PL32033B1 - N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci - Google Patents

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci Download PDF

Info

Publication number
PL32033B1
PL32033B1 PL32033A PL3203335A PL32033B1 PL 32033 B1 PL32033 B1 PL 32033B1 PL 32033 A PL32033 A PL 32033A PL 3203335 A PL3203335 A PL 3203335A PL 32033 B1 PL32033 B1 PL 32033B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
selenium
electrode
electrode assembly
conductivity
amount
Prior art date
Application number
PL32033A
Other languages
English (en)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL32033B1 publication Critical patent/PL32033B1/pl

Links

Description

Wynalazek dotyczy zespolu elektrod o niesymetryczne!) przewodnosci, zawie¬ rajacego elektrode wykonana glównie z selenu i odzielona warstwa izolacyjna od drugiej elektrody, dobrze przewodzacej.Znane jest juz dodawanie do selenu materialów, polepszajacych wlasciwosci elektrody. Takimi materialami sa np. me¬ tale grupy wapnia.Wiadomo równiez, ze potasowce, jak sód i lit, znajduja sie nieraz jako zanieczy¬ szczenia w selenie.Jako odpowiednie dodatki doi selenu stosowano równiez tlenek selenawy albo sól miedzi kwasu zelazo-cyjano-wodoro- wego.Wedlug wynalazku do- selenu dodaje sie izolujace trwale sole metali lub tlen¬ ków metali, a mianowicie takie, które sa trudno rozpuszczalne w wodzie, a w at¬ mosferze zachowuja swe wlasciwosci izo¬ lacyjne, przy czym w takiej ilosci, aby przewodnosc selenu wzrosla.Termin „trwaly" oznacza w patencie niniejszym, ze zwiazlki ani rozkladaja sie, ani wiaza z innymi cialami w tempera¬ turach, wchodzacych w gre przy wyrobie elektrod.Dodatek materialów wymienionej gru¬ py zwieksza przewodnosc selenu w znacz¬ nym stopniu, a mianowicie czesto nawet stokrotnie.Solami szczególnie odpowiednimi do zastosowania wedlug wynalazku sa np. siarczan baru (BaSOJ, siarczan wapnia (CaSOJ, kwarc (Si02), wolframian baru(BaWOJ, tlenek magnezu (MgO), tlenek glinu (Al20A), kryolit (Na3AIF6). Mozna równiez stasowac mieszaniny tych mate¬ rialów.Slaba rozpuszczalnosc lub zupelna nie- rozpuszczalnosc tych isoli w wodzie daje te korzysc, ze wilgotnosc atmosfery nie wplywa zupelnie na wlasciwosci pros¬ townika.Jest to szczególnie wazne wtedy, gdy zespól elektrod wedlug wynalazku ma byc detektorem, igdyz wlasciwosci detektora powinny byc Sttale, a wiec w zadnym ra¬ zie nie powinny ulegac wplywom atmos¬ ferycznym ani chemicznym.Zeby dodatek soli albo /tlenków przy¬ nosil korzysci trzeba, by materialy te wystepowaly jak najbardziej rozdrobnione w calej warstwie selenowej, gdyz wtedy uzyskuje sie szczególnie duze zwiekszenie przewodnosci selenu.Szczególnie korzystnie jest, gdy sole izolujace, dodane do selenu, wytwarza/ja jednoczesnie warstwe zaporowa miedzy elektroda selenowa a dobrze przewodza¬ ca elektroda, np. metalowa. Wtedy stoso¬ wanie specjalnego materialu do wytwo¬ rzenia warstwy izapofowej nie 'jest juz ko¬ nieczne. Ulatwia to budowe takiego ze¬ spolu elektrod, gdyz, jesli sole te znajduja sie juz w stanie mialko rozdrobnionym w selenie, to wytworzenie warstwy po¬ sredniej nastepuje samoczynnie.Zespól elektrod wedlug wynalazku wytwarza sie w sposób nastepujacy.Do selenu w stanie bezpostaciowym w celu zwiekszenia przewodnosci elektro¬ dy dodaje sie np. w mozdzierzu inne ma¬ terialy, po czym wraz z dodanymi zwiaz¬ kami miele sie go tak, zeby te dodatki zostaly mialka rozdrobnione w selenie.Dodatki maja na ogól wymiary ziaren mniejsze od 10 \i, np. 