PL159721B1 - i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL - Google Patents

i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL

Info

Publication number
PL159721B1
PL159721B1 PL1988270217A PL27021788A PL159721B1 PL 159721 B1 PL159721 B1 PL 159721B1 PL 1988270217 A PL1988270217 A PL 1988270217A PL 27021788 A PL27021788 A PL 27021788A PL 159721 B1 PL159721 B1 PL 159721B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
oxygen
nitrates
dissolved
rare earth
lanthanum
Prior art date
Application number
PL1988270217A
Other languages
English (en)
Other versions
PL270217A1 (en
Inventor
Johannes G Bednorz
Carl A Muller
Massaki Takashige
Original Assignee
International Business Machines Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corporation filed Critical International Business Machines Corporation
Publication of PL270217A1 publication Critical patent/PL270217A1/xx
Publication of PL159721B1 publication Critical patent/PL159721B1/pl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • C04B35/4504Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • H10N60/857Ceramic superconductors comprising copper oxide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

1 . M aterial n ad p rzew od zacy o zlozon ej struk tu rze ok reslon ej w zorem R E 2T M ·O 4 , w którym R E ozn acza p ierw iastek ziem rzad k ich , T M m etal przejsciow y a O tlen, znamienny tym, ze zaw iera co n ajm niej jed en pierw iastek ziem alkaliczn ych A E , zastep u jacy czesciow o pierw ia- stek ziem rzadk ich R E a zaw artosc tlenu je st zred u ko w an a i otrzy m an a stru k tu ra krystaliczn a zaw iera faze o k reslo n a w zorem R E 2-xA E xT M ·O 4-y , w którym x < 0,3 i y < 0,5. PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku Jest materiał nadprzewodzący o złożonej strukturze 1 sposób wytwarzania mat^f^:iału nadprzewodzącego o złożonej strukturze, wykazującej własności nadprzewodzące poniżej stosunkowo wysokiej temperatury przejściowej.
Zjawisko nadprzewodnictwa Jest z^^l^^le określane Jako całkowite utrata rezystancji elektrycznej Mat^ri-ału w ściśle określonej temperaturze. Nadprzewodnikami jest około Jedne czwarta pierwiastków 1 ponad tysiąc stopów. Nadprzewodnictwo Jest uważane za właściwość stanu msealicznsgo mraeialu, a wszystkie znane nadprzewodniki eą mt^liczne w warunkach, w których stają się one nadprzewodnikami. Znane są takie nlemes^l-lczne maeriały, które staję się nadprzewodzące przy bardzo wysokim ciśnieniu, przekształcajcie· Je w metale zanim staną się iadprzawodnikami.
Znane Jest zastosowanie nadprzewodników do wytwarzanie 1 przenoszenia energii elektrycznej na duże odległości, do wytwarzania cewek sinnych magnesów, stosowanych w fizyce plazmy i fizyce jądrowej, w medycznej diagnostyce z wykorzystaniem magnetycznego rezonansu Jądrowego i przy oagnitycznea lewita^l szybkich pociągów, a także do wytwarzania elementów komputerów.
Znane dotąd materiały nadprzewodzące maję bardzo niską temperaturę pΓzaaściowę /zwaną temperaturą krytyczną Tc/, która Jest zwykle rzędu kilku stopni Kelwina. Pierwlast4
159 721 kien o najwyższej temperaturze krytycznej Tc Jest niob /9,2 K/, a najwyższa znana temperatura krytyczna Tc wynosi około 23 K dla Nb^Ge przy ciśnieniu otoczenie. Większość znanych nadprzewodników wymaga zastosowania do chłodzenia ciekłego helu, a przez to skomplikowanej technologii 1 znacznych nakładów energetycznych.
Znana Jeet Jedynie małe liczba tlenków wykazujęcych nadprzewodnictwo, a wśród nich układ L1-T1-0 mający temperaturę krytycznę aż 13.7 K, co zostało opisane przez D.C. □ohnstona, H. Ρτ^ϋΙιβ, W. H. Zachariassna 1 R. Vlsvenathana w publlkacji tot, Ree. Buli 8 /1973/ 777. Inne znane tlenki nadprzewodzęce to SrTlO^ z domieszkę Nb 1 materiał o składzie określonym wzorem BaPbj._x BixIg, co zostało opisane przez A. Baratoffa 1 G. Binniga w pubbikacji Płiyalcs 1088 /1981/ 1335 1 przez A. W. Sleighta, □. L. Ginaona i F.E, Bleretedte w pubbikacji Solid State Comrnun. 17 /1975/ 27.
