PL178133B1 - Sposób wykonania rezystora - Google Patents
Sposób wykonania rezystoraInfo
- Publication number
- PL178133B1 PL178133B1 PL95311129A PL31112995A PL178133B1 PL 178133 B1 PL178133 B1 PL 178133B1 PL 95311129 A PL95311129 A PL 95311129A PL 31112995 A PL31112995 A PL 31112995A PL 178133 B1 PL178133 B1 PL 178133B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- resistive
- amount
- mass
- percent
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Spark Plugs (AREA)
Abstract
Sposób wykonania rezystora polegajacy na tym, ze w pierwszej fazie przygotowuje sie ceramiczna kompozycje przewodzaca, a nastepnie poddaje sie procesowi formowania i obró- bki termicznej, znamienny tym, ze miesza sie faze przewodzaca zawierajaca weglik krzemu w ilosci od 0 do 1% wagowych, weglik boru w ilosci od 2 do 10% wagowych z faza wypelniajaca zawierajaca tlenek glinu w ilosci od 0 do 20% wagowych, tlenek tytanu w ilosci od 1 do 15% wagowych i z faza laczaca, która stanowi szklo bezalkaliczne w ilosci bedacej uzupelnieniem do 100% wagowych masy, tak wymieszana mase rezystywna prasuje sie pod cisnieniem od 150 do 300 MPa i formuje element rezystywny nastepnie przygotowuje sie mase kontaktowa zawierajaca te same skladniki co masa rezystywna, do których dodaje sie miedz lub nikiel lub zelazo w ilosci od 50 do 70% masy rezystywnej, skladniki miesza sie, prasuje podcisnieniem od 150 do 300 MPa, a nastepnie formuje elementy kontaktowe, które laczy sie z elementem rezystywnym za pomoca lepiszcza organicznego. PL
Description
Przedmiotem wynalazkujest sposób wykonania rezystora stosowanego w świecy zapłonowej do pojazdów samochodowych.
Znane są świece zapłonowe produkowane na licencji firmy angielskiej Smiths Ind. Ltd. Świeca zapłonowa zbudowana jest z metalowego korpusu, osadzonego w nim izolatora ceramicznego oraz rdzenia stalowego. Tak wykonana świeca z metalowym elementem przewodzącym jest źródłemdużych zakłóceń radioelektrycznych w układzie zapłonowym.
Znane są z katalogu FŁT „Iskra” 1995r. świece zapłonowe posiadające element przewodzący szklano-miedziany łączący kołek kontaktowy z elektrodą. Element ten wykonany jest na bazie szkła i miedzi utwardzanego termicznie. Element przewodzący szklano-miedziany zapewnia wysoką szczelność przy bardzo dobrym odprowadzeniu ciepła z elektrody środkowej jednakże nie tłumi dostatecznie zakłóceń radioelektrycznych układu zapłonowego.
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wykonania rezystora tłumiącego zakłócenia radioelektryczne umieszczonego w izolatorze świecy zapłonowej.
Sposób według wynalazku polega na zmieszaniu fazy przewodzącej zawierającej węglik krzemu w ilości od 0 do 1% wagowych, węglik boru w ilości od 2 do 10% wagowych z fazą wypełniającą zawierającą tlenek glinu w ilości od zera do 20% wagowych, tlenek tytanu w ilości od 1 do 15% wagowych i z fazą łączącą, którą stanowi szkło bezalkaliczne w ilości będącej uzupełnieniem do 100% wagowych masy. Tak wymieszanąmasę rezystywnąprasuje się pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa i formuje element rezystywny. Następnie przygotowuje się masę kontaktową zawierającą te same składniki co masa rezystywna do których dodaje się miedź lub nikiel lub żelazo w ilości od 50 do 70% masy rezystywnej. Składniki miesza się, prasuje pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa i formuje elementy kontaktowe, które łączy się z elementem rezystywnym za pomocą lepiszcza organicznego.
Zaletą tak wykonanego rezystora jest uproszczony proces technologiczny wytwarzania świecy zapłonowej. Montaż rezystor świecy zapłonowej może być przeprowadzony w normalnej atmosferze i przy stosunkowo niskiej temperaturze, nie przekraczającej 1273 K.
