PL125963B2 - Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters - Google Patents

Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters

Info

Publication number
PL125963B2
PL125963B2 PL22332180A PL22332180A PL125963B2 PL 125963 B2 PL125963 B2 PL 125963B2 PL 22332180 A PL22332180 A PL 22332180A PL 22332180 A PL22332180 A PL 22332180A PL 125963 B2 PL125963 B2 PL 125963B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
parameters
transistors
collector
keys
amplifier
Prior art date
Application number
PL22332180A
Other languages
English (en)
Other versions
PL223321A2 (pl
Inventor
Marian Kazimierczuk
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL22332180A priority Critical patent/PL125963B2/pl
Publication of PL223321A2 publication Critical patent/PL223321A2/xx
Publication of PL125963B2 publication Critical patent/PL125963B2/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób kompensacji wplywu rozrzutuparametrów równolegle polaczonych tranzystorów pracujacych jako klucze na parametry wzmacniacza, zwlaszcza klasy E i D.Znane sa wzmacniacze na polaczonych równolegle tranzystorach pracujacych jako klucze.Tranzystory te polaczone sa równolegle w celu zwiekszenia mocy wyjsciowej wzmacniacza. Ze wzgledu na stosunkowo male wartosci dopuszczalne pradu kolektora, napiecie kolektora oraz moc strat, moce wyjsciowe w przypadku pojedynczych tranzystorów sa zbyt male w stosunku do potrzeb praktycznych. Prad wypadkowy bedacy suma pradów kolektorów tranzystorów polaczo¬ nych równolegle, jest okreslony przez napiecie zasilania oraz wartosci elementów obwodu kolekto¬ rowego. Ten wypadkowy prad kolektora praktycznie wogóle nie zalezy od parametrów tranzystorów, natomiast jego wplyw na poszczególne tranzystory równolegle zalezy w istotny sposób od parametrów tych tranzystorów. Wartosci chwilowe pradów kolektorowych obu tranzy¬ storów moga róznic sie zasadniczo, co jest czesto przyczyna przekroczenia dopuszczalnej wartosci maksymalnej pradu kolektora jednego z tranzystorów i jego uszkodzenia. Takze chwilowe moce strat, a zatem i srednie moce strat obu tranzystorów moga byc rózne i to równiez moze byc przyczyna przegrzania jednego i tranzystorów i jego uszkodzenia. W celu wyrównania pradów kolektorówwlacza sie szeregowo z emiterem lub kolektorem kazdego z tranzystorów regulaowany rezystor. Wada tego rozwiazania sa duze straty w tych dodatkowych rezystorach, poniewaz wartosci pradów kolektorów moga byc rzedu kilku do kilkunastu amperów. Ponadto sa duze trudnosci w wykonaniu regulowanych rezystorów duzej mocy o malych rezystancjach.Istota sposobu kompensacji wplywu na parametry wzmacniacza parametrów równolegle polaczonych tranzystorów pracujacych jako klucze polega na tym, ze reguluje sie prady baz obu tranzystorów az do wyrównania pradów7 kolektorów tych tranzystorów.Rozwiazanie wedlug wynalazku nie posiada wyzej wymienionych wad rozwiazan znanych.Wynalazek zostanie blizej objasniony w przykladze wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy wzmacniacza z równolegle polaczonymi tranzystorami w ukladzie OE pracujacymi jako klucze z kompensacja wplywu rozrzutu parametrów tranzystorów na prace tego wzmacniacza, fig. 2 — przedstawia schemat zastepczy równolegle polaczonych tranzystorów pra-2 125 963 cujacych w stanie nasycenia, a fig. 3 — przebieg napiecia nasycenia na kolektorze w w zaleznosci od pradu kolektora, przy ustalonych pradach bazy.Wzmacniacz ma dwa równolegle polaczone tranzystory majace w obwodzie kolektorowym kondensator równolegly Cl i równolegle z nim polaczony szeregowy obwód zlozony z cewki, szeregowego kondensatora Cl i obciazenia R. Kolektor polaczony jest z bariera U cc poprzez dlawik DL. Pomiedzy zacisk wejsciowy i baze pierwszego tranzystora Tl wlaczona jest rezystancja regulowana RbI, a pomiedzy zacisk wejsciowy i baze drugiego tranzystora T2 wlaczona jest druga rezystancja regulowana Rb2.Ze wzgledu na rozrzuty parametrów tranzystorów Tl, T2 moga byc rózne wartosci rezystancji nasycenia obu tranzystorów rci, rC2, które sa liniowe oraz moga byc rózne wartosci napiecia nasycenia obu tranzystorów Ucsi, UCS2, które sa nieliniowe, zaleznie od pradów kolektorów i baz.Stad równiez prady kolektorów i baz tych tranzystorów moga byc rózne. Chwilowa moc strat na kolektorze tranzystora pierwszego Tl wynosi: Pci/wt/ = Uc/wt/ i cl/wt/ oraz drugiego tranzystora T2 wynosi: Pc2/wt/ = Uc/wt/ i c2/wt/ gdzie: Uc/wt/ — chwilowa wartosc napiecia na kolektorze obu tranzystorów icl/wt/ — chwilowa wartosc pradu kolektora pierwszego tranzystora Tl ic2/wt/ — chwilowa wartosc pradu kolektora drugiego tranzystora T2 Jesli prady kolektora ici, iC2 obu tranzystorów sa równe, moce strat chwilowe, a takze srednie obu tranzystorów sa równe i nie dojdzie do przypadkowego uszkodzenia tranzystora spowodowa¬ nego rozrzutem parametrów obu tranzystorów. Wyrównanie pradów kolektorów ici, iC2 mozna uzyskac przez regulacje pradów baz. Zgodnie z charakterystykami przedstawionymi na fig. 3 napiecie nasycenia tranzystora zalezy od pradu bazy.Wykorzystujac te zaleznosc jak to wynika ze schematu zastepczego równolegle polaczonych tranzystorów mozna wyrównac prady kolektorów ici, iC2. Wskaznikiem wyrównania pradów kolektorów ici, iC2 moze byc wyrównanie ich wartosci maksymalnych przy uzyciu sond pradowych, lub wyrównanie wartosci srednich tych pradów Ici, Ic2.Zastrzezenie patentowe Sposób kompensacji wplywu rozrzutu parametrów równolegle polaczonych tranzystorów pracujacych jako klucze na parametry wzmacniacza, zwlaszcza klasy E i D przez wyrównanie gradów kolektorów, znamienny tym, ze reguluje sie prady baz (iei, iB2 tych tranzystorów (Tl, T2).125963 FIG. 1 Uc FIG.2 U y ,111 le < 's < 'S FIG.3 PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób kompensacji wplywu rozrzutu parametrów równolegle polaczonych tranzystorów pracujacych jako klucze na parametry wzmacniacza, zwlaszcza klasy E i D przez wyrównanie gradów kolektorów, znamienny tym, ze reguluje sie prady baz (iei, iB2 tych tranzystorów (Tl, T2).125963 FIG. 1 Uc FIG.
2. U y ,111 le < 's < 'S FIG.3 PL
PL22332180A 1980-04-08 1980-04-08 Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters PL125963B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22332180A PL125963B2 (en) 1980-04-08 1980-04-08 Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22332180A PL125963B2 (en) 1980-04-08 1980-04-08 Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL223321A2 PL223321A2 (pl) 1981-02-27
PL125963B2 true PL125963B2 (en) 1983-06-30

