PL130027B2 - Method of manufacture of four-terminal transoptor - Google Patents

Method of manufacture of four-terminal transoptor Download PDF

Info

Publication number
PL130027B2
PL130027B2 PL23259281A PL23259281A PL130027B2 PL 130027 B2 PL130027 B2 PL 130027B2 PL 23259281 A PL23259281 A PL 23259281A PL 23259281 A PL23259281 A PL 23259281A PL 130027 B2 PL130027 B2 PL 130027B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
azure
housing
optocoupler
photodetector
radiating
Prior art date
Application number
PL23259281A
Other languages
English (en)
Other versions
PL232592A2 (pl
Inventor
Jan Buczynski
Original Assignee
Naukowo Prod Ct Polprzewodniko
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Naukowo Prod Ct Polprzewodniko filed Critical Naukowo Prod Ct Polprzewodniko
Priority to PL23259281A priority Critical patent/PL130027B2/pl
Publication of PL232592A2 publication Critical patent/PL232592A2/xx
Publication of PL130027B2 publication Critical patent/PL130027B2/pl

Links

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania transportera czterowyprowadzeniowego na bazie azuru pionowego.Dotychczas znane sposoby wykonania transoptorówczterowyprowadzeniowych realizowano na bazie przepustów badz identycznych azurów pionowych. Znane sposoby wykonania transopto- rów polegaly na tym, ze strukture promieniujaca i strukture fotodetektorowa umieszczano na jednym przepuscie, albo struktury te umieszczano na dwóch przepustach badz dwóch identycznych azurach. Pierwsza wersje transoptora montowano w metalowej oslonce a druga jego wersje montowano w obudowie elektroizolacyjnej, we wnetrzu której uformowany jest uprzednio odpo¬ wiedni swiatlowód soczewkowy badz dwuwarstwowy jak w patencie USA nr 3 976 877.Niedogodnoscia znanych sposobów wykonania transoptorów czterowyprowadzeniowych realizowanych na przepustach jest nieprecyzyjne usytuowanie zródla promieniowania wzgledem fotodetektora, co powoduje rozrzut stopnia sprzezenia optycznego w transoptorach, niezaleznie od rozrzutu pochodzacego od struktur promieniujacych i fotodetektorowych. Natomiast niedogod¬ noscia znanych sposobów wykonania transoptorów montowanych z diod emitujacych promienio¬ wanie i fotodetektorów jest poza tym wysluzona droga optyczna jaka musi przebyc energia promienista od diody promieniujacej do fotodetektora. Energia ta pokonuje czesto wiecej nizjeden osrodek optyczny, co powoduje, ze obok czynnika pochlaniania, dochodzijeszcze czynnik rozpra¬ szania na granicy osrodków.Niedogodnoscia znanych sposobów wykonania transoptorów z udzialem azurów pionowych typu diodowego, których przykladem moze byc wynalazek opublikowany w opisie patentowym USA nr 3976877 jest koniecznosc wykonywania swiatlowodu z dwóch substancji o róznych wspólczynnikach zalamania promieniowania, odpowiednio wzgledem siebie uksztaltowanych,co z punktu widzenia produkcji fabrycznej jest klopotliwa w realizacji, powoduje nadmierny rozrzut w zakresie przekladni transoptora oraz znacznie zwieksza koszt produkcji.Dalsza wada tego rozwiazania z punktu widzenia wielkosci i powtarzalnosci przekladni transoptora jest stosowanie dwóch identycznych azurów z plaskimi powierzchniami czolowymi oraz dwóch struktur pólprzewodnikowych, tj. zródla promieniowania i fotodetektora o identy¬ cznych powierzchniach czynnych. Rozwiazanie takie powoduje równiez ograniczenie w stosowa-2 130 027 niu struktur elektroluminescencyjnych jako zródla promieniowania o konstrukcji epitaksjalnej,co jest powazna niedogodnoscia, zwlaszcza w produkcji transoptorów o duzej przekladni.Ponadto niedogodnoscia znanych sposobów wykonania transoptorów jest pracochlonny montaz oraz koniecznosc stosowania niejednokrotnie drogich podzespolów, jak np. zlocone przepusty, ceramiczne obudowy itp.Celem wynalazku jest wyeliminowanie tych niedogodnosci przez opracowanie nowego spo¬ sobu wykonania transoptora opartego na dwóch rodzajach azurów pionowych oraz zróznicowa¬ nych powierzchniach czynnych zródla promieniowania i fotodetektora, co pozwoli poprawic jakosc wyrobu oraz obnizyc jego koszt wykonania.Cel ten osiagnieto wedlug wynalazku przez umieszczenie znanym sposobem na plaszczyznie czolowej jednego z dwóch róznych pionowych azurów struktury promieniujacej w specjalnym zaglebieniu. Natomiast na plaszczyznie czolowej drugiego azuru umieszcza sie znanym sposobem strukture fotodetektora o powierzchni czolowej znacznie wiekszej od powierzchni czolowej struk¬ tury promieniujacej. Pierwsza ze struktur umieszcza sie w zaglebieniu azuru, które odbija boczne promieniownie tej struktury w kierunku struktury fotodetektora.Sposób wykonania transoptora wedlug wynalazku polega na polaczeniu przeciwsobnym w formie do hermetyzacji w jeden wspólny zestaw tych dwóch róznych azurów z umieszczonymi na nich o róznych powierzchniach czynnych strukturami przy pomocy elektroizolacyjnej substancji powszechnie stosowanej w przemysle optoelektronicznym. Substancja ta spelnia funkcje swiatlo¬ wodu i obudowy transoptora, która pokrywa sie z wyjatkiem wyprowadzen transoptora nieprzez¬ roczysta dla promieniownia zewnetrznego emalia, np. ftalowa lub nieprzezroczysta emalia epoksydowa. Emalie te gwarantuja trwale i dokladne przyleganie do podloza obudowy transoptora.Stosuje sie równiez wedlug wynalazku metode przciwsobnego laczenia diody promieniujacej z fotodetektorem. W tym celu wykonuje sie uprzednio te elementy na dwóch róznych azurach pionowych i usuwa sie ich czesci sferyczne. Nastepnie laczy sie wykonane podzespoly w ukladzie przeciwsobnym przy pomocy np. bezbarwnej zywicy epoksydowej