PL32033B1 - N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci - Google Patents
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci Download PDFInfo
- Publication number
- PL32033B1 PL32033B1 PL32033A PL3203335A PL32033B1 PL 32033 B1 PL32033 B1 PL 32033B1 PL 32033 A PL32033 A PL 32033A PL 3203335 A PL3203335 A PL 3203335A PL 32033 B1 PL32033 B1 PL 32033B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- selenium
- electrode
- electrode assembly
- conductivity
- amount
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 31
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- WMTSAHAFZXEJBV-UHFFFAOYSA-N [Ba].[W] Chemical group [Ba].[W] WMTSAHAFZXEJBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- SJPVUFMOBDBTHQ-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Ba+2].[O-][W]([O-])(=O)=O SJPVUFMOBDBTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000001175 calcium sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- -1 sodium and lithium Chemical compound 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Wynalazek dotyczy zespolu elektrod o niesymetryczne!) przewodnosci, zawie¬ rajacego elektrode wykonana glównie z selenu i odzielona warstwa izolacyjna od drugiej elektrody, dobrze przewodzacej.Znane jest juz dodawanie do selenu materialów, polepszajacych wlasciwosci elektrody. Takimi materialami sa np. me¬ tale grupy wapnia.Wiadomo równiez, ze potasowce, jak sód i lit, znajduja sie nieraz jako zanieczy¬ szczenia w selenie.Jako odpowiednie dodatki doi selenu stosowano równiez tlenek selenawy albo sól miedzi kwasu zelazo-cyjano-wodoro- wego.Wedlug wynalazku do- selenu dodaje sie izolujace trwale sole metali lub tlen¬ ków metali, a mianowicie takie, które sa trudno rozpuszczalne w wodzie, a w at¬ mosferze zachowuja swe wlasciwosci izo¬ lacyjne, przy czym w takiej ilosci, aby przewodnosc selenu wzrosla.Termin „trwaly" oznacza w patencie niniejszym, ze zwiazlki ani rozkladaja sie, ani wiaza z innymi cialami w tempera¬ turach, wchodzacych w gre przy wyrobie elektrod.Dodatek materialów wymienionej gru¬ py zwieksza przewodnosc selenu w znacz¬ nym stopniu, a mianowicie czesto nawet stokrotnie.Solami szczególnie odpowiednimi do zastosowania wedlug wynalazku sa np. siarczan baru (BaSOJ, siarczan wapnia (CaSOJ, kwarc (Si02), wolframian baru(BaWOJ, tlenek magnezu (MgO), tlenek glinu (Al20A), kryolit (Na3AIF6). Mozna równiez stasowac mieszaniny tych mate¬ rialów.Slaba rozpuszczalnosc lub zupelna nie- rozpuszczalnosc tych isoli w wodzie daje te korzysc, ze wilgotnosc atmosfery nie wplywa zupelnie na wlasciwosci pros¬ townika.Jest to szczególnie wazne wtedy, gdy zespól elektrod wedlug wynalazku ma byc detektorem, igdyz wlasciwosci detektora powinny byc Sttale, a wiec w zadnym ra¬ zie nie powinny ulegac wplywom atmos¬ ferycznym ani chemicznym.Zeby dodatek soli albo /tlenków przy¬ nosil korzysci trzeba, by materialy te wystepowaly jak najbardziej rozdrobnione w calej warstwie selenowej, gdyz wtedy uzyskuje sie szczególnie duze zwiekszenie przewodnosci selenu.Szczególnie korzystnie jest, gdy sole izolujace, dodane do selenu, wytwarza/ja jednoczesnie warstwe zaporowa miedzy elektroda selenowa a dobrze przewodza¬ ca elektroda, np. metalowa. Wtedy stoso¬ wanie specjalnego materialu do wytwo¬ rzenia warstwy izapofowej nie 'jest juz ko¬ nieczne. Ulatwia to budowe takiego ze¬ spolu elektrod, gdyz, jesli sole te znajduja sie juz w stanie mialko rozdrobnionym w selenie, to wytworzenie warstwy po¬ sredniej nastepuje samoczynnie.Zespól elektrod wedlug wynalazku wytwarza sie w sposób nastepujacy.Do selenu w stanie bezpostaciowym w celu zwiekszenia przewodnosci elektro¬ dy dodaje sie np. w mozdzierzu inne ma¬ terialy, po czym wraz z dodanymi zwiaz¬ kami miele sie go tak, zeby te dodatki zostaly mialka rozdrobnione w selenie.Dodatki maja na ogól wymiary ziaren mniejsze od 10 \i, np. 3—4 \i. Ilosc wago¬ wa dodatków wynosi 0,5—5% ilosci po¬ trzebnego selenu. Zawartosc wolframianu barowego (BaWOJ na przyklad wynosi okolo 1%. Jezeli chodzi o siarczan ba¬ rowy, to jest on bardzo