PL49842B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo; Opublikowano. 24. VIII. 1965 KI a*-aV*6/22 MKP H 03 k 7<^W} UKD Twórca wynalazku: dr inz. Andrzej Ambroziak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Linia neuristorowa z krzemowymi diodami o dwóch bazach Przedmiotem wynalazku jest nowy przyrzad pól¬ przewodnikowy, który moze byc zastosowany jako linia neuristorowa, to znaczy linia, wzdluz której sygnal przechodzi bez tlumienia lub jako licznik impulsów. Konstrukcja i sposób zasilania linii 5 przedstawione sa na fig. 1. Aktywna czesc linii wykonana jest z plytki krzemowej 1 wycietej w ksztalcie grzebienia. Na bocznej powierzchni kazdego zeba wykonane jest zlacze 2 typu p-n, a na koncu kazdego zeba kontakt nieprostujacy 3. Na io podstawie wspólnej dla wszystkich zebów wyko¬ nany jest kontakt nieprostujacy 4.Konstrukcja ta zawiera wiec tranzystory jedno- zlaczowe, nazywane równiez diodami o dwóch ba¬ zach, które majac calkowicie rozdzielone drugie bazy i górna czesc obszaru pierwszej bazy, wspólna maja natomiast dolna czesc obszaru pierwszej bazy.W tym wspólnym obszarze zachodzi oddzialywanie miedzy sasiednimi diodami za posrednictwem no¬ sników mniejszosciowych. Jesli miedzy kontaktem 4 i polaczonymi razem kontaktami 3 przylozone jest stale napiecie polaryzujace, charakterystyka pra- dowonapieciowa zdejmowana miedzy kontaktem 4 i kazdym ze zlacz p-n 2 ma odcinek o opornosci ujemnej, tak jak to jest przedstawione na fig. 2. 25 Charakterystyka przecina os napiec w punkcie S, przy czym punkt przeciecia lezy w zakresie zapo¬ rowym charakterystyki.Dzieki temu, jesli miedzy kazdym zlaczem p-n 2 i wspólnym kontaktem 4 zostanie przylaczony kon- 30 15 20 densator C i opornik Rt kazdy element linii staje sie monostabilnym ukladem relaksacyjnym, o sta¬ bilnym punkcie pracy S. W chwili zadzialania ze¬ wnetrznego impulsu wyzwalajacego pierwszy sto¬ pien linii, rozpoczyna sie rozladowanie kondensa¬ tora przez zlacze pierwszej diody. Prad rozladowa¬ nia wprowadza nosniki mniejszosciowe do obszaru pierwszej bazy w pierwszej diodzie.Nosniki te dyfundujac we wspólnym obszarze pierwszej bazy w kierunku drugiego stopnia linii, obnizaja napiecie szczytowe charakterystyki prado- wonapieciowej drugiej diody, powodujac wyzwo¬ lenie drugiego stopnia linii itd. W ten sposób im¬ puls pradu rozladowania kondensatorów przenosi sie wzdluz linii bez tlumienia. Przesuniecie czasowe impulsu po przejsciu miedzy dwoma stopniami linii okreslone jest przez czas przelaczania diod z zakre¬ su zaporowego do zakresu nasycenia. Czas regene¬ racji linii, to znaczy, minimalny odstep czasu jaki moze istniec miedzy dwoma impulsami poruszaja¬ cymi sie wzdluz linii w tym samym kierunku, okre- sLony jest przez czas ladowania pojemnosci C pra¬ dem zaporowym zlacza.Przez dolaczenie w pierwszym stopniu opornika R2 uklad pierwszego stopnia linii staje sie gene¬ ratorem astabilnym nadajacym z okreslona czesto- tKwoscia impulsy na wejsciu linii. Linie neuristo- rowe tego typu moga byc laczone w uklady na wzór systemu nerwów. Jesli linia zostanie wykona- 4984249842 na w postaci zamknietego pierscienia, impulsy mo¬ ga w niej krazyc bezustannie. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Linia neuristorowa z krzemowymi diodami o dwóch bazach, znamienna tym, ze sklada sie z krzemowych diod o dwóch bazach, wykonanych na wspólnej plytce krzemowej (1), które posiadaja rozdzielone obszary drugiej bazy i górna czesc ob¬ szaru pierwszej bazy, a wspólna natomiast maja dolna czesc obszaru pierwszej bazy, przy czym, miedzy zlaczem p-n (2) kazdej diody i wspólnym kontaktem (4) dolaczony jest kondensator (C) i opor¬ nik (Rj), a miedzy kontaktami (3 i 4) jest przylozo¬ ne stale napiecie zasilajace linie. F^.Z 955. RSW „Prasa" Kielce. PL