PL132829B1 - Thermistor composition - Google Patents
Thermistor composition Download PDFInfo
- Publication number
- PL132829B1 PL132829B1 PL23382281A PL23382281A PL132829B1 PL 132829 B1 PL132829 B1 PL 132829B1 PL 23382281 A PL23382281 A PL 23382281A PL 23382281 A PL23382281 A PL 23382281A PL 132829 B1 PL132829 B1 PL 132829B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- thermistors
- resistance
- temperature
- silver
- phr
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910015806 BaTiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest masa termistorowa.Dotychczas termistory wytwarzane sa z masy otrzymanej przez spiekanie polikrysta¬ licznych materialów pólprzewodnikowych o duzym wspólczynniku temperaturowym opornosci / oC /Jak na przyklad mieszanina dwutlenku tytanu i tlenku magnezu, tlenków manganu, miedzi, kobaltu i niklu. Otrzymuje sie wtedy termistory ujemne, których opornosc maleje ze wzrostem temperatury. Termistory dodatnie, których opornosc rosnie ze wzrostem tempe¬ ratury wykonuje sie z /BaTi02/ tytanianem baru i jego stalych roztworów z /SrTi02/ tyta¬ nianem strontu i /BaSnOp/ cynanianem baru domieszkowanych lantanem, cezem a takze z aono- krystalicznego krzemu domieszkowanego borem.Niedogodnosciami stosowanych materialów termistorowych sa: skomplikowane sposoby ich wytwarzania wymagajace na ogól wysokich temperatur do ich spiekania i z tym zwiazana niepowtarzalnosc procesu oraz ograniczone zmiany opornosci zwiazane ze zmianami tempe¬ ratury. Okolicznosc ta ogranicza zakres zastosowania termistorów nieorganicznych.Masa termistorowa wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze sklada sie z zywicy epoksydowej i sproszkowanego srebra o granulacji mniejszej lub równej 10 m, w stosunku wagowym polimeru do srebra od 1 : 4,5 do 1 : 5,02 dla termistorów z ujemnym wspólczynni¬ kiem temperaturowym opornosci /oC/; w stosunku od 1 : 5t15 do 1 : 5,2 dla termistorów z dodatnim wspólczynnikiem temperaturowym opornosci / oC / oraz w stosunku od 1 : 5,10 do 1 : 5»15 dla termistorów ze zmiennym wspólczynnikiem temperaturowym opornosci / oC /, który przybiera wartosc dodatnia w temperaturze nizszej od temperatury krytycznej miesz¬ czacej sie w granicach od 36°C do 80°C.Opornosc elektryczna przedmiotowej masy termistorowej mozna ksztaltowac w szerckim zakresie wartosci liczbowych i róznej zaleznosci od temperatury. Jest to mozliwe przez odpowiednie domieszkowanie polimeru sproszkowanym srebrem.2 Jak pokazano na wykresie I przy koncentracji arebra 0 - 490 opornosc elektryczna prawie nie ulega zmianie; przy zwiekszaniu koncentracji do wartosci 490 - 520 tak zwanej "krytycznej" naatepuje gwaltowny spadek opornosci o kilka do kilkunastu rzedów wielkosci po czym przy dalszym wzroscie koncentracji srebra opornosc elektryczna zmienia sie w zakresie jednego rzedu wielkosci.Przedzial koncentracji, dla której wystepuje gwaltowna zmiana opornosci jest na ogól niewielki, i tak na przyklad dla kompozycji zywicy epoksydowej z sadza acetylenowa wynosi 0,05%. Przedzial ten mozna poszerzyc droga odpowiednich zabiegów technologicznych na przyklad przez prowadzenie polimeryzacji w podwyzszonej temperaturze. Kompozycje z róznych obszarów koncentracji przedzialu przejsciowego wykazuja cechy: dielektryków, pól¬ przewodników i przewodników, ze wszystkimi konsekwencjami zaleznosci od napiecia i tempe¬ ratury. Kompozycje o odpowiednio dobranym skladzie, w pewnych przedzialach temperatury wykazuja cechy przewodników