Aroliza rentgenowska przoprowadzona przez Oohnatona ujawniła występowanie w układzie L1-T1-0 trzech różnych faz krystalograficznych, z których Jedna o strukturze spinelowej wykazuje wyaokę temperaturę krytyczną. Również układ Ba-La-Cu-0 opisany przez C. Michale 1 B. Raveeu*a w pubbikacji Rev. Chla. Min. 21 /1984/ 407 1 przez C. Michała, L. Er-Rakho 1 BcRayeau^ w pubbikacji tot. Ree. Buli, tom 20 /1985/ 667 - 671 bez powiązania ze zjawiskiem nadprzewodnictwem, wykazuje szereg faz krystalograficznych, mianowicie ze składnikami miedziowymi o mieszanej wartościowości, które maję przejścitwa etany elektroniczne pomiędzy
3+ 2+
Jonami nie będącymi Jonami Oahna-Tθiler- Cu 1 Jonami OBlina-reHere Cu .
To dotyczy taż układów, w których nikiel Jest wykorzystywany zamiast siedzi, przy czym Ni** Jeat składnl-kiem Oahnn-Teilθr-, a Ni2* nie Jest składnikom Oahna-Tτal.θre.
Występowanie polaronów Oahna-Tθilere w przewodzących kryształach było postulowane teoretycznie przez K.H. Hoacka, H. Nicklache i H. Thomasa w publlkacji Halv. Phys. Acta 56 /1983/ 237. Polarony wykazuję duże oddziaływanie wzajemne pomiędzy alθktaonaui 1 są korzystne dle nadprzewodnictwa o wysokich temperaturach krytycznych.
Μ-θγΙβΙ nadprzewodzący według wynalazku o złożonej strukturze określonej wzorem REgTM.O^, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM metal przejśdowy e O tlen, zawiera co najmniej Jedon piorwl-etak ziaa -lk-licznych AE, zastępujący częściowo plerwl-atek zioa rzadkich RE, a zawartość tlsnu Jest zredukowana 1 otrzymana struktura krystallczna zewien f-za altΓaól.aną azaraa RE^^A^TC-KO^y, w Ictórym x <0,3 i y <0,5.
Maoriał wodług wynnlazku korzystnlo zawiera Jako plaraiββtok ziaa rzadkich lantan a Jako aotol przajóciowy siądź.
FJ iaaya przykładzie wykonania natarła! według wynalazku z-ιoiar- Jako pierwiastek ziarn rzadkich cer a Jako natol przejódowy nikiel.
Materiał wodług wynalazku noże też zawierać Jako pierwiastek ziem rzadkich lanten, a Jako Botel przejściowy nikiel.
MaerJLał według wynalazku korzystnie zawiera Jako częściowy zamiennik pierwi-atkziam rzadkich bar, przy czym x ^0,3 i 0,1 4 0.5.
W innym przykładzie wykonanie ιβθ-θγΙ-Ι według wynalazku zawiera Jako częściowy zamiennik plirwi-stk- ziem rzadldch wspiń przy czym x <^0,3 i 0,1 </«0.5.
Ηθ-βγΙ-Ι według ^^Γ^^l-^ku może też zawierać jako częściowy zamiennik pierwiastka ziem rzadkich stront, przy czym x<0,3 i 0,1 < y <0,5.
Μ-(^γ!.-1 według wynalazku korzystnie zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich laat-a, a Jako przejściowy chrom.
W innym przykładzie wynalazku ιΙ(^γ1-1 według wynalazku zawiera pierwiastek ziem rzadkich neodym a jako metal przejśdowy miedź.
Według wynalazku sposób wytwarzania Mt0r^-łu nadprzewodzącego o złożonej strukturze określonej ogólnym wzoi^^m REgTM.O^, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM m^uil przejścoowy a O tlen, polega na tym, że rozpuszcza się w azotany pierwiastków ziem rzadkich i imali przejściowych oraz metalu ziem -^-Ι^ζωυοΙί i otrzymuje się w wyniku ich współstraitalt osad. Oodaje się współatΓęcaay osad do kwasu szczawiowego i tworzy się dokładną mieszaninę otrzymanych szczawianów, po czym rozkłada się tan osad i przeprowadza ri-tija n stanie st-łyy, ogrzewając osad do temperatury 300 - 1200°C w ciągu 1-8 go159 721 dżin. Następnie schładza sie otrzymany proszek, epraeowuja się ten proszek pod ciśnieniem θ 8 o
2.10 - 10.10° Pa w tabletki i ponownie ogrzewa się tabletki do temperatury 500 - 1000oC w cięgu 1/2 - 3 godzin, przez co spieka się Ja. Potem poddeje się tabletki dodatkowej obbce wytarzanie w temperaturze 500 - 1200°C w ciągu 1/2 - 5 godzin w atmosferze ochronnej radukujęcej zawartość tlenu w końcowym materiale o strukturze określonej wzorem fi^2_xTM,04_y, w którym x <0,3 1 0,1 <y <0,5.
W Jednym przykładzie wykonania sposobu według wynalazku, Jako atmosferę ochronnę stosuje się czysty tlen.
W innym przykładzie wykonania sposobu według wynalazku Jako atmosferę ochronnę stosuje się atmosferę redukującą o ciśnieniu cząstkowym tlenu 1-10 Pa.
