PL219975B1 - Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych - Google Patents
Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonychInfo
- Publication number
- PL219975B1 PL219975B1 PL399392A PL39939212A PL219975B1 PL 219975 B1 PL219975 B1 PL 219975B1 PL 399392 A PL399392 A PL 399392A PL 39939212 A PL39939212 A PL 39939212A PL 219975 B1 PL219975 B1 PL 219975B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- integrated circuits
- winding inductance
- producing non
- inductance
- winding
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 title description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych.
Dotychczas z książki A. Chochowski „Podstawy elektrotechniki i elektroniki dla elektryków część 2”, Wydawnictwo Szkolne i Pedagogiczne Spółka Akcyjna, Warszawa 2003, Wydanie drugie 2009, str. 11, znane są cienkowarstwowe elementy indukcyjne o uzwojeniu płaskim w kształcie spirali lub spiralnego meandra prostokątnego, zaś z polskiego opisu patentowego nr 69 138 znane są cienkowarstwowe elementy indukcyjne o uzwojeniu płaskim w kształcie spirali, w których magnetowód stanowi cienka warstwa ferromagnetyczna leżąca w płaszczyźnie równoległej do płaszczyzny cewki. Stosowane są jedynie cewki tego typu na podłożu dielektrycznym lub magnetycznym w postaci jednolitej w płaszczyźnie warstwy.
W powyższych rozwiązaniach uzyskiwana jest mała wartość indukcyjności z jednostki powierzchni, element indukcyjny w układzie mikroelektronicznym zajmuje dużą powierzchnię, co powoduje obniżenie stopnia integracji, oraz występowanie znacznego strumienia rozproszenia charakterystycznego dla płaskiego uzwojenia spiralnego.
W polskim opisie patentowym nr PAT. 216971 przedstawiono sposób wytwarzania bezuzwojeniowych indukcyjności do układów mikroelektronicznych polegający na naniesieniu przy użyciu rozpylania magnetronowego warstwy ferromagnetycznej o składzie (Co0,45Fe0,45Zr0,10)0,38(Al2O3)0,62 na płyt kę podłożową z krzemu przy temperaturze pokojowej w atmosferze argonu i tlenu w zakresie ciśnień -2 -1 -2 -2 -1 argonu od 10' Pa do 10 Pa, korzystnie 5,19-10' Pa i tlenu od 10 Pa do 10' Pa, korzystnie
4,41 -10'2 Pa, a następnie wykonaniu wygrzewania stabilizującego w temperaturze 575°C, w czasie 10-30 minut, korzystnie 15 minut.
Istotą sposobu wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych, na płytce podłożowej z krzemu, poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym do wykonania układu scalonego jest to, że wykonuje się naniesienie rozpylaniem jonowym warstwy mate' riału o składzie (FeCoZr)0,28[Pb0,81Sr0,04(Na0,5Bi0,5)0,15(Zr0,575Ti0,425)O3]0,72 w czasie od 130 do 140 minut, w atmosferze argonu i tlenu w zakresie ciśnień argonu od 10'2 Pa do 10'1 Pa, i tlenu od 10'3 Pa do 10'2 Pa.
Korzystnym skutkiem wynalazku jest to, że nie stosuje się wygrzewania jak dotychczas odbywa' ło się to w znanym stanie techniki. Wynalazek pozwala na wytwarzanie bezuzwojeniowej indukcyjno' 3 ści o indukcji 20 μΗ/ąm . W konsekwencji pozwala to na zmniejszenie powierzchni struktury półprze wodnikowej przy zwiększeniu stopnia integracji.
Sposób według wynalazku został objaśniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przekrój poprzeczny płytki podłożowej z wytworzonym obszarem bezuzwojeniowej indukcyjności, fig. 2 - zależność kąta przesunięcia fazowego, wyrażony w stopniach, w wytworzonej bezuzwojeniowej indukcyjności w funkcji częstotliwości napięcia pomiarowego.
Warstwa 1 naparowana przy użyciu rozpylania 6 jonowego na warstwie 2 izolacyjnej z dwutlen ku lub azotku krzemu na płytce 3 podłożowej z krzemu, poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym do wykonania układu scalonego i z warstwami 4 metalizacji oraz maską 5 do fotolitografii wykonany jest sposobem według wynalazku.
