PL199196B1 - Atramentowa głowica drukująca - Google Patents

Abstract

W aska atramentowa g lowica drukuj aca (100) posiada trzy szyki kolumnowe (61) gene- ratorów kropel atramentu (40) skonfigurowane dla kolorowego drukowania przy wielokrotnym przej sciu z rozdzielczo scia majac a odst epy mi edzy kropkami w osi przesuwu no snika dru- ku, mniejsze ni z odst epy miedzy dyszami ko- lumnowymi generatorów kropel atramentu. Glowica drukarki atramentowej korzystnie za- wiera oporniki grzejnikowe (56) o wysokiej oporno sci i wydajne obwody zasilaj ace tranzy- storów polowych FET (85), które s a skonfigu- rowane do skompensowania zmian w oporno sci biernej, wprowadzonej przez scie zki zasilaj ace (86a, 86b, 86c, 86d, 181). PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest atramentowa głowica drukująca. Rozwiązanie to ogólnie dotyczy drukowania za pomocą natrysku atramentowego, a w szczególności dotyczy wąskiej, cienkowarstwowej głowicy drukującej.

Technika drukowania za pomocą natrysku atramentowego jest względnie dobrze rozwinięta. Produkty handlowe, takie jak drukarki komputerowe, plotery graficzne i faksy zostały wykonane w technologii atramentowej dla tworzenia nośników drukowanych. Wkład, firmy Hewlett-Packard do rozwoju technologii natrysku atramentu jest opisany, na przykład, w różnych artykułach w HewlettPackard Journal, tom 36, nr 5 (Maj 1985 r.); tom 39, nr 5 (październik 1988 r.); tom 43, nr 4 (sierpień 1992 r.); tom 43, nr 6 (grudzień 1992.); i tom 45, nr 1 (luty 1994 r.); przy czym wszystkie te artykuły stanowią odnośniki literaturowe do niniejszego zgłoszenia.

Generalnie, obraz natrysku atramentowego jest utworzony stosownie do precyzyjnego umieszczania, na nośniku druku, kropel atramentu emitowanych przez urządzenie generujące krople, znane jako atramentowa głowica drukująca. Typowo, atramentowa głowica drukująca jest umocowana na ruchomej karetce, przesuwającej się nad powierzchnią nośnika druku i ma sterowany wyrzut kropel atramentu w przeznaczonym do tego czasie, stosownie do rozkazów mikrokomputera lub innego sterownika, którego taktowanie wyrzutu kropel atramentu wyznaczone jest zgodnością ze wzorem pikseli drukowanego obrazu.

Typowa atramentowa głowica drukująca Hewlett'a-Packard'a zawiera szyk precyzyjnie ukształtowanych dysz w płytce z otworkami, która jest przymocowana do warstwy zaporowej, która następnie jest przymocowana do cienkowarstwowej struktury fundamentowej, która z kolei wykorzystuje oporniki grzejnikowe wystrzeliwujące atrament i urządzenie do uaktywniania oporników. Atramentowa warstwa zaporowa określa kanały atramentowe, zawierające komory atramentowe rozmieszczone nad współdziałającymi opornikami wystrzeliwującymi atrament, ponadto dysze w płytce z otworkami są współosiowo ułożone ze współdziałającymi komorami atramentowymi. Obszary generatorów kropel atramentowych są utworzone przez komory atramentowe, przez część cienkowarstwowej struktury fundamentowej i część płytki z otworkami, które sąsiadują z komorami atramentowymi.

Cienkowarstwowa struktura fundamentowa typowo składa się z podłoża, takiego jak krzem, na którym utworzone są różne cienkie warstwy, które tworzą cienkowarstwowe oporniki wystrzeliwujące atrament, urządzenie do uaktywniania oporników, a także wzajemne połączenia z polami stykowymi, które są wykonane w celu zapewnienia zewnętrznego elektrycznego połączenia do głowicy drukującej. Atramentowa warstwa zaporowa, typowo wykonana jest z materiału polimerowego, który jest naniesiony jako sucha warstewka na cienkowarstwową strukturę fundamentową, i jest zaprojektowany do tego, by być określony świetlnie i utwardzalny zarówno promieniami ultrafioletowymi (UV) jak i termicznie. W atramentowej głowicy drukującej o konstrukcji z rowkiem zasilającym, atrament jest podawany z jednego lub kilku zbiorników atramentu do różnych komór atramentowych, przez jeden lub kilka rowków zasilających, utworzonych w podłożu.

Przykład fizycznego ustawienia płytki z otworkami, atramentowej warstwy zaporowej i cienkowarstwowej struktury fundamentowej jest zilustrowany na stronie 44 wcześniej cytowanego HewlettPackard Journal z lutego 1994 r. Dalsze przykłady atramentowych głowic drukujących są przytoczone w patentach US 4,719,477 i US 5,317,346, stanowiących odnośniki literaturowe do niniejszego zgłoszenia.

Rozważania dotyczące cienkowarstwowych atramentowych głowic drukujących obejmują problem powiększonego rozmiaru podłoża i/lub zwiększonej kruchości podłoża, przy użyciu większej ilości generatorów kropel atramentowych i/lub rowków zasilających. W związku z powyższym zachodzi potrzeba zastosowania atramentowej głowicy drukującej, która jest zwarta i ma dużą liczbę generatorów kropel atramentu.

Przedmiotem wynalazku jest atramentowa głowica drukująca, zawierająca podłoże głowicy drukującej z wieloma warstwami cienkowarstwowymi, charakteryzująca się tym, że ma trzy, obok siebie położone szyki kolumnowe generatorów kropel, utworzone w podłożu głowicy drukującej i rozciągające się wzdłuż podłużnego obszaru. Każdy szyk kolumnowy generatorów kropel, dostarcza różnego koloru krople, oraz posiada co najmniej 96 generatorów kropel rozmieszczonych w odstępach według podziałki P generatorów kropel. Ponadto szyki kolumnowe generatorów kropel są rozmieszczone w odstę pach wynoszą cych najwyż ej 1060 mikrometrów. Przy czym generatory kropel wytwarzają krople atramentowe, posiadające objętość kropli umożliwiającą drukowanie w wielokrotnym przejściu, o rozdzielczoś ci wynoszą cej mniej niż 1/2P dpi wzdł u ż osi drukowania, równoległ ej do podł u ż nego

PL 199 196 B1 obszaru. Ponadto, trzy szyki kolumnowe obwodów zasilających tranzystory polowe FET utworzone w podło żu głowicy drukującej odpowiednio przyległych do szyków kolumnowych generatorów kropel.

Korzystnie, podziałka P mieści się w zakresie od 0,085 mm (1/300 cala) do 0,042 mm (1/600 cala).

Korzystnie, generatory kropel są skonfigurowane do emitowania kropel mających pojemność kropli w zakresie od 3 do 7 pikolitrów. Każdy z generatorów kropel zawiera oporniki grzejnikowe posiadające oporność wynoszącą co najmniej 100 omów.

Głowica drukująca ponadto zawiera szyny uziemiające zachodzące na aktywne obszary obwodów zasilających tranzystorów polowych FET.

Każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma oporność włączenia, która jest mniejsza niż (250.000 omówmikrometr²)/A, gdzie A jest obszarem takiego obwodu zasilającego tranzystor polowy FET w mikrometrach². Każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma bramkę tlenkową o grubości wynoszącej najwyżej 0,08 μτπ (800 Angstremów). Każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma bramkę o długości wynoszącej mniej niż 4 mikrometry.

Głowica drukująca posiada każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET o oporności włączenia wynoszącej najwyżej 14 omów. Każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma oporność włączenia wynoszącą najwyżej 16 omów.

Głowica drukująca ponadto zawiera ścieżki zasilające, zaś obwody zasilające tranzystora polowego FET są skonfigurowane do skompensowania oporności pasożytniczej tych ścieżek zasilających.

Poszczególne oporności włączenia obwodów FET są dobrane do skompensowania zmian oporności pasożytniczej posiadanej przez ścieżki zasilające. Wielkość każdego z obwodów FET jest dobrana do ustawienia oporności włączenia.

Korzystnie, każdy z obwodów FET zawiera elektrody spustowe, obszary spustowe, styki spustowe elektrycznie łączące elektrody spustowe z obszarami spustowymi, elektrody źródłowe, obszary źródłowe, styki źródłowe elektrycznie łączące elektrody źródłowe z obszarami źródłowymi, przy czym obszary spustowe są skonfigurowane do ustawienia oporności włączenia każdego z obwodów FET, w celu skompensowania zmiany oporności pasożytniczej posiadanej przez ścieżki zasilające. Obszary spustowe obejmują wydłużone obszary spustowe, z których każdy zawiera stale nie stykający się segment posiadający długość, która jest dobrana do nastawienia oporności włączenia.

Korzystnie, każdy z szyków kolumnowych obwodów zasilających tranzystorów polowych FET zawarty jest w obszarze mającym szerokość wynoszącą najwyżej 220 mikrometrów.

Każdy z szyków kolumnowych obwodów zasilających tranzystorów polowych FET zawarty jest w obszarze mającym szerokość wynoszącą najwyżej 350 mikrometrów.

Podłoże głowicy drukującej ma długość LS i szerokość WS, gdzie stosunek LS/WS jest większy niż 2,7. Korzystnie, WS wynosi około 4200 mikrometrów, a w najkorzystniejszym rozwiązaniu WS wynosi około 3400 mikrometrów.

Korzyści i właściwości przedmiotowego wynalazku bez trudu będą dostrzegalne przez fachowców w tej dziedzinie, po zapoznaniu się z następującym szczegółowym opisem, w połączeniu z rysunkiem.

Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym: fig. 1 jest nie skalowanym, schematycznym rzutem poziomym ilustrującym układ rozmieszczenia generatorów kropel atramentu i ścieżek doboru podstawowego atramentowej głowicy drukującej, wykorzystującej wynalazek, fig. 2 jest nie skalowanym, schematycznym rzutem poziomym ilustrującym układ rozmieszczenia generatorów kropel atramentu i szyn uziemiających atramentowej głowicy drukującej z fig. 1, fig. 3 jest schematycznym, z częściowym wyrwaniem, perspektywicznym widokiem atramentowej głowicy drukującej z fig. 1, fig. 4 jest nie skalowanym, schematycznym rzutem poziomym, z częściowym wyrwaniem, ilustrującym atramentową głowicę drukującą z fig. 1, fig. 5 jest schematycznym przedstawieniem uogólnionych warstw cienkowarstwowej struktury fundamentowej głowicy drukującej z fig. 1, fig. 6 jest widokiem częściowego wyrwania rzutu poziomego, ogólnie ilustrującego układ rozmieszczenia reprezentatywnego szyku obwodu zasilającego tranzystora polowego (FET) i szyny uziemiającej głowicy drukującej z fig. 1, fig. 7 jest schematem elektrycznym, przedstawiającym połączenia elektryczne opornika grzejnikowego i obwodu zasilającego tranzystora polowego (FET) głowicy drukującej z fig. 1, fig. 8 jest schematycznym, rzutem poziomym reprezentatywnych ścieżek doboru podstawowego głowicy drukującej z fig. 1, fig. 9 jest schematycznym, rzutem poziomym obrazującym wykonanie obwodu zasilającego tranzystora polowego (FET) i szyny uziemiającej głowicy drukującej z fig. 1, fig. 10 jest schematycznym, widokiem pionowego przekroju obwodu zasilającego tranzystora polowego (FET) z fig. 9, fig. 11 jest nie skalowanym, schematycznym, perspektywicznym widokiem drukarki, w której może być zastosowana głowica drukująca według wynalazku.

PL 199 196 B1

W nastę pują cym poniż ej szczegół owym opisie, jak i na poszczególnych figurach rysunku, te same elementy są oznaczone tymi samymi odnośnikami liczbowymi.

Na fig. 1 - fig. 4, schematycznie przedstawiono nie skalowane, schematyczne, poziome i perspektywiczne rzuty atramentowej głowicy drukującej 100, w której wynalazek może być zastosowany i która zwykle zawiera (a) cienkowarstwową strukturę fundamentową 11 lub płytkę półprzewodnikową, zawierającą podłoże, takie jak krzem i mającą różne cienkie warstwy utworzone na niej, (b) atramentową warstwę zaporową 12 rozmieszczoną na cienkowarstwowej strukturze fundamentowej 11, i (c) płytkę 13 z otworkami lub dyszami warstwowo przymocowaną na wierzchu atramentowej zapory 12.

Cienkowarstwowa struktura fundamentowa 11 zawiera płytkę półprzewodnikową z obwodem scalonym, która jest utworzona, na przykład zgodnie z konwencjonalnymi technikami obwodów scalonych i jak schematycznie przedstawiono na fig. 5, zwykle zawiera podłoże krzemowe 111a, bramkę tranzystora polowego (FET), warstwę dielektryczną 111b, warstwę opornikową 111c i pierwszą warstwę metalizowaną 111d. Urządzenia aktywne, takie jak obwody zasilające tranzystorów polowych (FET) opisane bardziej szczegółowo w niniejszym zgłoszeniu, utworzone są w górnej części podłoża krzemowego 111a, w bramce tranzystora polowego (FET) i w warstwie dielektrycznej 111b, która zawiera bramkową warstwę tlenkową oraz bramki polikrzemowe, przy czym dielektryczna warstwa przylega do warstwy opornikowej 111c. Cienkowarstwowe oporniki grzejnikowe 56, utworzone są przez indywidualne, wzajemne modelowanie warstwy opornikowej 111c i pierwszej warstwy metalizowanej 111d. Następnie, cienkowarstwowa struktura fundamentowa zawiera kompozytową warstwę pasywacyjną 111e, zawierającą na przykład warstwę azotkowo krzemową i warstwę węglikowo krzemową (karborundową) oraz warstwę tantalową pasywującą mechanicznie 111f, która przynajmniej pokrywa oporniki grzejnikowe 56. Złota warstwa przewodząca 111g pokrywa tantalową warstwę 111f.

