Przedmiotem wynalazku jest uklad zabezpiecza¬ jacy podzespoly obwodów dalekopisowych przed przeciazeniem pradowym zwlaszcza w elektronicz¬ nej translacji dalekopisowej wlaczonej miedzy ka¬ nal telegrafii wielokrotnej a dalekopis, umozliwia¬ jacej przekazywanie informacji w systemie dupleks i simpleks.Znane dotychczas uklady zabezpieczajace podze¬ spoly obwodów dalekopisowych przed przeciaze¬ niem pradowym zawieraly zarówki oporowe duzej mocy umieszczone wewnatrz translacji dalekopiso¬ wej w szereg z dalekopisem jako ograniczniki pra¬ du. Uklady takie opisane sa w ksiazce W. Wino- gradowa „Podstawy i uklady nowoczesnej telegrafii" str. 135—141, oraz w dokumentacji eksploatacyjnej „Przystawka telegraficzna wieloukladowa aparato¬ wa typ PTWA 2" nr T-7/I-201-089 WZT „Teletra" w Poznaniu.Stosowane dotychczas uklady maja te wade, ze zarówki oporowe w niedostatecznym stopniu ogra¬ niczaja prad obwodów dalekopisowych, co wyma¬ ga stosowania w obwodach dalekopisowych prze¬ kazników elektromechanicznych i rezystorów o mo¬ cy znamionowej wielokrotnie wiekszej od mocy wydzielajacej sie w normalnych warunkach pracy.Takie rozwiazanie jest technicznie przestarzale, uniemozliwia miniaturyzacje urzadzenia oraz nie zabezpiecza w pelni podzespolów obwodów dale¬ kopisowych przed zniszczeniem, gdyz w przypadku dlugotrwalych stanów zwarcia obwodów dalekopi- 10 15 20 25 30 sowyeh lub mylnego podlaczenia obcych zródel pra¬ du do obwodów dalekopisowych podzespoly tych obwodów ulegaja zniszczeniu.Uklad zabezpieczajacy podzespolów obwodów da¬ lekopisowych przed przeciazeniem pradowym we¬ dlug wynalazku przy pracy translacji w systemie dupleks sklada sie z dwóch tranzystorów, czterech rezystorów i dwóch diod Zenera polaczonych w ten sposób, ze dalekopisowy obwód odbiorczy dolaczo¬ ny jest jednym z dwóch zacisków do dodatniego bieguna baterii telegraficznej, zas drugim zaciskiem do kolektora pierwszego tranzystora, którego emi¬ ter poprzez pierwszy z rezystorów i elektroniczny przekaznik odbiorczy dolaczony jest do ujemnego bieguna baterii telegraficznej, natomiast baza tego tranzystora dolaczona jest poprzez drugi z rezysto¬ rów do dodatniego bieguna baterii telegraficznej, zas poprzez pierwsza z diod Zenera do ujemnego bieguna baterii telegraficznej.Dalekopisowy obwód nadawczy dolaczony jest jednym z dwóch zacisków do dodatniego bieguna baterii telegraficznej, natomiast drugim zaciskiem do kolektora drugiego z tranzystorów, którego emi¬ ter dolaczony jest poprzez trzeci z rezystorów i elek¬ troniczny przekaznik nadawczy do ujemnego biegu¬ na baterii telegraficznej, natomiast baza tego tran¬ zystora dolaczona jest poprzez czwarty z rezysto¬ rów do dodatniego bieguna baterii telegraficznej, zas poprzez druga diode Zenera do ujemnego bie¬ guna baterii telegraficznej. 123 768123 768 3 4 Przy pracy translacji w systemie simpleks uklad zabezpieczajacy podzespoly obwodów dalekopiso¬ wych przed przeciazeniem pradowym sklada sie z ¦ tranzystora, dwóch rezystorów i diody Zenera polaczonych w ten sposób, ze dalekopisowy obwód nadawczo-odbiorczy dolaczony jest jednym z dwóch zacisków do dodatniego bieguna baterii telegra¬ ficznej, zas drugim zaciskiem do kolektora tranzy¬ stora, którego emiter poprzez pierwszy z rezysto¬ rów, elektroniczny przekaznik odbiorczy i elektro¬ niczny przekaznik nadawczy dolaczony jest do ujemnego bieguna baterii