PL44523B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL44523B1 PL44523B1 PL44523A PL4452360A PL44523B1 PL 44523 B1 PL44523 B1 PL 44523B1 PL 44523 A PL44523 A PL 44523A PL 4452360 A PL4452360 A PL 4452360A PL 44523 B1 PL44523 B1 PL 44523B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- compounds
- tin
- metal
- metal compounds
- glass
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- BTLXPCBPYBNQNR-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxyanthraquinone Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2O BTLXPCBPYBNQNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 atimony Chemical compound 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 3
- ZVNPWFOVUDMGRP-UHFFFAOYSA-N 4-methylaminophenol sulfate Chemical compound OS(O)(=O)=O.CNC1=CC=C(O)C=C1.CNC1=CC=C(O)C=C1 ZVNPWFOVUDMGRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical class Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- JOVOSQBPPZZESK-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine hydrochloride Chemical compound Cl.NNC1=CC=CC=C1 JOVOSQBPPZZESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940038531 phenylhydrazine hydrochloride Drugs 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Opublikowano dnia 24 maja 1961 r.Jy r ^SS^lfik ^ Ibibliotekai £ ^ Urzedu Patentowego NAMIlKUMaiKttUlMl POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 44523 Janina Górzynska Warszawa, Polska Ryszard Maciejeiuski Warszawa, Polska KI. 21 c, 2/34 Sposób wytwarzania przewodzacej prqd elektryczny przezroczystei warstwy oporowej na wyrobach ze szkla, ceramiki, kwarcu i innych materialów odpornych na dzialanie wysokich temperatur Patent trwa od dnia 14 lipca 1960 r.Znana jest metoda nakladania na szklo wars¬ twy przewodzacej droga natryskiwania go roz¬ tworem chlorków cyny, cynku, indu lub tez na¬ pylania bezposredniego oparami tych soli. Pro¬ ces prowadzi sie w temperaturze pokojowej lub tez w bliskiej temperatury miekniecia szkla.Jednak znane ' metody nakladania warstw oporowych posiadaja wiele wad. Przede wszy¬ stkim mimo zachowania identycznych warunków nakladania warstwy (ten sam czas, temperatura i roztwór) uzyskuje sie rózne wyniki; raz otrzy¬ muje sie szklo przezroczyste, innym razem ma¬ towe, poza tym powierzchnie natryskiwane cha¬ rakteryzuja sie nierównomiernym grzaniem, wskutek czego nastepuja pekniecia. Bardzo cze¬ sto otrzymuje sie w toku produkcji elementy1, które wogóle nie maja wlasnosci przewodzacych, mimo pokrycia ich warstwa chlorku cyny w tych samych warunkach.Wszystkie te przypadki dyskwalifikuja wyzej wymienione metody. Stwierdzono, ze nie nadaja sie one do stosowania na skale przemyslowa.I rzeczywiscie w technice metody tej dotad nie stosuje sie.W toku prób zbadano fizykochemie tego pro- procesu i znaleziono takie katalizatory, które nie tylko zapobiegaja wyzej wymienionym, uster¬ kom dawniej stosowanych metod, ale jednoczes¬ nie umozliwiaja zastosowanie do nakladania warstwy oporowej olbrzymiej wiekszosci pola¬ czen przeróznych metali. Stwierdzono, ze zwia¬ zek metalu wtedy moze utworzyc oporowa war¬ stwe przewodzaca na szkle, ceramice, kwarcu i innych materialach odpornych na dzialanie wyso-kich: temperatur, gdy wystepuje jako jon o war- toseiowosci niezupelnie wysyconej, czyli o warto¬ sciowosci nizszej od maksymalnej. Naprzyklad: cyna jako jon- czterowartosoiowy warstwy prze¬ wodzacej ^nie trtfojrzy, gdyz na powierzchni na¬ grzanego ^elementu zamienia sie na dwutlenek cynowy, który pradu nie przewodzi. W tym przypadku warunkiem koniecznym jest wyste¬ powanie cyny dwuwartosciowej. Chlorek cyno¬ wy w chwili zetkniecia sie z ogrzana powierz¬ chnia elementu poddawanego obróbce dysocjuje i powstaje tlenek cynowy, który dalej zamie¬ nia sie czesciowo na: 2 Sn O -? Sn + SnOt Powstaje wiec warstwa grzejno przewodzaca, w której wspólistnieja czasteczki cyny, tlenku cy¬ nowego i tlenku cynowego, co jest istotnym i koniecznym warnukiem powstawania zjawiska pólprzewodnictwa* Aby warunek ten byl spelnio¬ ny, to znaczy, aby nie nastapilo calkowite utlenie¬ nie cyny ewentualnie hydroliza z utlenieniem, wprowadzono katalizatory redukujace, które za¬ chowuja jon metalu na najnizszym stopniu utle¬ niania.Przeprowadzone liczne doswiadczenia dopro¬ wadzily do opracowania sposobu, za pomoca którego do nalozenia warstwy oporowej mozna uzyc wszystkie te metale, które maja zdolnosc wystepowania jako jony o róznej wartosciowosci.