PL159721B1 - i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL - Google Patents
i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PLInfo
- Publication number
- PL159721B1 PL159721B1 PL1988270217A PL27021788A PL159721B1 PL 159721 B1 PL159721 B1 PL 159721B1 PL 1988270217 A PL1988270217 A PL 1988270217A PL 27021788 A PL27021788 A PL 27021788A PL 159721 B1 PL159721 B1 PL 159721B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- oxygen
- nitrates
- dissolved
- rare earth
- lanthanum
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 25
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- -1 rare earth nitrate Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 4
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical class [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical class [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PACGUUNWTMTWCF-UHFFFAOYSA-N [Sr].[La] Chemical compound [Sr].[La] PACGUUNWTMTWCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 claims description 2
- 102100023231 Lysosomal alpha-mannosidase Human genes 0.000 claims 2
- 101710135169 Lysosomal alpha-mannosidase Proteins 0.000 claims 2
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 claims 2
- KVUYSIIZYQUVMT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisothiocyanatoethane Chemical compound S=C=NCCN=C=S KVUYSIIZYQUVMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 claims 1
- ARWMTMANOCYRLU-UHFFFAOYSA-N [Ca].[La] Chemical compound [Ca].[La] ARWMTMANOCYRLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 claims 1
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical class [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 abstract 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 11
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000309464 bull Species 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 101150004094 PRO2 gene Proteins 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IQONKZQQCCPWMS-UHFFFAOYSA-N barium lanthanum Chemical compound [Ba].[La] IQONKZQQCCPWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052614 beryl Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011872 intimate mixture Substances 0.000 description 1
- YYMDQTCBBBXDRH-UHFFFAOYSA-N lanthanum;oxocopper Chemical group [La].[Cu]=O YYMDQTCBBBXDRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum;oxonickel Chemical group [La].[Ni]=O RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 235000002020 sage Nutrition 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002792 vascular Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
1 . M aterial n ad p rzew od zacy o zlozon ej struk tu rze ok reslon ej w zorem R E 2T M ·O 4 , w którym R E ozn acza p ierw iastek ziem rzad k ich , T M m etal przejsciow y a O tlen, znamienny tym, ze zaw iera co n ajm niej jed en pierw iastek ziem alkaliczn ych A E , zastep u jacy czesciow o pierw ia- stek ziem rzadk ich R E a zaw artosc tlenu je st zred u ko w an a i otrzy m an a stru k tu ra krystaliczn a zaw iera faze o k reslo n a w zorem R E 2-xA E xT M ·O 4-y , w którym x < 0,3 i y < 0,5. PL PL PL
Description
Przedmiotem wynalazku Jest materiał nadprzewodzący o złożonej strukturze 1 sposób wytwarzania mat^f^:iału nadprzewodzącego o złożonej strukturze, wykazującej własności nadprzewodzące poniżej stosunkowo wysokiej temperatury przejściowej.
Zjawisko nadprzewodnictwa Jest z^^l^^le określane Jako całkowite utrata rezystancji elektrycznej Mat^ri-ału w ściśle określonej temperaturze. Nadprzewodnikami jest około Jedne czwarta pierwiastków 1 ponad tysiąc stopów. Nadprzewodnictwo Jest uważane za właściwość stanu msealicznsgo mraeialu, a wszystkie znane nadprzewodniki eą mt^liczne w warunkach, w których stają się one nadprzewodnikami. Znane są takie nlemes^l-lczne maeriały, które staję się nadprzewodzące przy bardzo wysokim ciśnieniu, przekształcajcie· Je w metale zanim staną się iadprzawodnikami.
Znane Jest zastosowanie nadprzewodników do wytwarzanie 1 przenoszenia energii elektrycznej na duże odległości, do wytwarzania cewek sinnych magnesów, stosowanych w fizyce plazmy i fizyce jądrowej, w medycznej diagnostyce z wykorzystaniem magnetycznego rezonansu Jądrowego i przy oagnitycznea lewita^l szybkich pociągów, a także do wytwarzania elementów komputerów.
Znane dotąd materiały nadprzewodzące maję bardzo niską temperaturę pΓzaaściowę /zwaną temperaturą krytyczną Tc/, która Jest zwykle rzędu kilku stopni Kelwina. Pierwlast4
159 721 kien o najwyższej temperaturze krytycznej Tc Jest niob /9,2 K/, a najwyższa znana temperatura krytyczna Tc wynosi około 23 K dla Nb^Ge przy ciśnieniu otoczenie. Większość znanych nadprzewodników wymaga zastosowania do chłodzenia ciekłego helu, a przez to skomplikowanej technologii 1 znacznych nakładów energetycznych.
Znana Jeet Jedynie małe liczba tlenków wykazujęcych nadprzewodnictwo, a wśród nich układ L1-T1-0 mający temperaturę krytycznę aż 13.7 K, co zostało opisane przez D.C. □ohnstona, H. Ρτ^ϋΙιβ, W. H. Zachariassna 1 R. Vlsvenathana w publlkacji tot, Ree. Buli 8 /1973/ 777. Inne znane tlenki nadprzewodzęce to SrTlO^ z domieszkę Nb 1 materiał o składzie określonym wzorem BaPbj._x BixIg, co zostało opisane przez A. Baratoffa 1 G. Binniga w pubbikacji Płiyalcs 1088 /1981/ 1335 1 przez A. W. Sleighta, □. L. Ginaona i F.E, Bleretedte w pubbikacji Solid State Comrnun. 17 /1975/ 27.