3—4 \i. Ilosc wago¬ wa dodatków wynosi 0,5—5% ilosci po¬ trzebnego selenu. Zawartosc wolframianu barowego (BaWOJ na przyklad wynosi okolo 1%. Jezeli chodzi o siarczan ba¬ rowy, to jest on bardzo korzystnym do¬ datkiem, jednakze mogacym spowodowac podczas mieszania trudnosci, gdyz trudno sie miele, a latwo sie zbija. Aby temu za¬ pobiec, dodaje sie przed zmieleniem cu¬ kru. Cukier ma krysztaly stosunkowo twarde, za pomoca których powstale gru¬ dy siarczanu barowego zostaja sproszko¬ wane. W celu usuniecia cukru calosc umieszcza sie po zmieleniu w wadzie. W wodzie rozpuszcza sie tylko cukier, gdyz pozostale materialy sa nierozpuszczalne.Mieszanine selenu i soli barowej mozna wówczas uwolnic od Wody przez odsa¬ czenie.Praszek, w którym rózne substancje wystepuja w stanie mialko rozdrobnio- nym, umieszcza sie nastepnie na plycie metalowej i ogrzewa do temperatury top¬ liwosci selenu (okolo 220°C). Mase roz¬ posciera sie plasko np. za pomoca gora¬ cego zelazka albo walca. Po wytworze¬ niu równomiernej warstwy o grubosci oko¬ lo 0,03 mm [w zadnym razie nie grubszej niz 0,15 mm] mase szybko i mozliwie do¬ kladnie oziebia sie. Przez szybkie ochlo¬ dzenie osiaga sie to, ze w chwili tej nie nastepuje jeiszcze przejscie w. odmiane metaliczna, dzieki czemu podany nizej proces nadawania przewodnosci zachodzi szybciej. Nastepnie plyte ogrzewa sie w piecu do temperatury okolo 200°C, dzieki czemu bezpostaciowy selen przechodzi w odmiane metaliczna (szara) pólprze- wodzaca. Stapianie, oziebianie, nastepuja¬ ce po tym ogrzewanie, jak równiez prze¬ prowadzanie potem selenu w odmiane me¬ taliczna mozna ewentualnie jeszcze pow¬ tórzyc w celu uzyskania wiekszej jedno¬ rodnosci warstwy selenowej. Ogrzewanie w celu uzyskania dostatecznej przewod¬ nosci trwa zaleznie od warunków od 2 do 24 godzin albo jeszcze dluzej. Nalezy jed¬ nak baczyc na to, zeby miedzy warstwa selenu i powierzchnia plyty, na której — 2 -umieszcza sie selen, nie powstawala war- siwa zaporowa, poniewaz jest to wysoce szkodliwe ze wzgledu na dzialania zespo¬ lu elektrod. Dlatego tez, jako podloze sto¬ suje sie metal wzglednie stop, który pod¬ czas wylewania nie laczy 'sie z selenem al¬ bo tez tworzy zwiazek przewodzacy. Od¬ powiednimi metalami sa np. mosiadz lub miedz, poniewaz selenki miedzi i cynku sa przewodzace.Po ostudzenu calosc umieszcza sie z powrotem w piecu o temperaturze okolo 200°C. Ta obróbka isluzy do odparowa¬ nia z selenu wierzchniej warstewki, wsku¬ tek czego izolujace i nie latwo ulegajace rozkladowi dodatki wydobywaja sie na powierzchnie i dzieki swej zdolnosci izolo¬ wania tworza warstwe zaporowa.Nastepnie na selen naklada sie druga elektrode np, z latwotopliwego, dobrze przewodzacego stopu metali, który moz¬ na nalozyc w stanie cieklym, np. ze sto¬ pu Wooda.Z powyzszego wynikaja jasno korzysci dodawania izolujacych i nierozkladajacych sie soli.Gdyby braklo im ostatnio wymienionej wlasciwosci, to mogloby sie zdarzyc, ze przy nalewaniu stopu, sluzacego do wy¬ twarzania elektrody przewodzacej, sole moglyby dac inne zwiazki, wskutek cze¬ go moglyby powstawac materialy prze¬ wodzace. W tym przypadku nie wykorzy- stanoby w pelni wynalazku, gdyz dodatki, zwiekszajace przewodnosc, maja za zada¬ nie tworzyc jednoczesnie warstwe zapo¬ rowa. Ta mozliwosc istnieje np. dla soli miedzi kwasu zelazo-cyjano-wodorowego.Sól ta rozkladaj sie latwo w wysokiej tem¬ peraturze stosowanej podczas topienia se¬ lenu.Rysunek przedstawia przyklad wyko¬ nania elekrody wedlug wynalazku.Na rysunku cyfra 1 oznaczono elektro¬ de selenowa, w której znajduja sie dodat¬ ki izolujace, które wydostaja sie z niej podczas obróbki na powierzchnie i two¬ rza w ten sposób warstwe zaporowa 2, na która nalozona zostaje elektroda do¬ brze przewodzaca 3. PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe. 1. Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci, zawierajacy elektrode, wy¬ konana z materialu, którego glównym skladnikiem jest selen, znamienny tym, ze selen zawiera domieszke izolacyjnych trwalych soli metali lub tlenków metali, trudnorozpuszczalnych w wodzie, a w at¬ mosferze zachowujacych swe wlasciwosci izolacyjne, w takiej ilosci, zeby przewod¬ nosc elektrody selenowej byla wieksza od przewodnosci tej elektrody bez wymienio- nych domieszek.
  2. 2. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze sole metali lub tlenki metali, znajdujace sie w selenie, imaja po¬ stac ziaren o wymiarach mniejszych od 10 ji.
  3. 3. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwa zaporowa miedzy elektroda selenowa a elektroda dobrze przewodzaca, np. metalowa* jest wykonana z materialu izolacyjnych domie¬ szek.
  4. 4. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1—3, znamienny tym, ze ilosc wagowa doda¬ nych zwiazków metali wynosi 0,5 do 5% ilosci selenu.
  5. 5. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1—4, znamienny tym, ze domieszka jest wolfra- mian baru w* ilosci okolo 1%. N. V. P h i 1 i p s' G 1 o e ii a m p e n- f a b r i e k e n Zastepca: M. Skrzypkówski rzecznik patentowy 40248Da opisu patentowego Nr 32033 PL
PL32033A 1935-12-09 N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci PL32033B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL32033B1 true PL32033B1 (pl) 1943-08-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US1654404A (en) Acid metal phosphate and process of making same
DE2702080A1 (de) Neue lithiumorthosilicatverbindungen und ihre verwendung als festelektrolyt
CN103288493A (zh) 一种利用金属铜、铁制备的天青钧瓷釉及其制备方法
US3888796A (en) Semiconductive glaze compositions
PL32033B1 (pl) N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci
US2137316A (en) Electrode system and method of making same
CN117534357A (zh) 锂云母矿废渣固铊处理资源化利用方法和建筑原材料
BURKE High Temperature Creep of Polycrystalline Sodium-Chloride
DE1471055B2 (de) Verfahren zur herstellung kristalliner koerper aus syntheti schem glimmer
JP4482672B2 (ja) 導電性バナジン酸塩ガラス及びその製造方法
JPH0149653B2 (pl)
Kumar et al. Investigations on electrical characteristics of (PbO) 30 (CuO) x (As2O3)(70-x) glass ceramics
US2478645A (en) Porcelain glaze compositions
CN114702243B (zh) 一种用于不锈钢渣中重金属Cr-Ni-Mn协同固化的方法
Pearson Interpretation of relative thermoelectric phenomena at low temperatures with special consideration of the effects of cold-work on copper
US1729065A (en) Material for use in protecting iron and steel
CN106673666A (zh) 一种高硬度特种陶瓷的制备方法
JPS58102577A (ja) 光導電性cdsseの製造方法
KR20190047950A (ko) 폐유리를 이용한 건축 내외장재용 결정화 유리 조성물, 결정화 유리 및 제조방법
McAlister et al. Anisotropic electron scattering in Al and some Al-based alloys
Hatchett V. Analysis of a triple sulphuret, of lead, antimony, and copper, from Cornwall
Pal et al. Electrical and optical properties of as‐deposited V2O5–TeO2 amorphous films and their annealing effect
US3393060A (en) Method of changing the conductivity of ceramic materials
Vaidhyanathan et al. The optical properties of AgInTe2 thin films
Sudborough LXIII.—Action of nitrosyl chloride on metals