PL130231B1 - Electric signal value level checking circuit - Google Patents

Electric signal value level checking circuit

Info

Publication number
PL130231B1
PL130231B1 PL22686080A PL22686080A PL130231B1 PL 130231 B1 PL130231 B1 PL 130231B1 PL 22686080 A PL22686080 A PL 22686080A PL 22686080 A PL22686080 A PL 22686080A PL 130231 B1 PL130231 B1 PL 130231B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
input
transistor
collector
signal
gate
Prior art date
Application number
PL22686080A
Other languages
English (en)
Other versions
PL226860A1 (pl
Inventor
Marian Fabrycy
Janusz Sidwa
Ewa Lewickagawron
Original Assignee
Przemyslowy Instytut Automatyk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Przemyslowy Instytut Automatyk filed Critical Przemyslowy Instytut Automatyk
Priority to PL22686080A priority Critical patent/PL130231B1/pl
Publication of PL226860A1 publication Critical patent/PL226860A1/xx
Publication of PL130231B1 publication Critical patent/PL130231B1/pl

Links

Landscapes

  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad kontrolny poziomu wartosci sygnalu elektrycznego, zwlaszoza do kontroli poziomu sygnalu wzgledem trzech przedzialów odniesienia ograniczo¬ nyoh dwoma napieciami odniesienia* Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 119 210 uklad do stalej kontroli wielko¬ sci napiecia w instalaoji elektryoznej. Uklad ten ma dwa stopnie progowe, kazdy zawiera- jaoy tranzystor, którego baza jest polaczona poprzez potencjometr z masa ukladu oraz po¬ przez diode Zenera i rezystor z plusem zródla, a kolektor jest polaozony poprzez rezystor z plusem zródla, natomiast emiter jest polaczony z masa ukladu. Ponadto uklad ma stopien posredni i stopien koncowy, kazdy zawierajacy tranzystor, którego emiter jest polaczony z masa ukladu, a kolektor jest polaczony poprzez rezystor z plusem zródla.Baza tranzystora stopnia posredniego jest polaczona poprzez rezystor i jedna diode z kolektorem tranzystora pierwszego stopnia progowego oraz poprzez druga diode z kolekto¬ rem tranzystora stopnia koncowego, którego baza jest polaozona poprzez rezystor z kolek¬ torem tranzystora drugiego stopnia progowego. Diody elektroluminescencyjne, sygnalizujace trzy stany napiecia w instalacji elektryoznej, sa wlaczone pomiedzy mase ukladu oraz ko¬ lektory tranzystorów, tranzystora pierwszego stopnia progowego, tranzystora stopnia po¬ sredniego i tranzystora stopnia koncowego. Gdy napiecie w instalacji ma wartosc nizsza od wartosci nominalnej, tranzystor pierwszego stopnia progowego jest zatkany i stan ten syg¬ nalizuje dioda elektroluminesoenoyjna dolaczona do jego kolektora* Gdy napiecie w insta¬ lacji ma wartosc równa wartosoi nominalnej, tranzystor pierwszego stopnia progowego prze¬ wodzi, a zatkany jest tranzystor stopnia posredniego i stan ten sygnalizuje dioda elektro¬ luminescencyjna dolaczona do jego kolektora. Gdy napiecie w instalacji ma wartosc wyzsza od wartosci nominalnej, przewodzi tranzystor drugiego stopnia progowego, a zatkany jest tranzystor stopnia koncowego i stan ten sygnalizuje dioda elektroluminescencyjna dolaczo¬ na do jego kolektora*2 130 231 Niedogodnoscia znanego ukladu jest znaczna ilosc elementów w nim wystepujaca, bedaca powodem znaoznych kosztów jego wytwarzania, ponadto zastosowane diody Zenera posiadaja pewne tolerancje parametrów, które wplywaja na zmniejszenie dokladnosci sygnalizowania poszczególnyoh stanów napiecia w instalacji.Celem wynalazku jest opracowanie prostego ukladu, który spelnialby funkcje ukladu znanego, a jednoczesnie koszt jego wytwarzania byl niski. W ukladzie wedlug wynalazku, wyjscie ukladu obróbki sygnalu jest polaczone poprzez rezystory z bazami dwóch tranzy¬ storów. Emiter jednego tranzystora jest polaczony z jednym zródlem napiecia odniesienia, a jego kolektor jest polaczony poprzez rezystor z masa ukladu oraz z jednym wejsciem bramki, której drugie wejscie jest polaczone z sygnalem "O". Emiter drugiego tranzystora jest polaczony z drugim zródlem napiecia odniesienia, a jego kolektor jest polaczony po¬ przez rezystor z masa ukladu oraz z jednym wejsciem drugiej bramki, której drugie wej¬ scie jest polaozone z sygnalem "1". Jezeli zachodzi potrzeba sygnalizacji poziomu sygna¬ lu zawartego miedzy wartosoiami napiec odniesienia, w ukladzie jest stosowana trzecia bramka, której jedno wejscie jest polaozone z kolektorem jednego tranzystora, a drugie wejsoie z kolektorem drugiego tranzystora.