Według o^Γ^^l.aztu rozgada sę osad w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin, a oparocję wyżarzania prowadzi się w temperaturze 900oC w ciągu 1 godziny w atmosferze redukujęcej o ciśnieniu częstkowym tlenu 1-10 Pa.
W piawtezym przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany lsntanu, a Jako azotany ϋβϋ przejścoowych rozpuszcza się azotany miedzi, natomiast do częściowego zastępienla lantanu stosuje się bar, przy czym x 0,2. rozltład osadu prowadzi s w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin a wyżarzanie pro2 wadzi eię w atmosferze redukuJącaj o ciśnieniu częskoowym tlenu rzędu 10 Po 1 w temperaturze 900°C w ciągu 1 godziny.
W drugim przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza elę azotany lantanu a Jako azotany ϋβΐΐ prze jścotowych rozpuszcza elę azotany niklu, natomiast do częściowego zastępienla lantanu stosuje się bar, przy czym x <0,2, rozkład osadu prowet^ici się w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin, a wyżarzenie prowadzi sę w atmosferze radukuJąceJ o ciśnieniu częstkowym tlenu rzędu 10? Pa i w temperaturze 900 C w ciągu 1 godziny,
W trzadm przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiaskków ziarn rzadkich rozpuszczę elę azotany lantanu a Jako azotany meeli przejścocwych rozpuszcza się azotany miedzi, natomiast do cz^ciowe^ zasępienia lantanu stosuje e wapń, przy czym x <0,2, rozpad ooedu prowadzi s w tempcro^rze 9°0°C w ciągu 5 godzina wyżarzanie prowadzi się w stsooferza redukuj^ej o cenieniu cz^tkow^ t.lor^u rzędu 10? Pa 1 w temperaturze 900°C w ciągu 1 godziny.
czwartym przykładzio wzyl-konania wynalazku Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza aię azotany lantanu o Joko azotany ostali przejścoorsych rkzpuizczk się azotany □ledzi, natomiast do częściowego zoatępionia lantanu stosuje się stront, przy czym x / 0,2, rozpad prowadzi s w temperaturze 900°C w cięgu 5 godzina wyżarzanie prowadzi sę w atBoafafZk rodukuj^oj o cenieniu cz^tkcwyo tlenu rzędu 10? po 1 π taopkretuΓZk Mc w ciągu 1 godziny.
W plątym przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiastków zico rzadkich rozpuszcza s ię azotany ceru o Jako azotany ϋβϋ przejścotswych rozpuszcza się azotany niklu, natomiast do cz^ciowe^ zasępienia ceru stosuje sę bar, przy czym x <0,2, rozkład prowadzi sę w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin a wyżarzanę prowadzi się w atmosferze redukuj^e,} o cenieniu cz^^owym tl^^nu rzędu 1.0? pa i w temperaturze 900OC w ciągu 1 godziwe
Zaletę wynalazku Jest opracowanie materiału nedprzaokdzącagk i sposobu wytwarzania materiału nadprzewodzącego, które maję tek wysokę temperaturę krytycznę, że zbędne staje się chłodzenie ciekŁ^m halam.
Zaproponowane według wynalazku materiały maję strukturę warstwowę typu znanego dle czterofluoronikeanu potasowego KgNiF^. Struktura te występuje szczególnie w tlenkach o ogólnym wzorze RE2TM.O4, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich /'^^ntanoi^iifc/ a TM oznacza tak zwany metal przejściowy. Charaktematyczne dla wynalazku Jest to, ze w ometiwonych latθriotach część RE Jeat zαitąpionα częściowo przez Jeden metal α^αΙΙοζηγοΕι lub przez kombinację metali ziem olkalieznych oraz wyetępują w nich niedobór zawartości tlenu.
159 721
Przykładała takiego Materiału nadprzewodzącego o złożonej strukturze spełniający· podany powyżej warunek Jest tlenek lantanowo-Miedzlowy o wzorze La2CuO4> w któryś lanten należący do grupy 1118 układu okresowego pierwiastków Jest częściowo zastąpiony przez Jeden z pierwiastków sąsiedniej grupy HA układu okresowego pierwiastków, to Jest przez Jeden z aetall zlea alkalicznych /lub przez kombinację pierwiastków z grupy IIA/, np. przez bar. Również zawartoóć tlenu w Materiale Jest niekompletna tak, że Materiał będzie siał skład określony ogólnym wzorsM La2_xBaxCuO4_y, w którya x 0.3 i y^O.S.
Innym przykładem Mar^i^jLal^u nadprzewodzącego, spełniającego ogólny wzór podany powyżej Jest tlenek lantanowo-niklowy, w którym lanten Jest częściowo zastąpiony przez stront i który aa skład określony ogólnym wzorea La2_xSrxN104_y· Oeszcze Innym przygadam takiego matθriału Jest tlenek cerowno-niklowy, w któryś cer Jest częściowo zastąpiony przez wapń 1 który ea skład określony ogólnym wzorea Ce2-xCaxN104-y·
Dalszy opis będzie odnosił się głównie do baru Jako pierwiastka zastępującego częściowo lantan w Meterlals o złożonej strukturze 1 o składzie określonym wzorem La^C^^4, gdyż układ Ba-La-Cu-0 Jest obecnie najlepiej zrozurniałm układem spośród wszystkich Możliwych.
