PL47044B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL47044B1 PL47044B1 PL47044A PL4704462A PL47044B1 PL 47044 B1 PL47044 B1 PL 47044B1 PL 47044 A PL47044 A PL 47044A PL 4704462 A PL4704462 A PL 4704462A PL 47044 B1 PL47044 B1 PL 47044B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- mixer
- intermediate frequency
- chassis
- frequency amplifier
- amplifier
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 235000010469 Glycine max Nutrition 0.000 description 1
- 244000068988 Glycine max Species 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 47044 KI. 21 a4, 74 KI. internat. H 0\ p Warszawskie Zaklady Radiowe T-l*) Warszawa, Polska Mieszacz mikrofalowy Patent trwa od dnia 17 maja 1962 r.Stopien przemiany czestotliwosci w mikrofa¬ lowym odbiorniku superheterody nowym sluzy do przeksztalcenia napiecia wielkiej czestotli¬ wosci na napiecie o czestotliwosci posredniej.W odbiornikach pracujacych bez wzmacniaczy wielkiej czestotliwosci, wlasnosci odbiorników w glównej mierze zaleza od parametrów ukla¬ du przemiany czestotliwosci.Znane mieszacze mikrofalowe maja wyjscie w postaci gniazd koncentrycznych, a polaczenie z pierwszym stopniem wzmacniacza posredniej czestotliwosci na ogól jest wykonywane kablem koncentrycznym. Rozlaczne polaczenie miesza- cza ze wzmacniaczem posredniej czestotliwosci (typu gniazdo-wtyk) powoduje w praktyce wie¬ le klopotów, na skutek pogarszania sie z cza¬ sem przewodnictwa zestyku, zwlaszcza gdy ze¬ spól pracuje w ciezkich warunkach klimatycz¬ nych. Przy znanych rozwiazaniach bardzo trud- *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wynalazku jest mgr inz, Marian Toloczko. no jest uzyskac mala pojemnosc wyjsciowa mieszacza, co ogranicza szerokopasmowosc urzadzenia. Powyzsze czynniki sa w praktyce powodem obnizania stabilnosci i czulosci calego odbiornika.Wymienione wady usuwa sie wedlug wyna¬ lazku przez wbudowanie mieszacza do chassis wzmacniacza posredniej czestotliwosci tak, aby pod wzgledem mechanicznym tworzyl z nim razem integralna calosc. Przy takim rozwiaza¬ niu oraz przez celowa zmiane konstrukcji opra¬ wy diody krystalicznej, polaczenie wyjscia mie¬ szacza z pierwszym stopniem wzmacniacza po¬ sredniej czestotliwosci wykonuje sie wewnatrz chassis wzmacniacza krótkim przewodem mon¬ tazowym, gwarantujacym niezawodne i stabilne polaczenie obydwu zespolów.W porównaniu z typowymi rozwiazaniami dotychczasowymi osiagnieto eliminacje sze¬ regu elementów konstrukcyjnych zwiazanych z gniazdem wyjsciowym i wtykiem, oraz elimi¬ nacje kabla koncentracyjnego, co upraszczatecnirológie* wykonania. Zlikwidowano równiez dodatkowe straty sygnalu na drodze z miesza- cza do wzmacniacza posredniej czestotliwosci, przez co poprawia sie czulosc i stabilnosc pracy odbiornika. W opisywanym miesizaczu pojem¬ nosc wyjsciowa zmniejszyla sie o ponad 60°/^ dzieki czemu mozna w latwy sposób uzyskac znaczna szerokopasmowosc obwodu wej sojowe¬ go wzmacniacza oraz latwiej osiaga sie opty^ malne dopasowanie wzmacniacza do mieszacza,; oraz samego miesza cza do linii mikrofalowej.Calosc charakteryzuje sie poza tym mniej¬ szymi wymiarami gabarytowymi.Na rysunku uwidoczniono mieszacz mifcrafa- lowy wedlug wynalazku, przy czym fig. 1 przedstawia go w ujeciu schematycznym;, fig. 2 — konstrukcje mieszacza od strony- po¬ sredniej czestotliwosci i fig. 3 — konstrukcje oprawy diody: krystalicznej.W mieszaczu mikrofalowym (fig. 1) napiecia wejsciowe ze zródla odbieranego sygnalu 2 i z lokalnego oscylatora 3 doprowadzane sa li¬ nia mikrofalowa 1 (np. koncentryczna lub falo¬ wodowa) do diody krystalicznej 4. Napiecie o czestotliwosci posredniej, wytworzone na wyjsciowych zaciskach 6, 7 mieszacza doprowa¬ dza sie do nieuwidocznionego na schemacie wzmacniacza posredniej czestotliwosci.Poprawna prace ukladu zapewnia sie wlasci¬ wa konstrukcja oprawki diody krystalicznej, wlasciwym doborem dlugosci l odcinka linii mikrofalowej zawartej na koncu, oraz obecno¬ scia, dlawika. 5 odsprzegajacego napiecia wiel¬ kiej, czestotliwosci, od obwodów, czestotliwosci posredniej.Na fig. 2 linia mikrofalowa 1 (dla przykladu wzieto* linie; falowodowa prostokatna) polaczo¬ na jest v mechaniczne np. za pomoca, dwóch ply¬ tek. 10, U* z. chassis. 