Family

ID=20002363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22332180A PL125963B2 (en) 1980-04-08 1980-04-08 Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL125963B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL223321A2 (pl) 1981-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4378530A (en) High-efficiency low-distortion amplifier
US5041777A (en) Voltage controlled and current limited power supply
JPS5514725A (en) Error amplifier circuit
GB1566149A (en) Gain control circuit
SE416694B (sv) Forsterkningsregleringskoppling
PL125963B2 (en) Method of compensation of influence of spread of parameters of in-parallel connected transistors operating as a keys,on amplifier parameters
CA1187136A (en) Bias generator
GB2033701A (en) Circuit for generating a control signal for controlling the transfer constant of a circuit for varying the dynamic range of a signal
SU1348797A2 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
SU1836807A3 (ru) Уcилиteль
JPS5710817A (en) Series regulator
SU550626A1 (ru) Компенсационный стабилизатор напр жени посто нного тока
SU761991A1 (ru) Стабилизатор постоянного напряжения
SU634449A1 (ru) Усилитель
SU723544A2 (ru) Транзисторный стабилизатор посто нного напр жени
SU1073762A1 (ru) Высоковольтный стабилизатор напр жени
SU1772798A1 (ru) Hизkoboльthый ctaбилизatop пoctoяhhoгo haпpяжehия
JPS59163615A (ja) 過電圧保護回路
SU836761A1 (ru) Транзисторный усилитель
SU809487A1 (ru) Усилитель мощности
SU637801A1 (ru) Стабилизатор напр жени посто нного тока
JPS5458851A (en) Feeding mode
SU760067A1 (ru) Стабилизатор напряжения с защитой по току 1
SU1571748A1 (ru) Дифференциальный усилитель
SU989486A1 (ru) Измерительное устройство