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym przedstawiono schemat ukladu kontrolnego poziomu wartosci sygnalu elektrycznego. Wyjscie ukladu 1 obróbki sygnalu Us jest polaozone poprzez rezystory 1, 5 z bazami dwóch tranzy¬ storów 2, 3. Emiter jednego tranzystora 2 jest polaozony z jednym zródlem napiecia od¬ niesienia UQ., a jego kolektor jest polaczony poprzez rezystor 6 z masa ukladu oraz z jedijym wejsciem bramki 9* której drugie wejscie jest polaozone z sygnalem W0M. Emiter drugiego tranzystora 3 jest polaczony z drugim zródlem napiecia odniesienia UQ2, a jego kolektor jest polaozony poprzez rezystor 7 z masa ukladu oraz z jednym wejsciem drugiej bramki 8, której drugie wejsoie jest polaozone z sygnalem "1". Ponadto do kolektora jed¬ nego tranzystora 2 jest dolaczone jedno wejscie trzeciej bramki 10, której drugie wej¬ scie jest polaczone z kolektorem drugiego tranzystora 3. Jezeli sygnal Us ^UQ1 <]^no tranzystory 2 i 3 praouja. Na rezystoraoh 6 i 7 wystepuja spadki napiec, które powoduja sygnalizacje poziomu sygnalu Us przez bramke 9, której jedno z wejsc jest polaczone z sygnalem "O". Jezeli sygnal Us ^ Ugo^* uqh tranzystory 2 i 3 nie praouja, a poziom sygnalu Us jest sygnalizowany przez bramke 8, której jedno z wejsc jest polaczone z syg¬ nalem w1w. Jezeli sygnal UQ. ouje. Na rezystorze 7 wystepuje spadek napiecia, który powoduje sygnalizacje poziomu syg¬ nalu Us przez bramke 10, której wejscia sa polaczone z kolektorami tranzystorów 2 i 3.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad kontrolny poziomu.wartosci sygnalu elektryoznego, zwlaszcza do kontroli po¬ ziomu sygnalu wzgledem trzech przedzialów odniesienia, ograniczonych dwoma napieciami od¬ niesienia, zawierajacy uklad obróbki sygnalu, znamienny tym, ze wyjscie ukladu (1) obróbki sygnalu (Us) jest polaczone poprzez rezystory (4, 5) z bazami dwóch tranzystorów (2, 3)i przy czym emiter jednego tranzystora (2) jest polaazony z jednym zródlem napiecia odniesienia (Uq^)f a jego kolektor jest polaczony poprzez rezystor (6) z masa ukladu oraz z jednym wejsciem bramki (9)t której drugie wejscie jest polaczone z sygnalem (W0W), natomiast emiter drugiego tranzystora (3) Jest polaczony z drugim zród¬ lem napiecia odniesienia (Uqo)1 a jago kolektor Jest polaozony poprzez rezystor (7) z ma¬ sa ukladu oraz z jednym wejsciem drugiej bramki (8)f której drugie wejsoie jest polaczone z sygnalem (W1W). 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze do kolektora jednego tran¬ zystora (2) Jest dolaczone Jedno wejsoie trzeciej bramki (10), której drugie wejscie jest polaozone z kolektorem drugiego tranzystora (3).130 231 PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad kontrolny poziomu.wartosci sygnalu elektryoznego, zwlaszcza do kontroli po¬ ziomu sygnalu wzgledem trzech przedzialów odniesienia, ograniczonych dwoma napieciami od¬ niesienia, zawierajacy uklad obróbki sygnalu, znamienny tym, ze wyjscie ukladu (1) obróbki sygnalu (Us) jest polaczone poprzez rezystory (4, 5) z bazami dwóch tranzystorów (2, 3)i przy czym emiter jednego tranzystora (2) jest polaazony z jednym zródlem napiecia odniesienia (Uq^)f a jego kolektor jest polaczony poprzez rezystor (6) z masa ukladu oraz z jednym wejsciem bramki (9)t której drugie wejscie jest polaczone z sygnalem (W0W), natomiast emiter drugiego tranzystora (3) Jest polaczony z drugim zród¬ lem napiecia odniesienia (Uqo)1 a jago kolektor Jest polaozony poprzez rezystor (7) z ma¬ sa ukladu oraz z jednym wejsciem drugiej bramki (8)f której drugie wejsoie jest polaczone z sygnalem (W1W).
  2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze do kolektora jednego tran¬ zystora (2) Jest dolaczone Jedno wejsoie trzeciej bramki (10), której drugie wejscie jest polaozone z kolektorem drugiego tranzystora (3).130 231 PL
PL22686080A 1980-09-19 1980-09-19 Electric signal value level checking circuit PL130231B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22686080A PL130231B1 (en) 1980-09-19 1980-09-19 Electric signal value level checking circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22686080A PL130231B1 (en) 1980-09-19 1980-09-19 Electric signal value level checking circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL226860A1 PL226860A1 (pl) 1982-03-29
PL130231B1 true PL130231B1 (en) 1984-07-31

