PL43264B1 - - Google Patents

Description

0p»bftlk«wa«o Aftia 31 pazdziernika l*ftfc t. ^^^^^^g ^ IUrzedu Fotentowego! fc*£tó2f^ *4 iNrtfel Bztczy^polittl Urfmil POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY ^= Nr 43264 Mgr inz. Tadeusz Sobierajski Lódz, Polska Mgr int Rrystyaa &ofeiei«jska.Lódz, Polska KI. 12 c, 2 3^ fi\QO Sposób krystalizacji soli Seignetta Patent trwa od dnia 7 stycznia 1959 r.Wynalazek dotyczy sposobu krystalizacji 3&tt Seignetta w postaci plytek monokrysta- Jire^nych, posiadajacych wlasciwosci piezoelek¬ tryczne.TUt celu otrzymywania plytek monokrystalicz- nJf$JV o wlasciwosciach piezoelektrycznych* ho¬ duje sie duze monokrysztaly w ciagu kilku tygodni, a nastepnie wyhodowane krysztaly rozcina na plytki o pozadanej grubosci- Ho¬ dowanie krysztalów w ciagu dluzszego okre¬ su czasu wymaga stosowania kosztownych termostatów, a c btaków krysztalów na plytki jest rzecza ko¬ nieczna uzywanie precyzyjnych pil, ndepowo- dujacych pekania wypilowywanych plytek.Scisle ustalanie polozenia bryly krysztalu przed rozpoczeciem jego ciecia wymaga rów¬ niez stosowania specjalnych przyrzadów optycznych, w celu wyznaczenia osi krystalo¬ graficznych danego krysztalu.Wymienione wyzej trudnosci powoduja wy- sokie koszty otrzymywania elementów piezo¬ elektrycznych.Przy hodowaniu monokrysztalów stosuje sie takze plytki dystansowe, lecz |e znane plyt¬ ki dystansowe sa ustawiane równolegle do kierunku osi krystalograficznej, w jakim ma aie zamiar hodowac krysztaly, dzieki czemy unika sie po ich wyhodowaniu potrzeby odcina¬ nia zbytecznych boków krysztalów, lecz nie unika sie potrzeby rozcinania wyhodowanych krysztalów na plytki o pozadanej grubosci.Plytki dystansowe, zastosowane w tym celu, umozliwiaja otrzymywanie okreslonej ilosci krysztalów z mniejszej ilosci roztworu soli, iednak nie wplywaja zupelnie na przyspie¬ szenie samego procesu krystalizacji.Mysla przewodnia wynalazku jest wyelimi¬ nowanie wymienionych wyzej trudnosci przez hodowanie krysztalów soli Seignetta w takich warunkach, iz otrzymuje sie inonokrysztaly w postaci plytek gotowych do dalszej prze-."I i: . róbki, w celu wytwarzania elementów piezo¬ elektrycznych.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze zarodek krysztalu soli ^Seignetta, w postaci kawalka plytki o nalezycie zorientowanych osiach krystalograficznych, umieszcza sie po¬ miedzy dwoma równoleglymi plytkami dys- stansowymi, znajdujacymi sie w nieduzej od siebie odleglosci i ustawionymi prostopadle do kierunku osi krytalograficznej tak, aby wyho¬ dowana plytka posiadala pozadana grubosc w kierunku tej pozadanej osi krystalograficz¬ nej i calosc umieszcza sie w przesyconym roz¬ tworze wodnym soli Seignetta. po czym na¬ stepuje samorzutny proces wzrostu krysztalu, którego grubosc jest ograniczona plytkami dystansowymi, dzieki czemu unika sie póz¬ niejszego rozcinania wyhodowanych kryszta¬ lów w kierunku prostopadlym do pozadanej osi krystalograficznej.W praktyce, bierze sie caly szereg plytek dystansowych i miedzy nimi umieszcza sie za¬ rodki przeznaczone do hodowania, tak, iz jed¬ noczesnie otrzymuje sie wieksza liczbe wyho¬ dowanych plytek