PL212786B1 - Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny - Google Patents
Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cynyInfo
- Publication number
- PL212786B1 PL212786B1 PL380723A PL38072306A PL212786B1 PL 212786 B1 PL212786 B1 PL 212786B1 PL 380723 A PL380723 A PL 380723A PL 38072306 A PL38072306 A PL 38072306A PL 212786 B1 PL212786 B1 PL 212786B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- indium
- powders
- tin
- nanometric
- tin oxide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 5
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229960004106 citric acid Drugs 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Inorganic materials [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004543 anhydrous citric acid Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- KKHJTSPUUIRIOP-UHFFFAOYSA-J tetrachlorostannane;hydrate Chemical compound O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl KKHJTSPUUIRIOP-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003911 water pollution Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania układu nanometrycznych proszków i cienkich warstw tlenków indu cyny (nanoITO) mającego zastosowanie między innymi w konstrukcji odbiorników telewizyjnych i technice oświetleniowej, szczególnie transparentnych elektrod cienkowarstwowych oraz nanokompozytowych materiałów Iuminescencyjnych o podwyższonej przewodności elektrycznej.
Znane są inne sposoby otrzymywania krystalitów, a w tym nanokrystalitów układu transparentnych przewodzących tlenków, w tym szczególnie układu tlenków indu i cyny. W ogólności wymienić należy: metodę hydrotermalną [1] (H. Xu, G. Zhu, H. Zhou, Preparation of monodispersed Tin-Doped Indium Oxide Powders by Hydrotermal Method, J. Am. Ceram. Soc. 88, 4 (2005) 986-988), w której zmieszane roztwory metalicznego indu i cyny w kwasie solnym i wodny roztwór wodorotlenku sodu w postaci zolu umieszcza się w teflonowym pojemniku, który następnie zamyka się szczelnie w stalowej kapsule i przetrzymuje 12 godzin w temperaturze 240°C, po kilkakrotnym odwirowaniu i przemyciu zawartość pojemnika suszy się 12 godzin w temperaturze 80°C w piecu próżniowym, a ostatecznie wygrzewa przez okres 2 h w temperaturze 500°C w powietrzu; metodę kontrolowanego wzrostu kryształu (controlled growth technique) [2] (N. Al-Dahoudi, H. Bisht, C. Gobbert, T. Krajewski, M. A. Aegerter, Transparent conducting, anti-static and anti-static-anti-glare coatings on plastic substrates, Thin Solid Films 392 (2001) 299-304), w której roztwór chlorków indu i cyny w alkoholu etylowym wkrapla się do 25%-owej wody amoniakalnej zawierającej β-alaninę i środek modyfikujący powierzchnie, a następnie całość pozostawia się w 80°C przez czas 24 godzin i dalej suszy w 60°C, a następnie wygrzewa w 250°C; inną metodę [3] (K-H. Song, S-C. Park, J-G. Nam Indium oxide powder, method for preparing the same, and method for manufacturing high-density indium tin oxide target, US patent
N US 2003/0178752 A1), w której do wodnego roztworu chlorku indu, bądź roztworzonego w kwasie azotowym metalicznego indu dodaje się zasadę (NH4OH, lotny amoniak, wodorotlenek potasu lub sodu, NH4HCO3, NH4(CO3)2, w ten sposób otrzymuje się wodorotlenek indu który następnie przemywa się i odwirowuje z roztworu, a dalej suszy i wygrzewa w temperaturze od 600 do 1100°C, następnie tlenek indu i wytworzony analogicznie tlenek cyny miesza się mechanicznie.
Podstawowymi niedostatkami powyżej przedstawionych metod są:
- konieczność użycia kosztownego autoklawu do syntezy hydrotermalnej, konieczność stosowania wygrzewania próżniowego i wielokrotnego odwirowywania i przemywania w procesie przygotowywania układu tlenków;
- stosowanie wody amoniakalnej i β-alaniny;
- stosowanie lotnego amoniaku lub wody amoniakalnej, konieczność wielokrotnego przemywania i odwirowywania roztworu, możliwość uzyskania układu tlenków jedynie w procesie mechanicznego mieszania.
Zadaniem tego wynalazku jest: uproszczenie procesu otrzymywania układu nanometrycznych tlenków indu i cyny, dobranie procesu technologicznego tak by było możliwe programowe sterowanie: stosunkiem molowym tlenku cyny do tlenku indu, średnim rozmiarem ziaren wytwarzanego materiału, a także koncentracją innych domieszek, obniżenie kosztów własnych produktu przez wyeliminowanie kosztownych bądź deficytowych substratów i uproszczenie procesu technologicznego, wyeliminowanie z procesu wytwarzania procedur zagrażających równowadze środowiska naturalnego, bądź zdrowiu i życiu człowieka oraz zminimalizowanie zanieczyszczeń powietrza i wody powstających w procesie wytwarzania materiału.
Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny według wynalazku charakteryzuje się tym, że w pierwszym etapie procesu otrzymuje się azotan indu przez roztworzenie metalicznego indu w stężonym kwasie azotowym, a następnie w drugim etapie procesu wytworzony uwodniony azotan indu miesza się z uwodnionym chlorkiem cynowym SnCI4x5H2O, bezwodnym bądź uwodnionym kwasem cytrynowym, glikolem etylowym i wodą, w ilościach stechiometrycznych potrzebnych do wytworzenia 1 mola In2-xO3:Snx, do otrzymania jednorodnej bezbarwnej mieszaniny, a następnie mieszaninę poddaje się suszeniu w temperaturze 80°C, do momentu uzyskania żywicy i wygrzewa się w temperaturze 500-1400°C przez czas 8-24 h. Sposób charakteryzuje się tym, że wytwarza się proszek układu tlenków indu i cyny o średnim rozmiarze ziaren zawierającym się w przedziale od 5 do 100 nm. Stosunek molowy tlenku cyny do tlenku indu zawiera się w przedziale od 2 do 30%. Mieszanie odbywa się za pomocą ultradźwięków.
Osiągnięcie pozytywnego efektu polega na wyeliminowaniu z pośród substratów lotnego amoniaku, bądź wody amoniakalnej, β-alanin, wyeliminowanie konieczności użycia autoklawu do syntezy
PL 212 786 B1 hydrotermalnej, pieca próżniowego, uniknięcie procedury wielokrotnego odwirowywania i płukania. Zastosowany sposób przedstawia się następująco.
Stechiometryczną ilość metalicznego indu roztwarza się w stężonym kwasie azotowym, a następnie nadmiar kwasu odparowuje się. Pozostały azotan indu roztwarza się w wodzie dejonizowanej. W tym samym czasie stechiometryczne iloś ci kwasu cytrynowego, glikolu etylowego i wody miesza się ultradźwiękami do czasu uzyskania jednorodnej, transparentnej, bezbarwnej mieszaniny. W trakcie mieszania do roztworu dodaje się uzyskany wcześniej wodny roztwór azotanu indu oraz stechiometryczną ilość uwodnionego chlorku cynowego. Na tym etapie można dodać również stechiometryczne ilości azotanów bądź chlorków innych metali przejściowych. Mieszaninę pozostawia się w temperaturze 80°C do czasu uformowania się żywicy. Dalej żywice wygrzewa się w temperaturze od 500 do 1400°C przez czas przekraczający 8 godzin. W temperaturze 80°C następuje poliestryfikacja kwasu cytrynowego i glikolu. Jony metali są w tym czasie kompleksowane przez cząsteczki kwasu. Nadmiar wody zostaje odparowany. W procesie wygrzewania w wyniku reakcji egzotermicznej tworzą się tlenki, a jednocześnie następuje dekompozycja termiczna organicznej części żywicy.
W zależ noś ci od temperatury wygrzewania, jonu domieszki, koncentracji i stosunku molowego tlenku indu do tlenku cyny możliwe jest uzyskiwanie nanoproszków ITO o różnych rozmiarach ziaren, różnym składzie stechiometrycznym i różnych właściwościach elektrycznych.
Przedmiot wynalazku przedstawiony został na przykładach wykonania.
P r z y k ł a d I: Drut indowy o masie 0,7578 g roztworzono w niewielkiej iloś ci kwasu azotowego. Nadmiar kwasu odparowano. Uzyskany azotan indu roztworzono w wodzie dejonizowanej. W tym czasie 6,004 g bezwodnego kwasu cytrynowego wymieszano ultradźwiękami z 0,7 ml glikolu etylowego i około 30 ml wody. Do jednorodnej, bezbarwnej mieszaniny dodano 0,3155 g uwodnionego chlorku cynowego (SnCI4xH2O) i uzyskany wcześniej wodny roztwór azotanu indu. Całość poddano mieszaniu ultradźwiękami przez czas około 30 min. Następnie roztwór umieszczono w temperaturze 80°C przez czas około 3 dni. Uformowaną w ten sposób żywicę wygrzano w temperaturze 800°C przez czas 12 h.
P r z y k ł a d II: Drut indowy o masie 0,7578 g roztworzono w niewielkiej ilości kwasu azotowego. Nadmiar kwasu odparowano. Uzyskany azotan indu roztworzono w wodzie dejonizowanej. W tym czasie 13,134 g uwodnionego kwasu cytrynowego (C6H8O7xH2O) wymieszano ultradźwiękami z 0,7 ml glikolu etylowego i około 30 ml wody. Do jednorodnej, bezbarwnej mieszaniny dodano 0,3155 g uwodnionego chlorku cynowego (SnCI4x5H2O) i uzyskany wcześniej wodny roztwór azotanu indu. Całość poddano mieszaniu ultradźwiękami przez czas około 30 min. Następnie roztwór umieszczono w temperaturze 80°C przez czas około 3 dni. Uformowaną w ten sposób żywicę wygrzano w temperaturze 900°C przez czas 8 h.
