PL424109A1 - Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy - Google Patents

Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy

Info

Publication number
PL424109A1
PL424109A1 PL424109A PL42410917A PL424109A1 PL 424109 A1 PL424109 A1 PL 424109A1 PL 424109 A PL424109 A PL 424109A PL 42410917 A PL42410917 A PL 42410917A PL 424109 A1 PL424109 A1 PL 424109A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
power
diode
measured
stage
led
Prior art date
Application number
PL424109A
Other languages
English (en)
Other versions
PL234140B1 (pl
Inventor
Krzysztof Górecki
Przemysław Ptak
Original Assignee
Akademia Morska W Gdyni
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akademia Morska W Gdyni filed Critical Akademia Morska W Gdyni
Priority to PL424109A priority Critical patent/PL234140B1/pl
Publication of PL424109A1 publication Critical patent/PL424109A1/pl
Publication of PL234140B1 publication Critical patent/PL234140B1/pl

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy, mający zastosowanie przy kontroli jakości elementów półprzewodnikowych dla przemysłu elektronicznego. Sposób pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy, wykorzystujący w charakterze parametru termoczułego napięcie na mierzonej diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia, realizowany w pięciu etapach obejmujących kolejno pomiary i obliczenia, przy czym pierwszy etap stanowi kalibracja charakterystyki termometrycznej i wyznaczenie jej nachylenia F oraz wartości napięcia przewodzenia uL przy temperaturze równej Ta, a czwarty etap obejmuje obliczenie wartości rezystancji termicznej Rth ze wzoru analitycznego. Sposób ten charakteryzuje się tym, że w drugim etapie pomiaru dioda pracuje w zakresie przebicia, po uzyskaniu stanu ustalonego termicznie mierzona jest moc PH wydzielana w diodzie, następnie w etapie trzecim dioda jest polaryzowana w kierunku przewodzenia prądem o wartości identycznej jak w czasie kalibracji, a bezpośrednio po przełączeniu prądu diody mierzone jest napięcie przewodzenia tej diody uH, w czwartym etapie wyliczana jest wartość Rth ze wzoru (A). W etapie piątym dioda pracuje w zakresie przewodzenia i mierzona jest wartość napięcia przewodzenia tego elementu, po uzyskaniu stanu termicznie ustalonego mierzona jest wartość mocy wydzielanej w diodzie Pp, w chwili t = 0 rozpoczyna się szósty etap pomiaru w którym następuje zmniejszenie wartości prądu przewodzenia do wartości stosowanej w czasie kalibracji i pomiar napięcia przewodzenia up, w siódmym etapie moc promieniowania optycznego Ps wyliczana jest ze wzoru (B). Układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diod LED mocy zawierający mierzoną diodę LED mocy, trzy zasilacze napięciowe, dwa rezystory, woltomierz, amperomierz, termostat, dwa przełączniki, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer charakteryzuje się tym, że zasilacz napięciowymi (1) przez rezystor (3) jest połączony z anodą mierzonej diody LED 5, zasilacz napięciowy (2) i zasilacz napięciowy (10) są połączone do zacisków przełącznika dwupozycyjnego (11), który jest szeregowo połączony z rezystorem (4) amperomierzem (6) oraz przełącznikiem (8) do anody diody LED, a katoda diody LED jest zwarta do masy, woltomierz (7) i wejście przetwornika analogowo-cyfrowego (12) są połączone równolegle do diody LED, która umieszczona jest w termostacie (9), natomiast komputer (13) zawiera przetwornik analogowo-cyfrowy (12) oraz układy sterujące przełącznikami pozycyjnymi (8 i 11).
PL424109A 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy PL234140B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424109A PL234140B1 (pl) 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424109A PL234140B1 (pl) 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL424109A1 true PL424109A1 (pl) 2019-07-01
PL234140B1 PL234140B1 (pl) 2020-01-31

Family

ID=67105573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL424109A PL234140B1 (pl) 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL234140B1 (pl)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113899463A (zh) * 2021-12-10 2022-01-07 如果科技有限公司 温度采样校正电路、温度采样装置和车辆

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02118470A (ja) * 1988-10-28 1990-05-02 Nec Corp バーンイン装置
JPH06281693A (ja) * 1992-08-28 1994-10-07 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の熱抵抗測定方法
JP2002189054A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Canon Inc 半導体素子の信頼性試験装置
CN202008518U (zh) * 2010-12-27 2011-10-12 同方光电科技有限公司 一种led降额曲线的测量装置
CN103576069A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 桂林机床电器有限公司 一种测量功率型led热阻的方法
US20150260782A1 (en) * 2011-08-21 2015-09-17 Dong Chen Predicting led parameters from electroluminescent semiconductor wafer testing

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02118470A (ja) * 1988-10-28 1990-05-02 Nec Corp バーンイン装置
JPH06281693A (ja) * 1992-08-28 1994-10-07 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の熱抵抗測定方法
JP2002189054A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Canon Inc 半導体素子の信頼性試験装置
CN202008518U (zh) * 2010-12-27 2011-10-12 同方光电科技有限公司 一种led降额曲线的测量装置
US20150260782A1 (en) * 2011-08-21 2015-09-17 Dong Chen Predicting led parameters from electroluminescent semiconductor wafer testing
CN103576069A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 桂林机床电器有限公司 一种测量功率型led热阻的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113899463A (zh) * 2021-12-10 2022-01-07 如果科技有限公司 温度采样校正电路、温度采样装置和车辆
CN113899463B (zh) * 2021-12-10 2022-04-19 如果科技有限公司 温度采样校正电路、温度采样装置和车辆

Also Published As

Publication number Publication date
PL234140B1 (pl) 2020-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102072783B (zh) Led结温测试方法
EP3070446B1 (en) Thermo wire testing circuit and method
EA202091784A1 (ru) Аэрозольное устройство и способ изготовления аэрозольного устройства
CN110940432A (zh) 温度感测电路
US9980336B2 (en) Light receiving device, light emitting device and light receiving/emitting device
JP5911450B2 (ja) パワー半導体デバイスの温度特性演算装置
Siegal Practical considerations in high power LED junction temperature measurements
PL424109A1 (pl) Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy
Hantos et al. Different questions of today's LED thermal testing procedures
CN106533322B (zh) 马达控制中的mosfet开关温度的计算
Mashkov et al. Method for in-situ power LEDs' junction temperature measurements
CN110446910A (zh) 多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法
US9488153B2 (en) Method for operating a glow plug, and glow plug control device
Abbing et al. Light-emitting diode junction-temperature sensing using differential voltage/current measurements
CN108303628B (zh) 一种利用矩形波信号驱动半导体器件进行结温测试的方法
Kalker et al. Online junction-temperature extraction method for SiC MOSFETs utilizing turn-on delay
PL424110A1 (pl) Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym
Iero et al. A technique for the direct measurement of the junction temperature in power light emitting diodes
Zhou et al. High temperature stability evaluation of SiC MOSFETs
RU2707757C1 (ru) Способ снижения погрешности измерения температуры электрическим мостом
Choi et al. Integrated microsensor for precise, real-time measurement of junction temperature of surface-mounted light-emitting diode
RU2547882C2 (ru) Способ измерения температуры среды
RU2602400C1 (ru) Устройство для измерения криогенных температур
EP4372342A1 (en) Temperature sensor calibration for electronic devices
RU129229U1 (ru) Устройство для измерения температуры среды