PL48257B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48257B1 PL48257B1 PL101832A PL10183263A PL48257B1 PL 48257 B1 PL48257 B1 PL 48257B1 PL 101832 A PL101832 A PL 101832A PL 10183263 A PL10183263 A PL 10183263A PL 48257 B1 PL48257 B1 PL 48257B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diode
- semiconductor
- etching
- base
- junctions
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 5. VI. 1964 48257 KI 21 g 11/02 MKP H 01 1 l/52 UKD jbTbuotekaI Urz*^ ** -owego i Twórca wynalazku: mgr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Sposób trawienia bazy w pólprzewodnikowej diodzie (P-n) - (1-h) Wynalazek dotyczy sposobu trawienia bazy w pólprzewodnikowej diodzie (p-n) — (1-h), dzieki któ¬ remu uzyskuje sie znaczne zmniejszenie gestosci pradu nasycenia diody.Zlacze 1-h w diodzie (p-n) — (1-h) spelnia role kontaktu bazy o malej predkosci rekombinacji no¬ sników mniejszosciowych. W tym przypadku wszelkie czynniki powodujace szkodliwy efekt re¬ kombinacji nosników mniejszosciowych w obszarze bazy musza byc usuniete. Aby to osiagnac nalezy po wykonaniu zlacz p-n i 1-h diody dokonac wie¬ lokrotnego trawienia elektrolitycznego obu tych zlacz az do calkowitego przetrawienia plytki pól¬ przewodnika, na której zostaly one wykonane. Po usunieciu zbednej czesci plytki pólprzewodnika, uzyskuje sie diode posiadajaca obszar bazy o calej powierzchni wykazujacej znacznie zredukowane wlasciwosci rekombinacyjne. Dzieki temu uzysku¬ je sie bardzo male gestosci pradu nasycenia w po¬ równaniu do tych jakie sa obserwowane w przy¬ padku diody, w której dokonano trawienia chemi¬ cznego powierzchni bazy lub lokalnego trawienia 10 15 20 2 elektrolitycznego zlacz p-n i 1-h bez odtrawiania zbednej czesci plytki pólprzewodnikowej.Tytulem przykladu na fig. 1 przedstawiony jest schemat przekroju niewytrawionej diody (p-n) — — (1-h), w której obydwa zlacza 1 i 2 wykonano technika stopowa na plytce pólprzewodnikowej 3.Na fig. 2 przedstawiono te sama diode z lokalnie wytrawionymi obszarami zlacz p-n i 1-h (tak jak sie to robilo zgodnie z dotychczasowym sposobem wytwarzania), oraz na fig. 3 przekrój diody wy¬ trawionej sposobem wedlug wynalazku gwarantu¬ jacym znaczne zmniejszenie gestosci pradu nasy¬ cenia diody. PL
Claims (3)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób trawienia bazy w pólprzewodnikowej diodzie (p-n) — (1-h), w wyniku którego uzyskuje sie znaczne zmniejszenie gestosci pradu nasycenia, znamienny tym, ze obydwa zlacza p-n i 1-h diody sa poddawane wielokrotnemu trawieniu elektroli¬ tycznemu az do calkowitego przetrawienia plytki pólprzewodnikowej, na której zostaly wykonane.48257 %/ Fig.
2. Fig.
3. H i 3 i. IO';:- h ,<¦• ZG „Ruch" W-wa. zara. 423-64 naklad 400 egr PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48257B1 true PL48257B1 (pl) | 1964-04-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102015208097B4 (de) | Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie | |
| US2875505A (en) | Semiconductor translating device | |
| DE102014019885B3 (de) | Halbleiterbauelement mit IGBT-Zelle und Entsättigungskanalstruktur | |
| Sassi | Theoretical analysis of solar cells based on graded band‐gap structures | |
| Shor et al. | Dopant-selective etch stops in 6H and 3C SiC | |
| PL48257B1 (pl) | ||
| US2861909A (en) | Semiconductor devices | |
| US5092957A (en) | Carrier-lifetime-controlled selective etching process for semiconductors using photochemical etching | |
| US3882000A (en) | Formation of composite oxides on III-V semiconductors | |
| Kim et al. | Electrically deactivating nearest-neighbor donor-pair defects in Si | |
| Childs et al. | Alternative mechanism for substrate minority carrier injection in MOS devices operating in low level avalanche | |
| Ellis | Electrolytic Etching at Small-Angle Grain Boundaries in Germanium | |
| Lester et al. | A proposed mechanism for radiative recombination through surface states on InP | |
| JPS5312289A (en) | Production of semiconductor device | |
| ES466448A1 (es) | Un metodo perfeccionado de implantacion ionica en pastillas de material semiconductor, en la fabricacion de circuitos integrados. | |
| Khowash et al. | Electronic structure of alkali-metal impurities in InP | |
| US3271211A (en) | Processing semiconductive material | |
| Li et al. | Characterization of the grown-in defects in Zn-doped InP | |
| PL58041B1 (pl) | ||
| PL48234B1 (pl) | ||
| DE1282204B (de) | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| Faur et al. | A comparative study of p (+) n and n (+) p InP solar cells made by a closed ampoule diffusion | |
| Homyonfer et al. | Photostimulated gettering of deep band-gap impurities from semiconductors by resonance excitation: Fe from Cd 0.98 Fe 0.02 Se | |
| GIBBONS | Rapid thermal processing of 3-5 compound semiconductors with application to the fabrication of microwave devices(Final Report, 1 Apr. 1985- 31 Mar. 1988) | |
| Possin et al. | Measurements of heavy doping parameters in processed silicon devices |