PL132829B1 - Thermistor composition - Google Patents

Thermistor composition Download PDF

Info

Publication number
PL132829B1
PL132829B1 PL23382281A PL23382281A PL132829B1 PL 132829 B1 PL132829 B1 PL 132829B1 PL 23382281 A PL23382281 A PL 23382281A PL 23382281 A PL23382281 A PL 23382281A PL 132829 B1 PL132829 B1 PL 132829B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
thermistors
resistance
temperature
silver
phr
Prior art date
Application number
PL23382281A
Other languages
English (en)
Other versions
PL233822A1 (en
Inventor
Bronislaw Jachym
Wieslaw Idzikowski
Gerard Wisniewski
Original Assignee
Politechnika Gdanska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Gdanska filed Critical Politechnika Gdanska
Priority to PL23382281A priority Critical patent/PL132829B1/pl
Publication of PL233822A1 publication Critical patent/PL233822A1/xx
Publication of PL132829B1 publication Critical patent/PL132829B1/pl

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest masa termistorowa.Dotychczas termistory wytwarzane sa z masy otrzymanej przez spiekanie polikrysta¬ licznych materialów pólprzewodnikowych o duzym wspólczynniku temperaturowym opornosci / oC /Jak na przyklad mieszanina dwutlenku tytanu i tlenku magnezu, tlenków manganu, miedzi, kobaltu i niklu. Otrzymuje sie wtedy termistory ujemne, których opornosc maleje ze wzrostem temperatury. Termistory dodatnie, których opornosc rosnie ze wzrostem tempe¬ ratury wykonuje sie z /BaTi02/ tytanianem baru i jego stalych roztworów z /SrTi02/ tyta¬ nianem strontu i /BaSnOp/ cynanianem baru domieszkowanych lantanem, cezem a takze z aono- krystalicznego krzemu domieszkowanego borem.Niedogodnosciami stosowanych materialów termistorowych sa: skomplikowane sposoby ich wytwarzania wymagajace na ogól wysokich temperatur do ich spiekania i z tym zwiazana niepowtarzalnosc procesu oraz ograniczone zmiany opornosci zwiazane ze zmianami tempe¬ ratury. Okolicznosc ta ogranicza zakres zastosowania termistorów nieorganicznych.Masa termistorowa wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze sklada sie z zywicy epoksydowej i sproszkowanego srebra o granulacji mniejszej lub równej 10 m, w stosunku wagowym polimeru do srebra od 1 : 4,5 do 1 : 5,02 dla termistorów z ujemnym wspólczynni¬ kiem temperaturowym opornosci /oC/; w stosunku od 1 : 5t15 do 1 : 5,2 dla termistorów z dodatnim wspólczynnikiem temperaturowym opornosci / oC / oraz w stosunku od 1 : 5,10 do 1 : 5»15 dla termistorów ze zmiennym wspólczynnikiem temperaturowym opornosci / oC /, który przybiera wartosc dodatnia w temperaturze nizszej od temperatury krytycznej miesz¬ czacej sie w granicach od 36°C do 80°C.Opornosc elektryczna przedmiotowej masy termistorowej mozna ksztaltowac w szerckim zakresie wartosci liczbowych i róznej zaleznosci od temperatury. Jest to mozliwe przez odpowiednie domieszkowanie polimeru sproszkowanym srebrem.2 Jak pokazano na wykresie I przy koncentracji arebra 0 - 490 opornosc elektryczna prawie nie ulega zmianie; przy zwiekszaniu koncentracji do wartosci 490 - 520 tak zwanej "krytycznej" naatepuje gwaltowny spadek opornosci o kilka do kilkunastu rzedów wielkosci po czym przy dalszym wzroscie koncentracji srebra opornosc elektryczna zmienia sie w zakresie jednego rzedu wielkosci.Przedzial koncentracji, dla której wystepuje gwaltowna zmiana opornosci jest na ogól niewielki, i tak na przyklad dla kompozycji zywicy epoksydowej z sadza acetylenowa wynosi 0,05%. Przedzial ten mozna poszerzyc droga odpowiednich zabiegów technologicznych na przyklad przez prowadzenie polimeryzacji w podwyzszonej temperaturze. Kompozycje z róznych obszarów koncentracji przedzialu przejsciowego wykazuja cechy: dielektryków, pól¬ przewodników i przewodników, ze wszystkimi konsekwencjami zaleznosci od napiecia i tempe¬ ratury. Kompozycje o odpowiednio dobranym skladzie, w pewnych przedzialach temperatury wykazuja cechy przewodników metalicznych, a w innych temperaturach cechy pólprzewodników.Szczególnie duze mozliwosci modyfikowania elektrycznych wlasciwosci kompozycji daje mieszanie materialów o bardzo róznych wlasciwosciach: na przyklad sproszkowane srebro i zycice epoksydowe. Interesujacy nas przedzial koncentracji rozciaga sie od 490 czesci wa¬ gowych srebra na 100 czesci zywicy epoksydowej do 520 cz.wag. srebra platkowego na 100 cz. zywicy /wykres I/. Jesli przyjac, ze opornosc wlasciwa pólprzewodnika zmienia sie z tempe¬ ratura w postaci:^ » A exp [m)» wówczas