i umieszcza sieje w obudowie.Zaleta sposobu wykonania transoptora wedlug wynalazkujest mozliwosc otrzymania wyrobu o lepszej jakosci, która uzyskuje sie przez ukierunkowanie promieniownia za posrednictwem reflktora i zblizenie struktury promieniujacej w stosunku do struktury fotodetektora, którego powierzchnia czolowa jest wieksza od powierzchni czolowej struktury promieniujacej, oraz z tytulu zachowania optycznie jednorodnego osrodka w obszarze sprzezenia optycznego wejscie — wyjscie.W wyniku wykorzystania sposobu wedlug wynalazku uzyskuje sie wzrost przekladni transop¬ tora, wzrost napiecia przebicia wejscie — wyjscie, dobra radiacje cieplna, miniaturyzacje obudowy, znaczne zmniejszenie pracochlonnosci, oszczednosc materialów z tytulu wyeliminowania zloco¬ nych elementów oraz wykorzystania zbrakowanych diod podczerwonych i fotodetektorów monto¬ wanych na azurach pionowych z powodu wadliwej ich obudowy, co równiez wplynie na obnizenie kosztu wytworzenia transoptora.Ponadto istnieje w przyszlosci mozliwosc zastapienia i uzupelnienia asortymentowego dotych¬ czas produkowanych transoptorów bardziej ekonomicznymi i nowoczesnymi transoptorami wed¬ lug wynalazku. Uzupelnienie asortymentowe bedzie mialo uzasadnienie w przypadku koniecznosci uzyskania dobrego odprowadzania ciepla od struktur pólprzewodnikowych, malej bezwladnosci dzialania i obnizki ceny wyrobu.Sposób wykonania transoptora stanowiacego przedmiot wynalazku jest blizej objasniony na rysunku, na którym w widoku ogólnym (fig. 1) przedstawionyjest azur pionowy 3 z odpowiednim zaglebieniem z umieszczona w tym zaglebieniu struktura promieniujaca 1 oraz drugi azur z plaska powierzchnia czolowa i struktura fotodetektora 2 o powierzchni czolowej znacznie wiekszej od powierzchni czolowej struktury promieniujacej, z których wykonuje sie transoptor.Jednym z przykladów wykonania wynalazkujest sposób wytworzenia transoptora czterowyp- rowadzeniowego, pokazanego w widoku ogólnym na rysunku (fig. 2), który zmontowano z uprzednio wykonanej na azurze pionowym 3 diody promieniujacej i na drugim azurze fotodetek¬ tora o srednicy obudowy O 5 mm. Czesci sferyczne obudów tych elementów szlifowano na odleg¬ losc okolo 1,5 mm od plaszczyzny czolowej struktury pólprzewodnikowej diody promieniujacej i130 027 3 fotodetektora. Nastepnie polaczono te podzespoly wraz z obudowa mocujaco-centrujaca o dlu¬ gosci 10 mm, ^z = 6mm i ^\=5mm przy pomocy zywicy epoksydowej. Wykonany transoptor pomalowano renowacyjna czarna farba ftalowa przy pomocy pistoletu do malowania, z pominie¬ ciem wyprowadzen 5.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wykonania transoptora czterowyprowadzeniowego, znamienny tym, ze strukture promieniujaca (1) umieszcza sie znanym sposobem w zaglebieniu plaszczyzny czolowej jednego z dwóch róznych azurów pionowych (3), przy czym zaglebienie to jest wieksze od glebokosci struktury, a strukture fotodetektora (2) wieksza powierzchniowo od struktury promieniujacej (1) umieszcza sie znanym sposobem na plaszczyznie czolowej drugiego azuru pionowego oraz wyposa¬ zone w struktury azury bez obudowy lub w obudowie, wykonanej metoda hermetyzacji, laczy sie przeciwsobnie w jeden zestaw przy uzyciu elektroizolacyjnej substancji powszechnie stosowanej w przemysle optoelektronicznym spelniajacej funkcje zarówno swiatlowodu jak i obudowy transoptora. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wykonana diode promieniujaca na jednym azurze (3) i fotodetektor na drugim azurze, po usunieciu ich czesci sferycznych, laczy sie w jeden zestaw przez umieszczenie ich w obudowie (4), przy czym obudowe (4) pokrywa sie nieprzezroczy¬ sta emalia, korzystnie ftalowa lub epoksydowa, z pominieciem wyprowadzen (5). '¦ " 1 O O iiO nnnnn UUDUD Fig. i130 027 Fig. Z Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wykonania transoptora czterowyprowadzeniowego, znamienny tym, ze strukture promieniujaca (1) umieszcza sie znanym sposobem w zaglebieniu plaszczyzny czolowej jednego z dwóch róznych azurów pionowych (3), przy czym zaglebienie to jest wieksze od glebokosci struktury, a strukture fotodetektora (2) wieksza powierzchniowo od struktury promieniujacej (1) umieszcza sie znanym sposobem na plaszczyznie czolowej drugiego azuru pionowego oraz wyposa¬ zone w struktury azury bez obudowy lub w obudowie, wykonanej metoda hermetyzacji, laczy sie przeciwsobnie w jeden zestaw przy uzyciu elektroizolacyjnej substancji powszechnie stosowanej w przemysle optoelektronicznym spelniajacej funkcje zarówno swiatlowodu jak i obudowy transoptora.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wykonana diode promieniujaca na jednym azurze (3) i fotodetektor na drugim azurze, po usunieciu ich czesci sferycznych, laczy sie w jeden zestaw przez umieszczenie ich w obudowie (4), przy czym obudowe (4) pokrywa sie nieprzezroczy¬ sta emalia, korzystnie ftalowa lub epoksydowa, z pominieciem wyprowadzen (5). '¦ " 1 O O iiO nnnnn UUDUD Fig. i130 027 Fig. Z Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 100 zl PL
PL23259281A 1981-08-12 1981-08-12 Method of manufacture of four-terminal transoptor PL130027B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL23259281A PL130027B2 (en) 1981-08-12 1981-08-12 Method of manufacture of four-terminal transoptor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL23259281A PL130027B2 (en) 1981-08-12 1981-08-12 Method of manufacture of four-terminal transoptor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL232592A2 PL232592A2 (pl) 1982-07-19
PL130027B2 true PL130027B2 (en) 1984-07-31