Zwykle układ Ba-La-Cu-0 wykazuje trzy różne fazy krystalograficzne, a mianowiciet
- pierwszę fazę typu iarsiwowego podobnę do perowesitu, pokrewnę strukturze Κ3Ν1Ρ4, o składzie oltreślonym ogólnym wzorem ί^β2_χ Ββχ Cu04_y. w którjy x <1 i y >0.
- drugę nlθprzeindzęcę fazę CuO 1
- trzecię fazę bliskę ^gu^nesi! porowsktowi o składzie określonym ogólnym wzoren
La. Ba CuO., , który Jest niezależny od dokładnego składu wyjściowego. Z tych trzech faz i—x x pierwsza Jest odponwedzielne za nadprzewodnictwo o wysoklej temperaturze krytycznej Tc, przy czym temperatura krytyczna wykazuje zależność od stężenia beru w tej fazie. Podstawienie Ba?* powoduje stan o mieszanej iaΓtnścioinści Cu^* 1 Cu^* dla zapewnienie neutralnotoi ładunku. Zakłada się, że niedobór tlenu, y. Jest taki sam w krystalltach domieszkowanych i ilθdnmlsszkniαiych.
Zarówno La2CuC4 Jek i LaCuO3 sę π wysokich temperaturach przy braku baru przewodnikami Metalicznym., podobnie Jak LaNiO^. Pomimo Ich mθselicznego charakteru, materlały typu Ba-La-Cu-0 sę Materiałami ceramicznymi, podobnie Jak inne mβteΓlały o złożonej strukturze typu RE2TH.O4> a ich wytwarzanie następuje według zasad wytwarzania materiαłów ceramicznych.
Oeżeli istnieje wyaóg częściowego zastęplenla lentem przez stront lub wapń, to stosuje się Jago azotan zamiast azotanu baru, a Jeżeli miedź ma być zastępiona przez inny przejściowy, to stosuje się Jego azotan.
Poszczególne zawartości składników w poczętlowθj □^οζοη^^ odgrywaję znaczęcę rolę przy wytwarzaniu faz w końcowym produkcie. Końcowy układ Ba-La-Cu-0 zawiera zwykle wspomniane trzy fazy, przy czym druga faza występuje tylko w bardzo małej ilości, natomiast częściowe podstawienie lentem przez stront lub wapń /1 ewθniualnls beryl/ daje tylko Jednę fazę w końcowych mac^rJbałach, o składach określonych wzorami Lm2_χSrχCuO4_y lub La2-xCaxCu04_y przy x < °·3·
Przy stosunku 1:1 dla poszczególnych zawartości /Ba, La/ 1 Cu można oczekiwać, że w końcowym produkcie występlę trzy fazy. Pomijając drugę fazę, tj. fazę CuO, której mość Jest pomijana, względne objętości dwóch pozostałych faz zależę od zawartości baru w Materiale, o składzie okreś^nym wzorem La2_xBaxCuO4_y. Przy stosunku 1:1 i przy x 0,02 następuje początek przejścia lokalizacji, tj, rezystwMść wzrasta wraz ze spadkiem tempera' tury 1 nie występuje nadprzewodnictwo. Przy x - 0,1 i tym samym stosunku 1:1 następuje spadek rszystywnoścl, przy bardzo wysokiej tsαpθrαturzs krytycznej 35 K.
Przy stosunku /Ba, La/ do Cu równym 2:1 w mieszaninie wyjściowej Jest imitowany skład fazy Ls2CuO4:^^, który Jest ndpowiβdzlaliy za nadprzewodnictwo 1 występuję tylko dwie fazy, nie aa fazy CuO. Przy zawartości baru x = 0,15 spadek rezyetjności występuje przy Tc = 26 K.
Sposób wytwarzania materlαłu ^^'-Ls-Cu-0 obejmuje dwie operacje obróbki cieplnej osadu, w podw^azonej temperaturze w ciągu kilku godzin. Najlepsze wyniki uzyskano przy
159 721 temperaturze rozkładu 900°C 1 przy czaeie reakcji 5 godzin oraz następnie przy temperaturze spiekania 900°C « ciągu jednej godziny. Te wartości odnoazę się do mieszaniny o stosunku lii Jak również do meszaniny o stosunku 2ii· Dle mieszaniny o stosunku 2il Jest dopuszczalna nieco wyższa temppraturę dzięki temu, że temperatura topnienie meszaniny jest wyższa przy braku nadmiaru tlenku miedziowego. Obecnie nie jest możliwe uzyskania przez obróbkę wysokotemperaturowe mieszaniny Jednofazowoe .
