PL422247A1 - Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowej - Google Patents
Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowejInfo
- Publication number
- PL422247A1 PL422247A1 PL422247A PL42224717A PL422247A1 PL 422247 A1 PL422247 A1 PL 422247A1 PL 422247 A PL422247 A PL 422247A PL 42224717 A PL42224717 A PL 42224717A PL 422247 A1 PL422247 A1 PL 422247A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- metallization
- active
- layered metallization
- layered
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, w którym na półizolacyjne lub półprzewodnikowe podłoże (1) z aktywną warstwą półprzewodnikową (2) z warstwą izolacji (3) i z uprzednio wytworzoną warstwą metalizacji aktywnej (4) nakłada się pierwszą warstwę antydyfuzyjną (5) metodą magnetronowego rozpylania katodowego stałoprądowego DC, następnie naparowuje się warstwę na bazie miedzi (6) za pomocą działa elektronowego w warunkach wysokiej próżni lub metodą rozpylania magnetronowego, po czym nakłada się drugą warstwę antydyfuzyjną (7) metodą magnetronowego rozpylania katodowego stałoprądowego DC oraz warstwę stopu NiCr (8), po czym wygrzewa się je w atmosferze obojętnej, w temperaturze 400°C - 450°C przez 10 - 30 min. Przedmiotem wynalazku jest również metalizacja wielowarstwowa, w której na półizolacyjnym lub półprzewodnikowym podłożu (1) z aktywną warstwą półprzewodnikową (2) z warstwą izolacji (3) i z uprzednio wytworzoną warstwą metalizacji aktywnej (4) nałożona jest pierwsza warstwa antydyfuzyjna (5), a na warstwie antydyfuzyjnej (5) umieszczona jest warstwa na bazie miedzi (6), na której umieszczona jest druga warstwa antydyfuzyjna (7) z nałożoną na niej warstwą stopu NiCr (8). Przedmiotem wynalazku jest również zastosowanie metalizacji wielowarstwowej wytworzonej zgodnie wynalazkiem do przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL422247A PL232559B1 (pl) | 2017-07-17 | 2017-07-17 | Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowej |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL422247A PL232559B1 (pl) | 2017-07-17 | 2017-07-17 | Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowej |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL422247A1 true PL422247A1 (pl) | 2019-01-28 |
| PL232559B1 PL232559B1 (pl) | 2019-06-28 |
Family
ID=65033993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL422247A PL232559B1 (pl) | 2017-07-17 | 2017-07-17 | Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowej |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL232559B1 (pl) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383732A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US20040238961A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-12-02 | Cunningham James A. | Copper interconnect systems which use conductive, metal-based cap layers |
| EP1146552B1 (en) * | 2000-04-10 | 2011-10-05 | Agere Systems Guardian Corporation | Interconnections to copper ICs |
| CN102867780A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种铜互连工艺 |
| CN103390607A (zh) * | 2012-05-09 | 2013-11-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铜互连结构及其形成方法 |
| CN103426862A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 国际商业机器公司 | 铜互连结构及其形成方法 |
-
2017
- 2017-07-17 PL PL422247A patent/PL232559B1/pl unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383732A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP1146552B1 (en) * | 2000-04-10 | 2011-10-05 | Agere Systems Guardian Corporation | Interconnections to copper ICs |
| US20040238961A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-12-02 | Cunningham James A. | Copper interconnect systems which use conductive, metal-based cap layers |
| CN103390607A (zh) * | 2012-05-09 | 2013-11-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铜互连结构及其形成方法 |
| CN103426862A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 国际商业机器公司 | 铜互连结构及其形成方法 |
| CN102867780A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种铜互连工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL232559B1 (pl) | 2019-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201613037A (en) | Substrate for power modules, substrate with heat sink for power modules and power module with heat sink | |
| TW201614020A (en) | Joined body manufacturing method, multilayer joined body manufacturing method, power-module substrate manufacturing method, heat sink equipped power-module substrate manufacturing method, and laminated body manufacturing device | |
| WO2012103528A3 (en) | Low-temperature fabrication of metal oxide thin films and nanomaterial-derived metal composite thin films | |
| US20180315680A1 (en) | Laminate and method of manufacturing laminate | |
| CL2018001093A1 (es) | Método para la deposición de capas funcionales adecuadas para tubos receptores de calor | |
| CN104409420A (zh) | 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺 | |
| CN102917534A (zh) | 基于dlc薄膜涂层的陶瓷基板 | |
| MY184359A (en) | Method for forming film and method for forming aluminum nitride film | |
| CN103887012A (zh) | 一种石墨烯导线的生产方法 | |
| PL422247A1 (pl) | Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowej | |
| US9741578B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| Kim et al. | Residual stress control of Cu film deposited using a pulsed direct current magnetron sputtering | |
| CN102820418A (zh) | 一种半导体照明用绝缘导热膜层材料及其制备方法 | |
| WO2008079564A3 (en) | High temperature photonic structure for tungsten filament | |
| JP2018093166A5 (pl) | ||
| KR101881221B1 (ko) | 배리어층을 포함하는 그라파이트 방열시트 및 그 제조방법 | |
| CN103779358A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2019036081A3 (en) | DEPOSIT METHODOLOGY FOR SUPERCONDUCTING INTERCONNECTIONS | |
| WO2017020535A1 (zh) | 一种铜铝合金晶振片镀膜工艺 | |
| MX2018004583A (es) | Metodo para el recocido rapido de una pila de capas delgadas que contienen una capa superior de indio. | |
| PL425471A1 (pl) | Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych | |
| CN110783049A (zh) | 一种氮化钽薄膜的制备方法 | |
| KR101436778B1 (ko) | PVD를 이용한 SiOC 박막 형성을 이용한 OLED 정공 차단층 형성 방법 | |
| TWI488994B (zh) | 超導薄膜的缺陷修補方法、鍍膜方法與以此方法製作的超導薄膜 | |
| JP7110528B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法 |