Atramentowa warstwa zaporowa 12 utworzona jest z suchej warstewki, która jest na gorąco i pod ciśnieniem naniesiona na cienkowarstwową strukturę fundamentową 11 i jest określona świetlnie by utworzyć w niej atramentowe komory 19 rozmieszczone nad grzejnikowymi opornikami 56 i atramentowymi kanałami 29. Złote pola stykowe 74, umożliwiające podłączenie zewnętrznych elektrycznych połączeń, utworzone są w złotej warstwie we wzdłużnie oddalonych, przeciwległych końcach cienkowarstwowej struktury fundamentowej 11 i nie są pokryte przez atramentową warstwę zaporową 12. Przykładowo, materiał warstwy zaporowej zawiera suchą warstewkę fotopolimeru na bazie akrylanu, takiego jak produkt o nazwie Parad, który jest suchą warstewką fotopolimerową, dostępną do nabycia z E.I. duPont de Nemours and Company z Wilmington, Delaware. Podobne suche warstewki zawierają inne produkty duPont'a, takie jak sucha warstewka o nazwie Riston, czy też suche warstewki wytwarzane przez innych dostawców substancji chemicznych. Płytka z otworkami 13 zawiera, na przykład, płaskie podłoże składające się z materiału polimerowego, w którym otworki ukształtowane są za pomocą wypalenia laserem, na przykład jak ujawniono w patencie US 5,469,199, stanowiącym odnośnik literaturowy do niniejszego zgłoszenia. Płytka z otworkami, także może zawierać metal powlekany galwanicznie, taki jak nikiel.

Jak przedstawiono na fig. 3, komory atramentowe 19 w atramentowej warstwie zaporowej 12, najczęściej są rozmieszczone nad poszczególnymi opornikami grzejnikowymi wystrzeliwującymi atrament 56, i każda komora atramentowa 19 jest określona przez wzajemnie połączone krawędzie lub ściany otworu komory, ukształtowanego w warstwie zaporowej 12. Kanały atramentowe 29 są określone przez dalsze otwory ukształtowane w warstwie zaporowej 12 i są integralnie połączone z poszczególnymi komorami wystrzeliwującymi atrament 19. Kanały atramentowe 29 otwarte są w kierunku krawędzi zasilającej przyległej do rowka zasilającego w atrament 71 i otrzymują atrament z tego rowka.

Płytka z otworkami 13 zawiera otworki lub dysze 21 rozmieszczone nad poszczególnymi komorami atramentowymi 19, w taki sposób, że każdy opornik grzejnikowy wystrzeliwujący atrament 56, współdziałająca z nim komora atramentowa 19 i odnośne otwory 21 szeregowane są i tworzą generator kropel atramentu 40. Każdy z oporników grzejnikowych posiada nominalną oporność przynajmniej 100 omów, na przykład około 120 lub 130 omów, i może zawierać opornik podzielony na segmenty, jak pokazano na fig. 9, gdzie opornik grzejnikowy 56 składa się z dwóch obszarów opornikowych 56a, 56b, połączonych za pomocą obszaru metalizowanego 59. Taka struktura opornika zapewnia opór większy niż pojedynczy obszar opornikowy, o takiej samej powierzchni.

Chociaż ujawnione głowice drukujące, opisane są jako mające warstwę zaporową i oddzielną płytkę z otworkami, to na szczególną uwagę zasługuje fakt, że głowice drukujące mogą być wykonane z jednolitej struktury zaporowo/dziurkowanej, która może być wykonana, na przykład, przy uż yciu poPL 199 196 B1 jedynczej warstwy fotopolimerowej, która jest poddawana procesowi kształtowania przez wielokrotne naświetlanie.

Generatory kropel atramentu 40 rozmieszczane są w kolumnowych szykach lub grupach 61, leżących wzdłuż osi odniesienia L, i są rozmieszczone poprzecznie w odstępie lub poprzecznie względem osi odniesienia L. Oporniki grzejnikowe 56 z każdej grupy generatorów kropel atramentu zwykle uszeregowane są wzdłuż osi odniesienia L i mają z góry ustalone rozstawienie środków lub dysz według podziałki P wzdłuż osi odniesienia L. Podziałka P rozstawienia dysz może wynosić 0,042 mm (1/600 cala) lub więcej, np. wynosić 0,084 mm (1/300 cala). Każdy szyk kolumnowy 61 generatorów kropel atramentu zawiera na przykład 96 lub więcej generatorów kropel atramentu (tj. przynajmniej 96 generatorów kropel atramentu).

Przykładowo dla zobrazowania, cienkowarstwowa struktura fundamentowa 11 może być prostokątna, w której jej przeciwległe krawędzie 51, 52 są podłużnymi krawędziami o długości LS, podczas gdy wzdłużnie rozmieszczone przeciwległe krawędzie boczne 53, 54 są równe jego szerokości lub bocznemu wymiarowi WS, który jest mniejszy niż długość LS cienkowarstwowej struktury fundamentowej 11. Podłużna rozpiętość cienkowarstwowej struktury fundamentowej 11 jest równa krawędziom 51, 52, które mogą być równoległe do osi odniesienia L. W praktyce, oś odniesienia L może być ustawiona, z czym zwykle mamy do czynienia, zgodnie z osią przesuwania się nośnika. Dla wygody, wzdłużnie rozdzielone końce cienkowarstwowej struktury fundamentowej także będą oznaczone odnośnikami 53, 54 użytymi do odniesienia się do krawędzi na tych końcach.

Chociaż generatory kropel atramentu 40 każdego szyku kolumnowego 61 generatorów kropel atramentu są zilustrowane jako będące zasadniczo współliniowymi, to na szczególną uwagę zasługuje fakt, że niektóre generatory kropel atramentu 40 szyku generatorów kropel atramentu mogą być nieznacznie poza linią środkową kolumny, na przykład dla skompensowania opóźnienia wystrzeliwania.

O ile każdy z generatorów kropel atramentu 40 zawiera oporniki grzejnikowe 56, to oporniki grzejnikowe są odpowiednio rozmieszczone w grupach kolumnowych lub szykach, które odpowiadają kolumnowym szykom generatorów kropel atramentu. Dla wygody, szyki lub grupy oporników grzejnikowych będą odnosiły się do tych samych odnośników liczbowych 61.

Cienkowarstwowa struktura fundamentowa 11 głowicy drukującej 100 z fig. 1 - fig. 4 szczególnie zawiera trzy rowki zasilające w atrament 71, które są usytuowane zgodnie z osią odniesienia L, i są rozmieszczone poprzecznie w odstępie i względem osi odniesienia L. Rowki zasilające w atrament 71 odpowiednio zasilają trzy grupy 61 generatorów kropel atramentu i za pomocą przykładu ilustrującego to, są umieszczone po tej samej stronie co grupy generatorów kropel atramentu, które je zasilają. W ten sposób, każdy rowek zasilający w atrament 71 zasila w atrament całą pojedynczą krawędź zasilającą. Za pomocą charakterystycznego przykładu pokazano, że każdy z rowków zasilających w atrament zasila w atrament o innym kolorze niż kolor atramentu dostarczonego przez inne rowki zasilające w atrament, takim jak niebiesko-zielony, żółty i purpurowy.

Podziałka lub rozstaw CP, między szykami kolumnowymi generatorów kropel atramentu jest mniejsza lub równa 1060 mikrometrów ^m) (tj. najwyżej 1060 μm). Dysze z wszystkich kolumn, zasadniczo mogą być usytuowane w takich samych położeniach wzdłuż osi odniesienia L, dzięki czemu poprzecznie odpowiadające sobie dysze, leżące w kolumnach zasadniczo są współliniowe.