Poa lary przewodnictwa przy prądzie stałym przeprowadzono w granicach temperatur 4,2 1 300 K. V przypadku próbek domieszkowanych barem, dla przykładu przy x 0,3, przy gęstościach prędu 0,5 A/cm , w wysokich temperaturach występuję własności mθaallczne wraz ze wzrostem rezystywności w niskich temperaturach. W Jeszcze niższych temperaturach występuje nagły spadek rezystywności / > 90%/, który przy większych gęstościach prędu Jest częściowo tłumiony. Ten charakterystyczny spadek był badany jako funkcja warunków wyżarzania, tJ. temperatury 1 ciśnienia częetkowego tlenu. W przypadku próbek wyżarzanych w powietrzu przejście od zachowanie wędrujęcego do zlokalloowanego jeet niezbyt wyraźna, natomiast wyżarzanie w nieznacznie redukującej atmosferze prowadzi do wzroetu rezyst^w^ści 1 wyraźniejszego zjawiska lokalizacji. Równocześnie początek epadku rezystywności Jest przesunięty w kierunku większych wartości temperatury krytycznej. Dednak dłuższe czasy wyżarzania całkowicie niszczę nadprzewodnictwo.
Przy schładzaniu próbek od temperatury pokojowe;] re^st^^ś^ najpierw masje, podobnie Jak we^lu. W niskich temperaturach wzrost następuje w przypadku materiałów zawierających Ca Jako zastępujęcy Ba. Po tym wzroście następuje spadek rezystywnoścl 1 początek nadprzewodnictwa przy 22— 2 K 1 33^ 2 K dla materiałów zawierający^ o^owlednlo Ca i Ba. W przypadku mtarlału zawierającego Sr rezystwiność jest jak materiału Ma^^l^c^nβgo 1 zmniejsza się w temperaturze 40^· 1 K. Występowanie zjawisk lokalizacji zale^ silnie od stężenia Jonów ziem alkalccznych 1 od sposobu wytwarzania próbki, to naczy od warunków w^^^^analia i gęstości. Wszystkie próbki o małych stężeniach Ca, Sr 1 Ba wykazuję 9llnę tendencję do lokalizacji przed występieniem spadków rezystywności.
Początek nadprzewodnictwa, tj. wartość temperatury krytycznej Tc zależy między innymi od zawartości tlenu w końcowym Mteal^la. Potrzebny jeet pewien niedobór tlenu, aby mtaaaarał aiał nysokę temperaturę krytycznę T . Według wynalazku opisany wyżej sposób wytwac rzania mβtβΓiełu LagCuD^tBa Jeet uzupełniony operację wyżarzania, podczas której można regulować zawartość tlenu w końcowym produkcie. To samo dotyczy tokża innych mat^riałtów o okładzie określonym Hlor^l REgTM.O^tAE, np. NdgNK^iSr.
W przypadkach, w których obróbkę cleplnę rozkładu 1 reakcji l/lub opiekania lronβdzi się w stosunkowo niskich temperaturach, tj. nie w^kszych niż 950°C, końjows pro^kt pod daja się operami wyżarzania w temperaturze około 900OC w ciągu około jednej godzlns w atmosferze redukującej. Efektem operacji wyżarzania Jeet usunięcie atomów tlenu z pewnych miejsc, w głównym składniku laterlełu o składzie RE2TM.D4, co powoduje zakłócenie struktury krystalicznej · Ciśnienie częstkowe O? podczas wyżarzanie w tym przypadku Jest zawarte w zakresie
A » l-104Pa.
Przy przeprowadzaniu obróbki cieplnej w ttoflJ^nkowo wysokiej temperaturze /tj. powyżej 950°C/, kor^^ne jest raellłoielia operami wyżarzani w słabo utleniającej atmosferze, Dzięki temu uzupełnia się nadmiarla usuwanie atomów tlenu z układu wskutek wysokiej temperatury, powoduJęj zbyt poważne zakłócenie struktury krystalicznej układu.
Doświadczenia przeprowadzone w lwiąlkJ z wynalazkiem Jjewnlłs, że nadprzewodnictwo o wysokiej talpβaaturla krytycznej występuje w laaθΓiełach o złożonej strukturze, w których pierwiastek ziem rzadkich Jest częściowo zastępiony przez Jeden lub większę lcczbę innych pierwiastków tej telaj grupy il A układu okresowego pierwiastków, tj· Meali ziem elkθl.ljl^ch. TelperatJre Ittytyczna T dla Lt_CJD. z Sr Jest wyższa i Jego ^smagnetyzm w^ywołyc ł -j. ;+ wany przez nadprzewodnictwo Jest większy, niz stwierdzony dla Ba 1 Ca .
