PL119107B2 - Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste - Google Patents

Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste Download PDF

Info

Publication number
PL119107B2
PL119107B2 PL21670279A PL21670279A PL119107B2 PL 119107 B2 PL119107 B2 PL 119107B2 PL 21670279 A PL21670279 A PL 21670279A PL 21670279 A PL21670279 A PL 21670279A PL 119107 B2 PL119107 B2 PL 119107B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
bridge
semiconductor
additional
resistors
temperature
Prior art date
Application number
PL21670279A
Other languages
English (en)
Other versions
PL216702A2 (pl
Inventor
Dariusz Lewandowski
Bogdan Wilamowski
Original Assignee
Politechnika Gdanska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Gdanska filed Critical Politechnika Gdanska
Priority to PL21670279A priority Critical patent/PL119107B2/pl
Publication of PL216702A2 publication Critical patent/PL216702A2/xx
Publication of PL119107B2 publication Critical patent/PL119107B2/pl

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób eliminacji temperaturowego dryftu zera w mostku pólprzewodni¬ kowym, charakteryzujacy sie tym, ze nie powoduje on rozzerowania mostka a wykorzystany bc moze v\ pólprzwodnikowych mostkach tensometrycznych i innych mostkach, których wartosci elementów zaleza od temperatury.Znana metoda eliminacji dryftu temperaturowego zera w mostku pólprzewodnikowym stosowana przez firme Honywell polega na wykorzystaniu temperaturowych zaleznosci dodatkowo dolaczonych termisto- rów, które umieszcza sie w poblizu mostka i których temperatura zblizona jest do temperatury mostka pólprzewodnikowego.Niedogodnoscia opisanego rozwiazania jest jego zlozonosc i mala skutecznosc. Temperatury samego mostka i dodatkowych termistorów róznia sie zwykle i niemozliwajest pelna kompensacja dryftu temperatu¬ rowego zera. Równiez ze wzgledu na silnie nieliniowa zaleznosc wartosci rezystancji termistorów od tempera¬ tury niewielki jest zakres temperatur, dla których mozliwa jest eliminacja tego niekorzystnego zjawiska.W sposobie wedlug wynalazku do jednego z elementów mostka dolacza sie dwa dodatkowe rezystory o malych wartosciach wspólczynnika temperaturowego rezystancji. Jeden z rezystorów dodatkowych wlacza sie szeregowo z elementem mostka a drugim rezystorem dodatkowym bocznikuje sie szeregowo polaczone element mostka i pierwszy rezystor dodatkowy. Wartosci rezystorów dodatkowych dobiera sie tak, by iloczyn ich byl równy kwadratowi wartosci rezystancji mostka, do którego zostaly dolaczone.Korzysci techniczne, wynikajace ze stosowania rozwiazania wedlug wynalazku polegaja na uniknieciu koniecznosci stosowania dodatkowych elementów termoczulych, jakimi sa termistory. Proponowane roz¬ wiazanie jest ponadto prostsze, bardziej skuteczne i przydatne w szerokim zakresie temperatur.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony na podstawie przykladowego ukladu uwidocznionego na rysunku przedstawiajacym mostek pólprzewodnikowy z dolaczonymi dodatkowymi rezystancjami.Mostek sklada sie z czterech rezystorów pólprzewodnikowych. Rezystory Ri, R2 stanowia jedna galaz mostka, zas rezystory Rj, R4 druga galaz mostka. Rezystor dodatkowy Rd2 bocznikuje rezystory R2, Rdi.Wartosc rezystancji elementów mostka sa równe i wynosza Ri=R2=R3=R4=RM=5kn Wartosci wspólczynników temperaturowych rezystancji elementów mostka sa rózne i wynosza ai = 0,293%/deg, a4=0,292%/deg.O2=0,297%/deg, a3=0,296%/deg2 119107 W celu eliminacji dryftu temperaturowego zera trzeba spelnic zaleznosc Powyzsza zaleznosc uzyskuje sie przez sztuczne zmniejszenie wartosci wypadkowego wspólczynnika ono wartosc a=-0,008%/°C Wartosci dodatkowych rezystorów dolaczonych do elementu mostka pólprzewodnikowego oblicza sie z zaleznosci Rdi_l Aa_JM_ TS7 2* a Rd2 W analizowanym przypadku wartosc rezystora Rdi wlaczonego szeregowo wynosi Rd, = 67,3a zas wartosc rezystora dodatkowego Rd2 wlaczonego równolegle wynosi Rd2=371, 25 kfl Zastrzezenie patentowe Sposób eliminacji temperaturowego dryftu zera w mostku pólprzewodnikowym skladajacym sie z dwóch galezi z dwoma pólprzewodnikowymi rezystorami w kazdej z nich, znamienny tym, ze do jednego z elementów mostka dolacza sie dwa dodatkowe rezystory o malych wartosciach wspólczynnika temperaturo¬ wego rezystancji, z których jeden wlacza sie szeregowo z elementem mostka a drugim rezystorem dodatko¬ wym bocznikuje sie szeregowo polaczone element mostka i pierwszy rezystor dodatkowy, przy czym wartosci rezystorów dodatkowych dobiera sie tak, aby iloczyn ich byl równy kwadratowi wartosci rezystancji elementu mostka, do którego zostaly dolaczone.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób eliminacji temperaturowego dryftu zera w mostku pólprzewodnikowym skladajacym sie z dwóch galezi z dwoma pólprzewodnikowymi rezystorami w kazdej z nich, znamienny tym, ze do jednego z elementów mostka dolacza sie dwa dodatkowe rezystory o malych wartosciach wspólczynnika temperaturo¬ wego rezystancji, z których jeden wlacza sie szeregowo z elementem mostka a drugim rezystorem dodatko¬ wym bocznikuje sie szeregowo polaczone element mostka i pierwszy rezystor dodatkowy, przy czym wartosci rezystorów dodatkowych dobiera sie tak, aby iloczyn ich byl równy kwadratowi wartosci rezystancji elementu mostka, do którego zostaly dolaczone. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz. Cena 100 zl PL
PL21670279A 1979-06-27 1979-06-27 Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste PL119107B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21670279A PL119107B2 (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21670279A PL119107B2 (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL216702A2 PL216702A2 (pl) 1980-07-01
PL119107B2 true PL119107B2 (en) 1981-11-30