P r z y k ł a d. Płytkę 3 podłożową z krzemu o rezystywności 10 Ω-cm pokrytą warstwą 2 izola cyjną z dwutlenku krzemu o grubości 0,5 μm poddaje się nanoszeniu rozpylaniem 6 jonowym materia łu (FeCoZr)0,28[Pb0,o1Sr0,04(Na0,5Bi0,5)0,15(Zr0,575Ti0,425)O3]0,72 w czasie 134 minut w atmosferze argonu o ciśnieniu 6,67-W2 Pa i tlenu o ciśnieniu 3,2-103 Pa przez otwór w masce 5 do fotolitografii do uzy skania grubości 1 μm. Tak dobrane parametry nanoszenia pozwalają na wytworzenie warstwy 1 bez uzwojeniowej indukcyjności. Na rysunku fig. 2 pokazano zależność kąta przesunięcia fazowego mie rzonego w stopniach od częstotliwości f, który wykazuje, że przy częstotliwościach powyżej 10 kHz występuje kąt przesunięcia fazowego +90° charakterystyczny dla indukcyjności.
Sposobem według wynalazku uzyskuje się bezuzwojeniową indukcyjność o indukcji względnej μH/μm i rezystywności 10 Ω-m w zakresie częstotliwości powyżej 10 kHz.
Claims (1)
- Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych, na płytce (3) podłożowej z krzemu, poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym do wykonania układu scalonego, znamienny tym, że wykonuje się naniesienie rozpylaniem jonowym (6) warstwy (1) materiału o składzie (FeCoZr)0,28[Pb0,81Sr0,04(Na0,5Bi0,5)0,15(Zr0,575Ti0,425)O3]0,72 w czasie od 130 do 140 minut, w atmosferze argonu i tlenu w zakresie ciśnień argonu od 10-2 Pa do 10-1 Pa, i tlenu od 10-3 Pa do 10-2 Pa.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL399392A PL219975B1 (pl) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL399392A PL219975B1 (pl) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL399392A1 PL399392A1 (pl) | 2013-12-09 |
| PL219975B1 true PL219975B1 (pl) | 2015-08-31 |
Family
ID=49684188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL399392A PL219975B1 (pl) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL219975B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL235371B1 (pl) * | 2019-02-19 | 2020-07-13 | Lubelska Polt | Sposób wytwarzania kondensatora do układów scalonych |
-
2012
- 2012-06-01 PL PL399392A patent/PL219975B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL399392A1 (pl) | 2013-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9679958B2 (en) | Methods for manufacturing integrated multi-layer magnetic films | |
| JP3971697B2 (ja) | 高周波用磁性薄膜及び磁気素子 | |
| Ikeda et al. | Thin-film inductor for gigahertz band with CoFeSiO-SiO/sub 2/multilayer granular films and its application for power amplifier module | |
| CN103975398B (zh) | 具有大电感可调谐性的静电可调谐磁电电感器 | |
| JP7222220B2 (ja) | 磁性体コアおよびコイル部品 | |
| PL235371B1 (pl) | Sposób wytwarzania kondensatora do układów scalonych | |
| WO2017065141A1 (ja) | Ｌｃ複合電子部品、およびｌｃ複合電子部品の実装構造 | |
| PL219975B1 (pl) | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów scalonych | |
| KR100642145B1 (ko) | 고주파용 자성박막, 복합자성박막 및 이것을 사용한자기소자 | |
| KR100742555B1 (ko) | 고주파용 자성 박막 및 그 제작 방법 그리고 자기 소자 | |
| JP2022502864A (ja) | 回路、回路を製造する方法、及び装置 | |
| KR100227449B1 (ko) | 자성 박막 및 그를 사용한 박막 자기 소자 | |
| Talekar et al. | Wideband tunable radio frequency integrated circuit inductors integrated with domain-patterned permalloy | |
| JP2004235355A (ja) | 軟磁性部材およびそれを用いた磁気素子 | |
| PL222093B1 (pl) | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów mikroelektronicznych | |
| PL227866B1 (pl) | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowej indukcyjności do układów mikroelektronicznych | |
| JP2003347123A (ja) | 薄膜インダクタ及びそれを利用した電子機器 | |
| JPH0677055A (ja) | 平面磁気素子 | |
| PL216971B1 (pl) | Sposób wytwarzania bezuzwojeniowych indukcyjności do układów mikroelektronicznych | |
| JP2007081349A (ja) | インダクタ | |
| PL222094B1 (pl) | Sposób wytwarzania szeregowego układu pojemność-indukcyjność do układów scalonych | |
| PL218600B1 (pl) | Sposób wytwarzania szeregowego układu pojemność-indukcyjność do układów mikroelektronicznych | |
| KR102159893B1 (ko) | 자성 박막 적층 구조의 제조 방법, 자성 박막 적층 구조체 및 마이크로 인덕터 소자 | |
| Shirakawa et al. | Thin film inductor with multilayer magnetic core | |
| Yamaguchi et al. | Skin effect suppression in multilayer thin-film spiral inductor taking advantage of negative permeability of magnetic film beyond FMR frequency |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20141126 |