Aroliza rentgenowska przoprowadzona przez Oohnatona ujawniła występowanie w układzie L1-T1-0 trzech różnych faz krystalograficznych, z których Jedna o strukturze spinelowej wykazuje wyaokę temperaturę krytyczną. Również układ Ba-La-Cu-0 opisany przez C. Michale 1 B. Raveeu*a w pubbikacji Rev. Chla. Min. 21 /1984/ 407 1 przez C. Michała, L. Er-Rakho 1 BcRayeau^ w pubbikacji tot. Ree. Buli, tom 20 /1985/ 667 - 671 bez powiązania ze zjawiskiem nadprzewodnictwem, wykazuje szereg faz krystalograficznych, mianowicie ze składnikami miedziowymi o mieszanej wartościowości, które maję przejścitwa etany elektroniczne pomiędzy
3+ 2+
Jonami nie będącymi Jonami Oahna-Tθiler- Cu 1 Jonami OBlina-reHere Cu .
To dotyczy taż układów, w których nikiel Jest wykorzystywany zamiast siedzi, przy czym Ni** Jeat składnl-kiem Oahnn-Teilθr-, a Ni2* nie Jest składnikom Oahna-Tτal.θre.
Występowanie polaronów Oahna-Tθilere w przewodzących kryształach było postulowane teoretycznie przez K.H. Hoacka, H. Nicklache i H. Thomasa w publlkacji Halv. Phys. Acta 56 /1983/ 237. Polarony wykazuję duże oddziaływanie wzajemne pomiędzy alθktaonaui 1 są korzystne dle nadprzewodnictwa o wysokich temperaturach krytycznych.
Μ-θγΙβΙ nadprzewodzący według wynalazku o złożonej strukturze określonej wzorem REgTM.O^, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM metal przejśdowy e O tlen, zawiera co najmniej Jedon piorwl-etak ziaa -lk-licznych AE, zastępujący częściowo plerwl-atek zioa rzadkich RE, a zawartość tlsnu Jest zredukowana 1 otrzymana struktura krystallczna zewien f-za altΓaól.aną azaraa RE^^A^TC-KO^y, w Ictórym x <0,3 i y <0,5.
Maoriał wodług wynnlazku korzystnlo zawiera Jako plaraiββtok ziaa rzadkich lantan a Jako aotol przajóciowy siądź.
FJ iaaya przykładzie wykonania natarła! według wynalazku z-ιoiar- Jako pierwiastek ziarn rzadkich cer a Jako natol przejódowy nikiel.
Materiał wodług wynalazku noże też zawierać Jako pierwiastek ziem rzadkich lanten, a Jako Botel przejściowy nikiel.
MaerJLał według wynalazku korzystnie zawiera Jako częściowy zamiennik pierwi-atkziam rzadkich bar, przy czym x ^0,3 i 0,1 4 0.5.
W innym przykładzie wykonanie ιβθ-θγΙ-Ι według wynalazku zawiera Jako częściowy zamiennik plirwi-stk- ziem rzadldch wspiń przy czym x <^0,3 i 0,1 </«0.5.
Ηθ-βγΙ-Ι według ^^Γ^^l-^ku może też zawierać jako częściowy zamiennik pierwiastka ziem rzadkich stront, przy czym x<0,3 i 0,1 < y <0,5.
Μ-(^γ!.-1 według wynalazku korzystnie zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich laat-a, a Jako przejściowy chrom.
W innym przykładzie wynalazku ιΙ(^γ1-1 według wynalazku zawiera pierwiastek ziem rzadkich neodym a jako metal przejśdowy miedź.
Według wynalazku sposób wytwarzania Mt0r^-łu nadprzewodzącego o złożonej strukturze określonej ogólnym wzoi^^m REgTM.O^, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM m^uil przejścoowy a O tlen, polega na tym, że rozpuszcza się w azotany pierwiastków ziem rzadkich i imali przejściowych oraz metalu ziem -^-Ι^ζωυοΙί i otrzymuje się w wyniku ich współstraitalt osad. Oodaje się współatΓęcaay osad do kwasu szczawiowego i tworzy się dokładną mieszaninę otrzymanych szczawianów, po czym rozkłada się tan osad i przeprowadza ri-tija n stanie st-łyy, ogrzewając osad do temperatury 300 - 1200°C w ciągu 1-8 go159 721 dżin. Następnie schładza sie otrzymany proszek, epraeowuja się ten proszek pod ciśnieniem θ 8 o
2.10 - 10.10° Pa w tabletki i ponownie ogrzewa się tabletki do temperatury 500 - 1000oC w cięgu 1/2 - 3 godzin, przez co spieka się Ja. Potem poddeje się tabletki dodatkowej obróbce wytarzanie w temperaturze 500 - 1200°C w ciągu 1/2 - 5 godzin w atmosferze ochronnej radukujęcej zawartość tlenu w końcowym materiale o strukturze określonej wzorem fi^2_xTM,04_y, w którym x <0,3 1 0,1 <y <0,5.
W Jednym przykładzie wykonania sposobu według wynalazku, Jako atmosferę ochronnę stosuje się czysty tlen.