Family

ID=19997149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21670279A PL119107B2 (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL119107B2 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL230643B1 (pl) 2016-04-19 2018-11-30 Politechnika Lodzka Proteza tchawicy oraz sposob jej wytwarzania

Also Published As

Publication number Publication date
PL216702A2 (pl) 1980-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5453877A (en) Temperature compensation circuit of semiconductor strain gauge
YU45969B (sh) Termički uređaj za merenje nivoa tečnosti
PL119107B2 (en) Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste
CA1079807A (en) Resistance measuring circuit
CN103199500A (zh) 串联电容器组的无死区保护方法
PL119106B2 (en) Method of zeroing of semiconductor bridge
JPS55163880A (en) Semiconductor strain gauge bridge circuit
EP0036996A3 (de) Bewertungswiderstandsanordnung für Heizkörperfühler
Feng et al. Nucleotide sequence of a cloned rice genomic DNA fragment that encodes a 10 kDa prolamin polypeptide
SU463952A1 (ru) Широкодиапозонное тепловое реле
SU1432346A1 (ru) Устройство дл многоточечного измерени температуры
CA1085449A (en) Filter excitation circuitry
DE3613024C2 (pl)
Shu-wen et al. Heat Injary and Changes in Electrical Resistance of Leaf Tissue
SU1688130A2 (ru) Многоэлементный термопреобразователь
PL121710B2 (en) Network for measurement of difference of temperatures in temperature probe giving representation of thermal runs in power electronic elements and electric equipmentnom zonde,otobrazhajuhhem teplovye processy ehnergoehlektronnykh ehlementov i ehlektricheskikh ustrojjstv
SU571710A1 (ru) Устройство контрол температуры
SU951083A1 (ru) Пожарный извещатель
SU885930A1 (ru) Устройство дл контрол исправности цепей защиты в трехфазном исполнении
SU373763A1 (ru) Запоминающее устройство с терморегулированием токов управления магнитным наконителем
SU1119118A1 (ru) Устройство дл защиты шунтовой конденсаторской батареи
SU447580A1 (ru) Устройство дл измерени разности температур
SU615367A1 (ru) Термометр
JPS54157678A (en) Temperature and humidity sensor for controlling air conditioners
Singh A feasibility study of a low cost junctionless silicon sensor for high temperature applications