PL56828B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL56828B1
PL56828B1 PL119104A PL11910467A PL56828B1 PL 56828 B1 PL56828 B1 PL 56828B1 PL 119104 A PL119104 A PL 119104A PL 11910467 A PL11910467 A PL 11910467A PL 56828 B1 PL56828 B1 PL 56828B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silver
copper
brass
contacts
bronze
Prior art date
Application number
PL119104A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Bogdan Szydlo mgr
inz. TadeuszBitka mgr
inz. Tadeusz Dziemianko mgr
inz.Boleslaw Stec mgr
inz. Kazimierz Tatarzynski mgr
Original Assignee
Walcownie Metali „Dziedzice" Przedsiebiorstwo Pan¬Stwowe
Filing date
Publication date
Application filed by Walcownie Metali „Dziedzice" Przedsiebiorstwo Pan¬Stwowe filed Critical Walcownie Metali „Dziedzice" Przedsiebiorstwo Pan¬Stwowe
Publication of PL56828B1 publication Critical patent/PL56828B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 25.IV.1969 56828 KI. 48 1, ,5 - MKP B 23 p UKD % Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Bogdan Szydlo, mgr inz. Tadeusz Bitka, mgr inz. Tadeusz Dziemianko, mgr inz.Boleslaw Stec, mgr inz. Kazimierz Tatarzynski Wlasciciel patentu: Walcownie Metali „Dziedzice" Przedsiebiorstwo Pan¬ stwowe, Czechowice-Dziedzice (Polska) Sposób wytwarzania tasm miedzianych, mosieznych i brazowych platerowanych pasmowo srebrem lub stopami srebra, uzywanymi na styki elektryczne l Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia tasm miedzianych, mosieznych i brazowych platerowanych pasmowo srebrem lub stopami srebra, uzywanymi na styki elektryczne.Styki elektryczne wykonywane sa badz przez miejscowe galwaniczne srebrzenie elementów" wy¬ konanych z miedzi, mosiadzów lub brazów, badz tez przez zastosowanie jako elementów stykowych nitów wzglednie plytek ze srebra lub jego stopów.Ujemna strona styków srebrnych, uzyskiwanych na drodze galwanicznej jest ich mala odpornosc na erozje elektryczna pod dzialaniem luku. Sposób przez nakladanie plytek i nitów ze srebra i jego stopów jest bardzo pracochlonny, szczególnie w odniesieniu do styków malych.Znany takze sposób wytwarzania styków droga metalurgii proszków daje dobre efekty, lecz przede wszystkim w odniesieniu do styków silnoprado- wych.Znany jest takze jeszcze inny sposób, polegajacy na wytwarzaniu styków z tasm miedzianych, mo¬ sieznych i brazowych platerowanych srebrem na calej powierzchni. Sposób ten jest jednak nieeko¬ nomiczny, gdyz srebrem lub jego stopami pokryte sa równiez powierzchnie niepracujace styków, po¬ nadto zas powstaje problem z zagospodarowaniem odpadów, powstajacych przy ich produkcji.Wad tych nie wykazuja styki wykonane z tasm i pasów platerowanych srebrem miejscowo. Ma¬ terialy tego typu nie sa jednak dotychczas w kraju 10 15 wytwarzane. Za granica wykonuje sie je droga przeróbki plastycznej na goraco, lub tez przez na- lutowywanie pasm przy zastosowaniu specjalnych urzadzen wysokiej czestotliwosci.Sposób wedlug wynalazku nie wymaga specjal¬ nych urzadzen do lutowania, a eliminujac prze¬ róbke plastyczna na goraco jako zasadnicze ogni¬ wo procesu technologicznego, eliminuje równiez ujemne zjawiska zwiazane z utlenianiem sie po¬ wierzchni laczonych ze soba w tym procesie me¬ tali.Polega on na polaczeniu droga zarzenia dyfuzyj¬ nego w atmosferze gazu ochronnego lub w prózni pakietów, skladajacych sie z ksztaltowników mie¬ dzianych, mosieznych lub brazowych i zacisnie¬ tych w nich na zimno znanymi sposobami wkla¬ dek ze srebra, lub stopu srebra uzywanego na styki.Temperatura zarzenia dyfuzyjnego winna wyno¬ sic od 755 do 778°C. Przekroczenie tej temperatury powoduje powstanie topiacej sie przy 779° eutek- tyki Ag-Cu 28,5%, która dyskwalifikuje wyrób.Z drugiej strony zbytnie obnizenie temperatury nie pozwala na uzyskanie dostatecznie dobrego polaczenia wkladki ze srebra z osnowa miedziana, a tym samym nie zapewnia monolitycznosci wy¬ robu koncowego, koniecznej zarówno ze wzgledu na przewodnosc elektryczna i cieplna styku, jak tez zachowanie podatnosci do jego mechanicznego ksztaltowania w procesie produkcji. 