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze do nakladania warstwy oporowej na szkle, por¬ celanie, ceramice, kwarcu i innych materialach odpornych na dzialanie wysokich temperatur mozna zastosowac dowolny metal, który posia¬ da zmienna ilosc elektronów wartosciowosci, jak miedz, cynk, kadm, gal, glin, ind, telur, krzem, german, cyna, olów, antymon, bizmut, selen, tal zelazo, nikiel, kobalt i wszystkie metale ziem rzadkich, pod warunkiem zastosowania takich katalizatorów, które w czasie powlekania przed miotu przeciwdzialaja zarówno utlenianiu sie calkowitemu danego metalu, jak i hydrolizie.Jako katalizatorów uzywa sie z organicznych: metol, hydrochinon, floroglucyne, pirokatechine, pirogalol, hydroksyantrachinon i inne zwiazki redukujace oraz pewne zwiazki nieorganiczne, które posiadaly wieksze powinowactwo do tle¬ nu niz metal uzywany do nakladania warstwy oporowej np.: PCls, Al Cis.Zbadano, ze w przypadku pokrywania po¬ wierzchni przez natryskiwanie roztworem SnCh warstwa przewodzaca zupelnie nie wystepuje.W przypadku uzycia do pokrywania powierz- .chni SnCh uzyskano wprawdzie warstwe prze¬ wodzaca, ale nie mozna bylo otrzymac dobrej przezroczystosci i przyczepnosci warstwy, a takze równomiernosci ogrzewania, gdyz pary SnCl2 pod wplywem wilgoci w powietrzu (dopuszczalna wilgotnosc 5 g pary na 1 kg otaczajacego po¬ wietrza) czesciowo hydrolizuja, zamieniajac sie na jony cyny czterowartosciowej.Dodanie katalizatorów do polaczen SnCh i SnCl2 tak w roztworze jak i w stanie suchym (przyklad 2 i 3) powoduje nie tylko zabezpie¬ czenie cyny dwuwartosciowej przed przed¬ wczesnym utlenianiem i hydroliza w powietrzu, ale i zredukowanie cyny czterowartosciowej do jonu clwu wartosciowego aktywnego elek¬ trycznie przy tworzeniu warstwy pólprzewod¬ nikowej.Proces zachodzi wówczas idealnie, uzyskano warstwy równomiernie przewodzace, których opór jest rzedu 0,004 do 0,008 omów na cm2.W oparciu o wyzej wymieniona zasade, we¬ dlug wynalazku, zastosowano z bardzo dobrym wynikiem jony wielu innych metali (chaloidki, tlenki, szczawiany, ootany i t.d.). Uzywano wiec te wszystkie metale, które maja zmienna ilosc elektronów wartosciowosci mianowicie: miedz, cynk, kadm, gal, glin, ind, bizmut, antymon, olów, selen, zelazo, kobalt nikiel. Przykladowo wyszczególniono tylko niektóre zuzywanych ze¬ stawów (przyklady: 1, 4, 5). W kazdym przy¬ padku dodatek wymienionych katalizatorów w ilosci odl do 10°/o byl przyczyna tego, ze jony wyzej wymienionych metali osiadaly w warstwie opo¬ rowej jako posiadajace nizszy stopien utlenie¬ nia od maksymalnego, co jak stwierdzono dalo w wyniku dobra równoprzewodzaca warstwe oporowa, odporna na dzialanie mechaniczne i chemiczne, co w konkluzji jest potwierdzeniem istoty wynalazku.Przyklad 1. Naczynie szklane ogrzano w piecu do temperatury 650°C, a po wyjeciu szybko natryskiwano je roztworem zlozonym z: chlorku miedziawego 35 g <• alkoholu propylowego 250 ml floroglucyny 1 g Natryskiwania dokonano pistoletem pod cis¬ nieniem 1,5 atm. z odleglosci 35 cm w czasie 3 sek. na 10 cm powierzchni.Przyklad 2. Naczynie porcelanowe natryski¬ wano jak w przykladzie 1 nastepujacym roztwo¬ rem: SnCh -5 HsO 110 g Wody 500 g Metolu 1,5 g — 2 —Przyklad 3. Sporzadzono roztwór skladajacy sie z: Chlorku bizmutu BiCl3H20 35 g Kwasu octowego lodowatego 200 ml Hydrochinonu 2 g natryskiwano nim szybe o wymiarach 25X25X X 0,3 cm sposobem podanym jak w przykla¬ dzie 1.Przyklad 4. Sporzadzono roztwór skladajacy sie z: Tlenku indu 57 g Kwasu octowego 50 ml Chlorowodorku fenylohydrazyny 5 g roztworem tym natryskiwano dzbanek porcela¬ nowy o pojemnosci 1,5 1 w temperaturze 500° C. Po podlaczeniu dzbanka przewodnikami do sieci i