Poniary rezystywności i podatności w funkcji temperatury materiałów ceramicznych L82Cud4_s ^mia^ta^^^ Sr i Ca^* wykazuję t^ę sarnę talnelcję Jek Maθri.ełs nłBl.^szkłwena Ba . Spadek rezystywności P /T/ i przejście do nl8leglatyzlJ w niallejllie niższej
159 721
2* temperaturze. Próbki zawierające Sr wykazuje spadek rezystancji w wytezej temperaturze niZ zawierająca Ba2* 1 Ca2*, a podatność dieBagnetyczna Jest olcoło trzy razy wiąksza niz
2φ 3+ próbek z barem. Oako Ze prom.crt jonu Sr Jest prawie taki sam Jak promień jonu La , wymiary nie wpływają na ^stąpienia nadprzewodnictwa.
NajwyZsze temperatury krytyczne Tc dia kaZdego z badanych Jonów domieszkowych występuje Przy tych stąZeniach, przy których w temperaturze pokojowej struktura RE,g_J(,04_y Jest bliska przejściu fazowemu od struktury ortorombowej do tetragonalnej, co moZe być związana z silnym oddziaływaniem wzajemnym elektoonów 1 fononów, zwiększany przez zastępowanie pierwiastków. Mianowicie zastąpienia przez pierwiastek ziem alkalicznych metaiu ziem rzadkich powoduue prawdopodobnie wytwarzanie Jonów TM bez orbitali Oahna-Tellera e^. Brak tych orbitali w pobliZu poziomu Fermiego odgrywa prawdopodobnie znaczną rolą przy zwiększaniu temperatury krytycznej T^
Zakład Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.
Cena 10 000 zł

Claims (17)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. IMttriał nadprzewodzący t złożonej strukturze określonej wzorem RE2TM.04, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM oseal przejścOowy a O tlen, znamienny tym, że zawiera co najmniej Jeden pierwiastek ziem alkalicznych AE, zastępujący częściowo pierwiastek ziem rzadkich RE a zawartość tlenu Jest zredukowana i otrzymana struktura krystaicczna zawiera fazę określoną wzorem RE, AETM.O. y, w którym
    0,3 1 y < 0,5.
  2. 2. Mat^rr.ał według zastrz.l, znamienny tym, że zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich lantan a Jako mmeel przejściowy miedź.
  3. 3. teaeriał według zastrz.l, znamienny tym, że zawiera jako pierwiastek ziem rzadkich cer a Jako mmes!. przejściowy nikiel.
  4. 4. Maselał według Σββ^ζ.Ι, znamienny tym, że zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich laman a Jako Baes! przejściowy nikiel.
  5. 5.
    wy zamiennik
    Mat^rJLał według zastrz.l, z n a m i ^erwiastka ziem rzadki.ch bar, przy enny tya, że zawiera Jako czym x <0,3 1 0,1 4 γ < 0»5.
    częścio
  6. 6. Maselał według zas^z.!, znaaienny tym, że zawiera Jako częściowy zamienni plerwiastka ziem rzadkich wapń, przy czym x <0,3 1 0,1 <0·5·
  7. 7. Maoriał według zaatrz«l, znamienny tym, że zawiera jako częściowy zamienni ^erwlastka ziem rzad^cfi strony przy czym x <0,3 1 0,1 <y<o,5.
    Θ. Maarlał według zae^z.!, znamienny tym, że zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich laman a Jako przejściowy chrom.
  8. 9. Mas^ał wod ług za^srz.JL, znaaienny stek ziem rzcdklch neodym o Jako aatal przejóciowy miedź tym, że zawiera Jako pierwla
  9. 10. Sposób wytwarzania meaerlału itdprzeotdzęirgt o złożonej strukturze określonej ogólnym wzorom REgTM.O*, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM mQoal przejściowy o 0 tlen, znamienny tya, że rozpuszcza się w wodzie azotany pierwiastków ziom rzadkich i met^ai przejścoowych oraz mmealu ziem alkalccznych i otrzymuje się w wyniku ich o8pPłBtręcrnla osad, dodaje się współstręcony osad do kwasu szczawiowego 1 tworzy się dokłodnę mieszaninę otrzymanych szczawianów, po czym rozkłada się ten osad 1 przeprowadza się reakc w etanie tttłya, o^zewaj^ osad do te«ppratury 300 - 1^0°C w cgu 1 - 8 godzln, a następnie schładza elę otrzymany proszek, sprasow^jle się tan proszek pod ciśnien^m
    R R O
    2.10 - 10.10 Pa w ta^nki. i. ^nownie ogrzewa s takHetki. do trm^θι^ιtury 5°0 -00 C w clęgu 1/2 - 3 godzin, przez co spieka się Ja, po czym poddaje się tabletki dodatkowa;) obróbce wyżarzania w tempe^^rze 500 - 1200°C w clęgu 1/2 - 5 godzin w atmosferze ochronnej redukujęcej zawartość tlenu w końcowym matθritle o strukturze określonej wzorem RE2_xTM.04_^, w którym x <0,3 i. 0,1 \y \0,5.
  10. 11. Sposób według zastrz^G, znamienny tym, że Jako atmosferę ochronnę stosuje się czysty tlen.
