PL178133B1 - Sposób wykonania rezystora - Google Patents

Sposób wykonania rezystora

Info

Publication number
PL178133B1
PL178133B1 PL95311129A PL31112995A PL178133B1 PL 178133 B1 PL178133 B1 PL 178133B1 PL 95311129 A PL95311129 A PL 95311129A PL 31112995 A PL31112995 A PL 31112995A PL 178133 B1 PL178133 B1 PL 178133B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
weight
resistive
amount
mass
percent
Prior art date
Application number
PL95311129A
Other languages
English (en)
Other versions
PL311129A1 (en
Inventor
Ewa Klimiec
Wiesław Zaraska
Barbara Groger
Halina Sternal
Tomasz Stobiecki
Ludosław Stobierski
Elżbieta Bublik
Jerzy Kabała
Stanisław Kusztal
Original Assignee
Os Bad Rozwojowy Mikroelektron
Zaklad Produkcji Swiec Zaplono
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Os Bad Rozwojowy Mikroelektron, Zaklad Produkcji Swiec Zaplono filed Critical Os Bad Rozwojowy Mikroelektron
Priority to PL95311129A priority Critical patent/PL178133B1/pl
Publication of PL311129A1 publication Critical patent/PL311129A1/xx
Publication of PL178133B1 publication Critical patent/PL178133B1/pl

Links

Landscapes

  • Spark Plugs (AREA)

Abstract

Sposób wykonania rezystora polegajacy na tym, ze w pierwszej fazie przygotowuje sie ceramiczna kompozycje przewodzaca, a nastepnie poddaje sie procesowi formowania i obró- bki termicznej, znamienny tym, ze miesza sie faze przewodzaca zawierajaca weglik krzemu w ilosci od 0 do 1% wagowych, weglik boru w ilosci od 2 do 10% wagowych z faza wypelniajaca zawierajaca tlenek glinu w ilosci od 0 do 20% wagowych, tlenek tytanu w ilosci od 1 do 15% wagowych i z faza laczaca, która stanowi szklo bezalkaliczne w ilosci bedacej uzupelnieniem do 100% wagowych masy, tak wymieszana mase rezystywna prasuje sie pod cisnieniem od 150 do 300 MPa i formuje element rezystywny nastepnie przygotowuje sie mase kontaktowa zawierajaca te same skladniki co masa rezystywna, do których dodaje sie miedz lub nikiel lub zelazo w ilosci od 50 do 70% masy rezystywnej, skladniki miesza sie, prasuje podcisnieniem od 150 do 300 MPa, a nastepnie formuje elementy kontaktowe, które laczy sie z elementem rezystywnym za pomoca lepiszcza organicznego. PL

Description

Przedmiotem wynalazkujest sposób wykonania rezystora stosowanego w świecy zapłonowej do pojazdów samochodowych.
Znane są świece zapłonowe produkowane na licencji firmy angielskiej Smiths Ind. Ltd. Świeca zapłonowa zbudowana jest z metalowego korpusu, osadzonego w nim izolatora ceramicznego oraz rdzenia stalowego. Tak wykonana świeca z metalowym elementem przewodzącym jest źródłemdużych zakłóceń radioelektrycznych w układzie zapłonowym.
Znane są z katalogu FŁT „Iskra” 1995r. świece zapłonowe posiadające element przewodzący szklano-miedziany łączący kołek kontaktowy z elektrodą. Element ten wykonany jest na bazie szkła i miedzi utwardzanego termicznie. Element przewodzący szklano-miedziany zapewnia wysoką szczelność przy bardzo dobrym odprowadzeniu ciepła z elektrody środkowej jednakże nie tłumi dostatecznie zakłóceń radioelektrycznych układu zapłonowego.
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wykonania rezystora tłumiącego zakłócenia radioelektryczne umieszczonego w izolatorze świecy zapłonowej.
Sposób według wynalazku polega na zmieszaniu fazy przewodzącej zawierającej węglik krzemu w ilości od 0 do 1% wagowych, węglik boru w ilości od 2 do 10% wagowych z fazą wypełniającą zawierającą tlenek glinu w ilości od zera do 20% wagowych, tlenek tytanu w ilości od 1 do 15% wagowych i z fazą łączącą, którą stanowi szkło bezalkaliczne w ilości będącej uzupełnieniem do 100% wagowych masy. Tak wymieszanąmasę rezystywnąprasuje się pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa i formuje element rezystywny. Następnie przygotowuje się masę kontaktową zawierającą te same składniki co masa rezystywna do których dodaje się miedź lub nikiel lub żelazo w ilości od 50 do 70% masy rezystywnej. Składniki miesza się, prasuje pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa i formuje elementy kontaktowe, które łączy się z elementem rezystywnym za pomocą lepiszcza organicznego.
Zaletą tak wykonanego rezystora jest uproszczony proces technologiczny wytwarzania świecy zapłonowej. Montaż rezystor świecy zapłonowej może być przeprowadzony w normalnej atmosferze i przy stosunkowo niskiej temperaturze, nie przekraczającej 1273 K.
178 133
Przykłady wykonania. Składy masy rezystywnej
B4C - 1,9% wag.
SiC - 0,1% wag.
Al2O3 - 1 2% wag.
TiO2 - 6% wag.
szkło bezalkal. 80% wag.
B4C - 10% wag.
Al2O3 - 20% wag.
TiO2 - W% wag.
szkło bezalkal. 60% wag.
Składniki masy rezystywnej miesza się ze sobą w młynie kulowym na sucho przez około 30 min. Do masy dodaje się plastyfikator i poddaje procesowi granulacji. Granulat suszy się w temperaturze 373 K i formuje się pod ciśnieniem 150 MPa element rezystywny w kształcie wałka o średnicy 4 mm i długości 8 mm. Następnie przygotowuje się masę kontaktową zawierającą komponenty masy rezystywnej z dodatkiem proszku miedzi w ilości 50% wagowych masy rezystywnej. Składniki miesza się ze sobą w młynie kulowym na sucho przez około 30 min. Do masy dodaje się plastyfikator i poddaje procesowi granulacji. Granulat suszy się w temperaturze 373 K i formuje się pod ciśnieniem 150 MPa elementy kontaktowe w postaci tabletek. Elementy kontaktowe łączy się z elementami rezystywnymi za pomocą lepiszcza organicznego. Tak wykonany rezystor umieszcza się w izolatorze alundowym świecy zapłonowej i scala się z pozostałymi elementami świecy zapłonowej w temperaturze 1173 K.
178 133
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz Cena 2,00 zł.