Podziałka P odstępów między dyszami i objętość kropli atramentu, generowanej przez generatory kropel atramentu są korzystnie skonfigurowane, aby umożliwić drukowanie w wielokrotnym przejściu, które zapewnia odstępy między kroplami mniejsze niż wielkość podziałki P odstępów między dyszami, która jest z zakresu 0,084 mm (1/300 cala) do 0,042 mm (1/600 cala). Objętość kropli może być w zakresie 3 do 7 piko litrów dla atramentu na bazie barwnika farbującego (jako szczególny przykład około 5 piko litrów). Ponadto odstępy między kroplami wzdłuż osi nośnika, która jest równoległa do osi odniesienia L może mieścić się w zakresie od 0,021 mm (1/1200 cala) do 0,01 mm (1/2400 cala), który odpowiada zakresowi rozdzielczości kropel od 1200 dpi do 2400 dpi. Odpowiednio do podziałki dysz, odpowiadają zakresy odstępów druku kropel od 1/4 do 1/8 podziałki rozstawienia dysz dla podziałki wynoszącej 0,084 mm (1/300 cala) lub dla odstępów kropel od 1/2 do 1/4 podziałki rozstawienia dysz dla podziałki wynoszącej 0,042 mm (1/600 cala). Kolejnym przykładem może być to, że odstępy druku kropel wzdłuż osi przeszukiwania, która jest prostopadła do osi odniesienia L mogą mieścić się w zakresie od 0,042 mm (1/600 cala) do 0,021 mm (1/1200 cala), który odpowiada zakresowi rozdzielczości druku od 600 dpi do 1200 dpi wzdłuż osi przeszukiwania.

Korzystnie dla wykonania posiadającego trzy szyki kolumnowe 61, każdy mający przynajmniej 96 generatorów kropel atramentu, posiadających podziałkę odstępów między dyszami P, wynoszącą

PL 199 196 B1

0,084 mm (1/300 cala), jako obrazujący przykład, długość LS cienkowarstwowej struktury fundamentowej 11, może wynosić około 11500 μm, a szerokość cienkowarstwowej struktury fundamentowej może wynosić około 4200 μm. Kolejnym przykładem jest szerokość WS cienkowarstwowej struktury fundamentowej może wynosić około 3400 μ^ι. Zwykle, stosunek długości do szerokości (tj. LS/WS) cienkowarstwowej struktury fundamentowej może wynosić więcej niż 2,7.

Odpowiednio sąsiadujące i współdziałające z kolumnowymi szykami 61 generatorów kropel atramentu 40 są szyki kolumnowe 81 obwodów zasilających tranzystorów polowych FET, ukształtowane w cienkowarstwowej strukturze fundamentowej 11 głowic drukujących 100A, 100B, pokazanych schematycznie na fig. 6 dla reprezentatywnego kolumnowego szyku 61 generatorów kropel atramentu. Każdy szyk 81 obwodów zasilających tranzystorów polowych FET zawiera wiele obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85, mających elektrody spustowe odpowiednio podłączone do poszczególnych oporników grzejnikowych 56, za pomocą wyprowadzeń oporników grzejnikowych 57a. Współdziałająca z każdym szykiem 81 obwodów zasilających tranzystorów polowych FET i współdziałająca z szykiem generatorów kropel atramentu jest kolumnowa szyna uziemiająca 181, do której elektrody źródłowe wszystkich obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 współdziałającego szyku obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 81 są elektrycznie połączone. Każdy kolumnowy szyk 81 obwodów zasilających tranzystorów polowych FET i współdziałająca z nim szyna uziemiająca 181 leży wzdłuż współdziałającego szyku kolumnowego 61 generatorów kropel atramentu i przynajmniej podłużnie mają równy obszar ze współdziałającym szykiem kolumnowym 61. Każda szyna uziemiająca 181 jest elektrycznie połączona do przynajmniej jednego pola stykowego 74 na jednym końcu konstrukcji głowicy drukującej i do przynajmniej jednego pola stykowego 74 na drugim końcu konstrukcji głowicy drukującej, jak schematycznie przedstawiono na fig. 1 i fig. 2.

Szyna uziemiająca 181 i wyprowadzenia oporników grzejnikowych 57a są utworzone w warstwie metalizowanej 111d (fig. 5) cienkowarstwowej struktury fundamentowej 11, tak samo jak wyprowadzenia oporników grzejnikowych 57b, i elektrody spustowe i źródłowe obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85, opisanych poniżej w niniejszym zgłoszeniu.

Obwody zasilające tranzystory polowe FET 85 każdego szyku kolumnowego obwodów zasilających tranzystorów polowych FET są sterowane przez współdziałający szyk kolumnowy 31 obwodów logicznych dekodera 35, które dekodują informację adresową na przyległej szynie adresowej 33, która jest połączona z odpowiednimi polami stykowymi 74 (fig. 6). Informacja adresowa identyfikuje generatory kropel atramentu, które będą zasilone energią wystrzeliwania atramentu, jak omówiono poniżej w niniejszym zgłoszeniu, i jest wykorzystywana przez obwody logiczne dekodera 35, do włączania obwodu zasilającego tranzystor polowy FET, zaadresowanego czy wybranego generatora kropel atramentu.

Jak schematycznie przedstawiono na fig. 7, jedna końcówka każdego opornika grzejnikowego 56 jest połączona przez ścieżkę wyboru podstawowego z polem stykowym 74, które otrzymuje sygnał PS wyboru podstawowego wystrzeliwania atramentu. W ten sposób, ponieważ inna końcówka każdego opornika grzejnikowego 56 jest połączona z końcówką spustową współdziałającego obwodu zasilającego tranzystora polowego FET 85, energia PS wystrzeliwująca atrament jest dostarczona do opornika grzejnikowego 56, jeśli współdziałający obwód zasilający tranzystora polowego FET jest włączony, przez współdziałający obwód logiczny dekodera 35, który nim steruje.

Jak schematycznie przedstawiono na fig. 8 dla reprezentatywnego szyku kolumnowego 61 generatorów kropel atramentu, generatory kropel atramentu szyku kolumnowego 61 generatorów kropel atramentu mogą być pogrupowane w cztery podstawowe grupy 61a, 61b, 61c, 61d sąsiadujących, przyległych generatorów kropel atramentu, i oporniki grzejnikowe 56 poszczególnych podstawowych grup są elektrycznie połączone z tą samą, jedną z czterech ścieżek wyboru podstawowego 86a, 86b, 86c, 86d, tak że generatory kropel atramentu poszczególnej grupy podstawowej są naprzemian połączone równolegle z tym samym sygnałem PS wyboru podstawowego wystrzeliwania atramentu. Dla charakterystycznego przykładu, w którym liczba N generatorów kropel atramentu w szyku kolumnowym jest całkowitą wielokrotnością liczby 4, to każda grupa podstawowa zawiera N/4 generatorów kropel atramentu. Przykładowo, grupy podstawowe 61a, 61b, 61c, 61d są rozmieszczone w kolejności od bocznej krawędzi 53 w kierunku bocznej krawędzi 54.