W innym przykładzie wykonania sposobu według wynalazku Jako atmosferę ochronnę stosuje się atmosferę redukującą o ciśnieniu cząstkowym tlenu 1-10 Pa.
Według o^Γ^^l.aztu rozgada sę osad w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin, a oparocję wyżarzania prowadzi się w temperaturze 900oC w ciągu 1 godziny w atmosferze redukujęcej o ciśnieniu częstkowym tlenu 1-10 Pa.
W piawtezym przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany lsntanu, a Jako azotany ϋβϋ przejścoowych rozpuszcza się azotany miedzi, natomiast do częściowego zastępienla lantanu stosuje się bar, przy czym x 0,2. rozltład osadu prowadzi się w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin a wyżarzanie pro2 wadzi eię w atmosferze redukuJącaj o ciśnieniu częskoowym tlenu rzędu 10 Po 1 w temperaturze 900°C w ciągu 1 godziny.
W drugim przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza elę azotany lantanu a Jako azotany ϋβΐΐ prze jścotowych rozpuszcza elę azotany niklu, natomiast do częściowego zastępienla lantanu stosuje się bar, przy czym x <0,2, rozkład osadu prowet^ici się w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin, a wyżarzenie prowadzi sę w atmosferze radukuJąceJ o ciśnieniu częstkowym tlenu rzędu 10? Pa i w temperaturze 900 C w ciągu 1 godziny,
W trzadm przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiaskków ziarn rzadkich rozpuszczę elę azotany lantanu a Jako azotany meeli przejścocwych rozpuszcza się azotany miedzi, natomiast do cz^ciowe^ zasępienia lantanu stosuje elę wapń, przy czym x <0,2, rozpad ooedu prowadzi się w tempcro^rze 9°0°C w ciągu 5 godzina wyżarzanie prowadzi się w stsooferza redukuj^ej o cenieniu cz^tkow^ t.lor^u rzędu 10? Pa 1 w temperaturze 900°C w ciągu 1 godziny.
czwartym przykładzio wzyl-konania wynalazku Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza aię azotany lantanu o Joko azotany ostali przejścoorsych rkzpuizczk się azotany □ledzi, natomiast do częściowego zoatępionia lantanu stosuje się stront, przy czym x / 0,2, rozpad prowadzi się w temperaturze 900°C w cięgu 5 godzina wyżarzanie prowadzi sę w atBoafafZk rodukuj^oj o cenieniu cz^tkcwyo tlenu rzędu 10? po 1 π taopkretuΓZk Mc w ciągu 1 godziny.
W plątym przykładzie wykonania wynalazku Jako azotany pierwiastków zico rzadkich rozpuszcza s ię azotany ceru o Jako azotany ϋβϋ przejścotswych rozpuszcza się azotany niklu, natomiast do cz^ciowe^ zasępienia ceru stosuje sę bar, przy czym x <0,2, rozkład prowadzi sę w temperaturze 900°C w ciągu 5 godzin a wyżarzanę prowadzi się w atmosferze redukuj^e,} o cenieniu cz^^owym tl^^nu rzędu 1.0? pa i w temperaturze 900OC w ciągu 1 godziwe
Zaletę wynalazku Jest opracowanie materiału nedprzaokdzącagk i sposobu wytwarzania materiału nadprzewodzącego, które maję tek wysokę temperaturę krytycznę, że zbędne staje się chłodzenie ciekŁ^m halam.
Zaproponowane według wynalazku materiały maję strukturę warstwowę typu znanego dle czterofluoronikeanu potasowego KgNiF^. Struktura te występuje szczególnie w tlenkach o ogólnym wzorze RE2TM.O4, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich /'^^ntanoi^iifc/ a TM oznacza tak zwany metal przejściowy. Charaktematyczne dla wynalazku Jest to, ze w ometiwonych latθriotach część RE Jeat zαitąpionα częściowo przez Jeden metal α^αΙΙοζηγοΕι lub przez kombinację metali ziem olkalieznych oraz wyetępują w nich niedobór zawartości tlenu.
159 721
Przykładała takiego Materiału nadprzewodzącego o złożonej strukturze spełniający· podany powyżej warunek Jest tlenek lantanowo-Miedzlowy o wzorze La2CuO4> w któryś lanten należący do grupy 1118 układu okresowego pierwiastków Jest częściowo zastąpiony przez Jeden z pierwiastków sąsiedniej grupy HA układu okresowego pierwiastków, to Jest przez Jeden z aetall zlea alkalicznych /lub przez kombinację pierwiastków z grupy IIA/, np. przez bar. Również zawartoóć tlenu w Materiale Jest niekompletna tak, że Materiał będzie siał skład określony ogólnym wzorsM La2_xBaxCuO4_y, w którya x 0.3 i y^O.S.
Innym przykładem Mar^i^jLal^u nadprzewodzącego, spełniającego ogólny wzór podany powyżej Jest tlenek lantanowo-niklowy, w którym lanten Jest częściowo zastąpiony przez stront i który aa skład określony ogólnym wzorea La2_xSrxN104_y· Oeszcze Innym przygadam takiego matθriału Jest tlenek cerowno-niklowy, w któryś cer Jest częściowo zastąpiony przez wapń 1 który ea skład określony ogólnym wzorea Ce2-xCaxN104-y·
Dalszy opis będzie odnosił się głównie do baru Jako pierwiastka zastępującego częściowo lantan w Meterlals o złożonej strukturze 1 o składzie określonym wzorem La^C^^4, gdyż układ Ba-La-Cu-0 Jest obecnie najlepiej zrozurniałm układem spośród wszystkich Możliwych.