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Sposób wykonania rezystora polegający na tym, że w pierwszej fazie przygotowuje się ceramiczną kompozycję przewodzącą, a następnie poddaje się procesowi formowania i obróbki termicznej, znamienny tym, że miesza się fazę przewodzącą zawierającą węglik krzemu w ilości od 0 do 1% wagowych, węglik boru w ilości od 2 do 10% wagowych z fazą wypełniającą zawierającą tlenek glinu w ilości od 0 do 20% wagowych, tlenek tytanu w ilości od 1 do 15% wagowych i z fazą łączącą, którą stanowi szkło bezalkaliczne w ilości będącej uzupełnieniem do 100% wagowych masy, tak wymieszanąmasę rezystywnąprasuje się pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa i formuje element rezystywny następnie przygotowuje się masę kontaktową zawierającą te same składniki co masa rezystywna, do których dodaje się miedź lub nikiel lub żelazo w ilości od 50 do 70% masy rezystywnej, składniki miesza się, prasuje pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa, a następnie formuje elementy kontaktowe, które łączy się z elementem rezystywnym za pomocą lepiszcza organicznego.
PL95311129A 1995-10-24 1995-10-24 Sposób wykonania rezystora PL178133B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL95311129A PL178133B1 (pl) 1995-10-24 1995-10-24 Sposób wykonania rezystora

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL95311129A PL178133B1 (pl) 1995-10-24 1995-10-24 Sposób wykonania rezystora

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL311129A1 PL311129A1 (en) 1997-04-28
PL178133B1 true PL178133B1 (pl) 2000-03-31

Family

ID=20066163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL95311129A PL178133B1 (pl) 1995-10-24 1995-10-24 Sposób wykonania rezystora

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL178133B1 (pl)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110357634A (zh) * 2019-07-10 2019-10-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110357634A (zh) * 2019-07-10 2019-10-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用
CN110357634B (zh) * 2019-07-10 2021-08-31 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用

Also Published As

Publication number Publication date
PL311129A1 (en) 1997-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3477058A (en) Magnesia insulated heating elements and methods of production
JP4445595B2 (ja) セラミックヒータ、セラミックグロープラグおよびその製造方法
EP0843130A1 (en) Ceramic heating element and producing method thereof
JPH10300085A (ja) セラミックヒータおよびセラミックグロープラグ
KR100399114B1 (ko) 세라믹히터
US5470506A (en) Heat-generating composition
DE10255859A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer keramischen Heizvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Zündkerze
US6599457B2 (en) Process for producing silicon nitride sintered body for use in ceramic heater for use in glow plug
JPH0545545B2 (pl)
PL178133B1 (pl) Sposób wykonania rezystora
JPH0717436B2 (ja) 高絶縁性高アルミナ質磁器組成物の製造方法
US5089444A (en) Method of producing colored crystallized glass
JPS6351522B2 (pl)
JPS6351521B2 (pl)
JPS6126548A (ja) 電気抵抗発熱体
JP2645028B2 (ja) セラミック発熱体の製造方法
US2045494A (en) Electrical insulator and method of making the same
US1682251A (en) Material
US2848586A (en) Non-metallic electrical heating elements
CS215875B1 (en) Method of manufacturing glazeable non-porous ceramic sintered objects
US3376367A (en) Method of manufacturing a spark gap semiconductor
US1658334A (en) Resistance material
JPS6021448B2 (ja) 金属ヒ−タ線埋設用電気絶縁材料およびその製造方法
US2975145A (en) Semi-conductive ceramic composition
JPH10300086A (ja) セラミックヒータ及びセラミックグロープラグ

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20081024