Figura 8 bardziej szczegółowo pokazuje schematyczny rzut poziomy ścieżek wyboru podstawowego 86a, 86b, 86c, 86d dla współdziałającego szyku kolumnowego 61 generatorów kropel i współdziałającego szyku kolumnowego 81 obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 (fig. 6), jak na przykład wykonano za pomocą ścieżek w pozłacanej warstwie 111g (fig. 5), która znajduje się nad innymi warstwami i dielektrycznie jest oddzielona od współdziałającego szyku 81 obwoPL 199 196 B1 dów zasilających tranzystorów polowych FET i szyny uziemiającej 181. Ścieżki wyboru podstawowego 86a, 86b, 86c, 86d są odpowiednio elektrycznie połączone z czterema podstawowymi grupami 61a, 61b, 61c, 61d przez wyprowadzenia opornikowe 57b (fig. 8) utworzone w warstwie metalizowanej 111d i łączą się wzajemnie przez styki 58 (fig. 9), które rozciągają się pomiędzy ścieżkami wyboru podstawowego i wyprowadzeniami opornikowymi 57b.

Pierwsza ścieżka wyboru podstawowego 86a rozciąga się podłużnie, wzdłuż pierwszej grupy podstawowej 61a i pokrywa część wyprowadzeń oporników grzejnikowych 57b (fig. 9), które odpowiednio są połączone z opornikami grzejnikowymi 56 pierwszej grupy podstawowej 61a, i jest połączona przez styki 58 (fig. 9) z tymi wyprowadzeniami oporników grzejnikowych 57b. Druga ścieżka wyboru podstawowego 86b zawiera sekcję, która rozciąga się wzdłuż drugiej grupy podstawowej 61b i pokrywa część wyprowadzeń oporników grzejnikowych 57b (fig. 9), które odpowiednio są połączone z opornikami grzejnikowymi 56 drugiej grupy podstawowej 61b i jest połączona przez styki 58 z tymi wyprowadzeniami oporników grzejnikowych 57b. Druga ścieżka 86b zawiera dalszą sekcję, która rozciąga się wzdłuż pierwszej ścieżki wyboru podstawowego 86a po stronie pierwszej ścieżki wyboru podstawowego 86a, która leży naprzeciwko oporników grzejnikowych 56 pierwszej grupy podstawowej 61a. Druga ścieżka wyboru podstawowego 86b ma ogólny kształt litery L, w której druga sekcja jest węższa niż pierwsza sekcja, aby przejść obok pierwszej ścieżki wyboru podstawowego 86a, która jest węższa niż szersza sekcja drugiej ścieżki wyboru podstawowego 86b.

Pierwsza i druga ścieżka wyboru podstawowego 86a, 86b generalnie są przynajmniej o równym obszarze wzdłużnym z pierwszą i drugą grupą podstawową 61a, 61b, i są odpowiednio połączone z poszczególnymi polami stykowymi 74, rozmieszczonymi na krawędzi bocznej 53, która znajduje się najbliżej pierwszej i drugiej ścieżki wyboru podstawowego 86a, 86b.

Czwarta ścieżka wyboru podstawowego 86d rozciąga się podłużnie, wzdłuż czwartej grupy podstawowej 61d i pokrywa część wyprowadzeń oporników grzejnikowych 57b (fig. 9), które są połączone z opornikami grzejnikowymi 56 czwartej grupy podstawowej 61d, i jest połączona przez styki 58 z wyprowadzeniami oporników grzejnikowych 57b. Trzecia ścieżka wyboru podstawowego 86c zawiera sekcję, która rozciąga się wzdłuż trzeciej grupy podstawowej 61c i pokrywa część wyprowadzeń oporników grzejnikowych 57b (fig. 9), które są połączone z opornikami grzejnikowymi 56 trzeciej grupy podstawowej 61c, i jest połączona przez styki 58 z wyprowadzeniami oporników grzejnikowych 57b. Trzecia ścieżka wyboru podstawowego 86c zawiera dalszą sekcję, która rozciąga się wzdłuż czwartej ścieżki wyboru podstawowego 86d. Trzecia ścieżka wyboru podstawowego 86c generalnie ma kształt litery L, w której druga sekcja jest węższa niż pierwsza sekcja, aby mogła obejść czwartą ścieżkę wyboru podstawowego 86d, która jest węższa niż szersza sekcja trzeciej ścieżki wyboru podstawowego 86c.

Trzecia i czwarta ścieżka wyboru podstawowego 86c, 86d generalnie są co najmniej o równym podłużnym obszarze z trzecią i czwartą grupą podstawową 61c, 61d, i są odpowiednio stosownie połączone z poszczególnymi polami stykowymi 74 rozmieszczonymi w bocznej krawędzi 54, która znajduje się najbliżej trzeciej i czwartej ścieżki wyboru podstawowego 86c, 86d.

W charakterystycznym przykładzie wykonania, ścieżki wyboru podstawowego 86a, 86b, 86c, 86d dla szyku kolumnowego 61 generatorów kropel atramentu przykrywają obwody zasilające tranzystory polowe FET i szynę uziemiającą, współdziałającą z szykiem kolumnowym generatorów kropel atramentu i są zawarte w obszarze, który podłużnie posiada równy obszar ze współdziałającym szykiem kolumnowym 61. W ten sposób, cztery ścieżki wyboru podstawowego dla czterech podstawowych szyków kolumnowych 61 generatorów kropel atramentu rozciągają się wzdłuż szyku, w kierunku końców podłoża głowicy drukującej. Korzystnie, pierwsza para ścieżek wyboru podstawowego dla pierwszej pary grup podstawowych 61a, 61b rozmieszczona jest w jednej połowie długości podłoża głowicy drukującej, która zawarta jest w obszarze, który rozciąga się wzdłuż tej pierwszej pary grup podstawowych, podczas gdy druga para ścieżek wyboru podstawowego dla drugiej pary grup podstawowych 61c, 61d rozmieszczona jest w drugiej połowie długości podłoża głowicy drukującej, która zawarta jest w obszarze rozciągającym się wzdłuż tej drugiej pary grup podstawowych.

Dla uproszczenia przykładu, ścieżki wyboru podstawowego 86 i współdziałająca z nimi szyna uziemiająca, które elektrycznie łączą oporniki grzejnikowe 56 i współdziałające z nimi obwody zasilające tranzystory polowe FET 85 z polami stykowymi 74, zbiorowo traktowane są jako ścieżki zasilające. Także dla uproszczenia przykładu, ścieżki wyboru podstawowego 86 mogą być traktowane jako strona napięciowa lub nie-uziemione ścieżki zasilające.

Ogólnie, oporność pasożytnicza (lub oporność włączenia) każdego z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 jest skonfigurowana dla skompensowania odchyleń w oporności paso8

PL 199 196 B1 żytniczej, związanej z różnymi obwodami zasilającymi tranzystorów polowych FET 85, przez ścieżkę uboczną utworzoną przez ścieżki zasilające, tak ażeby zmniejszyć odchylenia w dostarczonej do oporników grzejnikowych energii. W szczególności, ścieżki zasilające tworzą ścieżkę uboczną, która wprowadza oporność pasożytniczą do obwodów tranzystorów polowych FET, która zmienia się wraz z ich położeniem na ścieżce, przy czym oporność pasożytnicza każdego z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 jest dobrana tak, że kombinacja oporności pasożytniczej każdego z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 i oporności pasożytniczej ścieżek zasilających, jaka wprowadzona została do obwodu zasilającego tranzystora polowego FET, jedynie nieznacznie różni jeden generator kropel atramentu od innego. O ile, wszystkie oporniki grzejnikowe 56 mają zasadniczo taką samą oporność, to oporność pasożytnicza każdego z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 jest tak skonfigurowana by skompensować odchylenia oporności pasożytniczej współdziałających ścieżek zasilających, które wprowadzone zostały do różnych obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85. A zatem, jeśli zasadniczo równe energie dostarczone są do pól stykowych połączonych ze ścieżkami zasilającymi, to zasadniczo równe energie mogą być dostarczane do różnych oporników grzejnikowych 56.

