PL357703A1 - Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal - Google Patents

Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal

Info

Publication number
PL357703A1
PL357703A1 PL02357703A PL35770302A PL357703A1 PL 357703 A1 PL357703 A1 PL 357703A1 PL 02357703 A PL02357703 A PL 02357703A PL 35770302 A PL35770302 A PL 35770302A PL 357703 A1 PL357703 A1 PL 357703A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voluminal
mono
impurity level
nitride containing
containing gallium
Prior art date
Application number
PL02357703A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL02357703A priority Critical patent/PL357703A1/pl
Priority to TW092135281A priority patent/TWI334890B/zh
Priority to US10/537,804 priority patent/US7811380B2/en
Priority to PL379547A priority patent/PL224993B1/pl
Priority to AU2003285767A priority patent/AU2003285767A1/en
Priority to JP2004558481A priority patent/JP4824313B2/ja
Priority to KR1020057010667A priority patent/KR101088991B1/ko
Priority to PCT/JP2003/015904 priority patent/WO2004053206A1/en
Priority to EP03778841.1A priority patent/EP1590509B1/en
Publication of PL357703A1 publication Critical patent/PL357703A1/pl

Links

PL02357703A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal PL357703A1 (pl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357703A PL357703A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal
TW092135281A TWI334890B (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
US10/537,804 US7811380B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PL379547A PL224993B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
AU2003285767A AU2003285767A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
JP2004558481A JP4824313B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
KR1020057010667A KR101088991B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
PCT/JP2003/015904 WO2004053206A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
EP03778841.1A EP1590509B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357703A PL357703A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL357703A1 true PL357703A1 (pl) 2004-06-14

Family

ID=32733403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL02357703A PL357703A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL357703A1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2003211024A8 (en) Energy efficient method for growing polycrystalline silicon
PL368506A1 (pl) Spiekany polikrystaliczny azotek galu i jego wytwarzanie
TWI339876B (en) Semi-conductor cutting method
PL1769105T3 (pl) Objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz sposób jego wytwarzania
EP1734158A4 (en) METHOD OF PULLING GALLIUM NITRIDE CRYSTALS AND GALLIUM NITRIDE CRYSTAL
AU2003242456A1 (en) N-type semiconductor diamond producing method and semiconductor diamond
GB0525651D0 (en) Method of fabriating polycrystalline silicon and switching device using polycrystalline silicon
IL151698A0 (en) Iii-v nitride substrate boule and method of making and using the same
PL379547A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, usuwania zanieczyszczeń z otrzymanego kryształu oraz wytwarzania podłoży, wykonanych z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
AU2002951838A0 (en) Method of preparation for polycrystalline semiconductor films
AU2003257717A1 (en) Nitride semiconductor led and fabrication method thereof
AU2003286625A1 (en) Method of forming semiconductor devices through epitaxy
EP1670044A4 (en) METHOD OF MANUFACTURING SILICON EPITAXIAL WAFERS AND SILICON EPITAXIAL WAFERS
EP1541721A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON MONOCRYSTAL
IL163727A0 (en) CdTe single crystal and CdTe polycrystal, and method for preparation thereof
TWI309074B (en) Method of forming semiconductor device
AU2003211347A1 (en) Method of cutting rare earth alloy
AU2003270307A1 (en) Extracting semiconductor device model parameters
EP1498516A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SILICON, PROCESS FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SILICON RINGS, CRYSTAL GERM FOR SINGLE CRYSTALLINE SILICON PRODUCTION, MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND MONOCRYSTAL SILICON SINK
EP1703549A4 (en) VAPOR PHASE GROWTH DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER
EP1485524A4 (en) APPARATUS FOR THE CRYSTALLOGENESIS OF MONOCRYSTALLINE II-VI AND III-V COMPOUNDS
EP1199387A4 (en) PROCESS FOR PREPARING SINGLE CRYSTALS FOR SEMICONDUCTORS
EP1569264A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A SILICON PITAXIAL WAFER
AU2003265881A1 (en) Semiconductor device and method therefor
AU2003209712A8 (en) Group iii nitride semiconductor crystal, production method thereof and group iii nitride semiconductor epitaxial wafer

Legal Events

Date Code Title Description
REFS Decisions on refusal to grant patents (taken after the publication of the particulars of the applications)