metalicznych, a w innych temperaturach cechy pólprzewodników.Szczególnie duze mozliwosci modyfikowania elektrycznych wlasciwosci kompozycji daje mieszanie materialów o bardzo róznych wlasciwosciach: na przyklad sproszkowane srebro i zycice epoksydowe. Interesujacy nas przedzial koncentracji rozciaga sie od 490 czesci wa¬ gowych srebra na 100 czesci zywicy epoksydowej do 520 cz.wag. srebra platkowego na 100 cz. zywicy /wykres I/. Jesli przyjac, ze opornosc wlasciwa pólprzewodnika zmienia sie z tempe¬ ratura w postaci:^ » A exp [m)» wówczas chcac poslugiwac sie przyjetym w zastosowaniach praktycznych wzorem:f/t/ = f / 1 + oC A T/. Temperaturowy wspólczynnik opornosci nalezy okreslic: c£ = — , ^, który dla masy pólprzewodzacej wynosi:^" - —^% Wykres II przedstawia zaleznosc opornosci wlasciwej od temperatury dla kompozycji: 490, 500, 510, 512, 515, 520 czesci wagowych srebra platkowego na 100 czesci wagowych zywicy epoksydowej w zaleznosci od odwrotnosci temperatury.Dla kompozycji 490 i 500 cz. wag. srebra na tOO czesci wagowych zywicy obserwuje sie dwie wartosci stalej B /temperatura aktywacji/, które sa dodatnie a przez co wspólczynnik OC jest ujemny.Dla kompozycji 510, 512 i 515 czesci wagowych srebra na 100 czesci wagowych zywicy obserwuje sie takze dwie wartosci stalych B - dla poszczególnych kompozycji z tym, ze w przedziale temperatur nizszych parametr B jest ujemny przez co temperaturowy wspólczynnik oporu staje sie dodatni zmieniajac powyzej pewnej temperatury krytycznej - scisle okres¬ lonej dla danej kompozycji - swój znak i wartosc bezwzgledna, dzieki odpowiedniej zmianie znaku i wartosci bezwzglednej parametru B. Kompozycja o zawartosci 520 cz. wag. srebra na 100 cz.wag. zywicy charakteryzuje sie juz dodatnia wartoscia wspólczynnika temperaturowego oporu -^C dzieki zachowaniu stalej ujemnej wartosci parametru B w przedziale temperatury od 20°C do 100°C.Przyklady wykonania: Przyklad I. W celu uzyskania organicznej masy termistorowej nalezy do ciek¬ lej, nieutwardzonej zywicy epoksydowej dodac srebro platkowe sk 25 w proporcji wg 1 : 4,9.Po dokladnym wymieszaniu dodaje sie utwardzacza - trójetylenoczteroaminy w proporcji 1 cz. wag. na 10 cz. wag. zywicy i miesza sie. Nalezy nastepnie naniesc krople kompozycji 3 mnr, na plytke ze szkla organicznego i wlozyc w nia dwa posrebrzone druty miedziane, tak aby zachowac odleglosc miedzy nimi rzedu 6 mm, srednica drutów nie powinna przekraczac wartosci 0,2 mm. Po utwardzeniu kompozycji w temperaturze 60°C przez ~1 godz. tak przygotowany termistor jest gotowy do uzytku i charakteryzuje sie ujemnym wspólczynnikiem temperaturowym oporu tft /4/ ze stala B^1,38-104K dla temperatur nizszych od 90°C, B~1,50*104K dla temperatur wyzszych od /^^90°C.Przyklad II. Postepujac jak poprzednio z kompozycja o zawartosci 5,10 cz. wag. srebra na 1 cz. wag. zywicy mozna otrzymac element termistorowy charakteryzujacy sie132 329 dodatnia wartoscia wspólczynnika t?~peraturowego oporu aC /4/ ze stala 3 dc temperatury 3o°C oraz ujemna wartoscia .tego wspólczynnika ze stala 3 <~ temperatur wyzszych od 36 C. -2 , - ? • 1 0 K •i '•'C-K dla Zastrzezenie patentowe Kasa termistorowa, znamienna t y id, ze sklada sie z zywicy epoksydowej i sproszkowanego srebra o granulacji mniejszej lub równej 10" m, w stosunku wagowym polimeru do srebra od 1 : 4,5 do 1 : 5,2 dla termistorów o ujemnym wspólczynniku tempe¬ raturowym opornosci /cK I w stosunku od 1 : 5,15 do 1 : 5,2 dla termistorów z dodatnim wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /c£ /; w stosunku od 1 : 5,10 dc 1 : 5,15 dla termistorów ze zmiennym wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /ctC /. 