178 133
Przykłady wykonania. Składy masy rezystywnej
| B4C | - | 1,9% wag. |
| SiC | - | 0,1% wag. |
| Al2O3 | - | 1 2% wag. |
| TiO2 | - | 6% wag. |
| szkło bezalkal. | 80% | wag. |
| B4C | - | 10% wag. |
| Al2O3 | - | 20% wag. |
| TiO2 | - | W% wag. |
| szkło bezalkal. | 60% | wag. |
Składniki masy rezystywnej miesza się ze sobą w młynie kulowym na sucho przez około 30 min. Do masy dodaje się plastyfikator i poddaje procesowi granulacji. Granulat suszy się w temperaturze 373 K i formuje się pod ciśnieniem 150 MPa element rezystywny w kształcie wałka o średnicy 4 mm i długości 8 mm. Następnie przygotowuje się masę kontaktową zawierającą komponenty masy rezystywnej z dodatkiem proszku miedzi w ilości 50% wagowych masy rezystywnej. Składniki miesza się ze sobą w młynie kulowym na sucho przez około 30 min. Do masy dodaje się plastyfikator i poddaje procesowi granulacji. Granulat suszy się w temperaturze 373 K i formuje się pod ciśnieniem 150 MPa elementy kontaktowe w postaci tabletek. Elementy kontaktowe łączy się z elementami rezystywnymi za pomocą lepiszcza organicznego. Tak wykonany rezystor umieszcza się w izolatorze alundowym świecy zapłonowej i scala się z pozostałymi elementami świecy zapłonowej w temperaturze 1173 K.
178 133
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz Cena 2,00 zł.
Claims (1)
- Zastrzeżenie patentoweSposób wykonania rezystora polegający na tym, że w pierwszej fazie przygotowuje się ceramiczną kompozycję przewodzącą, a następnie poddaje się procesowi formowania i obróbki termicznej, znamienny tym, że miesza się fazę przewodzącą zawierającą węglik krzemu w ilości od 0 do 1% wagowych, węglik boru w ilości od 2 do 10% wagowych z fazą wypełniającą zawierającą tlenek glinu w ilości od 0 do 20% wagowych, tlenek tytanu w ilości od 1 do 15% wagowych i z fazą łączącą, którą stanowi szkło bezalkaliczne w ilości będącej uzupełnieniem do 100% wagowych masy, tak wymieszanąmasę rezystywnąprasuje się pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa i formuje element rezystywny następnie przygotowuje się masę kontaktową zawierającą te same składniki co masa rezystywna, do których dodaje się miedź lub nikiel lub żelazo w ilości od 50 do 70% masy rezystywnej, składniki miesza się, prasuje pod ciśnieniem od 150 do 300 MPa, a następnie formuje elementy kontaktowe, które łączy się z elementem rezystywnym za pomocą lepiszcza organicznego.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL95311129A PL178133B1 (pl) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | Sposób wykonania rezystora |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL95311129A PL178133B1 (pl) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | Sposób wykonania rezystora |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL311129A1 PL311129A1 (en) | 1997-04-28 |
| PL178133B1 true PL178133B1 (pl) | 2000-03-31 |
Family
ID=20066163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL95311129A PL178133B1 (pl) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | Sposób wykonania rezystora |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL178133B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110357634A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-22 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用 |
-
1995
- 1995-10-24 PL PL95311129A patent/PL178133B1/pl not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110357634A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-22 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用 |
| CN110357634B (zh) * | 2019-07-10 | 2021-08-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL311129A1 (en) | 1997-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3477058A (en) | Magnesia insulated heating elements and methods of production | |
| JP4445595B2 (ja) | セラミックヒータ、セラミックグロープラグおよびその製造方法 | |
| EP0843130A1 (en) | Ceramic heating element and producing method thereof | |
| JPH10300085A (ja) | セラミックヒータおよびセラミックグロープラグ | |
| KR100399114B1 (ko) | 세라믹히터 | |
| US5470506A (en) | Heat-generating composition | |
| DE10255859A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Heizvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Zündkerze | |
| US6599457B2 (en) | Process for producing silicon nitride sintered body for use in ceramic heater for use in glow plug | |
| JPH0545545B2 (pl) | ||
| PL178133B1 (pl) | Sposób wykonania rezystora | |
| JPH0717436B2 (ja) | 高絶縁性高アルミナ質磁器組成物の製造方法 | |
| US5089444A (en) | Method of producing colored crystallized glass | |
| JPS6351522B2 (pl) | ||
| JPS6351521B2 (pl) | ||
| JPS6126548A (ja) | 電気抵抗発熱体 | |
| JP2645028B2 (ja) | セラミック発熱体の製造方法 | |
| US2045494A (en) | Electrical insulator and method of making the same | |
| US1682251A (en) | Material | |
| US2848586A (en) | Non-metallic electrical heating elements | |
| CS215875B1 (en) | Method of manufacturing glazeable non-porous ceramic sintered objects | |
| US3376367A (en) | Method of manufacturing a spark gap semiconductor | |
| US1658334A (en) | Resistance material | |
| JPS6021448B2 (ja) | 金属ヒ−タ線埋設用電気絶縁材料およびその製造方法 | |
| US2975145A (en) | Semi-conductive ceramic composition | |
| JPH10300086A (ja) | セラミックヒータ及びセラミックグロープラグ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20081024 |