telegraficznej, natomiast baza tego tranzystora po*przez drugi z rezystorów dolaczona jest do dodatniego bieguna baterii tele¬ graficznej, zas poprzez diode Zenera do ujemnego bieguna baterii telegraficznej.Zaleta ukladu wedlug wynalazku jest wyelimi¬ nowanie zarówek oporowych, przekazników elek¬ tromechanicznych i rezystorów regulowanych o du¬ zych wymiarach gabarytowych. Uklad wedlug wy¬ nalazku przy odpowiednim doborze wartosci rezy¬ stancji rezystorów i napiec progowych diod Zenera zapewnia automatyczna regulacje pradu w obwo¬ dach dalekopisowych, przez co calkowicie eliminu¬ je duze i bardzo zawodne rezystory regulowane, które dotychczas wlaczane byly w szereg z daleko¬ pisem i sluzyly do recznej regulacji pradu w ob¬ wodach dalekopisowych.Uklad wedlug wynalazku dzieki utrzymaniu sta¬ lej, scisle okreslonej wartosci pradu w obwodach dalekopisowych zmniejsza znieksztalcenia telegra¬ ficzne wprowadzane przez dalekopis, przez co wy¬ raznie poprawia jakosc transmisji telegraficznej.Zastosowanie ukladu wedlug wynalazku stwarza mozliwosc budowy translacji dalekopisowych przy uzyciu miniaturowych podzespolów elektronicznych o malej mocy znamionowej i wysokiej niezawod¬ nosci dzialania montowanych bezposrednio na plyt¬ kach drukowanych.Uklad wedlug wynalazku zabezpiecza podzespo¬ ly obwodów dalekopisowych przed zniszczeniem w przypadku wystapienia przeciazenia pradowego na skutek zwarcia obwodów dalekopisowych lub wa¬ dliwego podlaczenia do zacisków obwodów daleko¬ pisowych obcych zródel pradu.Wynalazek zostanie blizej objasniony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym figura 1 przedstawia schemat ideowy ukladu wedlug wyna¬ lazku dla pracy translacji w systemie dupleks, a figura 2 przedstawia schemat idepwy ukladu we¬ dlug s wynalazku dla pracy translacji w systemie simpleks.^Uklad wedlug-wynalazku przedstawiony na figu¬ rze 1 zbudowany jest z tranzystorów 1 i 5, rezysto¬ rów 2, 3, 6 i 7, oraz diod Zenera 4 i 8 polaczonych w ten sposób, ze kolektor tranzystora 1 dolaczony jest do jednego z dwóch zacisków dalekopisowych obwodu odbiorczego DO, którego drugi zacisk do¬ laczony jest do dodatniego bieguna baterii telegra¬ ficznej +BT. Emiter tranzystora 1 dolaczony gest poprzez rezystor 2 i elektroniczny przekaznik od¬ biorczy PO do ujemnego bieguna, baterii telegra¬ ficznej —BT, natomiast baza tranzystora 1 dola¬ czona jest poprzez rezystor 3 do dodatniego bieguna baterii telegraficznej +BT, zas poprzez diode Ze¬ nera 4 do ujemnego bieguna baterii telegraficznej -BT.Kolektor tranzystora 5 dolaczony jest do jednego z dwóch zacisków dalekopisowego obwodu nadaw¬ czego DN, którego drugi zacisk dolaczony jest do dodatniego bieguna baterii telegraficznej +BT.Emiter tranzystora 5 poprzez rezystor 6 i elektro¬ niczny przekaznik nadawczy PN dolaczony jest do ujemnego bieguna baterii telegraficznej — BT, na¬ tomiast baza tranzystora 5 dolaczona jest poprzez rezystor 7 do dodatniego bieguna baterii telegra¬ ficznej +BT, zas poprzez diode Zenera 8 do ujem¬ nego bieguna baterii telegraficznej — BT.Uklad wedlug wynalazku przedstawiony na figu¬ rze 2 zbudowany jest z tranzystora 1, diody Zene¬ ra 4 i rezystorów 2, 3 polaczonych w ten sposób, ze kolektor tranzystora 1 dolaczony jest do jednego z dwóch zacisków dalekopisowego obwodu nadaw¬ czo-odbiorczego DN-DO, którego drugi zacisk do¬ laczony jest do dodatniego bieguna baterii