Family

ID=20005131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22686080A PL130231B1 (en) 1980-09-19 1980-09-19 Electric signal value level checking circuit

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL130231B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL226860A1 (pl) 1982-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4420711A (en) Circuit arrangement for different color light emission
KR910005362B1 (ko) 표시구동장치
CA2281365A1 (en) Wiring harness diagnostic system
PL130231B1 (en) Electric signal value level checking circuit
EP0102675B1 (en) Transistor-transistor logic circuit with hysteresis
EP0097248B1 (en) Switchable current source
US4954766A (en) Power supply circuit and semiconductor integrated circuit device using it
KR950015208B1 (ko) 쇼트키 전류 모우드 논리 회로
US4871929A (en) ECL logic gate
US3582688A (en) Controlled hysteresis trigger circuit
US4453140A (en) Oscillator using charge-discharge characteristics of a transistor junction
US4758773A (en) Switching device
US3437831A (en) Logic circuit
CA1049628A (en) Transistor driver circuit
EP0379984A3 (en) Feed forward darlington circuit with reduced npn reverse beta sensitivity
JPS5827696B2 (ja) デンシスイツチカイロ
JPH026685Y2 (pl)
SU744922A1 (ru) Несимметричный триггер
RU2061996C1 (ru) Спусковое устройство
SU1649651A1 (ru) Электронный переключатель
SU1637003A1 (ru) Формирователь импульсов
GB1372792A (en) Threshold switch including field effect transistors
JPS5845213B2 (ja) 電流制御ヒステリシス回路
KR950005508Y1 (ko) 티에스디(tsd) 회로
KR940002013Y1 (ko) 전류원을 이용한 복수개의 발광다이오우드 구동 회로