12 wzmacniacza posredniej czestotliwosci.. Dlawikowa, tuleja 16 diody 4 (fig* 3), jest zakonczona koncówka, lutownicza 6 stanowiaca* wyjscie z,mieszacza. Wyjscie to po¬ laczone jest. z obwodem wejsciowym wzmac¬ niacza, (np. z, cewka 14/ krótkim, przewodem montazow^ni, 15.Ife fig: 3T jest przedstawiona w przekroju oprawka diody, mikrofalowej, sprzegnietej z fa¬ lowodem prostokatnym. Dioda krystaliczna 4 jest. osadzona, w wyjmowanej od. zewnatrz oprawce. 8», która, przechodzi poprzecznie przez, linie, mikrofalowa, 1 i swa koncówka 13 wcho¬ dzi w dlawikowa tuleje 16 zakonczona konców¬ ka lutownicza 6. Miedzy dlawikiem 5 i tuleja 16 znajduje sie podkladka 18, a calosc jest do¬ cisnieta nakretka izolacyjna 9.Przy takiej konstrukcji pojemnosc wyjscio¬ wa v sfclada- sie z pojemnosci linii koncentracyj¬ nych wclfodzacych w sklad dlawika 5 oraz po¬ jemnosci podkladki izolacyjnej 18, które mozna zmnfejszyc od" paru (okolo 3) pikofaradów.Wftjniane diody dokonuje sie od strony prze¬ ciwnej niz czesc dlawikowa oprawki, po odkre¬ ceniu^ zewnetrznej nakretki 17 i wyjeciu spe¬ cjalnej wkladki 20 wraz z oprawka 8 diody.Mieszacz wedlug.-wj^ialazku moze byc wyko¬ nany w róznych wariantach. Linia mikrofalowa moie tworzyc zt chassis wzmacniacza posredniej czestotliwosci katt prosty (jak na fig. 1, 2) lub moze byc ulozona równolegle. Sam mieszacz mozna wykonac na dowolnym standarcie linii mikrofalowej, przy czym moze byc zastosowana dowolna jej struktura np. falowód, linia\ kon-r- centryczna lub tez linia plaska. Mieszacz we¬ dlug wynalazku moze pracowac w ukladzie pojedynczym lub zrównowazonym. Czesc dla¬ wikowa oprawki diody moze miec dowolne wy¬ miary poprzeczne, gdyz w tym przypadku wyj¬ scie mieszacza nie jest uzaleznione zadnym standartem gniazda. PL
Claims (2)
1. Z astr zezenia patentowe i; Mieszacz mikrofalowy znamienny tym, ze czesc dlawikowa, (5) oprawki diody jest osa¬ dzona wewnatrz chassis (12) wzmacniacza posredniej czestotliwosci, przy czym dioda z oprawka (8) jest wyjmowana od strony przeciwnej falowodu (1) niz jej czesc dla¬ wikowa*
2. Mieszacz mikrofalowy wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze scianka falowodu, na której jest zamontowana^ czesc' dlawikowa (5) stanowi' jednoczesnie scianke chassis wzmacniacza posredniej czestotliwosci, przy czyni polaczenie wyjscia- mieszacza z wej¬ sciem wzmacniacza posredniej czestotliwosci jest wykonane krótkim przewodenr monta¬ zowym- (15) wewnatrz chassis wzmacniacza: Warszawskie Zaglady Radiowe T-l Zastepca: inz. Kazimierz Siennicki rzecznik patentowyDo opisu patentowego nr 47044 Ark. 1 X •s\—^-< zaciski •mj*€ii ^"^ M r—s Fiy.l iZ F,9.ZDo opisu patentowego nr 47044 Ark. 2 IUrzedu Patentowego lfittit) fcwzjjgpoljti) Lmtffi ZG „Ruch" w-wa, zam. 496-63 naklad 100 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL47044B1 true PL47044B1 (pl) | 1963-06-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5667409A (en) | Structure improvement for the connector of coaxial cable | |
| US3757272A (en) | Strip transmission line coupler | |
| CN205543170U (zh) | 滤波器及射频同轴连接器 | |
| JP6498373B1 (ja) | 同軸コネクタ装置 | |
| WO2015131600A1 (zh) | 一种射频单元 | |
| CN209691920U (zh) | 腔体滤波器和用于腔体滤波器的交叉耦合结构 | |
| DE60235687D1 (de) | Hochfrequenzantennen-zuführungsstrukturen | |
| CN104170161A (zh) | 用于双工器的开路公共结点馈电 | |
| PL47044B1 (pl) | ||
| US5044990A (en) | RF coaxial connector | |
| US4023123A (en) | Microstrip reverse-phased hybrid ring coupler | |
| US2555151A (en) | Crystal detector assembly | |
| JPH04328901A (ja) | 同軸導波管変換器 | |
| CN109524753A (zh) | 波导同轴微带转换电路 | |
| US3170128A (en) | Microwave broadband balun between coaxial line and parallel strip line | |
| CN100421298C (zh) | 分离发射信号和接收信号的装置 | |
| US2786981A (en) | Broadband coaxial line to waveguide transition | |
| CN110137665A (zh) | 集成天线阵列及基站 | |
| CN223514903U (zh) | 一种八输出ku波段高频头结构 | |
| CN218997051U (zh) | 一种超短波全向接收天线 | |
| JP2000174516A (ja) | アンテナ給電回路 | |
| US2863093A (en) | Traveling wave electron discharge devices | |
| JPH07312520A (ja) | アンテナ装置 | |
| KR101651014B1 (ko) | 광대역 동축 커넥터 | |
| KR100423397B1 (ko) | 위성방송수신장치의 듀얼 피딩시스템 |