chcac poslugiwac sie przyjetym w zastosowaniach praktycznych wzorem:f/t/ = f / 1 + oC A T/. Temperaturowy wspólczynnik opornosci nalezy okreslic: c£ = — , ^, który dla masy pólprzewodzacej wynosi:^" - —^% Wykres II przedstawia zaleznosc opornosci wlasciwej od temperatury dla kompozycji: 490, 500, 510, 512, 515, 520 czesci wagowych srebra platkowego na 100 czesci wagowych zywicy epoksydowej w zaleznosci od odwrotnosci temperatury.Dla kompozycji 490 i 500 cz. wag. srebra na tOO czesci wagowych zywicy obserwuje sie dwie wartosci stalej B /temperatura aktywacji/, które sa dodatnie a przez co wspólczynnik OC jest ujemny.Dla kompozycji 510, 512 i 515 czesci wagowych srebra na 100 czesci wagowych zywicy obserwuje sie takze dwie wartosci stalych B - dla poszczególnych kompozycji z tym, ze w przedziale temperatur nizszych parametr B jest ujemny przez co temperaturowy wspólczynnik oporu staje sie dodatni zmieniajac powyzej pewnej temperatury krytycznej - scisle okres¬ lonej dla danej kompozycji - swój znak i wartosc bezwzgledna, dzieki odpowiedniej zmianie znaku i wartosci bezwzglednej parametru B. Kompozycja o zawartosci 520 cz. wag. srebra na 100 cz.wag. zywicy charakteryzuje sie juz dodatnia wartoscia wspólczynnika temperaturowego oporu -^C dzieki zachowaniu stalej ujemnej wartosci parametru B w przedziale temperatury od 20°C do 100°C.Przyklady wykonania: Przyklad I. W celu uzyskania organicznej masy termistorowej nalezy do ciek¬ lej, nieutwardzonej zywicy epoksydowej dodac srebro platkowe sk 25 w proporcji wg 1 : 4,9.Po dokladnym wymieszaniu dodaje sie utwardzacza - trójetylenoczteroaminy w proporcji 1 cz. wag. na 10 cz. wag. zywicy i miesza sie. Nalezy nastepnie naniesc krople kompozycji 3 mnr, na plytke ze szkla organicznego i wlozyc w nia dwa posrebrzone druty miedziane, tak aby zachowac odleglosc miedzy nimi rzedu 6 mm, srednica drutów nie powinna przekraczac wartosci 0,2 mm. Po utwardzeniu kompozycji w temperaturze 60°C przez ~1 godz. tak przygotowany termistor jest gotowy do uzytku i charakteryzuje sie ujemnym wspólczynnikiem temperaturowym oporu tft /4/ ze stala B^1,38-104K dla temperatur nizszych od 90°C, B~1,50*104K dla temperatur wyzszych od /^^90°C.Przyklad II. Postepujac jak poprzednio z kompozycja o zawartosci 5,10 cz. wag. srebra na 1 cz. wag. zywicy mozna otrzymac element termistorowy charakteryzujacy sie132 329 dodatnia wartoscia wspólczynnika t?~peraturowego oporu aC /4/ ze stala 3 dc temperatury 3o°C oraz ujemna wartoscia .tego wspólczynnika ze stala 3 <~ temperatur wyzszych od 36 C. -2 , - ? • 1 0 K •i '•'C-K dla Zastrzezenie patentowe Kasa termistorowa, znamienna t y id, ze sklada sie z zywicy epoksydowej i sproszkowanego srebra o granulacji mniejszej lub równej 10" m, w stosunku wagowym polimeru do srebra od 1 : 4,5 do 1 : 5,2 dla termistorów o ujemnym wspólczynniku tempe¬ raturowym opornosci /cK I w stosunku od 1 : 5,15 do 1 : 5,2 dla termistorów z dodatnim wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /c£ /; w stosunku od 1 : 5,10 dc 1 : 5,15 dla termistorów ze zmiennym wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /ctC /. 15 h 0110 h o132 829 16 I- % 12 10 en 8 o 6 h 2 0 i i i i L 2,0 2,5 x T 30 3 510 phr 512 phr 515 phr 520 phr -I U _l_l L 3,5 4P Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Kasa termistorowa, znamienna t y id, ze sklada sie z zywicy epoksydowej i sproszkowanego srebra o granulacji mniejszej lub równej 10" m, w stosunku wagowym polimeru do srebra od 1 : 4,5 do 1 : 5,2 dla termistorów o ujemnym wspólczynniku tempe¬ raturowym opornosci /cK I w stosunku od 1 : 5,15 do 1 : 5,2 dla termistorów z dodatnim wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /c£ /; w stosunku od 1 : 5,10 dc 1 : 5,15 dla termistorów ze zmiennym wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /ctC /. 15 h 0110 h o132 829 16 I- % 12 10 en 8 o 6 h 2 0 i i i i L 2,0 2,5 x T 30 3 510 phr 512 phr 515 phr 520 phr -I U _l_l L 3,5 4P Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 100 zl PL
PL23382281A 1981-11-12 1981-11-12 Thermistor composition PL132829B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL23382281A PL132829B1 (en) 1981-11-12 1981-11-12 Thermistor composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL23382281A PL132829B1 (en) 1981-11-12 1981-11-12 Thermistor composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL233822A1 PL233822A1 (en) 1983-05-23
PL132829B1 true PL132829B1 (en) 1985-04-30

