PL47894B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL47894B1 PL47894B1 PL47894A PL4789462A PL47894B1 PL 47894 B1 PL47894 B1 PL 47894B1 PL 47894 A PL47894 A PL 47894A PL 4789462 A PL4789462 A PL 4789462A PL 47894 B1 PL47894 B1 PL 47894B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diode
- tunnel diode
- microwave tunnel
- semiconductor
- blade
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Description
Jy i* ^^^ o jUi_.-.- ,, . li i-irow.ego| ' --'Wm\ fosgzypospoiite]Lodowni- POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr47894 KI. 21 g, 11/02, KI. internat. H 01 1 Polska Akademia Nauk.(Instytut Podstaiijoujych Problemóuj Techniki)*) Warszawa, Polska Mikrofalowa dioda tunelowa oraz sposób jej wytwarzania Patent trwa od dnia 17 listopada 1962 r.Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwa¬ rzania mikrofalowej diody tunelowej oraz kon¬ strukcja diody wykonanej tym sposobem. Spo¬ sób wg wynalazku pozwala na znacznie pro¬ stsze niz dotychczas stosowane postepowanie przy wykonywaniu zlacza p-n i jego doprowa¬ dzen w mikrofalowej diodzie tunelowej oraz umozliwia dokladniejsza (kontrole wielkosci po¬ wierzchni zlacza p^n i zwiazanych z tym para¬ metrów diody.Powyzsze efekty uzyskano przez wyelimino¬ wanie ogólnie dotychczas stosowanego procesu wtapiania malych (100—60 |m) kulek wykona¬ nych z materialu domieszkowego w plaskie plytki pólprzewodnikowe i zastapienie go przez *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wynalazku jest mgr inz. Bohdan Mnoziewicz. wtapianie pólprzewodnikowego ostrza w plaska powierzchnie metalowej tasiemki pokrytej sto¬ pem domieszkowym. Tasiemka ta sluzy nastep¬ nie jako jedno z doprowadzen diody, przez oo eliminuje ^sie zmudny i trudny, jednak nie- , zbedny w dotychczasowych konstrukcjach, pro- ces lutowania doprowadzenia do kulki. Dioda wedlug wynalazku jest przedstawiona w prze- kiioju poprzecznym na zalaczonym rysunku.Sklada sie ona z pólprzewodnikowej plytki a z wykonanym na jej powierzeni ositrzem e» me¬ talowej tasiemki b pokrytej stopem domieszko¬ wym i stanowiacej jedno z doprowadzen 'diody oraz z obudowy zewnetrznej d skladajacej sie z dwu metalowych plytek polaczonych cera¬ micznym pierscieniem. Zlacze p-n powstaje w miejscu zaznaczonym litera c. PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1, Mikrofalowa dioda tunelowa znamienna tym, ze zawiera plytke pólprzewodnikowa (a), na której wykonane jest ostrze (e) oraz meta¬ lowa tasiemke (b), która stanowi jedno z do¬ prowadzen.
2. Sposób wytwarzania mikrofalowej diody tu¬ nelowej znamienny tym, ze zlacze p-n wy¬ twarza sie przez wtopienie pólprzewodniko¬ wego ostrza (e) w powierzchnie stopu do¬ mieszkowego pokrywajacego metalowa ta¬ siemke (b). Polska Akademia Nauk Instytut Podstawowych. Problemów Techniki ftq.1 Fiq.ta 2269. RSW „Prasa", Kielce. Nakl. 400 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL47894B1 true PL47894B1 (pl) | 1963-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950032700A (ko) | 투명한 도전막을 제조하기 위한 캐소드 스퍼터링용 타겟 | |
| PL47894B1 (pl) | ||
| JPS5416312A (en) | Preparation of metallic composition material reinforced with carbon fiber | |
| JPS52111690A (en) | Manufacturing method of cadmium sulfide system photoconductive powder | |
| Kaftan-Kassim | The planetary nebula NGC 3242 | |
| JPS5348103A (en) | Manufacturing method for total-flow turbine blade | |
| JPS52119164A (en) | Manufacture of flat cathode | |
| JPS52123823A (en) | Solid pickup element | |
| JPS53109475A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS5362978A (en) | Electron microscope | |
| JPS5291374A (en) | Three phase crystal grown method | |
| JPS5437572A (en) | Manufacture os semiconductor device | |
| JPS5417664A (en) | Manufacture of electrode for semiconductor element | |
| JPS51149785A (en) | Method of manufacturing semiconductor light emission device | |
| JPS5322368A (en) | Pattern inspection method | |
| JPS547891A (en) | Manufacture for planar semiconductor light emission device | |
| JPS5645542A (en) | Oxide cathode and its preparation | |
| JPS5376668A (en) | X-ray exposure method | |
| JPS5351964A (en) | Selective growth method for semiconductor crystal | |
| JPS548469A (en) | Heat sink for stud type semiconductors | |
| Tze-chao | THEORY OF TUNNELLING PROCESSES IN GERMANIUM TUNNEL DIODES. I. IMPURITY-INDUCED CURRENT; II. PHONON-ASSISTED CURRENT | |
| JPS5317264A (en) | Cathode material of direct heated cathode-ray tube sphere | |
| ES225451U (es) | Cilindro-pantalla metalico. | |
| LEISEGANG | On the heating of electron microscope objects with small beam cross section(Temperature measurement of graphitized film as object of electron microscope) | |
| Georgescu-Cocos et al. | Study of Worn Surfaces of Forging Dies With Scanning Electron Microscopy |