Odnosząc się bardziej szczegółowo do fig. 9 i fig. 10, każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 zawiera wiele elektrycznie połączonych palców elektrody spustowej 87, rozmieszczonych nad palcami obszaru spustowego 89, utworzonego w podłożu krzemowym 111a (fig. 5) i wiele elektrycznie połączonych palców elektrody źródłowej 97, zazębionych lub poprzeplatanych z elektrodami spustowymi 87 i rozmieszczonych nad palcami obszaru źródłowego 99, utworzonego w podłożu krzemowym 111a. Palce bramki polikrzemowej 91, które są wzajemnie połączone na poszczególnych końcach, rozmieszczone są na cienkiej tlenkowej warstwie bramkowej 93 utworzonej na podłożu krzemowym 111a. Warstwa szkliwa fosforowo-krzemowego 95 oddziela elektrody spustowe i elektrody źródłowe 97 od podłoża krzemowego 111a. Wiele przewodzących styków spustowych elektrycznie łączy elektrody spustowe 87 z obszarami spustowymi 89, podczas gdy wiele przewodzących styków źródłowych 98 elektrycznie łączy elektrody źródłowe 97 z obszarami źródłowymi 99.

Obszar zajęty przez każdy obwód zasilający tranzystora polowego FET jest korzystnie mały, i oporność włączenia każdego obwodu zasilającego tranzystor polowy FET jest korzystnie niska, na przykład mniejsza lub równa 14 omów lub 16 omów (tj. najwyżej 14 omów lub 16 omów), co wymaga wydajnych obwodów zasilających tranzystorów polowych FET. Na przykład, oporność włączenia Ron może odnosić się do obszaru A obwodu zasilającego tranzystor polowy FET jak następuje:

Ron < (250.000 omów • mikrometry²)/A gdzie, obszar A jest podany w mikrometrach² ^m²). Na przykład, może to być spełnione dla tlenkowej warstwy bramkowej 93, mającej grubość mniejszą lub równą 0,08 μm (czyli najwyżej 0,08 μm /800 angstremów/), lub mającą długość bramki mniejszą niż 4 μ^ι. A także, mającą oporność opornika grzejnikowego przynajmniej 100 omów, pozwalając na wykonanie mniejszych obwodów tranzystorów polowych FET, jeśli oporniki grzejnikowe mają niższą oporność, ponieważ z większą wartością opornika grzejnikowego, tolerowana może być większa oporność włączenia tranzystora polowego FET, biorąc pod uwagę dystrybucję energii pomiędzy opornikami pasożytniczymi i opornikami grzejnikowymi.

W szczególnym przypadku, elektrody spustowe 87, obszary spustowe 89, elektrody źródłowe 97, obszary źródłowe 99, i polikrzemowe palce bramkowe 91 mogą zasadniczo rozciągać się prostopadle lub poprzecznie do osi odniesienia L i do podłużnego obszaru szyn uziemiających 181. Także, dla każdego obwodu FET 85, obszar obszarów spustowych 89 i obszarów źródłowych 99, branych poprzecznie do osi odniesienia L jest taki sam, jak obszar palców bramki, brany poprzecznie do osi odniesienia L, jak pokazano na fig. 6, który definiuje obszar obszarów aktywnych, brany poprzecznie do osi odniesienia L. Dla uproszczenia przykładu, obszar palców elektrody spustowej 87, palców obszaru spustowego 89, palców elektrody źródłowej 97, palców obszaru źródłowego 99 i polikrzemowych palców bramkowych 91 może być traktowany jako podłużny obszar tych elementów, o ile te elementy są długie i wąskie na podobieństwo pasków lub palców.

W ilustracyjnym przykładzie wykonania, oporność włączenia każdego z obwodów FET 85 jest indywidualnie skonfigurowana przez sterowanie podłużnego obszaru lub długości, stale nie stykającego się segmentu palców obszaru spustowego, gdzie stale nie stykający się segment jest pozbawiony elektrycznych styków 88. Dla przykładu, stale nie stykające się segmenty palców obszaru spustowego mogą zaczynać się przy końcach obszarów spustowych 89, które są najdalej położone od opornika grzejnikowego 56. Oporność włączenia poszczególnego obwodu FET 85 wzrasta wraz ze wzrostem

PL 199 196 B1 długości stale nie stykającego się segmentu palców obszaru spustowego, przy czym dobrana jest taka długość ażeby wyznaczyć oporność włączenia poszczególnego obwodu FET.

Jako inny przykład, oporność włączenia każdego obwodu FET 85 może być skonfigurowana przez wybieranie wielkości obwodu FET. Na przykład, zasięg obwodu FET brany poprzecznie względem osi odniesienia L może być wybrany do określenia oporności włączenia.

Dla typowego wykonania, w którym ścieżki zasilające dla poszczególnego obwodu FET 85 są celowo wyznaczone przez bezpośrednie ścieżki do pól stykowych 74, na najbliższych podłużnie oddalonych końcach struktury głowicy drukującej, oporność pasożytnicza wzrasta wraz z odległością od najbliższego końca głowicy drukującej i oporność włączenia obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85 zmniejsza się (powodując wzrost efektywności obwodu FET) wraz z odległością od takiego najbliższego końca, tak by skompensować wzrost oporności pasożytniczej w ścieżce zasilającej. W charakterystycznym przykładzie, stale nie stykających się palcowych segmentów spustowych poszczególnych obwodów zasilających FET 85, które zaczynają się przy końcach palców obszaru spustowego i które są najdalej położone od oporników grzejnikowych 56, długości takich segmentów zmniejszają się wraz z odległością od najbliższego, jednego z podłużnie oddalonych końców struktury głowicy drukującej.

Każda szyna uziemiająca 181 jest utworzona z tej samej cienkiej warstwy metalizowanej jak elektrody spustowe 87 i elektrody źródłowe 97 obwodów tranzystorów polowych FET 85, zaś aktywne obszary każdego z obwodów FET składają się z obszarów źródłowych i spustowych 89, 99 oraz bramek polikrzemowych 91, korzystnie rozciągających się poniżej współdziałającej szyny uziemiającej 181. Pozwala to, na zajmowanie przez szynę uziemiającą i szyki obwodów FET węższych obszarów, które następnie pozwalają na wykonanie węższej, a więc i mniej kosztownej, cienkowarstwowej struktury fundamentowej.