5682S56828 Polaczony na drodze zarzenia dyfuzyjnego pakiet poddany jest przeróbce plastycznej droga walco¬ wania na zimno znanym sposobem.W zaleznosci od zadanej grubosci koncowej tas¬ my oraz zadanego stanu (miekki, póltwardy, twar¬ dy) stosuje sie znane rekrystalizacyjne zarzenia miedzyoperacyjne.Odmiana podanego wyzej sposobu jest zabez¬ pieczenie sie przed powstaniem na granicy „miedz- -srebro" eutektyki Ag-Cu 28,5% przez rozdzielenie ., pa^m plateru ze srebra lub jego stopu uzywanego na \tyki od miedzianej, mosieznej wzglednie bra¬ zowej osnowy przy pomocy znanej posredniej war¬ stwy z niklu, jako materialu nie tworzacego ani z miedzia, ani ze srebrem niepozadanych eutektyk.Przez zastosowanie znanej posredniej warstwy niklowej temperatura zarzenia dyfuzyjnego moze byc podniesiona do 900°C, przy czym zarzenie to prowadzi sie równiez w • atmosferze gazu ochron¬ nego lub w prózni.Przyklad 1.Wyrób w postaci pasa lub tasmy miedzianej za¬ wierajacy np. dwa pasma ze srebra otrzymuje sie przez zacisniecie na zimno w walcach plaskich dwu wkladek ze srebra w kanalach ksztaltownika miedzianego stanowiacego osnowe.Stykajace sie powierzchnie powinny byc doklad¬ nie oczyszczone znanymi przy platerowaniu spo¬ sobami.Wymiary poczatkowe ksztaltownika i wkladki dobiera sie tak, aby po przewalcowaniu na wymiar gotowy z uwzglednieniem zmiany przekroju skut¬ kiem zgniotu, osiagnac zalozone wymiary na go- towo.Otrzymane w ten sposób pakiety poddaje sie za¬ rzeniu dyfuzyjnemu, które w zaleznosci od dyspo¬ nowanego urzadzenia przeprowadza sie w atmo¬ sferze ochronnej lub w prózni.Temperatura zarzenia dyfuzyjnego moze wahac sie w granicach od 755 do 778°C; czas wytrzymania 1 godzina. Po zarzeniu dyfuzyjnym pakiety walcuje sie na zimno znanym sposobem.Dla uzyskania stanu miekkiego, pólfewardego, wzglednie twardego z okreslonym stopniem.zgnio¬ tu, stosuje sie miedzyoperacyjne zarzenie rekrysta¬ lizacyjne w atmosferze ochronnej lub w prózni 5 w temp. 500±20°C w czasie 1 godz.Przyklad 2.Wyrób w postaci tasmy miedzianej, zawierajacy np. trzy pasma ze stopu srebra uzywanego na styki elektryczne otrzymuje sie przez zacisniecie 10 na zimno w kanalach miedzianego ksztaltownika stanowiacego osnowe trzech wkladek ze stopu srebra z tym, ze pomiedzy ksztaltownik a wkladki wprowadza sie przed ich zacisnieciem znane prze¬ kladki z miekkiej folii niklowej o grubosci 50 mi- 15 kronów.Stykajace sie powierzchnie ksztaltownika, wkla¬ dek i przekladek musza byc dokladnie oczyszczone znanymi sposobami przy platerowaniu.Otrzymane w ten sposób pakiety poddaje sie 20 zarzeniu dyfuzyjnemu w temperaturze 850±50°C w czasie 1 godziny. Zarzenie to w zaleznosci od dysponowanego urzadzenia prowadzi sie w atmo¬ sferze gazu ochronnego lub w prózni. Dalszy tok postepowania jak w przykladzie 1. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania tasm miedzianych, mo¬ sieznych lub brazowych platerowanych pasmo¬ wo srebrem lub stopami srebra uzywanymi na 30 styki elektryczne znamienny tym, ze pakiety utworzone z ksztaltowników miedzianych, mo¬ sieznych lub brazowych przez zacisniecie w nich na zimno wkladek ze srebra lub stopów srebra, uzywanych na styki elektryczne, poddaje sie za- 35 rzeniu dyfuzyjnemu w temperaturze od 755 do ' 778°C i po ostudzeniu walcuje na zimno zna¬ nym sposobem.
  2. 2. Odmiana sposobu wedlug zastrz. 1 przy za¬ stosowaniu posredniej warstwy z niklu zna- 40 mienna tym, ze stosuje sie wyzsze temperatury zarzenia dyfuzyjnego od 755 do 778°C nie prze¬ kraczajace 900°. PZG w Pab., zam. 61-69, nakl. 220 egz. PL
PL119104A 1967-02-22 PL56828B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL56828B1 true PL56828B1 (pl) 1968-12-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5616853B2 (ja) 太陽電池用電極線材
US2226944A (en) Method of bonding dissimilar metals
KR20160052387A (ko) 반도체 장치와 반도체 장치의 제조 방법
US3296034A (en) Thermoelectric assembly and method of fabrication
JP5975604B2 (ja) 電磁波シールド材用銅合金の製造方法
JP2012207286A (ja) 電磁波シールド材用銅合金板材
KR20190004804A (ko) 퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자
US2679223A (en) Soldering instrument
JPH05503495A (ja) 金属前駆体を用いて高温超伝導体に電気的な接続を形成する方法及びその方法により形成される製品
JP2012207275A (ja) 電磁波シールド材用銅合金
US3372471A (en) Method of manufacturing microwave components
PL56828B1 (pl)
US3401024A (en) Electrical contact material
CN102332332A (zh) 柔性扁平电缆及其制造方法、柔性印刷基板及其制造方法
JPS6254852B2 (pl)
JPS5464049A (en) Bonding of metals or alloys
Wei et al. Effect of thermal ageing on (Sn-Ag, Sn-Ag-Zn)/PtAg, Cu/Al2O3 solder joints
KR100629445B1 (ko) 티타늄 클래드 동 부스바의 제조 방법
EP2974818B1 (en) Solder joining method
JPS6242037B2 (pl)
US3657505A (en) Electrical contacting arrangement
US5151332A (en) Aluminum sheets bonded with cadmium
US20260005181A1 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing of the semiconductor device
DE2016817B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Oxidelektroden für MHD-Stromgeneratoren
CN111375855A (zh) 精密合金与钨铜合金复合结构热沉及其制造方法