korzystnym do¬ datkiem, jednakze mogacym spowodowac podczas mieszania trudnosci, gdyz trudno sie miele, a latwo sie zbija. Aby temu za¬ pobiec, dodaje sie przed zmieleniem cu¬ kru. Cukier ma krysztaly stosunkowo twarde, za pomoca których powstale gru¬ dy siarczanu barowego zostaja sproszko¬ wane. W celu usuniecia cukru calosc umieszcza sie po zmieleniu w wadzie. W wodzie rozpuszcza sie tylko cukier, gdyz pozostale materialy sa nierozpuszczalne.Mieszanine selenu i soli barowej mozna wówczas uwolnic od Wody przez odsa¬ czenie.Praszek, w którym rózne substancje wystepuja w stanie mialko rozdrobnio- nym, umieszcza sie nastepnie na plycie metalowej i ogrzewa do temperatury top¬ liwosci selenu (okolo 220°C). Mase roz¬ posciera sie plasko np. za pomoca gora¬ cego zelazka albo walca. Po wytworze¬ niu równomiernej warstwy o grubosci oko¬ lo 0,03 mm [w zadnym razie nie grubszej niz 0,15 mm] mase szybko i mozliwie do¬ kladnie oziebia sie. Przez szybkie ochlo¬ dzenie osiaga sie to, ze w chwili tej nie nastepuje jeiszcze przejscie w. odmiane metaliczna, dzieki czemu podany nizej proces nadawania przewodnosci zachodzi szybciej. Nastepnie plyte ogrzewa sie w piecu do temperatury okolo 200°C, dzieki czemu bezpostaciowy selen przechodzi w odmiane metaliczna (szara) pólprze- wodzaca. Stapianie, oziebianie, nastepuja¬ ce po tym ogrzewanie, jak równiez prze¬ prowadzanie potem selenu w odmiane me¬ taliczna mozna ewentualnie jeszcze pow¬ tórzyc w celu uzyskania wiekszej jedno¬ rodnosci warstwy selenowej. Ogrzewanie w celu uzyskania dostatecznej przewod¬ nosci trwa zaleznie od warunków od 2 do 24 godzin albo jeszcze dluzej. Nalezy jed¬ nak baczyc na to, zeby miedzy warstwa selenu i powierzchnia plyty, na której — 2 -umieszcza sie selen, nie powstawala war- siwa zaporowa, poniewaz jest to wysoce szkodliwe ze wzgledu na dzialania zespo¬ lu elektrod. Dlatego tez, jako podloze sto¬ suje sie metal wzglednie stop, który pod¬ czas wylewania nie laczy 'sie z selenem al¬ bo tez tworzy zwiazek przewodzacy. Od¬ powiednimi metalami sa np. mosiadz lub miedz, poniewaz selenki miedzi i cynku sa przewodzace.Po ostudzenu calosc umieszcza sie z powrotem w piecu o temperaturze okolo 200°C. Ta obróbka isluzy do odparowa¬ nia z selenu wierzchniej warstewki, wsku¬ tek czego izolujace i nie latwo ulegajace rozkladowi dodatki wydobywaja sie na powierzchnie i dzieki swej zdolnosci izolo¬ wania tworza warstwe zaporowa.Nastepnie na selen naklada sie druga elektrode np, z latwotopliwego, dobrze przewodzacego stopu metali, który moz¬ na nalozyc w stanie cieklym, np. ze sto¬ pu Wooda.Z powyzszego wynikaja jasno korzysci dodawania izolujacych i nierozkladajacych sie soli.Gdyby braklo im ostatnio wymienionej wlasciwosci, to mogloby sie zdarzyc, ze przy nalewaniu stopu, sluzacego do wy¬ twarzania elektrody przewodzacej, sole moglyby dac inne zwiazki, wskutek cze¬ go moglyby powstawac materialy prze¬ wodzace. W tym przypadku nie wykorzy- stanoby w pelni wynalazku, gdyz dodatki, zwiekszajace przewodnosc, maja za zada¬ nie tworzyc jednoczesnie warstwe zapo¬ rowa. Ta mozliwosc istnieje np. dla soli miedzi kwasu zelazo-cyjano-wodorowego.Sól ta rozkladaj sie latwo w wysokiej tem¬ peraturze stosowanej podczas topienia se¬ lenu.Rysunek przedstawia przyklad wyko¬ nania elekrody wedlug wynalazku.Na rysunku cyfra 1 oznaczono elektro¬ de selenowa, w której znajduja sie dodat¬ ki izolujace, które wydostaja sie z niej podczas obróbki na powierzchnie i two¬ rza w ten sposób warstwe zaporowa 2, na która nalozona zostaje elektroda do¬ brze przewodzaca 3. PL
Claims (5)
- Zastrzezenia patentowe. 1. Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci, zawierajacy elektrode, wy¬ konana z materialu, którego glównym skladnikiem jest selen, znamienny tym, ze selen zawiera domieszke izolacyjnych trwalych soli metali lub tlenków metali, trudnorozpuszczalnych w wodzie, a w at¬ mosferze zachowujacych swe wlasciwosci izolacyjne, w takiej ilosci, zeby przewod¬ nosc elektrody selenowej byla wieksza od przewodnosci tej elektrody bez wymienio- nych domieszek.
