PL416263A1 - Złącze elektryczne na bazie tlenku cynku oraz sposób wykonania tego złącza - Google Patents
Złącze elektryczne na bazie tlenku cynku oraz sposób wykonania tego złączaInfo
- Publication number
- PL416263A1 PL416263A1 PL416263A PL41626316A PL416263A1 PL 416263 A1 PL416263 A1 PL 416263A1 PL 416263 A PL416263 A PL 416263A PL 41626316 A PL41626316 A PL 41626316A PL 416263 A1 PL416263 A1 PL 416263A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- connector
- zinc oxide
- conductivity
- zno
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest złącze na bazie czystego tlenku cynku (ZnO) lub tlenku cynku domieszkowanego magnezem (ZnMgO) czy kadmem (ZnCdO) oraz sposób wykonania takiego złącza z wykorzystaniem technologii epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) oraz technologii osadzania warstw atomowych (ang. Atomie Layer Deposition, ALD). Złącze to przeznaczone jest do zastosowania w optoelektronice w charakterze diody świecącej albo w sensoryce, zwłaszcza jako czujnik nadfioletu. Jedną część złącza o typie przewodnictwa n lub p stanowią znajdujące się na zorientowanym krystalograficznie podłożu, korzystnie krzemowym lub szafirowym nanokolumny z niedomieszkowanego lub domieszkowanego ZnO. Natomiast drugą część złącza, o przeciwnym typie przewodnictwa, stanowi znajdująca się na nanokolumnach warstwa tlenku cynku i pokrywająca całkowicie te nanokolumny. Sposób polega na tym, że najpierw w procesie MBE osadza się na podłożu półprzewodnikowym lub izolującym, w temperaturze od 400 do 600°C warstwę ZnO o n lub p typie przewodnictwa, przy czym wzrost warstwy prowadzi się w warunkach bogatych w tlen. Następnie otrzymaną strukturę w postaci warstwy i nanokolumn pokrywa się w procesie ALD warstwą o przeciwnym typie przewodnictwa i o grubości od 50 do 500 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL416263A PL234163B1 (pl) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | Złącze elektryczne na bazie tlenku cynku oraz sposób wykonania tego złącza |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL416263A PL234163B1 (pl) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | Złącze elektryczne na bazie tlenku cynku oraz sposób wykonania tego złącza |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL416263A1 true PL416263A1 (pl) | 2017-08-28 |
| PL234163B1 PL234163B1 (pl) | 2020-01-31 |
Family
ID=59684532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL416263A PL234163B1 (pl) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | Złącze elektryczne na bazie tlenku cynku oraz sposób wykonania tego złącza |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL234163B1 (pl) |
-
2016
- 2016-02-25 PL PL416263A patent/PL234163B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL234163B1 (pl) | 2020-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Qian et al. | Ultrahigh-responsivity, rapid-recovery, solar-blind photodetector based on highly nonstoichiometric amorphous gallium oxide | |
| Look | Progress in ZnO materials and devices | |
| JP6027970B2 (ja) | 半導体ドナーから分離された層を使用するオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法、およびそれによって製造されたデバイス | |
| GB2525332A (en) | Epitaxial film growth on patterned substrate | |
| IL196477A0 (en) | Method of fabricating semiconductor devices on a group iv substrate with controlled interface properties and diffusion tails | |
| US8884268B2 (en) | Diffusion barrier layer for group III nitride on silicon substrate | |
| BR112015024056A2 (pt) | estrutura fotovoltaica e processo para fabricar um dispositivo fotovoltaico | |
| Saron et al. | Interface properties determined the performance of thermally grown GaN/Si heterojunction solar cells | |
| TW200633277A (en) | Method for producing a nanostructured pn junction light-emitting diode and diode obtained by such a method | |
| KR101467237B1 (ko) | 반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자 | |
| TW200746454A (en) | Semiconductor light-emitting device and fabricating method of the same | |
| Wang et al. | The function of a 60-nm-thick AlN buffer layer in n-ZnO/AlN/p-Si (111) | |
| PL412250A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| JP2020053523A5 (pl) | ||
| Mahmood et al. | Enhancement of thermoelectric properties of MBE grown un-doped ZnO by thermal annealing | |
| PL416263A1 (pl) | Złącze elektryczne na bazie tlenku cynku oraz sposób wykonania tego złącza | |
| Nguyen et al. | Epitaxial growth of nonpolar ZnO and n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterostructure on Si (001) for ultraviolet light emitting diodes | |
| GB2580827A (en) | Heterojunction Diode having a narrow bandgap semiconductor | |
| CN107068812B (zh) | 基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管 | |
| JP2010245444A5 (pl) | ||
| KR20160031751A (ko) | 반도체 소자 | |
| CN107331663B (zh) | 一种iii族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法 | |
| Chen et al. | Broadband Photo/Gas Dual Sensors Enabled by ZnO Nanorod/Graphene Hybrid Structures | |
| Kwietniewski et al. | Electrical characterization of ZnO/4H‐SiC n–p heterojunction diode | |
| Pattanasattayavong | Solution-processable hole-transporting inorganic semiconductors for electronic applications |