15 h 0110 h o132 829 16 I- % 12 10 en 8 o 6 h 2 0 i i i i L 2,0 2,5 x T 30 3 510 phr 512 phr 515 phr 520 phr -I U _l_l L 3,5 4P Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Kasa termistorowa, znamienna t y id, ze sklada sie z zywicy epoksydowej i sproszkowanego srebra o granulacji mniejszej lub równej 10" m, w stosunku wagowym polimeru do srebra od 1 : 4,5 do 1 : 5,2 dla termistorów o ujemnym wspólczynniku tempe¬ raturowym opornosci /cK I w stosunku od 1 : 5,15 do 1 : 5,2 dla termistorów z dodatnim wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /c£ /; w stosunku od 1 : 5,10 dc 1 : 5,15 dla termistorów ze zmiennym wspólczynnikiem temperaturowym opornosci /ctC /. 15 h 0110 h o132 829 16 I- % 12 10 en 8 o 6 h 2 0 i i i i L 2,0 2,5 x T 30 3 510 phr 512 phr 515 phr 520 phr -I U _l_l L 3,5 4P Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL23382281A PL132829B1 (en) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | Thermistor composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL23382281A PL132829B1 (en) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | Thermistor composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL233822A1 PL233822A1 (en) | 1983-05-23 |
| PL132829B1 true PL132829B1 (en) | 1985-04-30 |
Family
ID=20010542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL23382281A PL132829B1 (en) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | Thermistor composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL132829B1 (pl) |
-
1981
- 1981-11-12 PL PL23382281A patent/PL132829B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL233822A1 (en) | 1983-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2258646A (en) | Resistance material | |
| Wang et al. | Dielectric characteristics and tunability of barium stannate titanate ceramics | |
| Mangalaraja et al. | Dielectric behavior of Ni1− xZnxFe2O4 prepared by flash combustion technique | |
| PL132829B1 (en) | Thermistor composition | |
| KR930005249B1 (ko) | 금속산화물계 써미스터 재료 | |
| US2329511A (en) | Method of making resistors | |
| Hu et al. | TiO—epoxy composite thermistors | |
| US3341473A (en) | High beta thermistors | |
| CN110304905A (zh) | 一种铜钐为半导化的ntc热敏电阻材料及其制备方法 | |
| US2694050A (en) | Thermally sensitive resistor | |
| CN106946564B (zh) | 一种线性电阻材料及其制备方法 | |
| CN113956038A (zh) | 一种铈掺杂钙钛矿型高温热敏陶瓷电阻材料及其制备方法 | |
| KR100358301B1 (ko) | 반도체 세라믹, 반도체 세라믹 소자 및 반도체 세라믹의생산 방법 | |
| EP0535773A1 (en) | Varistor material and method of producing same | |
| KR890003756B1 (ko) | PTC 써미스터(Thermistor)용 BaTiO₃의 합성방법 | |
| EP0810612A1 (de) | Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor | |
| Yoon et al. | Positive temperature coefficient of resistance effects in BaPbO3/polyethylene composites | |
| KR0132158B1 (ko) | 저온형 NTC 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor : 감온 온도 센서)의 저온 제조방법 및 그 조성물 | |
| Li et al. | Influence of ZnSb2O6 Doping on Phase, Electrical and Dielectric Properties of ZnO Varistors | |
| RU2152099C1 (ru) | Резистивный материал | |
| CN110642603A (zh) | 一种基于氧化镍的高精度新型ntc热敏电阻材料 | |
| Ghare | EFFECT OF ADDITION OF GLASS AND SILVER POWDERS IN THERMISTER MATERIALS. | |
| KR100190907B1 (ko) | 표면실장형 ptc 칩 서미스터 | |
| KR970003330B1 (ko) | V₂o₃계 세라믹 저항체용 조성물 및 그 제조방법 | |
| JPS58154207A (ja) | 電圧非直線抵抗磁器 |