  11. 12. Sposób według znamienny tye, że Jako atmosferę ochronnę stosuje się atmosferę redukujęcę o ciśnieniu częstkowym tlenu 1-10 Pa.
  12. 13. Sposób według zastrz.10, znamienny t y m, że rozkłada się osad w trmppΓaturce 900°C w ciągu 5 godzin a operację wyżarzania prowadzi si.ę w trm^θΓ^turcr 900°C 4 w cięgu 1 godziny w tta^8tarzr redukujęcej o ciśnieniu częs^i^wym tlen u 1 - 10 Pa.
    159 721
  13. 14. Sposób według zastrz.10, znamienny t y a, ie Jeko azotany pierwiastków zlea rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu, a Jako azotany aetall przejściowych rozpuszcza się azotany miedzi, natomiast do częściowego zastąpienia lantanu stosuJe al.ę bar, przy czym x < 0,2, rozkład osadu prowadzi się w temperaturze 900°C w cięgu 5 godzin, a wyżarzanie prowadzi się n atmosferze redukujęcej o ciśnieniu częskkoM^ym tlenu rzędu l^0^Pa 1 w ^aparaturze 900°C w cięgu 1 godziny.
  14. 15. Sposób według zaatrz.10, znamienny tym.ża Jako azotany pierwiastków zlea rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu a Jako azotany meeali przejściowych rozpuszcza się azotany niklu, natomiast do częściowego zastąpienie lantanu stosuje się bar, przy czym x <0,2, rozkład osadu prowadzi się w temperaturze 900°C w cięgu 5 g<jdzin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu cząstkowym tlenu rzędu lO^Pa 1 w temperaturze ^0°C w cięgu 1 godziny.
  15. 16. Sposób według zaatrz.10, znamienny tym, te Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu a Jako azotany meali przejścoowych rozpuszcza się azotany miedzi, natomast do częściowego zastąpienia lantanu stosuje się wapń, przy czym x <0,2. rozkład osadu prowadzi si.ę w temperaturze 900°C w cięgu 5 godzin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu częskoowym tlenu rzędu 1°Z pa 1 w tempseeturze 9°0°C w cięgu 1 godziny.
  16. 17. Sposób według zastrz.10, znamienny tym, że jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu a Jako azotany meali przejścoowych rozpuszcza się azotany natomast do częściowego zastąpienia lantanu stosuje się stront, przy czym x <0,2, rozkład prowadzi się w tam^0r^t:urze 900°C w ciągu 5 godzin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu częstkowym tlenu rzędu 10 Pa i w temperaturze 900°C w.cięgu 1 godziny.
  17. 18. Sposób według zaatrz.10, znamienny tym.ża Jako azotany pierwiast ków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany ceru a Jako azotany meali przejścoowych rozpuszcza się azotany niklu, natomiast do częściowego zastąpienia ceru stosuje się bor, przy czym x ^0,2, rozkłsd prowadzi się w tam^θr^turza 9°0°C w clęgu 5 god:zin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu cząs^c^ym tlenu rzędu 10 Pa 1 w temperaturze 9°OoC w clęgu 1 godziny.
PL1988270217A 1987-01-23 1988-01-20 i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL PL159721B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP87100961A EP0275343A1 (en) 1987-01-23 1987-01-23 New superconductive compounds of the K2NiF4 structural type having a high transition temperature, and method for fabricating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL270217A1 PL270217A1 (en) 1988-10-13
PL159721B1 true PL159721B1 (pl) 1993-01-29

Family

ID=8196696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1988270217A PL159721B1 (pl) 1987-01-23 1988-01-20 i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL

Country Status (13)

Country Link
US (1) US8688181B1 (pl)
EP (1) EP0275343A1 (pl)
AU (1) AU604827B2 (pl)
BR (1) BR8707107A (pl)
CS (1) CS277000B6 (pl)
DK (1) DK31388A (pl)
FI (1) FI880171A (pl)
HU (1) HU205493B (pl)
IL (1) IL84667A0 (pl)
NO (1) NO880187L (pl)
PL (1) PL159721B1 (pl)
PT (1) PT85720A (pl)
YU (1) YU46098B (pl)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638894B1 (en) * 1987-01-09 2003-10-28 Lucent Technologies Inc. Devices and systems based on novel superconducting material
GB2201955B (en) * 1987-03-11 1991-09-18 Ibm Electrically superconducting compositions and processes for their preparation
AU598115B2 (en) * 1987-03-18 1990-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Superconducting oxide ceramics
EP0283620A1 (en) * 1987-03-25 1988-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Superconducting ceramics
EP0285392A3 (en) * 1987-03-30 1989-06-07 Hewlett-Packard Company Methods for making superconductor precursor
EP0287749A1 (en) * 1987-04-23 1988-10-26 International Business Machines Corporation New layered copper oxide superconductor compounds