Zwykle układ Ba-La-Cu-0 wykazuje trzy różne fazy krystalograficzne, a mianowiciet
- pierwszę fazę typu iarsiwowego podobnę do perowesitu, pokrewnę strukturze Κ3Ν1Ρ4, o składzie oltreślonym ogólnym wzorem ί^β2_χ Ββχ Cu04_y. w którjy x <1 i y >0.
- drugę nlθprzeindzęcę fazę CuO 1
- trzecię fazę bliskę ^gu^nesi! porowsktowi o składzie określonym ogólnym wzoren
La. Ba CuO., , który Jest niezależny od dokładnego składu wyjściowego. Z tych trzech faz i—x x pierwsza Jest odponwedzielne za nadprzewodnictwo o wysoklej temperaturze krytycznej Tc, przy czym temperatura krytyczna wykazuje zależność od stężenia beru w tej fazie. Podstawienie Ba?* powoduje stan o mieszanej iaΓtnścioinści Cu^* 1 Cu^* dla zapewnienie neutralnotoi ładunku. Zakłada się, że niedobór tlenu, y. Jest taki sam w krystalltach domieszkowanych i ilθdnmlsszkniαiych.
Zarówno La2CuC4 Jek i LaCuO3 sę π wysokich temperaturach przy braku baru przewodnikami Metalicznym., podobnie Jak LaNiO^. Pomimo Ich mθselicznego charakteru, materlały typu Ba-La-Cu-0 sę Materiałami ceramicznymi, podobnie Jak inne mβteΓlały o złożonej strukturze typu RE2TH.O4> a ich wytwarzanie następuje według zasad wytwarzania materiαłów ceramicznych.
Oeżeli istnieje wyaóg częściowego zastęplenla lentem przez stront lub wapń, to stosuje się Jago azotan zamiast azotanu baru, a Jeżeli miedź ma być zastępiona przez inny przejściowy, to stosuje się Jego azotan.
Poszczególne zawartości składników w poczętlowθj □^οζοη^^ odgrywaję znaczęcę rolę przy wytwarzaniu faz w końcowym produkcie. Końcowy układ Ba-La-Cu-0 zawiera zwykle wspomniane trzy fazy, przy czym druga faza występuje tylko w bardzo małej ilości, natomiast częściowe podstawienie lentem przez stront lub wapń /1 ewθniualnls beryl/ daje tylko Jednę fazę w końcowych mac^rJbałach, o składach określonych wzorami Lm2_χSrχCuO4_y lub La2-xCaxCu04_y przy x < °·3·
Przy stosunku 1:1 dla poszczególnych zawartości /Ba, La/ 1 Cu można oczekiwać, że w końcowym produkcie występlę trzy fazy. Pomijając drugę fazę, tj. fazę CuO, której mość Jest pomijana, względne objętości dwóch pozostałych faz zależę od zawartości baru w Materiale, o składzie okreś^nym wzorem La2_xBaxCuO4_y. Przy stosunku 1:1 i przy x 0,02 następuje początek przejścia lokalizacji, tj, rezystwMść wzrasta wraz ze spadkiem tempera' tury 1 nie występuje nadprzewodnictwo. Przy x - 0,1 i tym samym stosunku 1:1 następuje spadek rszystywnoścl, przy bardzo wysokiej tsαpθrαturzs krytycznej 35 K.
Przy stosunku /Ba, La/ do Cu równym 2:1 w mieszaninie wyjściowej Jest imitowany skład fazy Ls2CuO4:^^, który Jest ndpowiβdzlaliy za nadprzewodnictwo 1 występuję tylko dwie fazy, nie aa fazy CuO. Przy zawartości baru x = 0,15 spadek rezyetjności występuje przy Tc = 26 K.
Sposób wytwarzania materlαłu ^^'-Ls-Cu-0 obejmuje dwie operacje obróbki cieplnej osadu, w podw^azonej temperaturze w ciągu kilku godzin. Najlepsze wyniki uzyskano przy
159 721 temperaturze rozkładu 900°C 1 przy czaeie reakcji 5 godzin oraz następnie przy temperaturze spiekania 900°C « ciągu jednej godziny. Te wartości odnoazę się do mieszaniny o stosunku lii Jak również do meszaniny o stosunku 2ii· Dle mieszaniny o stosunku 2il Jest dopuszczalna nieco wyższa temppraturę dzięki temu, że temperatura topnienie meszaniny jest wyższa przy braku nadmiaru tlenku miedziowego. Obecnie nie jest możliwe uzyskania przez obróbkę wysokotemperaturowe mieszaniny Jednofazowoe .
