrukcji umozliwiaja¬ cej taka modulacje, co jest zagadnieniem bardzo zlozonym i klopotliwym.Wszystkie znane dotychczas induktory oraz spo¬ soby ich zasilania wymagaja jak podano wyzej zastosowania dwóch generatorów zasilajacych, o bardzo zróznicowanej czestotliwosci, lub jed¬ nego generatora lecz o skomplikowanej budowie zmodulowana czestotliwoscia pradu zasilania, co bardzo komplikuje calosc urzadzenia.Celem wynalazku jest zaprojektowanie i wyko¬ nanie takiego induktora, który zasilony z genera¬ tora wysokiej i jednolitej czestotliwosci umozliwi jednoczesnie topienie lub monokrystalizacje w pro¬ cesie beztyglowym oraz bedzie stanowil jedno¬ czesnie ekran magnetyczny dajac podpore magne¬ tyczna, co umozliwi podniesienie srednicy obrabia- 5786457864 nych pretów powyzej 22—23 mm. Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie dwuzwoj owego in¬ duktora o specjalnej konstrukcji zasilanego z jed¬ nego generatora o czestotliwosci 1—4 MHz.Induktor wedlug wynalazku przedstawiony jest przykladowo na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia induktor w widoku z góry, a fig. 2 — in¬ duktor w przekroju wzdluz linii A—A z fig. 1.Induktor sklada sie z jednego lub wielu o mniej¬ szej srednicy zwojów 1, które sa elementem grzej¬ nym i umieszczonego pod nim o wiekszej sred¬ nicy zwoju 2, który jest ekranem magnetycznym dla podtrzymania strefy stopionej, polaczonego zwora 3. W punktach 4 do induktora podlaczone sa doprowadzenia pradowe z generatora wysokiej czestotliwosci.Dla lepszego wyjasnienia istoty wynalazku we wnetrzu zwojów induktora umieszczono pret ter¬ micznie obrabianego materialu, w którym obszar 5 jest polikrysztalem, obszar 6 jest strefa stopiona, obszar 7 jest frontem monokrystalizacji, a obszar 8 jest monokrysztalem.Nalezy zaznaczyc, ze zarówno element grzejny jak równiez ekran magnetyczny, pokryte sa cienka warstwa gabczastego chromu, ze wzgledów na ko¬ niecznosc zachowania malych odleglosci pomiedzy 5 induktorem, a stopiona strefa. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe io 1. Induktor do beztyglowego topienia i mono¬ krystalizacji materialów, w szczególnosci krzemu o duzych srednicach, znamienny tym, ze sklada sie z jednego lub wielu górnych o mniejszej sred¬ nicy zwojów (1), które stanowia element grzejny 15 oraz jednego dolnego o wiekszej srednicy zwoju (2), który stanowi ekran magnetyczny zamkniety zwora (3), przy czym oba te elementy zasilane sa z jednego generatora o jednolitej czestotliwosci. 20
2. Induktor wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze element grzejny i ekran magnetyczny pokryte sa cienka warstwa gabczastego chromu. Fl9.1 ZG „Ruch" W-wa, zam. 680-69 nakl. 290 egz. PL
PL120205A 1967-04-25 PL57864B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL57864B1 true PL57864B1 (pl) 1969-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3759671A (en) Horizontal growth of crystal ribbons
Ravi The growth of EFG silicon ribbons
Dold et al. Floating-zone growth of silicon in magnetic fields. I. Weak static axial fields
JPH0633218B2 (ja) シリコン単結晶の製造装置
JP2967092B2 (ja) 浮上溶解装置
US3795488A (en) Method for producing crystal boules with extensive flat, parallel facets
PL57864B1 (pl)
KR970011030A (ko) 단결정 성장방법 및 그 장치
KR100297575B1 (ko) 단결정제조방법및그인발장치
US3360405A (en) Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt
US3960511A (en) Zone melting process
JPS5645889A (en) Growing method of semiconductor single crystal
US3933572A (en) Method for growing crystals
Gupta et al. Limitations in using kilohertz radio frequencies for float zone silicon crystals
JP3628355B2 (ja) 高周波誘導加熱コイル装置
US3585008A (en) Advance melt zone production of a monocrystalline rod
US3251655A (en) Apparatus for producing crystalline semiconductor material
US3607114A (en) Apparatus for producing a monocrystalline rod, particularly of semiconductor material
JPH0329751B2 (pl)
JP2592244B2 (ja) 均一結晶の育成装置
JPS55126597A (en) Single crystal growing method
US3622282A (en) Method for producing a monocrystalline rod by crucible-free floating zone melting
JPH01148793A (ja) リボン状シリコン結晶の水平引抜き法
JPS63103889A (ja) 単結晶引上装置
JPS55104998A (en) Production of silicon carbide crystal layer