EP0366721A4 (en) * 1987-06-09 1991-04-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Improved process for making 90 k superconductors
AU600156B2 (en) * 1987-08-06 1990-08-02 University Of Arkansas, The Meltable high temperature superconductor
AU589068B2 (en) * 1987-08-10 1989-09-28 Furukawa Electric Co. Ltd., The Method of manufacturing oxide superconductor, and method of manufacturing composite oxide powder which is the precursor of the oxide superconductor
US5023067A (en) * 1987-09-11 1991-06-11 W. R. Grace & Co.-Conn. Manufacturing method for ceramics and products thereof
AU610237B2 (en) * 1987-09-11 1991-05-16 W.R. Grace & Co.-Conn. Manufacturing method for superconducting ceramics
AU2920289A (en) * 1987-12-30 1989-08-01 Unisearch Limited Improved method for producing ceramic superconductors
US5196388A (en) * 1991-06-10 1993-03-23 Akzo N.V. Process for the preparation of double metal oxide powders containing a Group IIIA and a Group IVB element and a novel double metal hydroxyl carboxylate useful in preparing same
DE10208883A1 (de) * 2002-03-01 2003-09-18 Forschungszentrum Juelich Gmbh Sauerstoffmembran für den Einsatz bei hohen Temperaturen
US7867950B2 (en) 2004-12-23 2011-01-11 Superconductor Technologies, Inc. RF-properties-optimized compositions of (RE)Ba2Cu3O7-δ thin film superconductors
RU2709463C1 (ru) * 2019-06-28 2019-12-18 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии наук Твердооксидный электродный материал

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5125597B1 (pl) * 1966-11-22 1976-07-31
EP0283620A1 (en) * 1987-03-25 1988-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Superconducting ceramics
US4897378A (en) * 1987-05-22 1990-01-30 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of thin film superconducting oxides
AU600156B2 (en) * 1987-08-06 1990-08-02 University Of Arkansas, The Meltable high temperature superconductor

Also Published As

Publication number Publication date
NO880187D0 (no) 1988-01-18
FI880171A0 (fi) 1988-01-15
PL270217A1 (en) 1988-10-13
HUT49422A (en) 1989-09-28
DK31388A (da) 1988-07-24
YU46098B (sh) 1992-12-21
BR8707107A (pt) 1988-08-02
IL84667A0 (en) 1988-05-31
CS8800361A2 (en) 1991-07-16
FI880171A (fi) 1988-07-24
YU240487A (en) 1989-08-31
DK31388D0 (da) 1988-01-22
AU1069988A (en) 1988-07-28
US8688181B1 (en) 2014-04-01
AU604827B2 (en) 1991-01-03
EP0275343A1 (en) 1988-07-27
NO880187L (no) 1988-07-25
PT85720A (pt) 1989-02-28
HU205493B (en) 1992-04-28
CS277000B6 (en) 1992-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL159721B1 (pl) i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL
Ikeda et al. Synthesis and superconducting properties of the infinite-layer compounds Sr1− xLnxCuO2 (Ln= La, Nd, Sm, Gd)
Sreedhar et al. Low-temperature electronic properties of the Lan+ 1NinO3n+ 1 (n= 2, 3, and∞) system: evidence for a crossover from fluctuating-valence to Fermi-liquid-like behavior
Wu et al. Anomalous magnetic and superconducting properties in a Ru-based double perovskite
Dabrowski et al. New family of superconducting copper oxides: GaSr2Ln1− xCaxCu2O7
US5137867A (en) Superconducting cermet formed in situ by reaction sintering
US5324712A (en) Formation of the high TC 2223 phase in BI-SR-CA-CU-O by seeding
US4952390A (en) Superconductive oxide crystal and a production process thereof
EP0511734A2 (en) A superconductive material, a superconductive body, and a method of forming such a superconductive material or body
WO1996022258A1 (en) Low temperature (t lower than 950 °c) preparation of melt texture ybco superconductors
US5210069A (en) Preparation method of high purity 115 K Tl-based superconductor
EP0303813B1 (en) High critical current superconductors
Djurek et al. Cu-Pb-Ag-O system as a possible superconductor at T> 200 K
JP2539451B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
Gopalakrishnan et al. The influence of substitution of Ce on the superconducting behaviour of YBa2Cu4O8 and DyBa2Cu4O8
JP2920001B2 (ja) 希土類系酸化物超電導体の製造方法
JPH026329A (ja) 超伝導材料組成物
Oesterreicher et al. Superconductivity in Bi Cu Sr Ca O
Fisk et al. Superconductivity and Magnetism in the La2 CuO4-Based Compounds
JPS63190712A (ja) 超伝導物質
JPH04317415A (ja) Bi系酸化物超電導々体の製造方法
EP0292940A2 (en) Superconductor
KR910001306B1 (ko) 고전이온도를 갖는 K₂NiF₄구조형태의 초전도성 화합물 및 이의 제조방법
JP3282688B2 (ja) 酸化物超伝導体の製造方法
Jorda et al. Oxidation of metallic precursors: a route to high-temperature superconductivity in the thallium-based series