Poa lary przewodnictwa przy prądzie stałym przeprowadzono w granicach temperatur 4,2 1 300 K. V przypadku próbek domieszkowanych barem, dla przykładu przy x 0,3, przy gęstościach prędu 0,5 A/cm , w wysokich temperaturach występuję własności mθaallczne wraz ze wzrostem rezystywności w niskich temperaturach. W Jeszcze niższych temperaturach występuje nagły spadek rezystywności / > 90%/, który przy większych gęstościach prędu Jest częściowo tłumiony. Ten charakterystyczny spadek był badany jako funkcja warunków wyżarzania, tJ. temperatury 1 ciśnienia częetkowego tlenu. W przypadku próbek wyżarzanych w powietrzu przejście od zachowanie wędrujęcego do zlokalloowanego jeet niezbyt wyraźna, natomiast wyżarzanie w nieznacznie redukującej atmosferze prowadzi do wzroetu rezyst^w^ści 1 wyraźniejszego zjawiska lokalizacji. Równocześnie początek epadku rezystywności Jest przesunięty w kierunku większych wartości temperatury krytycznej. Dednak dłuższe czasy wyżarzania całkowicie niszczę nadprzewodnictwo.
Przy schładzaniu próbek od temperatury pokojowe;] re^st^^ś^ najpierw masje, podobnie Jak we^lu. W niskich temperaturach wzrost następuje w przypadku materiałów zawierających Ca Jako zastępujęcy Ba. Po tym wzroście następuje spadek rezystywnoścl 1 początek nadprzewodnictwa przy 22— 2 K 1 33^ 2 K dla materiałów zawierający^ o^owlednlo Ca i Ba. W przypadku mtarlału zawierającego Sr rezystwiność jest jak materiału Ma^^l^c^nβgo 1 zmniejsza się w temperaturze 40^· 1 K. Występowanie zjawisk lokalizacji zale^ silnie od stężenia Jonów ziem alkalccznych 1 od sposobu wytwarzania próbki, to naczy od warunków w^^^^analia i gęstości. Wszystkie próbki o małych stężeniach Ca, Sr 1 Ba wykazuję 9llnę tendencję do lokalizacji przed występieniem spadków rezystywności.
Początek nadprzewodnictwa, tj. wartość temperatury krytycznej Tc zależy między innymi od zawartości tlenu w końcowym Mteal^la. Potrzebny jeet pewien niedobór tlenu, aby mtaaaarał aiał nysokę temperaturę krytycznę T . Według wynalazku opisany wyżej sposób wytwac rzania mβtβΓiełu LagCuD^tBa Jeet uzupełniony operację wyżarzania, podczas której można regulować zawartość tlenu w końcowym produkcie. To samo dotyczy tokża innych mat^riałtów o okładzie określonym Hlor^l REgTM.O^tAE, np. NdgNK^iSr.
W przypadkach, w których obróbkę cleplnę rozkładu 1 reakcji l/lub opiekania lronβdzi się w stosunkowo niskich temperaturach, tj. nie w^kszych niż 950°C, końjows pro^kt pod daja się operami wyżarzania w temperaturze około 900OC w ciągu około jednej godzlns w atmosferze redukującej. Efektem operacji wyżarzania Jeet usunięcie atomów tlenu z pewnych miejsc, w głównym składniku laterlełu o składzie RE2TM.D4, co powoduje zakłócenie struktury krystalicznej · Ciśnienie częstkowe O? podczas wyżarzanie w tym przypadku Jest zawarte w zakresie
A » l-104Pa.
Przy przeprowadzaniu obróbki cieplnej w ttoflJ^nkowo wysokiej temperaturze /tj. powyżej 950°C/, kor^^ne jest raellłoielia operami wyżarzani w słabo utleniającej atmosferze, Dzięki temu uzupełnia się nadmiarla usuwanie atomów tlenu z układu wskutek wysokiej temperatury, powoduJęj zbyt poważne zakłócenie struktury krystalicznej układu.
Doświadczenia przeprowadzone w lwiąlkJ z wynalazkiem Jjewnlłs, że nadprzewodnictwo o wysokiej talpβaaturla krytycznej występuje w laaθΓiełach o złożonej strukturze, w których pierwiastek ziem rzadkich Jest częściowo zastępiony przez Jeden lub większę lcczbę innych pierwiastków tej telaj grupy il A układu okresowego pierwiastków, tj· Meali ziem elkθl.ljl^ch. TelperatJre Ittytyczna T dla Lt_CJD. z Srił Jest wyższa i Jego ^smagnetyzm w^ywołyc ł -j. ;+ wany przez nadprzewodnictwo Jest większy, niz stwierdzony dla Ba 1 Ca .
Poniary rezystywności i podatności w funkcji temperatury materiałów ceramicznych L82Cud4_s ^mia^ta^^^ Sr i Ca^* wykazuję t^ę sarnę talnelcję Jek Maθri.ełs nłBl.^szkłwena Ba . Spadek rezystywności P /T/ i przejście do nl8leglatyzlJ w niallejllie niższej
159 721
2* temperaturze. Próbki zawierające Sr wykazuje spadek rezystancji w wytezej temperaturze niZ zawierająca Ba2* 1 Ca2*, a podatność dieBagnetyczna Jest olcoło trzy razy wiąksza niz
2φ 3+ próbek z barem. Oako Ze prom.crt jonu Sr Jest prawie taki sam Jak promień jonu La , wymiary nie wpływają na ^stąpienia nadprzewodnictwa.