Materiały wykonane w przedstawionych powyżej przykładach, poddano charakteryzacji przez badanie dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego na nanokryształach otrzymanych proszków (XRD). Badania te potwierdziły strukturę kubiczną otrzymanego materiału, a także pozwoliły na oszacowanie średniego rozmiaru ziaren otrzymanych nanokryształów. Następnie z otrzymanych proszków wykonane zostały pastylki przy użyciu prasy hydraulicznej. Pastylki wykazują skończony opór elektryczny.
Claims (4)
1. Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny, znamienny tym, że w pierwszym etapie procesu otrzymuje się azotan indu przez roztworzenie metalicznego indu w stężonym kwasie azotowym, a nastę pnie w drugim etapie procesu wytworzony uwodniony azotan indu miesza się z uwodnionym chlorkiem cynowym SnCI4x5H2O, bezwodnym bądź uwodnionym kwasem cytrynowym, glikolem etylowym i wodą, w ilościach stechiometrycznych potrzebnych do wytworzenia 1 mola In2-xO3:Snx, do otrzymania jednorodnej bezbarwnej mieszaniny, a następnie mieszaninę poddaje się suszeniu w temperaturze 80°C, do momentu uzyskania żywicy i wygrzewa się w temperaturze 500-1400°C przez czas 8-24 h.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że wytwarza się proszek układu tlenków indu i cyny o ś rednim rozmiarze ziaren zawierającym się w przedziale od 5 do 100 nm.
3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosunek molowy tlenku cyny do tlenku indu zawiera się w przedziale od 2 do 30%.
4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że mieszanie odbywa się za pomocą ultradźwięków.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL380723A PL212786B1 (pl) | 2006-10-01 | 2006-10-01 | Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL380723A PL212786B1 (pl) | 2006-10-01 | 2006-10-01 | Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL380723A1 PL380723A1 (pl) | 2008-04-14 |
| PL212786B1 true PL212786B1 (pl) | 2012-11-30 |
Family
ID=43033758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL380723A PL212786B1 (pl) | 2006-10-01 | 2006-10-01 | Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL212786B1 (pl) |
-
2006
- 2006-10-01 PL PL380723A patent/PL212786B1/pl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL380723A1 (pl) | 2008-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1159211C (zh) | 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法 | |
| Ahmed et al. | Tailoring the optical and physical properties of La doped ZnO nanostructured thin films | |
| CN1182038C (zh) | 合成稀土氢氧化物或氧化物纳米线及其纳米粉体的方法 | |
| Hosono et al. | Ferroelectric BaTaO2N crystals grown in a BaCN2 flux | |
| Pineda-Hernandez et al. | Morphology evolution of hydrothermally grown ZnO nanostructures on gallium doping and their defect structures | |
| EP2451745A1 (en) | Method for producing and treating nanosized doped zinc oxide particles | |
| CN101011747B (zh) | 铜粉的制造方法及铜粉 | |
| JP2011100710A (ja) | 導電性微粒子の製造方法および導電性微粒子 | |
| KR101289044B1 (ko) | 수열합성법에 의한 이종(異種)원소가 도핑된 전도성 산화아연 나노분말 제조방법 | |
| PL212786B1 (pl) | Sposób wytwarzania nanometrycznych proszków układu tlenków indu i cyny | |
| Lavrynenko et al. | Morphology, phase and chemical composition of the nanostructures formed in the systems containing lanthanum, cerium, and silver | |
| WO2011152682A2 (ko) | 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법 | |
| KR101842751B1 (ko) | 산화아연 나노입자의 제조방법 및 이에 따라 제조한 산화아연 나노입자 | |
| JP5486751B2 (ja) | 棒状酸化錫インジウム粉末とその製造方法 | |
| Mahmood et al. | Thermal decomposition of sol-gel derived Zn0. 8Ga0. 2O precursor-gel: A kinetic, thermodynamic, and DFT studies | |
| CN113184908A (zh) | 一种氧化钼纳米线的快速合成方法 | |
| El Sayed | Modification of the micro-structural and optical properties of nanoparticulate Pb-doped magnesia thin films | |
| JP2006103983A (ja) | 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法、及び棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末 | |
| Luo et al. | Synthesis of sodium tungsten bronze via hydrothermal method assisted by citric acid | |
| CN102643092B (zh) | 一种铅基反铁电纳米材料和铅基反铁电陶瓷储能材料的制备 | |
| CN100429151C (zh) | 一种锡酸镧、锡酸铕或复合锡酸盐纳米粉体的合成方法 | |
| CN108706631B (zh) | 一种矩形片状单斜氧化锆的制备方法 | |
| CN103145105A (zh) | 一种金属硒化物纳米晶的制备方法 | |
| JP2003119023A (ja) | Ito粉末の製造方法及びito粉末 | |
| KR100828641B1 (ko) | 금속산화물 나노 분말의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20091001 |