- 2. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze sole metali lub tlenki metali, znajdujace sie w selenie, imaja po¬ stac ziaren o wymiarach mniejszych od 10 ji.
- 3. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwa zaporowa miedzy elektroda selenowa a elektroda dobrze przewodzaca, np. metalowa* jest wykonana z materialu izolacyjnych domie¬ szek.
- 4. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1—3, znamienny tym, ze ilosc wagowa doda¬ nych zwiazków metali wynosi 0,5 do 5% ilosci selenu.
- 5. Zespól elektrod wedlug zastrz. 1—4, znamienny tym, ze domieszka jest wolfra- mian baru w* ilosci okolo 1%. N. V. P h i 1 i p s' G 1 o e ii a m p e n- f a b r i e k e n Zastepca: M. Skrzypkówski rzecznik patentowy 40248Da opisu patentowego Nr 32033 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL32033B1 true PL32033B1 (pl) | 1943-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US1654404A (en) | Acid metal phosphate and process of making same | |
| DE2702080A1 (de) | Neue lithiumorthosilicatverbindungen und ihre verwendung als festelektrolyt | |
| CN103288493A (zh) | 一种利用金属铜、铁制备的天青钧瓷釉及其制备方法 | |
| US3888796A (en) | Semiconductive glaze compositions | |
| PL32033B1 (pl) | N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Zespól elektrod o niesymetrycznej przewodnosci | |
| US2137316A (en) | Electrode system and method of making same | |
| CN117534357A (zh) | 锂云母矿废渣固铊处理资源化利用方法和建筑原材料 | |
| BURKE | High Temperature Creep of Polycrystalline Sodium-Chloride | |
| DE1471055B2 (de) | Verfahren zur herstellung kristalliner koerper aus syntheti schem glimmer | |
| JP4482672B2 (ja) | 導電性バナジン酸塩ガラス及びその製造方法 | |
| JPH0149653B2 (pl) | ||
| Kumar et al. | Investigations on electrical characteristics of (PbO) 30 (CuO) x (As2O3)(70-x) glass ceramics | |
| US2478645A (en) | Porcelain glaze compositions | |
| CN114702243B (zh) | 一种用于不锈钢渣中重金属Cr-Ni-Mn协同固化的方法 | |
| Pearson | Interpretation of relative thermoelectric phenomena at low temperatures with special consideration of the effects of cold-work on copper | |
| US1729065A (en) | Material for use in protecting iron and steel | |
| CN106673666A (zh) | 一种高硬度特种陶瓷的制备方法 | |
| JPS58102577A (ja) | 光導電性cdsseの製造方法 | |
| KR20190047950A (ko) | 폐유리를 이용한 건축 내외장재용 결정화 유리 조성물, 결정화 유리 및 제조방법 | |
| McAlister et al. | Anisotropic electron scattering in Al and some Al-based alloys | |
| Hatchett | V. Analysis of a triple sulphuret, of lead, antimony, and copper, from Cornwall | |
| Pal et al. | Electrical and optical properties of as‐deposited V2O5–TeO2 amorphous films and their annealing effect | |
| US3393060A (en) | Method of changing the conductivity of ceramic materials | |
| Vaidhyanathan et al. | The optical properties of AgInTe2 thin films | |
| Sudborough | LXIII.—Action of nitrosyl chloride on metals |