NajwyZsze temperatury krytyczne Tc dia kaZdego z badanych Jonów domieszkowych występuje Przy tych stąZeniach, przy których w temperaturze pokojowej struktura RE,g_J(™,04_y Jest bliska przejściu fazowemu od struktury ortorombowej do tetragonalnej, co moZe być związana z silnym oddziaływaniem wzajemnym elektoonów 1 fononów, zwiększany przez zastępowanie pierwiastków. Mianowicie zastąpienia przez pierwiastek ziem alkalicznych metaiu ziem rzadkich powoduue prawdopodobnie wytwarzanie Jonów TM bez orbitali Oahna-Tellera e^. Brak tych orbitali w pobliZu poziomu Fermiego odgrywa prawdopodobnie znaczną rolą przy zwiększaniu temperatury krytycznej T^
Zakład Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.
Cena 10 000 zł
Claims (17)
- Zastrzeżenia patentowe1. IMttriał nadprzewodzący t złożonej strukturze określonej wzorem RE2TM.04, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM oseal przejścOowy a O tlen, znamienny tym, że zawiera co najmniej Jeden pierwiastek ziem alkalicznych AE, zastępujący częściowo pierwiastek ziem rzadkich RE a zawartość tlenu Jest zredukowana i otrzymana struktura krystaicczna zawiera fazę określoną wzorem RE, AETM.O. y, w którym0,3 1 y < 0,5.
- 2. Mat^rr.ał według zastrz.l, znamienny tym, że zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich lantan a Jako mmeel przejściowy miedź.
- 3. teaeriał według zastrz.l, znamienny tym, że zawiera jako pierwiastek ziem rzadkich cer a Jako mmes!. przejściowy nikiel.
- 4. Maselał według Σββ^ζ.Ι, znamienny tym, że zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich laman a Jako Baes! przejściowy nikiel.
- 5.wy zamiennikMat^rJLał według zastrz.l, z n a m i ^erwiastka ziem rzadki.ch bar, przy enny tya, że zawiera Jako czym x <0,3 1 0,1 4 γ < 0»5.częścio
- 6. Maselał według zas^z.!, znaaienny tym, że zawiera Jako częściowy zamienni plerwiastka ziem rzadkich wapń, przy czym x <0,3 1 0,1 <0·5·
- 7. Maoriał według zaatrz«l, znamienny tym, że zawiera jako częściowy zamienni ^erwlastka ziem rzad^cfi strony przy czym x <0,3 1 0,1 <y<o,5.Θ. Maarlał według zae^z.!, znamienny tym, że zawiera Jako pierwiastek ziem rzadkich laman a Jako przejściowy chrom.
- 9. Mas^ał wod ług za^srz.JL, znaaienny stek ziem rzcdklch neodym o Jako aatal przejóciowy miedź tym, że zawiera Jako pierwla
- 10. Sposób wytwarzania meaerlału itdprzeotdzęirgt o złożonej strukturze określonej ogólnym wzorom REgTM.O*, w którym RE oznacza pierwiastek ziem rzadkich, TM mQoal przejściowy o 0 tlen, znamienny tya, że rozpuszcza się w wodzie azotany pierwiastków ziom rzadkich i met^ai przejścoowych oraz mmealu ziem alkalccznych i otrzymuje się w wyniku ich o8pPłBtręcrnla osad, dodaje się współstręcony osad do kwasu szczawiowego 1 tworzy się dokłodnę mieszaninę otrzymanych szczawianów, po czym rozkłada się ten osad 1 przeprowadza się reakcję w etanie tttłya, o^zewaj^ osad do te«ppratury 300 - 1^0°C w clęgu 1 - 8 godzln, a następnie schładza elę otrzymany proszek, sprasow^jle się tan proszek pod ciśnien^mR R O2.10 - 10.10 Pa w ta^nki. i. ^nownie ogrzewa się takHetki. do trm^θι^ιtury 5°0 - 1°00 C w clęgu 1/2 - 3 godzin, przez co spieka się Ja, po czym poddaje się tabletki dodatkowa;) obróbce wyżarzania w tempe^^rze 500 - 1200°C w clęgu 1/2 - 5 godzin w atmosferze ochronnej redukujęcej zawartość tlenu w końcowym matθritle o strukturze określonej wzorem RE2_xTM.04_^, w którym x <0,3 i. 0,1 \y \0,5.
- 11. Sposób według zastrz^G, znamienny tym, że Jako atmosferę ochronnę stosuje się czysty tlen.
- 12. Sposób według znamienny tye, że Jako atmosferę ochronnę stosuje się atmosferę redukujęcę o ciśnieniu częstkowym tlenu 1-10 Pa.
- 13. Sposób według zastrz.10, znamienny t y m, że rozkłada się osad w trmppΓaturce 900°C w ciągu 5 godzin a operację wyżarzania prowadzi si.ę w trm^θΓ^turcr 900°C 4 w cięgu 1 godziny w tta^8tarzr redukujęcej o ciśnieniu częs^i^wym tlen u 1 - 10 Pa.159 721
- 14. Sposób według zastrz.10, znamienny t y a, ie Jeko azotany pierwiastków zlea rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu, a Jako azotany aetall przejściowych rozpuszcza się azotany miedzi, natomiast do częściowego zastąpienia lantanu stosuJe al.ę bar, przy czym x < 0,2, rozkład osadu prowadzi się w temperaturze 900°C w cięgu 5 godzin, a wyżarzanie prowadzi się n atmosferze redukujęcej o ciśnieniu częskkoM^ym tlenu rzędu l^0^Pa 1 w ^aparaturze 900°C w cięgu 1 godziny.