Także, w wykonaniu w którym stale nie stykające się segmenty palców obszaru spustowego zaczynają się przy końcach palców obszaru spustowego, które są najdalej położone od oporników grzejnikowych 56, zasięg każdej z szyn uziemiających 181 brany poprzecznie lub obocznie względem osi odniesienia L i w kierunku współdziałających oporników grzejnikowych 56 może być powiększony tak, jak zwiększona jest długość sekcji stale nie stykających się palców spustowych, ponieważ elektrody spustowe nie potrzebują być rozciągnięte nad takimi sekcjami stale nie stykających się palców spustowych. Inaczej mówiąc, szerokość W szyny uziemiającej 181 może być zwiększona przez zwiększenie stopnia zachodzenia, za pomocą której szyna uziemiająca pokrywa aktywne obszary obwodów zasilających FET 85, zależnie od długości stale nie stykających się segmentów obszarów spustowych. Osiągnięto to bez zwiększenia szerokości obszaru zajętego przez szynę uziemiającą 181 i współdziałający szyk obwodu zasilającego tranzystor polowy FET 81, ponieważ wzrost osiągnięto przez zwiększenie stopnia zachodzenia między szyną uziemiającą a obszarami aktywnymi obwodów zasilających tranzystorów polowych FET 85. Korzystnie jest gdy, w jakimkolwiek poszczególnym obwodzie FET 85, szyna uziemiająca może zachodzić na obszar aktywny, poprzecznie względem osi odniesienia L, za pomocą znacznej długości nie stykających się segmentów obszarów spustowych.

Dla charakterystycznego przykładu, w którym stale nie stykające się segmenty obszaru spustowego zaczynają się przy końcach palców obszaru spustowego, które są najdalej położone od oporników grzejnikowych 56 i w którym długości takich stale nie stykających się segmentów obszaru spustowego zmniejszają się wraz z odległością od najbliższego końca struktury głowicy drukującej, modulacja lub zmiany szerokości W szyny uziemiającej 181 wraz ze zmianą długości stale nie stykających się segmentów obszaru spustowego wyznacza szerokość W181 szyny uziemiającej, która wzrasta wraz ze zbliżaniem się do najbliższego końca struktury głowicy drukującej, jak przedstawiono na fig. 9. Chociaż ilość wspólnych prądów wzrasta wraz ze zbliżaniem się do pól stykowych 74, to taki kształt korzystnie zapewnia zmniejszenie oporności szyny uziemiającej wraz ze zbliżaniem się do pól stykowych 74.

Oporność szyny uziemiającej również może być zmniejszona za pomocą poprzecznie rozmieszczonych części szyny uziemiającej 181, w podłużnie rozstawionych obszarach pomiędzy obwodami logicznymi dekodera 35. Na przykład, takie części mogą być rozmieszczone poprzecznie poza obszarami aktywnymi, przy szerokości obszaru, w którym obwody logiczne dekodera 35 zostały utworzone.

Następujące części zespołu obwodów elektrycznych współdziałające z szykiem kolumnowym generatorów kropel atramentu mogą być zawarte w poszczególnych obszarach, mających następujące szerokości wskazane na fig. 6 i fig. 8 przez oznaczenia odnośnikowe, które nawiązują do wartości szerokości.

PL 199 196 B1

Obszary zawierają:	SZEROKOŚĆ
Wyprowadzenia opornika 57	Około 95 mikrometrów (μιτι) lub mniej (W57)
Obwody FET 81	Najwyżej 350 μιτ, lub najwyżej 220 μιτ, na przykład (W81)
Obwody logiczne dekodera 31	Około 34 μιτ lub mniej (W31)
Podstawowe ścieżki wyboru 86	Około 290 μm lub mniej (W86)

Szerokości te mierzone są prostopadle lub poprzecznie do podłużnego obszaru podłoża głowicy drukującej, które jest ustawione względem osi odniesienia L.

W odniesieniu do fig. 11, pokazany jest schematyczny, perspektywiczny widok przykł adu atramentowego urządzenia drukującego 20, w którym mogą być użyte opisane powyżej głowice drukujące. Atramentowe urządzenie drukujące 20 z fig. 11, zawiera podstawę montażową 122, otoczoną przez obudowę lub osłonę 124, typowo wykonaną z tłoczonego plastiku. Podstawa montażowa 122 jest ukształtowana, na przykład z arkusza blachy i zawiera pionową płytę 122a. Arkusze nośnika druku indywidualnie są podawane przez strefę drukowania 125, przez przystosowawczy system chwytający nośnika druku 126, który zawiera podajnik 128, do magazynowania nośnika druku przed drukowaniem. Nośnikami druku mogą być dowolnego typu arkusze materiału, nadającego się do druku, takiego jak papier, karton, materiały przezroczyste, Mylar i podobne, lecz dla uproszczenia w przedstawionym przykładzie wykonania, jako nośnika druku używa się papieru. Szeregi konwencjonalnych rolek napędzanych silnikiem zawierają rolkę napędową 129, napędzaną przez silnik krokowy, który może być używany do przeniesienia nośnika druku z podajnika 128 do strefy drukowania 125. Po wydrukowaniu, rolka napędowa 129 przenosi wydrukowany arkusz na parę chowanych członów skrzydłowych 130, suszarki wyjściowej, które są pokazane w pozycji wysuniętej, gotowej do przyjęcia wydrukowanego arkusza. Człony skrzydłowe 130 utrzymują nowo wydrukowany arkusz przez krótki czas ponad jakimikolwiek poprzednio wydrukowanymi arkuszami, nadal suszącymi się na półce 132, zanim obrotowo nie cofną się na boki, jak pokazano za pomocą zakrzywionej strzałki 133, by upuścić nowo wydrukowany arkusz na półkę 132. System chwytający nośnik druku może zawierać szereg mechanizmów dostosowawczych dla przystosowywania się do różnych wielkości nośnika druku, włącznie z kopertami listowymi, urzędowymi, A-4, itd., takich jak ramię przestawne 134 o zmiennej długości czy szczelina podajnika kopert 135.

Drukarka z fig. 11 ponadto zawiera sterownik drukarki 136, schematycznie przedstawiony jako mikroprocesor, umieszczony na płycie z obwodami drukowanymi 139 przymocowanej po tylnej stronie pionowej płyty montażowej 122a. Sterownik drukarki 136 otrzymuje instrukcje od urządzenia zarządzającego, takiego jak komputer osobisty (nie pokazano) i steruje działaniem drukarki, włącznie z posuwem nośnika druku przez strefę drukowania 125, ponadto steruje ruchem karetki głowicy drukującej 140 i wysyłaniem sygnałów do generatorów kropel atramentu 40.

Pręt prowadzący karetki głowicy drukującej 138 posiada oś wzdłużną, równoległą do osi przeszukującej karetki, przy czym pręt ten jest przymocowany do podstawy montażowej 122 by podpierać stosownie do zmiennego rozmiaru karetkę głowicy drukującej 140, dla postępowo zwrotnego ruchu przesuwnego lub przeszukiwania wzdłuż osi przeszukującej karetki. Karetka głowicy drukującej 140 mocuje pierwszy i drugi, wyjmowane pojemniki na atrament z integralną głowicą drukującą 150, 152 (z których każdy czasami nazywany jest piórem, pojemnikiem z głowicą drukującą, czy kartrydżem). Pojemniki na atrament z integralną głowicą drukującą 150, 152 zawierają poszczególne głowice drukujące 154, 156, które odpowiednio zasadniczo mają skierowane w dół dysze wyrzucające atrament zasadniczo w dół, na kawałek nośnika druku, który znajduje się w strefie drukowania 125. Pojemniki na atrament z integralną głowicą drukującą 150, 152 są zazwyczaj przypięte do karetki głowicy drukującej 140 za pomocą mechanizmu zapadkowego, który zawiera dźwignie zapadkowe, człony zapadkowe lub pokrywy 170, 172.