monokrystalicznych.Odstepy miedzy plytkami dystansowymi moga byc regulowane, przy czym proces wzrostu krysztalów przebiega tym wolniej, im odleglosc miedzy plytkami dystansowymi jest mniejsza. Zwykle stosuje sie odstep miedzy plytkami dystansowymi od 0,6 do 1,5 mm.W celu usuniecia przypadkowych zarodków krysztalów, wlasciwe zarodki umieszcza sie w poczatkowej fazie w roztworze soli Seignetta w temperaturze takiej, iz roztwór ten staje sie przesyconym dopiero po ostygnieciu do temperatury otoczenia, przy czym proces kry¬ stalizacji sposobem wedlug wynalazku prze¬ prowadza sie bez stosowania1 termostatów. W temperaturze otoczenia wynoszacej 20 — 25:,C stosuje sie zwykle roztwory soli Seignetta o temperaturze 30 — 35°C.W celu przyspieszenia procesu wzrostu krysztalów, stosuje sie wedlug wynalazku du¬ zy stopien przesycenia roztworów soli Seignet¬ ta, tak iz proces krystalizacji skraca sie do kilkunastu, a nawet kilku godzin, przy czym otrzymuje sie plytki monokrystaliczne zupel¬ nie przezroczyste, o odpowiednich wlasciwos¬ ciach piezoelektrycznych.Wedlug wynalazku stosuje sie roztwory przesycone zawierajace do 200 g/litr nadmia¬ ru soli w stosunku do stanu nasycenia roz¬ tworu w temperaturze otoczenia, w której przeprowadza sie krystalizacje.Nalezy nadmienic, ze przy uzywaniu tak przesyconych roztworów hodowanie kryszta¬ lów znanymi metodami bylo rzecza niemoz¬ liwa, poniewaz w tych warunkach otrzymuje sie bryle krysztalu metnego, o bardzo malej wytrzymalosci mechanicznej, uniemozliwiaja¬ cej obróbke plytek krysztalu, to znaczy roz¬ ciecie bryly na plytki.Jest rzecza naturalna, ze przy stosowaniu sposobu wedlug wynalazku stosuje sie roz¬ twór soli Seignetta w takiej ilosci, aby po za¬ konczeniu procesu krystalizacji roztwór ten pozostawal nadal w stanie nieco przesyconym w temperaturze otoczenia. PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1 Sposób krystalizacji soli Seignetta, w celu hodowania krysztalów o wlasciwosciach piezoelektrycznych, pomiedzy równolegly¬ mi plytkami dystansowymi, ograniczajacy¬ mi wzrost krysztalów w kierunku niepozada¬ nym, znamienny tym, ze zarodki kryszta- talów^ soli Seignetta, w postaci plytek o na¬ lezycie zorientowanej osi krystalograficz¬ nej umieszcza sie miedzy plytkami dystan¬ sowymi, znajdujacymi sie w nieduzej od siebie odleglosci i ustawionymi prostopa¬ dle do kierunku osi krystalograficznej, tak, aby wyhodowana plytka posiadala pozada¬ na grubosc w kierunku pozadanej osi kry¬ stalograficznej i calosc zanurza sie w prze¬ syconym roztworze wodnym soli Seignetta, po czym nastepuje samorzutny proces wzrostu krysztalów.

2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plytki dystansowe umieszcza sie jedna od drugiej w odleglosci wynoszacej 0,6 — 1,5 mm.

3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, 3-jnamienny tym, ze proces krystalizacji prowadzi sie wT przesyconym roztworze soli Seignetta, zawierajacym do 200 g/litr nadmiaru soli w stosunku do stanu nasycenia w tempe¬ raturze otoczenia. Mgr i ii z. Tadeusz S o b i e r a j s k i Mgr inz. Krystyna Sobierajska Zastepca: mgr inz. Aleksander Samujllo rzecznik patentowy 870. RSW „Prasa", Kielce PL