telegra¬ ficznej +BT. Emiter tranzystora 1 poprzez rezy- tor 2, elektroniczny przekaznik odbiorczy PO i elektroniczny przekaznik nadawczy PN dolaczony jest do ujemnego bieguna baterii telegraficznej —BT, natomiast baza tranzystora 1 dolaczona jest poprzez rezystor 3 do dodatniego bieguna baterii telegraficznej +BT, zas poprzez diode Zenera 4 do ujemnego bieguna baterii telegraficznej —BT.Dzialanie ukladu wedlug wynalazku przy pracy translacji w systemie dupleks i przedstawionego na figurze 1 jest nastepujace. Kluczowanie daleko¬ pisowego obwodu odbiorczego DO odbywa sie po¬ przez elektroniczny przekaznik odbiorczy PO, któ¬ rego wejscie we sterowane jest z kanalu telegrafii wielokrotnej. Baza tranzystora 1 regulujacego prad w tym obwodzie polaryzowana jest przez dzielnik skladajacy sie z rezystora 3 i diody Zenera 4. Na¬ piecie diody Zenera 4 stanowi napiecie odniesie¬ nia, z którym porównywany jest spadek napiecia na rezystorze 2 i elektronicznym przekazniku od¬ biorczym PO.W przypadku wzrostu wartosci pradu w daleko¬ pisowym obwodzie odbiorczym DO, na przyklad na skutek zmniejszenia rezystancji dalekopisowego obwodu odbiorczego DO lub jego zwarcia, albo mylnego podlaczenia obcego zródla pradu do tego obwodu, zwieksza sie spadek napiecia na rezysto¬ rze 2 i elektronicznym przekazniku odbiorczym PO, który wobec stalego poziomu napietia bazy tran¬ zystora 1 powoduje wzrost napiecia na zlaczu emi¬ ter—kolektor tranzystora 1 do wartosci takiej, któ¬ ra spowoduje spadek wartosci pradu w dalekopiso¬ wym obwodzie odbiorczym DO do wartosci nomi¬ nalnej.W przypadku spadku wartosci pradu w daleko¬ pisowym obwodzie odbiorczym DO na przyklad wskutek wzrostu rezystancji tego obwodu dzialanie ukladu jest odwrotne — maleje spadek napiecia na rezystorze 2 i elektronicznym przekazniku odbior¬ czym PO, co wobec stalego poziomu napiecia bazy tranzystora 1 powoduje zmniejszenie spadku na¬ piecia na jego zlaczu emiter—kolektor do wartosci takiej, która zapewni nominalna wartosc pradu w dalekopisowym obwodzie odbiorczym DO. Kluczo¬ wanie dalekopisowego obwodu nadawczego DN od- 10 15 20 25 30 35 40 45. 50 55 60123 768 5 6 bywa sie nadajnikiem dalekopisu D. Baza tranzy¬ stora 5 regulujacego prad w tym obwodzie pola¬ ryzowana jest dzielnikiem skladajacym sie z rezy¬ stora 7 i diody Zenera 8.Dzialanie ukladu jest analogiczne jak w przy¬ padku opisanym poprzednio. Wyjscie wy elektro¬ nicznego przekaznika nadawczego PN steruje urza¬ dzeniami telegrafii wielokrotnej. . ._ ._ Dzialanie ukladu wedlug wynalazku przy pracy translacji w systemie simpleks przedstawionego na figurze 2 jest nastepujace. Kluczowanie dalekopiso¬ wego obwodu nadawczo-odbiorczego DN-DO przy pracy translacji na odbiór odbywa sie poprzez elek¬ troniczny przekaznik odbiorczy PO, którego wej¬ scie we sterowane jest z kanalu telegrafii wielo¬ krotnej. Baza tranzystora 1 regulujacego prad w tym obwodzie polaryzowana jest przez dzielnik skladajacy sie z rezystora 3 i diody Zenera 4. Na¬ piecie diody Zenera 4 stanowi napiecie odniesienia, z którym porównywany jest spadek napiecia na re¬ zystorze 2, elektronicznym przekazniku odbiorczym PO i elektronicznym przekazniku nadawczym PN.W przypadku wzrostu wartosci pradu w daleko¬ pisowym obwodzie nadawczo-odbiorczym DN-DO zwieksza sie spadek napiecia na rezystorze 2, elek¬ tronicznym przekazniku odbiorczym PO i elektro¬ nicznym