PL234140B1 - Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy - Google Patents

Description

Opis wynalazku

Dziedzina wynalazku

Przedmiotem wynalazku jest sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy mający zastosowanie przy kontroli jakości elementów półprzewodnikowych w przemyśle elektronicznym.

Stan techniki

Znane są z amerykańskiego opisu patentowego US nr 4.840.495 „Metoda i urządzenie do pomiaru rezystancji termicznej w układach scalonych LSI”. Znana metoda polega na tym, że rezystancję termiczną określa się na podstawie pomiaru różnicy temperatur między obiema stronami układu scalonego przy przepływie przez niego strumienia ciepła o znanej wartości. Znany układ pomiarowy składa się ze źródła ciepła, źródła zimna, badanego układu, miernika różnicy temperatur oraz układu sterującego. Znane rozwiązanie cechuje się złożoną konstrukcją źródeł ciepła i zimna a pomiar wykonywany jest w nietypowych warunkach pracy układu scalonego.

Znana jest z amerykańskiego opisu patentowego US nr 5.027.064 „Metoda pomiaru temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych wraz z monitorowaniem charakterystyk częstotliwościowych”. Znana metoda pomiaru wykorzystuje jako parametr termoczuły małosygnałowe wzmocnienie badanego elementu. Znane rozwiązania cechuje się małą powtarzalnością charakterystyki termometrycznej powodującą brak możliwości pomiaru rezystancji termicznej diod LED mocy.

Znany jest z amerykańskiego opisu patentowego US nr 5.781.075 „Przyrząd do pomiaru temperatury”, posiadający dwukońcówkowy czujnik, do którego końcówek są dołączone źródło prądu polaryzującego oraz źródło napięciowe, przy czym wydajności tych źródeł są programowane układowo. Znany czujnik zawiera spolaryzowane przewodząco złącza półprzewodnikowe umożliwiające pomiar temperatury otoczenia. Znane rozwiązanie cechuje się małą powtarzalnością charakterystyki termometrycznej i nie pozwala na wykonanie pomiaru rezystancji termicznej komponentów modułu elektroizolowanego.

Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 120.091 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej monolitycznych półprzewodnikowych układów scalonych”, który polega na wyznaczeniu wartości rezystancji termicznej z jej definicji po pomiarze temperatury wnętrza układu przy wykorzystaniu napięcia na diodzie podłożowej przy wydzielaniu mocy w obszarze kolektora tranzystora bipolarnego zawartego w strukturze układu scalonego. Znane rozwiązanie może być stosowane tylko do pomiaru rezystancji termicznej bipolarnych układów scalonych z izolacją złączową.

Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 132.113 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów bipolarnych” polegający na pomiarze dwóch wartości napięcia baza-emiter przy dwóch wartościach napięcia kolektor-emiter i ustalonej wartości prądu kolektora oraz temperatury otoczenia, a następnie wyliczeniu wartości rezystancji termicznej według znanego wzoru. Dokładność pomiaru realizowanego za pomocą znanego sposobu jest mała ze względu na nieuwzględnieniem w znanym sposobie wpływu rezystancji szeregowych bazy i emitera na napięcie baza-emiter.

Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 173.206 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej diod półprzewodnikowych ze złączem p-n w zakresie przebicia”, polegający na pomiarze napięcia na diodzie pracującej w zakresie przebicia przy dwóch wartościach temperatury otoczenia i ustalonej wartości prądu, a następnie wyliczeniu wartości rezystancji termicznej według znanego wzoru. Znany sposób pomiaru charakteryzuje się ograniczonym zakresem punktów pracy diod, dla których można wykonać pomiar oraz konieczność wykonania jednego z pomiarów napięć natychmiast po przełączeniu sygnału zasilającego badaną diodę.

Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 173.831 „Układ do pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora bipolarnego”, w którym emiter tranzystora pracującego w układzie wspólnej bazy jest połączony z wyjściem źródła małego prądu oraz z wyjściem źródła prądu grzejnego poprzez przełącznik, który jest sterowany sygnałem prostokątnym. Tranzystor jest usytuowany w termostacie, a kolektor jest połączony z wejściem źródła napięciowego. Zakres zastosowania znanego układu jest ograniczony tylko do tranzystorów bipolarnych pracujących w zakresie aktywnym normalnym.

Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 187.668 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej inteligentnego unipolarnego układu scalonego mocy”. Znany sposób pomiaru obejmuje trzy etapy: kalibrację charakterystyki termometrycznej złącza p-n, zawartego w strukturze wyjściowego tranzystora MOS przy jednej wartości temperatury otoczenia oraz przy prądzie wymuszonym przez źródło

PL 234 140 B1 prądu pomiarowego Im i wyznaczenie nachylenia tej charakterystyki, pobudzenie badanego układu scalonego falą prostokątną mocy i pomiar w stanie ustalonym wartości napięcia w węźle napięciowym przy wysokim poziomie mocy i napięcia przy niskim poziomie mocy oraz wyznaczenie wartości rezystancji termicznej ze wzoru analitycznego. Znany sposób wymaga pobudzania badanego układu scalonego mocą o kształcie fali prostokątnej, przez co niemożliwy jest pomiar tą metodą rezystancji termicznej regulatorów impulsowych w ich typowych warunkach zasilania. Znany układ pomiarowy zawiera źródła prądu pomiarowego i grzejnego, dwa przełączniki, wzmacniacz pomiarowy, przetwornik oraz komputer. W czasie realizacji pomiaru, na wejście sterujące badanego układu scalonego podawane są odpowiednie sygnały cyfrowe, których sekwencja jest zależna od typu układu scalonego. Zakres stosowalności znanej metody jest ograniczony tylko do układów scalonych typu SMART-POWER.

Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 191.944 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych zawierających złącze p-n”. W znanym sposobie pomiar wykonywany jest w trzech etapach. Pierwszy etap obejmuje pomiary współrzędnych czterech punktów leżących na izotermicznych charakterystykach spolaryzowanego w kierunku przewodzenia złącza p-n, zawartego w badanym elemencie, drugi etap polega na pomiarze współrzędnych jednego punktu na nieizotermicznej charakterystyce tego złącza, w trzecim etapie obliczana jest wartość rezystancji termicznej przy wykorzystaniu znanego wzoru. Znany układ pomiarowy zawiera badany układ scalony, wzmacniacz pomiarowy, przełącznik, źródło prądu pomiarowego i grzejnego, przetwornik oraz komputer. Znany sposób jest skomplikowany a procedura pomiarowa jest czasochłonna oraz wymaga pracy badanego układu scalonego w nietypowych dla niego warunkach zasilania.

Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 194.602 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonych regulatorów zasilaczy impulsowych”. Znany sposób obejmuje trzy etapy: pomiar napięcia na spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu p-n zawartym w bloku oscylatora przy odłączonym zasilaniu badanego regulatora i w ustalonej temperaturze otoczenia. W drugim etapie mierzy się w stanie ustalonym, przy włączonym zasilaniu regulatora, napięcie na tym samym złączu oraz napięcie i prąd zasilania regulatora w tej samej temperaturze otoczenia. W trzecim etapie wylicza się wartość rezystancji termicznej przy użyciu znanego wzoru. Znany układ zawiera badany regulator, zawierający oscylator ze złączem p-n, którego katoda jest uziemiona, a anoda połączona z woltomierzem i źródłem prądu pomiarowego. Wyprowadzenie zasilania regulatora połączone jest z amperomierzem. Przełącznik łączy lub rozłącza amperomierz ze źródłem zasilania. Źródło prądu pomiarowego polaryzuje w kierunku przewodzenia złącze p-n zawarte w oscylatorze badanego regulatora. Napięcie na tym złączu mierzone jest przez woltomierz. Znana metoda wymaga przełączania układu zasilania badanego regulatora, co utrudnia jego pomiary w typowym układzie aplikacyjnym.

Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 197.351 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonych regulatorów PWM”. Znany układ zawiera zasilacz napięciowy, który poprzez amperomierz połączony jest z wejściem zasilającym badanego regulatora i woltomierz połączony równolegle z wejściem zasilającym regulatora, natomiast oscyloskop cyfrowy jest połączony z wyjściem regulatora, umieszczonego w termostacie. W znanym sposobie pomiar rezystancji termicznej odbywa się dwuetapowo, przy czym pierwszy etap realizowany jest przy zmianach temperatury termostatu i wymaga pomiaru czasu trwania impulsu na wyjściu regulatora PWM natychmiast po włączeniu zasilania regulatora, natomiast drugi etap realizowany jest w stanie ustalonym. W etapie tym mierzone są napięcie i prąd zasilania oraz czas trwania impulsu. Po odczytaniu z charakterystyki termometrycznej wartości temperatury wnętrza odpowiadającej czasowi trwania impulsu, wartość rezystancji termicznej stanowi iloraz nadwyżki temperatury wnętrza elementu ponad temperaturę otoczenia przez iloczyn napięcia zasilającego oraz prądu zasilania, przy czym wartość temperatury wnętrza jest odczytywana z charakterystyki termometrycznej dla czasu trwania impulsu wyznaczonego w drugim etapie pomiaru. Znany sposób jest stosowany wyłącznie do scalonych regulatorów PWM.

Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 206.218 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonego regulatora impulsowego”. Znany układ zawiera termostat, oscyloskop cyfrowy, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer. Układ ten charakteryzuje się tym, że źródło napięcia wejściowego połączone jest z wejściem badanego regulatora za pośrednictwem półprzewodnikowego przełącznika mocy, sterowanego sygnałem cyfrowym z komputera. Do wejścia badanego regulatora jest podłączone także źródło ujemnego napięcia przez rezystor oraz wejście przetwornika analogowo-cyfrowego. Do zacisków, zawartego w strukturze badanego regulatora, półprzewodnikowego elementu kluczującego są podłączone wejścia dwukanałowego oscyloskopu cyfrowego, rezystor oraz elementy

PL 234 140 B1 układu aplikacyjnego badanego regulatora. Oscyloskop cyfrowy i przetwornik analogowo-cyfrowy podłączone są do komputera sterującego.

W znanym sposobie pomiar rezystancji termicznej scalonego regulatora impulsowego pracującego w konfiguracji przetwornicy BOOST, wykorzystujący w charakterze parametru termoczułego napięcie na diodzie podłożowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia prądem, realizowany w trzech etapach, obejmujących wyznaczenie nachylenia charakterystyki termometrycznej, pomiar napięcia na diodzie podłożowej w czasie kalibracji oraz w stanie ustalonym i obliczenie wartości rezystancji termicznej ze wzoru analitycznego. Sposób charakteryzuje się tym, że w drugim etapie pomiaru badany regulator pracuje w układzie aplikacyjnym i generuje impulsowy przebieg mocy, a wartość mocy P występującej we wzorze końcowym metody wyznaczana jest przez uśrednianie iloczynu zmierzonych przebiegów czasowych napięcia i prądu na zaciskach półprzewodnikowego elementu kluczującego mocy, zawartego w strukturze badanego regulatora. Wartość rezystancji termicznej obliczana jest ze znanego wzoru. Znany sposób ma zastosowanie wyłącznie do scalonych regulatorów impulsowych współpracujących z przetwornicą BOOST.