W przykładzie wykonania, noś nik druku jest przesuwany przez strefę drukowania 125 wzdł u ż osi nośnika, która jest równoległa do stycznej, do części nośnika druku umieszczonego poniżej przechodzących nad nim dysz pojemnika na atrament z integralną głowicą drukującą 150, 152. Jeśli oś nośnika i oś karetki są umieszczone w tej samej płaszczyźnie, jak pokazano na fig. 11, to powinny one być do siebie prostopadłe.

PL 199 196 B1

Mechanizm anty-obrotowy, znajdujący się z tyłu karetki głowicy drukującej łączy poziomo umieszczony anty-obrotową sztabkę 185, która jest ukształtowana integralnie z pionową płytą 122a podstawy montażowej 122, na przykład, aby zapobiec obróceniu się karetki głowicy drukującej 140 do przodu, wokół pręta suwakowego 138.

W przedstawionym przykładzie wykonania, pojemnik na atrament z integralną głowicą drukującą 150 jest monochromatycznie drukującym pojemnikiem na atrament z integralną głowicą drukującą podczas gdy pojemnik na atrament z integralną głowicą drukującą 152 jest trój-kolorowo drukującym pojemnikiem na atrament z integralną głowicą drukującą.

Karetka głowicy drukującej 140 jest napędzana wzdłuż pręta prowadzącego 138 przez pasek o obwodzie zamkniętym 158, który może być napędzany w konwencjonalny sposób, przy czym liniowa taśma kodera 159 jest wykorzystana do wykrywania pozycji karetki głowicy drukującej 140, wzdłuż osi przeszukującej karetki, na przykład zgodnie z konwencjonalnymi technikami.

Chociaż wyżej przedstawiony opis ilustruje charakterystyczne przykłady wykonania wynalazku, to jednak różne modyfikacje i zmiany niniejszego wynalazku mogą być dokonane przez specjalistów w dziedzinie, bez odchodzenia od zakresu i ducha wynalazku, który jest określony przez następujące zastrzeżenia.

Claims (20)

1. Atramentowa głowica drukująca, zawierająca podłoże głowicy drukującej z wieloma warstwami cienkowarstwowymi, znamienna tym, że ma trzy, obok siebie położone szyki kolumnowe (61) generatorów kropel (40), utworzone w podłożu głowicy drukującej i rozciągające się wzdłuż podłużnego obszaru; przy czym, każdy szyk kolumnowy generatorów kropel (40), dostarcza różnego koloru krople, oraz posiada co najmniej 96 generatorów kropel (40) rozmieszczonych w odstępach według podziałki (P) generatorów kropel; ponadto szyki kolumnowe generatorów kropel (40) są rozmieszczone w odstępach wynoszących najwyżej 1060 mikrometrów; przy czym generatory kropel (40) wytwarzają krople atramentowe, posiadające objętość kropli umożliwiającą drukowanie w wielokrotnym przejściu, o rozdzielczości wynoszącej mniej niż 1/(2P) dpi wzdłuż osi drukowania, równoległej do podłużnego obszaru; a ponadto, trzy szyki kolumnowe (81) obwodów zasilających tranzystory polowe FET (85) utworzone w podłożu głowicy drukującej (11) odpowiednio przyległych do szyków kolumnowych (61) generatorów kropel (40).

2. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że podziałka (P) mieści się w zakresie od 0,085 mm (1/300 cala) do 0,042 mm (1/600 cala).

3. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że generatory kropel (40) są skonfigurowane do emitowania kropel mających pojemność kropli w zakresie od 3 do 7 pikolitrów.

4. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że każdy z generatorów kropel (40) zawiera oporniki grzejnikowe (56) posiadające oporność wynoszącą co najmniej 100 omów.

5. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że ponadto zawiera szyny uziemiające (181) zachodzące na aktywne obszary obwodów zasilających tranzystorów polowych FET.

6. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma oporność włączenia, która jest mniejsza niż (250.000 omów • mikrometr²)/A, gdzie A jest obszarem takiego obwodu zasilającego tranzystor polowy FET w mikrometrach².

7. Głowica drukująca według zastrz. 6, znamienna tym, że każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma bramkę tlenkową (93) o grubości wynoszącej najwyżej 0,08 μm (800 Angstremów).

8. Głowica drukująca według zastrz. 6, znamienna tym, że każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma bramkę o długości wynoszącej mniej niż 4 mikrometry.

9. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma oporność włączenia wynoszącą najwyżej 14 omów.

10. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że każdy z obwodów zasilających tranzystorów polowych FET ma oporność włączenia wynoszącą najwyżej 16 omów.

11. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że ponadto zawiera ścieżki zasilające (86a, 86b, 86c, 86d, 181), zaś obwody zasilające tranzystora polowego FET są skonfigurowane do skompensowania oporności pasożytniczej tych ścieżek zasilających.

PL 199 196 B1

12. Głowica drukująca według zastrz. 11, znamienna tym, że poszczególne oporności włączenia obwodów FET są dobrane do skompensowania zmian oporności pasożytniczej posiadanej przez ścieżki zasilające.

13. Głowica drukująca według zastrz. 12, znamienna tym, że wielkość każdego z obwodów FET jest dobrana do ustawienia oporności włączenia.

14. Głowica drukująca według zastrz. 12, znamienna tym, że każdy z obwodów FET zawiera: elektrody spustowe (87);

obszary spustowe (89);

styki spustowe (88) elektrycznie łączące elektrody spustowe z obszarami spustowymi; elektrody źródłowe (97); obszary źródłowe (99);

styki źródłowe (98) elektrycznie łączące elektrody źródłowe z obszarami źródłowymi;

przy czym obszary spustowe są skonfigurowane do ustawienia oporności włączenia każdego z obwodów FET, w celu skompensowania zmiany oporności pasożytniczej posiadanej przez ścieżki zasilające.

15. Głowica drukująca według zastrz. 14, znamienna tym, że obszary spustowe obejmują wydłużone obszary spustowe, z których każdy zawiera stale nie stykający się segment posiadający długość, która jest dobrana do nastawienia oporności włączenia.

16. Głowica drukującą według zastrz. 1, znamienna tym, że każdy z szyków kolumnowych obwodów (61) zasilających tranzystorów polowych FET zawarty jest w obszarze mającym szerokość najwyżej 220 mikrometrów.

17. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że każdy z szyków kolumnowych obwodów zasilających tranzystorów polowych FET zawarty jest w obszarze mającym szerokość wynoszącą najwyżej 350 mikrometrów.

18. Głowica drukująca według zastrz. 1, znamienna tym, że podłoże głowicy drukującej ma długość (LS) i szerokość (WS), gdzie stosunek LS/WS jest większy niż 2,7.

19. Głowica drukująca według zastrz. 16, znamienna tym, że (WS) wynosi 4200 mikrometrów.

20. Głowica drukująca według zastrz. 16, znamienna tym, że (WS) wynosi 3400 mikrometrów.