- 15. Sposób według zaatrz.10, znamienny tym.ża Jako azotany pierwiastków zlea rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu a Jako azotany meeali przejściowych rozpuszcza się azotany niklu, natomiast do częściowego zastąpienie lantanu stosuje się bar, przy czym x <0,2, rozkład osadu prowadzi się w temperaturze 900°C w cięgu 5 g<jdzin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu cząstkowym tlenu rzędu lO^Pa 1 w temperaturze ^0°C w cięgu 1 godziny.
- 16. Sposób według zaatrz.10, znamienny tym, te Jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu a Jako azotany meali przejścoowych rozpuszcza się azotany miedzi, natomast do częściowego zastąpienia lantanu stosuje się wapń, przy czym x <0,2. rozkład osadu prowadzi si.ę w temperaturze 900°C w cięgu 5 godzin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu częskoowym tlenu rzędu 1°Z pa 1 w tempseeturze 9°0°C w cięgu 1 godziny.
- 17. Sposób według zastrz.10, znamienny tym, że jako azotany pierwiastków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany lantanu a Jako azotany meali przejścoowych rozpuszcza się azotany natomast do częściowego zastąpienia lantanu stosuje się stront, przy czym x <0,2, rozkład prowadzi się w tam^0r^t:urze 900°C w ciągu 5 godzin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu częstkowym tlenu rzędu 10 Pa i w temperaturze 900°C w.cięgu 1 godziny.
- 18. Sposób według zaatrz.10, znamienny tym.ża Jako azotany pierwiast ków ziem rzadkich rozpuszcza się azotany ceru a Jako azotany meali przejścoowych rozpuszcza się azotany niklu, natomiast do częściowego zastąpienia ceru stosuje się bor, przy czym x ^0,2, rozkłsd prowadzi się w tam^θr^turza 9°0°C w clęgu 5 god:zin a wyżarzanie prowadzi się w atmosferze redukującej o ciśnieniu cząs^c^ym tlenu rzędu 10 Pa 1 w temperaturze 9°OoC w clęgu 1 godziny.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP87100961A EP0275343A1 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | New superconductive compounds of the K2NiF4 structural type having a high transition temperature, and method for fabricating same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL270217A1 PL270217A1 (en) | 1988-10-13 |
PL159721B1 true PL159721B1 (pl) | 1993-01-29 |
Family
ID=8196696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL1988270217A PL159721B1 (pl) | 1987-01-23 | 1988-01-20 | i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8688181B1 (pl) |
EP (1) | EP0275343A1 (pl) |
AU (1) | AU604827B2 (pl) |
BR (1) | BR8707107A (pl) |
CS (1) | CS277000B6 (pl) |
DK (1) | DK31388A (pl) |
FI (1) | FI880171A (pl) |
HU (1) | HU205493B (pl) |
IL (1) | IL84667A0 (pl) |
NO (1) | NO880187L (pl) |
PL (1) | PL159721B1 (pl) |
PT (1) | PT85720A (pl) |
YU (1) | YU46098B (pl) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6638894B1 (en) * | 1987-01-09 | 2003-10-28 | Lucent Technologies Inc. | Devices and systems based on novel superconducting material |
GB2201955B (en) * | 1987-03-11 | 1991-09-18 | Ibm | Electrically superconducting compositions and processes for their preparation |
AU598115B2 (en) * | 1987-03-18 | 1990-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Superconducting oxide ceramics |
EP0283620A1 (en) * | 1987-03-25 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Superconducting ceramics |
EP0285392A3 (en) * | 1987-03-30 | 1989-06-07 | Hewlett-Packard Company | Methods for making superconductor precursor |
EP0287749A1 (en) * | 1987-04-23 | 1988-10-26 | International Business Machines Corporation | New layered copper oxide superconductor compounds |
EP0366721A4 (en) * | 1987-06-09 | 1991-04-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Improved process for making 90 k superconductors |
AU600156B2 (en) * | 1987-08-06 | 1990-08-02 | University Of Arkansas, The | Meltable high temperature superconductor |
AU589068B2 (en) * | 1987-08-10 | 1989-09-28 | Furukawa Electric Co. Ltd., The | Method of manufacturing oxide superconductor, and method of manufacturing composite oxide powder which is the precursor of the oxide superconductor |
US5023067A (en) * | 1987-09-11 | 1991-06-11 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Manufacturing method for ceramics and products thereof |
AU610237B2 (en) * | 1987-09-11 | 1991-05-16 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Manufacturing method for superconducting ceramics |
AU2920289A (en) * | 1987-12-30 | 1989-08-01 | Unisearch Limited | Improved method for producing ceramic superconductors |
US5196388A (en) * | 1991-06-10 | 1993-03-23 | Akzo N.V. | Process for the preparation of double metal oxide powders containing a Group IIIA and a Group IVB element and a novel double metal hydroxyl carboxylate useful in preparing same |