Family

ID=20009595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL23259281A PL130027B2 (en) 1981-08-12 1981-08-12 Method of manufacture of four-terminal transoptor

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL130027B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL232592A2 (pl) 1982-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU653293B2 (en) Transfer molding type manufacturing method of pigtail-type optical module
US5107537A (en) Optoelectronic device having a coupling comprising a lens and arranged between an optical transmission fiber and a semiconductor laser diode
US4611886A (en) Integrated optical circuit package
US7050678B1 (en) Optical module, optical element attachment method, and receptacle-fitted optical module
US4167744A (en) Electroluminescent semiconductor device having optical fiber window
JPH03500826A (ja) 光学部品の製造方法
WO1992016021A1 (en) Optoelectronic component
JP2004520612A (ja) 光導波路をエレクトロオプティックもしくはオプトエレクトリックな半導体コンバータに光学的に結合するための結合装置
JPH0756061A (ja) 反射面を有する光電子インターフェース装置およびその製造法
CN106461891A (zh) 光纤子组件到光电装置的基于视觉的被动对准
CN111123446A (zh) 光电设备、组装光电设备的方法以及光学插座支承部件
US5091045A (en) Method of coupling electro-optical components to integrated-optical waveguides
CA2431253A1 (en) Beam shaper
JP2011513774A (ja) 光伝送装置の製造方法及び光伝送装置
SE9702345D0 (sv) Inriktning av optiska byggelement
PL130027B2 (en) Method of manufacture of four-terminal transoptor
US20020197015A1 (en) Optical chip and an assembly including an optical chip
JPS5939084A (ja) 光集積回路実装構造
TW201502621A (zh) 光通訊裝置
US5861637A (en) Surface-mounted module which permits the light output of an optical semiconductor device mounted thereon to be increased, and a method of producing the surface-mounted module
JPH11177144A (ja) 発光ダイオード配列体
JPH0411206A (ja) 光電子集積デバイス
JPS5681809A (en) Optical coupling device
JPH04165313A (ja) 光半導体素子モジュール
JPS5522710A (en) Photo semiconductor element package