PL52226B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL52226B1 PL52226B1 PL107583A PL10758365A PL52226B1 PL 52226 B1 PL52226 B1 PL 52226B1 PL 107583 A PL107583 A PL 107583A PL 10758365 A PL10758365 A PL 10758365A PL 52226 B1 PL52226 B1 PL 52226B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- base
- diode
- light detector
- area
- junction
- Prior art date
Links
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
Description
Urzedu Patento*egoJ Detektor swiatla o wielkiej czestotliwosci modulacji Przedmiotem wynalazku jest detektor swiatla o wielkiej czestotliwosci modulacji.W dotychczasowej praktyce, do detekcji swiatla wykorzystuje sie fotodiody pólprzewodnikowe oparte na dzialaniu wstecznie spolaryzowanego zlacza p-ny co pozwala na uzyskanie czestotli¬ wosci granicznych nie przekraczajacych kilkaset kHz. Przyczyna tego jest fakt, iz pole elektryczne w takiej diodzie, której jedna elektrode stanowi zlacze p-n, a druga zas kontakt omowy bazy, pra¬ wie w calosci odklada sie w obszarze ladunku przestrzennego zlacza p-n i wskutek tego nosniki generowane swietlnie w bazie diody (poza obsza¬ rem zlacza) usuwane sa jedynie poprzez ich ruch dyfuzyjny lub zanikanie rekobinacyjne.Detektor wedlug wynalazku usuwa te ograni¬ czenia i daje moznosc znacznego podwyzszenia czestotliwosci granicznej.Istota wynalazku jest zastosowanie w detektorze swiatla o wielkiej czestotliwosci modulacji, spola¬ ryzowanej wstecznie fotodiody, której konstrukcja jest oparta na zasadzie konstrukcji pólprzewodni¬ kowej diody z dwoma zlaczami p-n i 1-h znanej z patentu polskiego nr 48234. ii 15 20 Detektor wedlug wynalazku, przedstawiony sche¬ matycznie na rysunku sklada sie z fotodiody z dwoma zlaczami p-n i 1-h, oporu R obciazenia i zródla Z zasilania.Dzieki wspóldzialaniu zjawisk ekstrakcji i eks- kluzji, pole elektryczne wytworzone w bazie fo¬ todiody ze zlaczami p-n i 1-h, wlaczonej do ob¬ wodu typowego detektora swiatla, spolaryzowanej w kierunku wstecznym, jest równomierne w ca¬ lym obszarze bazy i osiaga duze wartosci. Gwa¬ rantuje to bardzo szybkie usuwanie z calego ob¬ szaru bazy diody generowanych swietlnie nosni¬ ków pradu. Predkosc usuwania tych nosników okreslona jest poprzez wielkosc pola elektryczne¬ go w obszarze bazy fotodiody i wlasciwa danemu pólprzewodnikowi ruchliwosc nosników mniejszos¬ ciowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Detektor swiatla wielkiej czestotliwosci znamien¬ ny tym, ze stanowi go dioda z dwoma zlaczami (p-n) i (1-h) spolaryzowana wstecznie zródlem napiecia. 52226KI. 21 g, 29/10 52226 MKP H 01 I swiotio L PZG w Pab., zam. 1130-66, nakl. 410 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL52226B1 true PL52226B1 (pl) | 1966-10-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Emmons | Avalanche‐photodiode frequency response | |
| US9142692B2 (en) | Thyristor-based, dual-polarity blocking photo-conductive semiconductor switch (PCSS) for short pulse switching and methods | |
| JPS5947469B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| JPS5252593A (en) | Semiconductor light receiving diode | |
| Kao et al. | Correlations between reverse recovery time and lifetime of pn junction driven by a current ramp | |
| PL52226B1 (pl) | ||
| US3005107A (en) | Photoconductive devices | |
| SHARMA et al. | Solid State Electronics | |
| US3808476A (en) | Charge pump photodetector | |
| ATE29356T1 (de) | Elektronischer schalter. | |
| US4587546A (en) | Light-triggerable thyristor having a low light power requirement | |
| ATE32483T1 (de) | Halbleiter-leistungsschalter mit thyristor. | |
| JPS561578A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5690226A (en) | Photoelectric conversion circuit | |
| WANG | Measurement of the lifetime of minority current carriers in semiconductors by observing the photoconductive decay of the spreading resistance under a point contact(Lifetime measurement of minority current carriers in semiconductors by observing photoconductive decay of spreading resistance under point contact) | |
| JPS5696886A (en) | Magnetism sensitive element | |
| SU456342A1 (ru) | Преобразователь электроэнергии | |
| SU427567A1 (ru) | Устройство дл ориентации токопровод щих немагнитных тел | |
| ANTONOV | Distribution of the impurity concentration and of the electrical field in the drift region of silicon p-i-n detectors(Impurity concentration and electric field distribution determined in drift region of silicon p-i-n detectors from capacity as function of reverse voltage) | |
| SU1238644A1 (ru) | Мультискан с электрической схемой коммутации | |
| MCNALLY | Development of(Hg, Cd) Te elevated temperature photovoltaic detectors(Development of Hg Cd Te elevated temperature photovoltaic detectors)[Interim Report, Apr. 1972- Jan. 1973] | |
| US3423652A (en) | Unijunction transistor with improved efficiency and heat transfer characteristics | |
| SU843305A1 (ru) | Мдп-фототранзистор | |
| KIRICHUK et al. | On the mechanism of ionization processes in silicon carbide occurring at high electric fields(Electric, photoelectric and luminescent properties of carborundum crystal rectifying contacts in region just below breakdown of current voltage characteristics) | |
| SU911729A1 (ru) | Переключающее устройство |