Opublikowano: 6.IX.1969 58041 KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1 UKD <3oo Twórca wynalazku: dr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Sposób wykonywania zlacza 1-h Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania zlacza 1-h, który zapewnia ze zlacze to tworzy z pólprzewodnikiem kontakt „dopasowany", niewy- wolujacy zaburzenia rozkladu nosników w pólprze¬ wodniku przy przeplywie pradu.Teoria przewiduje taki przypadek diody pólprze¬ wodnikowej z baza o grubosci W mniejszej od dlu¬ gosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych L w jej obszarze, w którym bez wzgledu na grubosc bazy uzyskuje sie taki sam przebieg charakterysty¬ ki pradowo-napieciowej w zakresie malych gesto- W^ sci pradu, jaki posiada dioda z— 1. Wymaga to J_j jednakze spelnienia warunku aby kontakt bazy byl „dopasowany", tzn. aby predkosc rekombinacji S nosników mniejszosciowych w kontakcie bazy byla równa stosunkowi stalej dyfuzji D do dlugosci dy¬ fuzyjnej nosników mniejszosciowych L w obszarze bazy (-*)• Znane sposoby wykonania kontaktów bazy umoz¬ liwiaja, w przypadku tzw. kontaktów omowych uzyskanie predkosci rekombinacji S - oo «)¦ natomiast w przypadku zlacza. 1-h, wykonanego wedlug sposobów opisanych w patentach polskich nr 48234 i nr 48257, uzyskuje predkosci rekombi¬ nacji S lh -o(sO- 15 Szybkosc rekombinacji nosników mniejszoscio¬ wych w zlaczu 1-h okresla zaleznosc gdzie pp i pp_j_— koncentracje nosników wiekszo¬ sciowych po stronie 1 i h zlacza, D — stala dy- 10 fuzji nosników mniejszosciowych w obszarze h, ¦x n— czas zycia nosników mniejszosciowych w ob¬ szarze h. Tak wiec doboru wartosci Slh mozna do¬ konac zarówno poprzez dobór stosunku -5-, a wiec Pp+ poprzez dobór koncentracji domieszek w obszarze h zlacza, jak i poprzez dobór wartosci czasu zycia nosników mniejszosciowych r w obszarze h. 20 Celem wynalazku jest wytworzenie zlacza 1-h, spelniajacego warunek Slh = — .Cel ten zostal osiagniety wedlug wynalazku po- 25 przez odpowiedni dobór grubosci Wh obszaru h tego zlacza, gdyz grubosc Wh obszaru h, oddziela¬ jacego zlacze 1-h od kontaktu omowego, ma bo¬ wiem decydujacy wplyw na efektywny czas zycia nosników mniejszosciowych w tym obszarze, o ile 30 jest ona wspólmierna (lub mniejsza) z dlugoscia 58 04158 041 3 dyfuzyjna nosników mniejszosciowych Lh w tym obszarze nH- W przypadku zlacz stopowych odpowiedniego do- boru stosunku — -11 mozna dokonac poprzez dobór temperatury wtapiania zlacza 1-h (przy stalym skladzie stopu zlacza), bowiem grubosc zrekrystali- zowanego obszaru zlacza jest funkcja temperatury.D Zastosowanie zlacza 1-h z S lh _np. w diodzie /W pólprzewodnikowej z cienka bazaI —<: II jest bar¬ dzo korzystne ze wzgledu na zmniejszenie wiel¬ kosci ladunku nosników mniejszosciowych groma¬ dzonych w bazie diody przy przeplywie pradu przewodzenia. Dzieki temu bowiem maleje bez¬ wladnosc diody i dioda taka wykazuje znacznie krótszy czas przelaczania ze stanu przewodzenia do stanu zaporowego oraz posiada znacznie wyz¬ sza czestotliwosc graniczna niz dioda z gruba baza. 15 Na fig. 1 przedstawiono zlacze 1-h o grubosci Wh z kontaktem omowym C, a na fig. 2 — porówna¬ no przebiegi charakterystyk przelaczania diody zwyklej 1 i diody z dopasowanym zlaczem bazy 2, wedlug wynalazku uzyskane w tych samych wa¬ runkach. PL