DE10208883A1 (de) * | 2002-03-01 | 2003-09-18 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Sauerstoffmembran für den Einsatz bei hohen Temperaturen |
US7867950B2 (en) | 2004-12-23 | 2011-01-11 | Superconductor Technologies, Inc. | RF-properties-optimized compositions of (RE)Ba2Cu3O7-δ thin film superconductors |
RU2709463C1 (ru) * | 2019-06-28 | 2019-12-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии наук | Твердооксидный электродный материал |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5125597B1 (pl) * | 1966-11-22 | 1976-07-31 | ||
EP0283620A1 (en) * | 1987-03-25 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Superconducting ceramics |
US4897378A (en) * | 1987-05-22 | 1990-01-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Preparation of thin film superconducting oxides |
AU600156B2 (en) * | 1987-08-06 | 1990-08-02 | University Of Arkansas, The | Meltable high temperature superconductor |
-
1987
- 1987-01-23 EP EP87100961A patent/EP0275343A1/en not_active Withdrawn
- 1987-09-15 PT PT85720A patent/PT85720A/pt not_active Application Discontinuation
- 1987-12-01 IL IL84667A patent/IL84667A0/xx unknown
- 1987-12-28 YU YU240487A patent/YU46098B/sh unknown
- 1987-12-29 BR BR8707107A patent/BR8707107A/pt unknown
-
1988
- 1988-01-15 FI FI880171A patent/FI880171A/fi not_active Application Discontinuation
- 1988-01-18 NO NO880187A patent/NO880187L/no unknown
- 1988-01-19 CS CS88361A patent/CS277000B6/cs unknown
- 1988-01-20 PL PL1988270217A patent/PL159721B1/pl unknown
- 1988-01-22 AU AU10699/88A patent/AU604827B2/en not_active Ceased
- 1988-01-22 HU HU88263A patent/HU205493B/hu not_active IP Right Cessation
- 1988-01-22 DK DK031388A patent/DK31388A/da not_active Application Discontinuation
-
1994
- 1994-09-09 US US08/303,561 patent/US8688181B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO880187D0 (no) | 1988-01-18 |
FI880171A0 (fi) | 1988-01-15 |
PL270217A1 (en) | 1988-10-13 |
HUT49422A (en) | 1989-09-28 |
DK31388A (da) | 1988-07-24 |
YU46098B (sh) | 1992-12-21 |
BR8707107A (pt) | 1988-08-02 |
IL84667A0 (en) | 1988-05-31 |
CS8800361A2 (en) | 1991-07-16 |
FI880171A (fi) | 1988-07-24 |
YU240487A (en) | 1989-08-31 |
DK31388D0 (da) | 1988-01-22 |
AU1069988A (en) | 1988-07-28 |
US8688181B1 (en) | 2014-04-01 |
AU604827B2 (en) | 1991-01-03 |
EP0275343A1 (en) | 1988-07-27 |
NO880187L (no) | 1988-07-25 |
PT85720A (pt) | 1989-02-28 |
HU205493B (en) | 1992-04-28 |
CS277000B6 (en) | 1992-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
PL159721B1 (pl) | i sposób wytwarzania materialu nadprzewodzacego o zlozonej strukturze PL PL PL | |
Ikeda et al. | Synthesis and superconducting properties of the infinite-layer compounds Sr1− xLnxCuO2 (Ln= La, Nd, Sm, Gd) | |
Sreedhar et al. | Low-temperature electronic properties of the Lan+ 1NinO3n+ 1 (n= 2, 3, and∞) system: evidence for a crossover from fluctuating-valence to Fermi-liquid-like behavior | |
Wu et al. | Anomalous magnetic and superconducting properties in a Ru-based double perovskite | |
Dabrowski et al. | New family of superconducting copper oxides: GaSr2Ln1− xCaxCu2O7 | |
US5137867A (en) | Superconducting cermet formed in situ by reaction sintering | |
US5324712A (en) | Formation of the high TC 2223 phase in BI-SR-CA-CU-O by seeding | |
US4952390A (en) | Superconductive oxide crystal and a production process thereof | |
EP0511734A2 (en) | A superconductive material, a superconductive body, and a method of forming such a superconductive material or body | |
WO1996022258A1 (en) | Low temperature (t lower than 950 °c) preparation of melt texture ybco superconductors | |
US5210069A (en) | Preparation method of high purity 115 K Tl-based superconductor | |
EP0303813B1 (en) | High critical current superconductors | |
Djurek et al. | Cu-Pb-Ag-O system as a possible superconductor at T> 200 K | |
JP2539451B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
Gopalakrishnan et al. | The influence of substitution of Ce on the superconducting behaviour of YBa2Cu4O8 and DyBa2Cu4O8 | |
JP2920001B2 (ja) | 希土類系酸化物超電導体の製造方法 | |
JPH026329A (ja) | 超伝導材料組成物 | |
Oesterreicher et al. | Superconductivity in Bi Cu Sr Ca O | |
Fisk et al. | Superconductivity and Magnetism in the La2 CuO4-Based Compounds | |
JPS63190712A (ja) | 超伝導物質 | |
JPH04317415A (ja) | Bi系酸化物超電導々体の製造方法 | |
EP0292940A2 (en) | Superconductor | |
KR910001306B1 (ko) | 고전이온도를 갖는 K₂NiF₄구조형태의 초전도성 화합물 및 이의 제조방법 | |
JP3282688B2 (ja) | 酸化物超伝導体の製造方法 | |
Jorda et al. | Oxidation of metallic precursors: a route to high-temperature superconductivity in the thallium-based series |