Znany jest z polskiego zgłoszenia patentowego PL nr P 277168 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej scalonych układów cyfrowych TTL i CMOS” polegający na wydzielaniu mocy o dwóch wartościach określonych przez dwie wartości obciążenia włączonego między wyjście bramki a zasilanie. Pomiar temperatury wnętrza jest realizowany za pośrednictwem występującej na dowolnym wejściu bramki, przewodząco spolaryzowanej diody, przez którą płynie prąd o ustalonej wartości. Znany sposób ma możliwość pomiaru rezystancji termicznej tylko podstawowych bramek TTL i CMOS.

Znane są z japońskiego opisu patentowego JP nr 2004.317.432 „Regulator temperatury elementów półprzewodnikowych oraz urządzenie do badań elementu półprzewodnikowego”. Znany regulator jest przeznaczony do skutecznego zapewnienia równomiernego rozkładu temperatury wewnątrz elementu półprzewodnikowego z kablem. Do regulacji tej wykorzystuje doprowadzany z zewnątrz płyn o ustalonej temperaturze, który przez doprowadzenia jest wprowadzany do struktury półprzewodnikowej elementu i w ten sposób utrzymuje jej stałą temperaturę. Znane rozwiązanie nie pozwala na pomiar rezystancji termicznej.

Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 223757 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką”. Znany sposób charakteryzuje się tym, że w czasie pomiarów badany tranzystor pracuje w zakresie nasycenia, wyznaczane są wartości napięcia bramka-źródło w 4 punktach pracy tranzystora (A, B, C, D) tak dobranych, aby moc wydzielana w tranzystorze w punktach A oraz B była taka sama i jednocześnie dwukrotnie mniejsza od mocy wydzielanej w punktach C oraz D, a wartość rezystancji termicznej była wyliczana iteracyjnie z rozwiązania odpowiedniego układu równań.

Znany układ charakteryzuje się tym, że pierwszy zasilacz napięciowy przez rezystor połączony jest ze źródłem badanego tranzystora, a drugi zasilacz napięciowy, przez szeregowo połączone rezystor oraz amperomierz zasila dren badanego tranzystora. Bramka tranzystora jest zwarta do masy, natomiast woltomierze mierzą potencjały źródła i drenu, a badany tranzystor umieszczony jest w termostacie. Znany sposób i układ może być stosowany jedynie do pomiarów rezystancji termicznej tranzystora polowego z izolowaną bramką przy specyficznie dobranych współrzędnych jego punktu pracy.

Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 224783 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką”. Sposób ten realizowany jest wieloetapowo i charakteryzuje się tym, że w czasie drugiego etapu pomiaru badany tranzystor pracuje w zakresie aktywnym, a wartości napięcia bramka-emiter wyznaczane są w 3 punktach pracy tranzystora (A, B, C) tak dobranych, aby prąd kolektora przyjmował ustaloną wartość, a wartości napięcia kolektoremiter były tak dobrane, by wykres zależności uge(uce) dla tych punktów był linią prostą. Wartość rezystancji termicznej jest wyliczana z wzoru analitycznego i jest równa ilorazowi różnicy napięć bramkaemiter dla punktów A i C przez iloczyn różnicy napięć kolektor-emiter dla tych punktów przez prąd kolektora oraz nachylenie charakterystyki termometrycznej wyznaczonej w pierwszym etapie pomiaru. Znany układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką charakteryzuje się tym, że pierwszy zasilacz napięciowy przez pierwszy rezystor połączony jest z emiterem badanego tranzystora. Z kolei, drugi zasilacz napięciowy, przez szeregowo połączone drugi rezystor oraz amperomierz zasila kolektor badanego tranzystora. Bramka tranzystora jest zwarta do masy, natomiast woltomierze mierzą potencjały emitera i kolektora, a badany tranzystor umieszczony jest w termostacie. Znany sposób i układ może być stosowany jedynie do pomiarów rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką przy specyficznie dobranych współrzędnych jego punktu pracy.

