PL424110A1 - Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym - Google Patents

Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym

Info

Publication number
PL424110A1
PL424110A1 PL424110A PL42411017A PL424110A1 PL 424110 A1 PL424110 A1 PL 424110A1 PL 424110 A PL424110 A PL 424110A PL 42411017 A PL42411017 A PL 42411017A PL 424110 A1 PL424110 A1 PL 424110A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
diode
transistor
switch
stage
voltage
Prior art date
Application number
PL424110A
Other languages
English (en)
Other versions
PL234141B1 (pl
Inventor
Krzysztof Górecki
Paweł Górecki
Janusz Zarębski
Original Assignee
Akademia Morska W Gdyni
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akademia Morska W Gdyni filed Critical Akademia Morska W Gdyni
Priority to PL424110A priority Critical patent/PL234141B1/pl
Publication of PL424110A1 publication Critical patent/PL424110A1/pl
Publication of PL234141B1 publication Critical patent/PL234141B1/pl

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym, mający zastosowanie przy kontroli jakości elementów półprzewodnikowych dla przemysłu elektronicznego. Sposób pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym, wykorzystujący w charakterze parametrów termoczułych napięcie uCE na diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia oraz napięcie uGE między bramką, a źródłem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką, realizowany w siedmiu etapach obejmujących kolejno pomiary i obliczenia, przy czym pierwszy etap stanowi kalibracja charakterystyk termometrycznych uGE(T) oraz uCE(T) i wyznaczenie ich nachylenia FT i FD oraz wartości napięcia uGEL i uCEL przy temperaturze równej Ta, a ostatni etap obejmuje obliczenie wartości rezystancji termicznych diody, tranzystora oraz wzajemnej rezystancji termicznej między tymi elementami ze wzorów analitycznych. Sposób ten charakteryzuje się tym, że w drugim etapie pomiaru tranzystor bipolarny z izolowaną bramką pracuje w zakresie aktywnym przy dużej wartości prądu kolektora IH powodującej wzrost temperatury wnętrza tego tranzystora o co najmniej 20°C, po uzyskaniu stanu ustalonego termicznie mierzona jest moc PH wydzielana w tym tranzystorze, następnie w etapie trzecim skokowo zmniejszana jest wartość prądu kolektora tranzystora do wartości IM stosowanej podczas kalibracji i mierzona jest wartość napięcia między bramką a emiterem tranzystora uGEH, w etapie czwartym wyłączane jest zasilanie tranzystora a dioda polaryzowana jest w kierunku przewodzenia prądem o wartości IM1 stosowanej w czasie kalibracji i mierzona jest wartość napięcia przewodzenia diody uCEH, w etapie piątym dioda polaryzowana jest w kierunku przewodzenia prądem IH1 zapewniającym wzrost wartości temperatury wnętrza diody o co najmniej 20°C, po uzyskaniu stanu termicznie ustalonego mierzona jest wartość mocy wydzielanej w diodzie PH1, a następnie, w etapie szóstym wartość prądu diody jest skokowo przełączana na wartość IM1 i mierzona jest wartość napięcia na diodzie uCEH1. W etapie siódmym wartości rezystancji termicznej tranzystora RthT, rezystancji termicznej diody RthD oraz wzajemnej rezystancji termicznej między tranzystorem a diodą RthTD wyliczane są ze wzorów (A). Układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym zawierający mierzony moduł z diodą i tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką umieszczony w termostacie, zasilacze napięciowe i prądowe, rezystory, woltomierz, amperomierz, diody, termostat, przełączniki, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer, a w module elektroizolowanym katoda diody zwarta jest z kolektorem tranzystora, a jej anoda z emiterem tranzystora. Układ ten charakteryzuje się tym, że bramka tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (5) jest podłączona do masy, równolegle do zacisków diody (6) włączony jest woltomierz (7), z emiterem tranzystora (5) połączone są przełącznik dwupozycyjny (17), wejście przetwornika analogowo-cyfrowego (20) zawartego w komputerze (21) oraz anoda pierwszej diody (3), a z jej katodą połączone są zaciski pierwszego przełącznika (2) oraz pierwszego źródła prądowego (1), a drugi zacisk pierwszego przełącznika (2) połączony jest do masy, pierwszy zacisk trzeciego przełącznika (17) połączony jest przez pierwszy rezystor (18) z pierwszym zasilaczem napięciowym (19), a drugi zacisk tego przełącznika zwarty jest do masy, drugi zasilacz napięciowy (11) przez drugi rezystor (10) i amperomierz (9) jest połączony z zaciskiem 1 drugiego przełącznika (8), dołączonego do kolektora tranzystora (5), drugi zacisk drugiego przełącznika (8) połączony jest z anodą drugiej diody (14) a przez trzeci rezystor (15) z trzecim zasilaczem napięciowym (16), katoda drugiej diody (14) połączona jest z drugim zasilaczem prądowym (12) oraz z zaciskiem czwartego przełącznika (13), którego drugi zacisk zwarty jest do masy.
PL424110A 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym PL234141B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424110A PL234141B1 (pl) 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424110A PL234141B1 (pl) 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL424110A1 true PL424110A1 (pl) 2019-07-01
PL234141B1 PL234141B1 (pl) 2020-01-31

