PL424110A1 - Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym - Google Patents
Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanymInfo
- Publication number
- PL424110A1 PL424110A1 PL424110A PL42411017A PL424110A1 PL 424110 A1 PL424110 A1 PL 424110A1 PL 424110 A PL424110 A PL 424110A PL 42411017 A PL42411017 A PL 42411017A PL 424110 A1 PL424110 A1 PL 424110A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diode
- transistor
- switch
- stage
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym, mający zastosowanie przy kontroli jakości elementów półprzewodnikowych dla przemysłu elektronicznego. Sposób pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym, wykorzystujący w charakterze parametrów termoczułych napięcie uCE na diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia oraz napięcie uGE między bramką, a źródłem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką, realizowany w siedmiu etapach obejmujących kolejno pomiary i obliczenia, przy czym pierwszy etap stanowi kalibracja charakterystyk termometrycznych uGE(T) oraz uCE(T) i wyznaczenie ich nachylenia FT i FD oraz wartości napięcia uGEL i uCEL przy temperaturze równej Ta, a ostatni etap obejmuje obliczenie wartości rezystancji termicznych diody, tranzystora oraz wzajemnej rezystancji termicznej między tymi elementami ze wzorów analitycznych. Sposób ten charakteryzuje się tym, że w drugim etapie pomiaru tranzystor bipolarny z izolowaną bramką pracuje w zakresie aktywnym przy dużej wartości prądu kolektora IH powodującej wzrost temperatury wnętrza tego tranzystora o co najmniej 20°C, po uzyskaniu stanu ustalonego termicznie mierzona jest moc PH wydzielana w tym tranzystorze, następnie w etapie trzecim skokowo zmniejszana jest wartość prądu kolektora tranzystora do wartości IM stosowanej podczas kalibracji i mierzona jest wartość napięcia między bramką a emiterem tranzystora uGEH, w etapie czwartym wyłączane jest zasilanie tranzystora a dioda polaryzowana jest w kierunku przewodzenia prądem o wartości IM1 stosowanej w czasie kalibracji i mierzona jest wartość napięcia przewodzenia diody uCEH, w etapie piątym dioda polaryzowana jest w kierunku przewodzenia prądem IH1 zapewniającym wzrost wartości temperatury wnętrza diody o co najmniej 20°C, po uzyskaniu stanu termicznie ustalonego mierzona jest wartość mocy wydzielanej w diodzie PH1, a następnie, w etapie szóstym wartość prądu diody jest skokowo przełączana na wartość IM1 i mierzona jest wartość napięcia na diodzie uCEH1. W etapie siódmym wartości rezystancji termicznej tranzystora RthT, rezystancji termicznej diody RthD oraz wzajemnej rezystancji termicznej między tranzystorem a diodą RthTD wyliczane są ze wzorów (A). Układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym zawierający mierzony moduł z diodą i tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką umieszczony w termostacie, zasilacze napięciowe i prądowe, rezystory, woltomierz, amperomierz, diody, termostat, przełączniki, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer, a w module elektroizolowanym katoda diody zwarta jest z kolektorem tranzystora, a jej anoda z emiterem tranzystora. Układ ten charakteryzuje się tym, że bramka tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (5) jest podłączona do masy, równolegle do zacisków diody (6) włączony jest woltomierz (7), z emiterem tranzystora (5) połączone są przełącznik dwupozycyjny (17), wejście przetwornika analogowo-cyfrowego (20) zawartego w komputerze (21) oraz anoda pierwszej diody (3), a z jej katodą połączone są zaciski pierwszego przełącznika (2) oraz pierwszego źródła prądowego (1), a drugi zacisk pierwszego przełącznika (2) połączony jest do masy, pierwszy zacisk trzeciego przełącznika (17) połączony jest przez pierwszy rezystor (18) z pierwszym zasilaczem napięciowym (19), a drugi zacisk tego przełącznika zwarty jest do masy, drugi zasilacz napięciowy (11) przez drugi rezystor (10) i amperomierz (9) jest połączony z zaciskiem 1 drugiego przełącznika (8), dołączonego do kolektora tranzystora (5), drugi zacisk drugiego przełącznika (8) połączony jest z anodą drugiej diody (14) a przez trzeci rezystor (15) z trzecim zasilaczem napięciowym (16), katoda drugiej diody (14) połączona jest z drugim zasilaczem prądowym (12) oraz z zaciskiem czwartego przełącznika (13), którego drugi zacisk zwarty jest do masy.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL424110A PL234141B1 (pl) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL424110A PL234141B1 (pl) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL424110A1 true PL424110A1 (pl) | 2019-07-01 |