PL 234 140 B1

Istota wynalazku

Istotą wynalazku jest sposób pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy, wykorzystujący w charakterze parametru termoczułego napięcie na badanej diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Realizacja sposobu wymaga siedmiu etapów obejmujących kolejno pomiary i obliczenia, pierwszy etap stanowi kalibracja charakterystyki termometrycznej i wyznaczenie jej nachylenia F oraz wartości napięcia przewodzenia ul przy temperaturze równej Ta, a czwarty etap obejmuje obliczenie wartości rezystancji termicznej Rth ze wzoru analitycznego. Sposób według wynalazku charakteryzuje się tym, że w drugim etapie pomiaru dioda pracuje w zakresie przebicia, a po uzyskaniu stanu ustalonego termicznie mierzona jest moc Ph wydzielana w diodzie, następnie w etapie trzecim dioda jest polaryzowana w kierunku przewodzenia prądem o wartości identycznej jak w czasie kalibracji, a bezpośrednio po przełączeniu prądu diody mierzone jest napięcie przewodzenia tej diody uh, w czwartym etapie wyliczana jest wartość Rth ze wzoru

Rth ^- u_H~u_L

P-Ph

W etapie piątym dioda pracuje w zakresie przewodzenia i mierzona jest wartość napięcia przewodzenia tego elementu przy prądzie powodującym istotny przyrost temperatury jej wnętrza, po uzyskaniu stanu termicznie ustalonego mierzona jest wartość mocy wydzielanej w diodzie PP. W chwili t = 0 rozpoczyna się szósty etap pomiaru, w którym następuje zmniejszenie wartości prądu przewodzenia do wartości stosowanej w czasie kalibracji i pomiar napięcia przewodzenia up, w siódmym etapie moc promieniowania optycznego PS wyliczana jest ze wzoru

P_s

-P_p

Up -U_L

P-Rth

Korzystnym skutkiem zastosowania sposobu według wynalazku jest wyznaczenie rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy w wybranych przez użytkownika warunkach pracy bez stosowania kosztownej sfery fotometrycznej.

Istotą wynalazku jest układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diod LED mocy zawierający mierzoną diodę LED mocy, trzy zasilacze napięciowe, dwa rezystory, woltomierz, amperomierz, termostat, dwa przełączniki, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer. Układ ten charakteryzuje się tym, że zasilacz napięciowy Um przez rezystor Rm jest połączony z anodą badanej diody LED, zasilacz napięciowy Uf i zasilacz napięciowy Ur są połączone do zacisków przełącznika dwupozycyjnego S2, który jest szeregowo połączony z rezystorem Rh, amperomierzem oraz przełącznikiem Si do anody diody LED, a katoda diody LED jest zwarta do masy, natomiast woltomierz i wejście przetwornika analogowo-cyfrowego są połączone równolegle do diody LED, która umieszczona jest w termostacie, natomiast komputer zawiera przetwornik analogowo-cyfrowy oraz układy sterujące przełącznikami S1 oraz S2. Korzystnym skutkiem zastosowania układu według wynalazku jest możliwość wyznaczenia rezystancji termicznej mocy promieniowania optycznego diody LED mocy.

Przedmiot wynalazku wyjaśnia przykład wykonania sposobu pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy. Pomiar wykonywany jest w siedmiu etapach, a w charakterze parametru termoczułego jest wykorzystywane napięcie na mierzonej diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Pierwszy etap stanowi kalibracja charakterystyki termometrycznej realizowana przy rozwartym przełączniku Si poprzez pomiar za pomocą woltomierza wartości napięcia przewodzenia diody przy ustalonej, niskiej wartości prądu przewodzenia Im uzyskiwanej z zasilacza napięciowego Um dla różnych wartości temperatury otoczenia T regulowanej za pomocą nastaw termostatu, w którym umieszczona jest mierzona dioda LED mocy. W wyniku kalibracji wyznaczane jest nachylenie F charakterystyki termometrycznej u(T) oraz wartość napięcia przewodzenia ul przy temperaturze równej Ta, która będzie ustalona w termostacie w kolejnych etapach pomiaru. W drugim etapie pomiaru przełącznik Si jest zwarty, a przełącznik S2 ustawiony w pozycję 1. Wówczas dioda LED jest zasilana z zasilacza napięciowego Ur ujemnym napięciem zapewniającym jej pracę w zakresie przebicia a wartość prądu przebicia reguluje się za pomocą rezystancji rezystora Rh. Wydzielana w diodzie LED moc elektryczna powoduje wzrost temperatury wnętrza mierzonej diody. Po uzyskaniu stanu ustalonego termicznie mierzona jest moc Ph wydzielana w diodzie równa iloczynowi napięcia na diodzie mierzonego woltomierzem i prądu tej diody mierzonego amperomierzem. W etapie trzecim następuje rozwarcie przełącznika Si i dioda jest polaryzowana w kierunku przewodzenia prądem o wartości identycznej jak w czasie kalibracji, a bezpośrednio po przełączeniu prądu diody mierzone jest napięcie przewodzenia

