PL188223B1 - Tranzystor połowy z izolowaną bramką o kanale wzbogacanym - Google Patents

Abstract

Tranzystor połowy z izolowaną bramką o kanale wzbogacanym wyposażony w półprzewodnikowe podłoże oraz elektrodę źródła i elektrodę drenu, z których jedna jest umieszczona na powierzchni wysepki z materiału półprzewodnikowego o odmiennym niż podłoże typie przewodnictwa, wbudowanej w półprzewodnikowe podłoże, i tworzy z podłożem złącze typu p-n, zawierający nadto elektrodę bramki umieszczoną na warstwie dielektryka nałożonej na powierzchnię podłoża między obszarem źródła i obszarem drenu, znamienny tym, że druga spośród elektrod źródła (S) i drenu (D) jest umieszczona bezpośrednio na powierzchni półprzewodnikowego podłoża (Sub) tworząc z nim złącze Schottkiego metal-półprzewodnik

Description

Przedmiotem wynalazku jest tranzystor połowy z izolowaną bramką o kanale wzbogacanym.

Znane dotychczas tranzystory polowe z izolowaną bramką o kanale wzbogacanym zawierają półprzewodnikowe podłoże, w które są wbudowane dwie wysepki z materiału półprzewodnikowego o odmiennym niż podłoże typie przewodnictwa. Na powierzchnię jednej z wysepek jest nałożona elektroda źródła, zaś na powierzchnię drugiej wysepki - elektroda drenu. Na powierzchni podłoża, między tymi wysepkami, jest nałożona warstwa dielektryka, na którą z kolei jest nałożona elektroda sterująca zwana bramką. Cechą charakterystyczną tych tranzystorów jest występowanie w nich dwóch złącz p-n, jednego między elektrodą źródła i podłożem, drugiego między elektrodą drenu i podłożem.

Tranzystor połowy z izolowaną bramką o kanale wzbogacanym, według wynalazku, zawiera półprzewodnikowe podłoże oraz elektrodę źródła i elektrodę drenu, z których jedna jest umieszczona bezpośrednio na powierzchni półprzewodnikowego podłoża tworząc z nim złącze Schottkiego metal - półprzewodnik i jedna jest umieszczona na powierzchni wysepki z materiału półprzewodnikowego o odmiennym niż podłoże typie przewodnictwa, wbudowanej w półprzewodnikowe podłoże, i tworzy z podłożem złącze typu p-n. Na powierzchni podłoża, między obszarem źródła i obszarem drenu, jest nałożona warstwa dielektryka, na której z kolei jest umieszczona elektroda bramki.

Złącze Schottkiego utworzone między elektrodą źródła i podłożem lub między elektrodą drenu i podłożem umożliwia utworzenie przewodzącego kanału między obszarem źródła i obszarem drenu.

Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia tranzystor, w którym złącze Schottkiego tworzy z podłożem elektroda drenu, zaś fig. 2 - tranzystor, w którym złącze Schottkiego tworzy z podłożem elektroda źródła.

Tranzystor przedstawiony na fig. 1 zawiera podłoże Sub z materiału półprzewodnikowego typu p, w które jest wbudowana wysepka n+ z materiału półprzewodnikowego typu n. Na wysepce n jest umieszczona, złączona z nią galwanicznie, metaliczna elektroda źródła S. Bezpośrednio na powierzchni podłoża Sub jest umieszczona metaliczna elektroda drenu D tworząc z podłożem złącze Schottkiego typu metal - półprzewodnik. Na powierzchni podłoża Sub, między wysepką n+ i elektrodą drenu D, jest nałożona warstwa dielektryka Die, na której z kolei jest umieszczona elektroda bramki G.

Tranzystor przedstawiony na fig. 2 zawiera podłoże Sub z materiału półprzewodnikowego typu p, w które jest wbudowana wysepka n+ z materiału półprzewodnikowego typu n.

188 223

Na wysepce n+jest umieszczona, złączona z nią galwanicznie, metaliczna elektroda drenu D. Bezpośrednio na powierzchni podłoża Sub jest umieszczona metaliczna elektroda źródła S tworząc z podłożem złącze Schottkiego typu metal - półprzewodnik. Na powierzchni podłoża Sub, między wysepką n+ i elektrodą źródła S, jest nałożona warstwa dielektryka Die, na której z kolei jest umieszczona elektroda bramki G.

Przy pomocy zewnętrznych źródeł napięć polaryzuje się bramkę G względem źródła S oraz obszar drenu D względem źródła S. Nadto zewnętrzne źródło napięcia włącza się między podłoże Sub i obszar źródła S. Wytworzone między bramką G i powierzchnią podłoża Sub pole elektryczne powoduje zaindukowanie się w przypowierzchniowej warstwie podłoża Sub warstwy inwersyjnej o przeciwnym typie przewodnictwa niż przewodnictwo podłoża Sub. Powstanie warstwy inwersyjnej jest równoznaczne z zaindukowaniem się kanału przewodzącego, umożliwiającego przepływ elektronów między obszarem źródła S i obszarem drenu D przez złącze Schottkiego i złącze p-n.

188 223

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz. Cena 2,00 zł.

Claims (1)

1. Zastrzeżenie patentowe

   Tranzystor połowy z izolowaną bramką o kanale wzbogacanym wyposażony w półprzewodnikowe podłoże oraz elektrodę źródła i elektrodę drenu, z których jedna jest umieszczona na powierzchni wysepki z materiału półprzewodnikowego o odmiennym niż podłoże typie przewodnictwa, wbudowanej w półprzewodnikowe podłoże, i tworzy z podłożem złącze typu p-n, zawierający nadto elektrodę bramki umieszczoną na warstwie dielektryka nałożonej na powierzchnię podłoża między obszarem źródła i obszarem drenu, znamienny tym, że druga spośród elektrod źródła (S) i drenu (D) jest umieszczona bezpośrednio na powierzchni półprzewodnikowego podłoża (Sub) tworząc z nim złącze Schottkiego metal-półprzewodnik.