PL234141B1 PL234141B1 (pl) | 2020-01-31 |
Family
ID=67105466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL424110A PL234141B1 (pl) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
PL (1) | PL234141B1 (pl) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140035611A1 (en) * | 2011-04-04 | 2014-02-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power switch wafer test method |
CN103616628A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-03-05 | 北京工业大学 | 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置 |
JP2014085147A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Renesas Electronics Corp | 電圧印加電流測定回路および半導体試験装置 |
CN204215001U (zh) * | 2014-10-24 | 2015-03-18 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板 |
US20150276799A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Teradyne, Inc. | Current regulation for accurate and low-cost voltage measurements at the wafer level |
CN205679732U (zh) * | 2016-06-14 | 2016-11-09 | 浙江钱江摩托股份有限公司 | 一种大电流冲击试验装置 |
-
2017
- 2017-12-29 PL PL424110A patent/PL234141B1/pl unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140035611A1 (en) * | 2011-04-04 | 2014-02-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power switch wafer test method |
JP2014085147A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Renesas Electronics Corp | 電圧印加電流測定回路および半導体試験装置 |
CN103616628A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-03-05 | 北京工业大学 | 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置 |
US20150276799A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Teradyne, Inc. | Current regulation for accurate and low-cost voltage measurements at the wafer level |
CN204215001U (zh) * | 2014-10-24 | 2015-03-18 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板 |
CN205679732U (zh) * | 2016-06-14 | 2016-11-09 | 浙江钱江摩托股份有限公司 | 一种大电流冲击试验装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL234141B1 (pl) | 2020-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9562943B2 (en) | Wafer temperature sensing methods and related semiconductor wafer | |
US10132696B2 (en) | Integrated temperature sensor for discrete semiconductor devices | |
CN106443401B (zh) | 一种功率mos器件温升和热阻构成测试装置和方法 | |
TWI420123B (zh) | 具有偵測製程邊界角與極端溫度之電路 | |
Baker et al. | Online junction temperature measurement using peak gate current | |
CN112525385B (zh) | 一种热阻测量仪器校准系统 | |
CN113503988B (zh) | 温度传感器校准方法、系统及温度传感器 | |
TW201303544A (zh) | 電壓調節器 | |
CN104458034B (zh) | 温度检测方法和温度检测装置 | |
Hoeer et al. | Online temperature estimation of a high-power 4.5 kV IGBT module based on the gate-emitter threshold voltage | |
US11359979B2 (en) | Hybrid temperature sensor | |
CN112526425B (zh) | 一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置 | |
CN110446910A (zh) | 多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法 | |
PL424110A1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym | |
JP2009109314A (ja) | 半導体装置および半導体装置の検査方法 | |
Zhijie et al. | Evaluation of chip temperature for multichip IGBT modules by using the thermo-sensitive electrical parameter (TSEP) | |
CN116754912A (zh) | 用于igbt测试的温度控制方法 | |
US7121721B2 (en) | Apparatus and method for measuring operating temperatures of an electrical component | |
CN107991543B (zh) | 绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路及其测量方法 | |
Baker et al. | Experimental evaluation of IGBT junction temperature measurement via a Modified-VCE (ΔVCE_ΔVGE) method with series resistance removal | |
PL424109A1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy | |
PL224783B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką | |
RU2602400C1 (ru) | Устройство для измерения криогенных температур | |
Farkas et al. | Thermal Transient Measurements on Various Electronic Components | |
CN116008768B (zh) | 一种导通压降测试电路与结温测试仪 |