napelnieniu go woda, woda zagotowala sie w tak ogrzewanym dzbanku w ciagu 3 minut.Przyklad 5. Sporzadzono roztwór sklada¬ jacy sie z: Chlorkutalu 45 g Alkoholu 250 g Hydroksylaminy 4 g roztworem tym natryskiwano fajansowy ogrza¬ ny kubek o pojemnosci li. W kazdym z tych przykladów nietrwale jony metali (latwo utle¬ niajacych sie i hydrolizujace) o nizszej war¬ tosciowosci od maksymalnej, pod wplywem dodanych katalizatorów redukujacych, stano¬ wiacych przedmiot wynalazku, przechodzily- w trwaly stan stabilny i dopiero w chwili zet¬ kniecia sie z ogrzanym elementem, np. szkla¬ nym, ulegaly dysocjacji, wskutek czego uzy¬ skano pieknie opalizujace, przezroczyste, do¬ brze i równo grzejace warstwy oporowe o wiel¬ kiej trwalosci elektrycznej i mechanicznej.Dobre wyniki uzyskano równiez stosujac ka¬ talizatory nieorganiczne np. PC13 lub tez zwia zek metalu, który ma wieksze powinowactwo do tlenu, niz jon metalu uzywanego-do obrób-; ki. ^ .;:' PL
Claims (4)
- Zastrzezenia patentowe .; 1. Sposób wytwarzania przewodzacej pr^d elektryczny przezroczystej warstwy oporo¬ wej na wyrobach ze szkla, ceramiki, kwarcu i innych materialów odpornych na dzialanie wysokich temperatur, polegajacy na pokry¬ ciu tych materialów w podwyzszonej tempe¬ raturze droga napylania, natryskiwania, sma¬ rowania lub innymi sposobami nakladania, zwiazkami metali, których jony maja zmien¬ na ilosc elektronów wartosciowosci, znamien¬ ny tym, ze do zwiazków metali dodaje sie katalizatory redukujace.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako zwiazki metali stosuje sie: zwiazki mie¬ dzi, srebra, cynku, kadmu, rteci, glinu, galu, indu, talu, germanu, cyny, olowiu, atymonu, bizmutu, selenu, teluru, zelaza, niklu,.kobal¬ tu i krzemu.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze jako katalizatory redukujace stosuje sie utleniajace sie zwiazki organiczne jak np. metol, pirogatol, florogulcyna, pirokatechina i hydroksyantrachinon.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze jako katalizatory redukujace stosuje sie zwiazki nieorganiczne, posiadajace wieksz? powinowactwo do tlenu niz zastosowany me¬ tal. Janina Górzynska Ryszard Maciejewski PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL44523B1 true PL44523B1 (pl) | 1961-04-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105304322B (zh) | 陶瓷电子部件 | |
| US3094436A (en) | Transparent, conductive, reflection-reducing coatings on non-conductive objects and method | |
| US3770499A (en) | Liquid phase deposition of thin insulating and refractory film on a substrate | |
| Blodgett | Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment | |
| US3014815A (en) | Method of providing articles with metal oxide layers | |
| US3069294A (en) | Electrical metal oxide resistor having a glass enamel coating | |
| US3210214A (en) | Electrical conductive patterns | |
| US2597562A (en) | Electrically conducting layer | |
| US3564565A (en) | Process for adherently applying boron nitride to copper and article of manufacture | |
| US2915730A (en) | Electrical resistor and method | |
| JPH0317909A (ja) | 酸化物導電膜の成膜加工方法 | |
| PL44523B1 (pl) | ||
| JP2021019002A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| US3019137A (en) | Method of manufacturing electrical resistances and articles resulting therefrom | |
| EP0323827B1 (en) | Electronic electrothermal conversion material, its products and method for production thereof | |
| US3939293A (en) | Method for passivating chromium | |
| US1742259A (en) | Electrical resistor, conductor, and the like | |
| JPH08124718A (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| Tsunashima et al. | Preparation of tin-doped indium oxide thin films by thermal decomposition of metal octanoates | |
| JPH10280003A (ja) | 炭素被覆金属粒子及びその製造方法 | |
| US3936580A (en) | Electrically conductive glasslike films on glass or ceramic surfaces from aluminum and plumbite-treated cellulosics | |
| JP2552676B2 (ja) | 基板上への金属膜又は金属酸化膜の成膜方法並びにハーフミラー | |
| PL72626B1 (pl) | ||
| JPH04169004A (ja) | 無機絶縁電線およびその製造方法 | |
| JPS63304507A (ja) | 電線 |