PL 234 140 B1 tej diody uh za pomocą przetwornika analogowo-cyfrowego zawartego w komputerze. W czwartym etapie wyliczana jest wartość rezystancji termicznej Rth ze wzoru

Rth ^- u_H~u_L

P-Ph

W etapie piątym przełącznik Si jest zwarty, a przełącznik S2 znajduje się w pozycji 2. Wówczas dioda zasilana z zasilacza napięciowego Uf pracuje w zakresie przewodzenia i mierzona jest wartość napięcia przewodzenia tego elementu przy prądzie powodującym istotny przyrost temperatury jej wnętrza. Po uzyskaniu stanu termicznie ustalonego mierzona jest wartość mocy elektrycznej wydzielanej w diodzie Pp równa iloczynowi napięcia na diodzie mierzonego woltomierzem i prądu tej diody mierzonego amperomierzem. Jednocześnie dioda LED emituje promieniowanie optyczne, którego moc równa jest Ps. W chwili t = 0 rozpoczyna się szósty etap pomiaru, w którym następuje rozwarcie przełącznika S1 i skokowe zmniejszenie wartości prądu przewodzenia do wartości stosowanej w czasie kalibracji oraz pomiar napięcia przewodzenia up. W siódmym etapie moc promieniowania optycznego Ps wyliczana jest ze wzoru

Ps

-P_P

Up -U_L

F-Rth

Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony na rysunku, przedstawiającym schemat blokowy układu do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy.

Układ ten zawiera mierzoną diodę LED mocy, trzy zasilacze napięciowe, dwa rezystory, woltomierz, amperomierz, termostat, dwa przełączniki, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer. Układ ten charakteryzuje się tym, że zasilacz napięciowy 1 przez rezystor 3 jest połączony z anodą mierzonej diody LED 5, zasilacz napięciowy 2 i zasilacz napięciowy 10 są połączone do zacisków przełącznika dwupozycyjnego 11, który jest szeregowo połączony z rezystorem 4, amperomierzem 6 oraz przełącznikiem 8 do anody diody LED, a katoda diody LED jest zwarta do masy, natomiast woltomierz 7 i wejście przetwornika analogowo-cyfrowego 12 są połączone równolegle do diody LED, która umieszczona jest w termostacie 9, natomiast komputer 13 zawiera przetwornik analogowo-cyfrowy 12 oraz układy sterujące przełącznikami pozycyjnymi 8 i 11.

Claims (1)

1. Zastrzeżenia patentowe

   1. Sposób pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy, wykorzystujący w charakterze parametru termoczułego napięcie na mierzonej diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia, realizowany jest w siedm iu etapach obejmujących kolejno pomiary i obliczenia, przy czym pierwszy etap stanowi kalibracja charakterystyki termometrycznej i wyznaczenie jej nachylenia F oraz wartości napięcia przewodzenia ul przy temperaturze równej Ta, a czwarty etap obejmuje obliczenie wartości rezystancji termicznej Rth ze