PL55292B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL55292B1 PL55292B1 PL117809A PL11780966A PL55292B1 PL 55292 B1 PL55292 B1 PL 55292B1 PL 117809 A PL117809 A PL 117809A PL 11780966 A PL11780966 A PL 11780966A PL 55292 B1 PL55292 B1 PL 55292B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- epoxy resin
- semiconductor plate
- encapsulating
- layer
- influence
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 28.VI.1968 55292 KI. 21 g, 11/02 MKP HOU A'^ fQC UHD CZYTLLNIA D Urzedu Patentowego PutUlij Urn. "t| L!l'9Wftj Wspóltwórcy wynalazku: dr inz. Andrzej Kobus, Tadeusz Brachfogel, Andrzej Dabrowski, inz. Grzegorz Kasperkie- wicz Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Sposób hermetyzacji halotronów Przedmiotem wynalazku jest sposób hermety¬ zacji halotronów, który ma na celu zabezpieczenie plytki pólprzewodnikowej przed dzialaniem swia¬ tla i sil mechanicznych.Znane dotychczas sposoby hermetyzacji haletro¬ nów polegaja na umieszczeniu plytki pólprze¬ wodnikowej na elemencie nosnym na przyklad z ceramiki, a nastepnie tak przygotowany zespól mocuje sie w obudowie, na przyklad w ksztalcie litery C. Powstala w ten sposób konstrukcja za¬ pewnia dobra hermetycznosc. Przestrzen pomiedzy plytka pólprzewodnikowa i obudowa \umozliwia wyginanie sie elementu nosnego powstalego pod wplywem naprezen mechanicznych lub zmian tem¬ peratury.Wada tego sposobu hermetyzacji jest zbyt wy¬ soki koszt. Robione byly równiez próby hermety¬ zacji halotronów przez powleczenie plytki pólprze¬ wodnikowej warstwa z tworzywa sztucznego na przyklad zywica epoksydowa. Jednak wobec wy¬ stepujacego skurczu zywicy powstaja naprezenia w plytce pólprzewodnikowej powodujac jej zgi¬ nanie. Jest to sposób, z punktu widzenia kosztów, bardzo przydatny jednak z powodu wymienionych wyzej wad malo przydatny.Wynalazek stawia sobie za cel usuniecie omó¬ wionych wyzej wad drugiego sposobu przez wyeli- 15 25 minowanie wplywu skurczu zywicy na powstanie naprezen i zgiec plytki pólprzewodnikowej.Cel ten wedlug wynalazku osiagnieto przez uprzednie powleczenie plytki pólprzewodnikowej warstwa kauczuku syntetycznego stanowiaca war¬ stwe amortyzujaca skurcz zywicy epoksydowej.Tym samym zostaje wyeliminowane zginanie plyt¬ ki, oddzialywanie sil mechanicznych i wplyw osrod¬ ka otaczajacego. Jezeli zywice epoksydowa za¬ barwic to zostanie wyeliminowany wplyw swiatla na prace halotronu. Ponadto przewody doprowa¬ dzajace halotron w celu ubezpieczenia przed ze¬ rwaniem umieszczone sa w rurce z tworzywa sztucznego, która to rurka jest na stale polaczona z obudowa z zywicy epoksydowej. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób hermetyzacji halctronów za pomoca warstwy tworzywa sztucznego znamienny tym, ze plytke pólprzewodnikowa halotronu pokry¬ wa sie najpierw warstwa kauczuku stanowia¬ ca warstwe amortyzujaca a nastepnie zalewa sie zywica epoksydowa.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zywice epoksydowa barwi sie. 55292 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL55292B1 true PL55292B1 (pl) | 1968-04-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IT8423650A0 (it) | Dispositivo semiconduttore per laproduzione di radiazioni elettromagnetiche. | |
| IT943459B (it) | Procedimento e impianto per la fab bricazione di carta impregnata e carta ottenuta con tale procedi mento | |
| IT1043755B (it) | Metodo per la preparazione di i peracilglucosil 4 alchilmercapto 2 oxo diidro 1.3.5 triazine | |
| PL55292B1 (pl) | ||
| IT1010166B (it) | Metodo per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori | |
| GB952108A (en) | Improved encapsulated diode assembly | |
| IT956532B (it) | Metodo per la fabbricazione di conduttori di connessione del tipo beam lead per dispositivi semiconduttori | |
| IT7822167A0 (it) | Metodo di fabbricazione di dispositivi semiconduttori e dispositivi semiconduttori prodotti con tale metodo. | |
| BE794343A (fr) | Methode de protection d'une partie d'un substrat soumis a l'action d'1n faisceau electronique | |
| FR1523091A (fr) | Anode en zinc fritté pour piles électriques ou équivalents et procédé de fabrication de cette anode | |
| IT943198B (it) | Procedimento per la fabbricazione di monocristalli semiconduttori | |
| CH518006A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit nebeneinanderliegenden Bereichen unterschiedlicher Dicke, nach dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben zur Umwandlung mechanischer Kräfte in Elektrische Signale | |
| SE381296B (sv) | For silning av slam avsedd sil samt sett att framstella silen | |
| BR6912979D0 (pt) | Processo de fabricacao de dispositivo semicondutor dispositivo semicondutor fabricado pelo mesmo | |
| CH498653A (fr) | Procédé d'encapsulation de matières hydrophobes | |
| IT1033029B (it) | Processo per la produzione di i glicosil 5 azacitosine | |
| FR1505637A (fr) | Installation de manutention utilisable notamment dans la fabrication d'objets moulés en matière céramique | |
| IT1047945B (it) | Perfezionamenti alla preparazione di pigmenti di acido silicico precipiatati | |
| GB1240417A (en) | Semiconductor device | |
| FR1415880A (fr) | Procédé de fabrication de cristaux uniques de silicium sans fêlure | |
| Efanov et al. | Theory of the hot-electron Dember emf. | |
| US3488507A (en) | Photovoltaic detector and method of manufacture | |
| GB1193519A (en) | Semiconductor Devices | |
| JPS54158171A (en) | Resin-sealed type semiconductor device | |
| FR1505332A (fr) | Procédé de fabrication d'époxydes |