Family

ID=20010542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL23382281A PL132829B1 (en) 1981-11-12 1981-11-12 Thermistor composition

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL132829B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL233822A1 (en) 1983-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2258646A (en) Resistance material
Wang et al. Dielectric characteristics and tunability of barium stannate titanate ceramics
Mangalaraja et al. Dielectric behavior of Ni1− xZnxFe2O4 prepared by flash combustion technique
PL132829B1 (en) Thermistor composition
KR930005249B1 (ko) 금속산화물계 써미스터 재료
US2329511A (en) Method of making resistors
Hu et al. TiO—epoxy composite thermistors
US3341473A (en) High beta thermistors
CN110304905A (zh) 一种铜钐为半导化的ntc热敏电阻材料及其制备方法
US2694050A (en) Thermally sensitive resistor
CN106946564B (zh) 一种线性电阻材料及其制备方法
CN113956038A (zh) 一种铈掺杂钙钛矿型高温热敏陶瓷电阻材料及其制备方法
KR100358301B1 (ko) 반도체 세라믹, 반도체 세라믹 소자 및 반도체 세라믹의생산 방법
EP0535773A1 (en) Varistor material and method of producing same
KR890003756B1 (ko) PTC 써미스터(Thermistor)용 BaTiO₃의 합성방법
EP0810612A1 (de) Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor
Yoon et al. Positive temperature coefficient of resistance effects in BaPbO3/polyethylene composites
KR0132158B1 (ko) 저온형 NTC 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor : 감온 온도 센서)의 저온 제조방법 및 그 조성물
Li et al. Influence of ZnSb2O6 Doping on Phase, Electrical and Dielectric Properties of ZnO Varistors
RU2152099C1 (ru) Резистивный материал
CN110642603A (zh) 一种基于氧化镍的高精度新型ntc热敏电阻材料
Ghare EFFECT OF ADDITION OF GLASS AND SILVER POWDERS IN THERMISTER MATERIALS.
KR100190907B1 (ko) 표면실장형 ptc 칩 서미스터
KR970003330B1 (ko) V₂o₃계 세라믹 저항체용 조성물 및 그 제조방법
JPS58154207A (ja) 電圧非直線抵抗磁器