przekazniku nadawczym PN tego obwo¬ du, który wobec stalego poziomu napiecia bazy tranzystora 1 powoduje wzrost napiecia na zlaczu emiter—kolektor tego tranzystora do wartosci ta¬ kiej, która spowoduje spadek wartosci pradu do wartosci nominalnej w dalekopisowym obwodzie nadawczo-odbiorczym DN-DO.W przypadku zmniejszenia sie wartosci pradu w tym obwodzie dzialanie ukladu jest odwrotne — maleje spadek napiecia na rezystorze 2, elektro¬ nicznym przekazniku odbiorczym PO i elektronicz¬ nym przekazniku nadawczym PN, co wobec stale¬ go poziomu napiecia bazy tranzystora 1 powoduje zmniejszenie spadku napiecia na zlaczu emiter— —kolektor tego tranzystora do wartosci takiej, któ¬ ra zapewni nominalna wartosc pradu w dalekopi¬ sowym obwodzie nadawczo-odbiorczym DN-DO.Kluczowanie dalekopisowego obwodu nadawczo- -odbiorczego DN-DO przy pracy translacji na na¬ dawanie odbywa sie nadajnikiem dalekopisu D, przy czym elektroniczny przekaznik odbiorczy wy¬ sterowany jest na stale w kierunku przewodzenia, zas wyjscie wy elektronicznego przekaznika na¬ dawczego PN przenosi sygnaly z nadajnika dale¬ kopisu D do kanalu telegrafii wielokrotnej.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad zabezpieczajacy podzespoly obwodów dalekopisowych przed przeciazeniem pradowym zwlaszcza w elektronicznej translacji dalekopisowej umozliwiajacej przekazywanie informacji w syste¬ mie dupleks, znamienny tym, ze dalekopisowy obwód odbiorczy (DO) dolaczony jest jednym z dwóch zacisków do dodatniego bieguna baterii telegraficznej (+BT) a drugim zaciskiem do kole¬ ktora tranzystora (1), którego emiter dolaczony jest poprzez rezystor (2) i elektroniczny przekaznik od¬ biorczy (PO) do ujemnego bieguna baterii telegra¬ ficznej (—BT), przy czym baza tranzystora (1) do¬ laczona jest poprzez rezystor (3) do dodatniego bie¬ guna baterii telegraficznej (+BT) a poprzez, diode Zenera (4) do ujemnego bieguna baterii telegraficz¬ nej (—BT), natomiast dalekopisowy obwód nadaw¬ czy (DN) dolaczony jest jednym z dwóch zacisków do dodatniego bieguna baterii telegraficznej (+BT) a drugim zaciskiem do kolektora tranzystora (5), którego emiter poprzez rezystor (6) i elektroniczny przekaznik nadawczy (PN) dolaczony jest do ujem¬ nego bieguna baterii telegraficznej (—BT), przy czym baza tranzystora (5) dolaczona jest poprzez rezystor (7) do dodatniego bieguna baterii telegra¬ ficznej (+BT) a poprzez diode Zenera (8) do ujem¬ nego bieguna baterii telegraficznej (—BT). 2. Uklad zabezpieczajacy podzespoly obwodów dalekopisowych przed przeciazeniem pradowym zwlaszcza w elektronicznej translacji dalekopisowej umozliwiajacej przekazywanie informacji w syste^ mie simpleks, znamienny tym, ze dalekopisowy obwód nadawczo-odbiorczy (DN-DO) dolaczony jest jednym z dwóch zacisków do dodatniego bieguna baterii telegraficznej <+BT). a drugim do kolekto¬ ra tranzystora (1), którego emiter dolaczony jest poprzez rezystor (2), elektroniczny przekaznik od¬ biorczy (PO) i elektroniczny przekaznik nadawczy (PN) do ujemnego bieguna baterii telegraficznej (—BT), przy czym baza tranzystora (1) dolaczona jest poprzez rezystor (3) do dodatniego bieguna ba¬ terii telegraficznej (+BT), zas poprzez diode Zene¬ ra (4) do ujemnego bieguna baterii telegraficznej (-BT). 10 15 20 25 30 30 40 45123 768 -BT Fig.1.DN-DO D ? BT r PO, PN. z^" i .wy -BT Fig. 2.ZGK 679/1110/84 — 95 egz.Cena zl 100,— PL