Family

ID=67105466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL424110A PL234141B1 (pl) 2017-12-29 2017-12-29 Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL234141B1 (pl)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140035611A1 (en) * 2011-04-04 2014-02-06 Fuji Electric Co., Ltd. Power switch wafer test method
CN103616628A (zh) * 2013-11-21 2014-03-05 北京工业大学 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置
JP2014085147A (ja) * 2012-10-19 2014-05-12 Renesas Electronics Corp 電圧印加電流測定回路および半導体試験装置
CN204215001U (zh) * 2014-10-24 2015-03-18 工业和信息化部电子第五研究所 金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板
US20150276799A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Teradyne, Inc. Current regulation for accurate and low-cost voltage measurements at the wafer level
CN205679732U (zh) * 2016-06-14 2016-11-09 浙江钱江摩托股份有限公司 一种大电流冲击试验装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140035611A1 (en) * 2011-04-04 2014-02-06 Fuji Electric Co., Ltd. Power switch wafer test method
JP2014085147A (ja) * 2012-10-19 2014-05-12 Renesas Electronics Corp 電圧印加電流測定回路および半導体試験装置
CN103616628A (zh) * 2013-11-21 2014-03-05 北京工业大学 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置
US20150276799A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Teradyne, Inc. Current regulation for accurate and low-cost voltage measurements at the wafer level
CN204215001U (zh) * 2014-10-24 2015-03-18 工业和信息化部电子第五研究所 金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板
CN205679732U (zh) * 2016-06-14 2016-11-09 浙江钱江摩托股份有限公司 一种大电流冲击试验装置

Also Published As

Publication number Publication date
PL234141B1 (pl) 2020-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9562943B2 (en) Wafer temperature sensing methods and related semiconductor wafer
US10132696B2 (en) Integrated temperature sensor for discrete semiconductor devices
CN106443401B (zh) 一种功率mos器件温升和热阻构成测试装置和方法
TWI420123B (zh) 具有偵測製程邊界角與極端溫度之電路
Baker et al. Online junction temperature measurement using peak gate current
CN112525385B (zh) 一种热阻测量仪器校准系统
CN113503988B (zh) 温度传感器校准方法、系统及温度传感器
TW201303544A (zh) 電壓調節器
CN104458034B (zh) 温度检测方法和温度检测装置
Hoeer et al. Online temperature estimation of a high-power 4.5 kV IGBT module based on the gate-emitter threshold voltage
US11359979B2 (en) Hybrid temperature sensor
CN112526425B (zh) 一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置
CN110446910A (zh) 多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法
PL424110A1 (pl) Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym
JP2009109314A (ja) 半導体装置および半導体装置の検査方法
Zhijie et al. Evaluation of chip temperature for multichip IGBT modules by using the thermo-sensitive electrical parameter (TSEP)
CN116754912A (zh) 用于igbt测试的温度控制方法
US7121721B2 (en) Apparatus and method for measuring operating temperatures of an electrical component
CN107991543B (zh) 绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路及其测量方法
Baker et al. Experimental evaluation of IGBT junction temperature measurement via a Modified-VCE (ΔVCE_ΔVGE) method with series resistance removal
PL424109A1 (pl) Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy
PL224783B1 (pl) Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką
RU2602400C1 (ru) Устройство для измерения криогенных температур
Farkas et al. Thermal Transient Measurements on Various Electronic Components
CN116008768B (zh) 一种导通压降测试电路与结温测试仪