PL115809B1 - Method of manufacturing silicon diodes,in particular microwave ones - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia krzemowych diod zwlaszcza mikrofalowych.W procesie wytwarzania diod krzemowych jak diody PIN, diody lawinowe i inne dazy sie do uzyskania takiego ksztaltu i wielkosci plytki f&ól- przewodnikowej, aby ulatwic jej montaz w obu¬ dowie, zwiekszyc mozliwosc jej chlodzenia w cza¬ sie pracy diody i równoczesnie ogranicxyc da mi¬ nimum objetosc materialu pólprzewodnikowego, co jest szczególnie wazne w diodach mikrofalowych.Znanych jest wiele sposobów wytwarzania plytek krzemowych dla diod a zwlaszcza mikrofalowy«k.Najczesciej z uwagi na trudnosci wykonania i montazu bardzo malych plytek wycina sie wiek¬ sze, w których tylko niewielka, aktywna czesc efektywnie pracuje, a pozostala czesc zwieksza re¬ zystancje mikrofalowa przyrzadu miedzy innymi przez naskórkowosc. Tak na przyklad dzieje sie w przypadku diod ze zlaczem typu mesa. W bar¬ dzo nowoczesnych przyrzadach generacyjnych, sto¬ suje sie juz plytki o niezbednej objetosci i wygod¬ nym ksztalcie do montazu. Tak na przyklad wy¬ twarza sie okragle plytki dla diod PIN i lawino¬ wych w wyniku obustronnego maskowania i wy¬ trawienia badz wycinania ultradzwiekowego czy obróbki w strumieniu proszku sciernego.Wada znanych sposobów jest duza strata ma¬ terialu pólprzewodnikowego podczas obróbki oraz kosztowna aparatura technologiczna sluzaca do obróbki tych plytek.H il Istota wynalazku jest sposób wytwarzania krze¬ mowych diod polegajacy na tym, ze z duzej plytki krzemowej zawierajacej obszar aktywny i po obu stronach kontaktowe warstwy metalowe odporne na trawienie wycina sie male plytki o podstawie czworoboku, w których lekko wytrawia sie obrzeza, a nastepnie montuje sie w obudowie diody lutujac badz spawaja* jedna strone plytki do elektrody obudowy a potem lutujac badz spawajac laczy sie jej druga strone z druga elektroda obudowy, po czym ponownie lekko wytrawia sie obrzeze plytki krzemowej i zabezpiecza sie je masa izolacyjna.Jest doN prosta ekonomiczna metoda masowego wytwarzania plytek krzemowych o minimalnej, calkowicie elektrycznie wykorzystanej objetosci, a takze wygodnych w montazu zapewniajacym dobre odprowadzenia ciepla.Sposób wedlug wynalazku zostanie blizej objas¬ niony na przykladzie wykonania diody PIN przed¬ stawionym na rysunku, którego fig. 1 pokazuje plytke krzemu, zawierajaca obszar aktywny po¬ laczona elastycznie z jednej strony, a fig. 2 plytke ze sztywnym polaczeniem z obu stron.Kwadratowa plytke krzemu zawierajaca obszar aktywny 1 wycina sie pila drutowa z duzej plytki, posiadajacej po obu stronach kontaktowe warstwy metalowe 2. Nastepnie obrzeze plytki lekko wy¬ trawia sie w celu usuniecia defektów krystalicz¬ nych powstalych podczas ciecia. Tak przygotowana plytke przyspawa sie z jednej strony do podstawki 115 809115 809 4 - obudowy mikrofalowej 3, a nastepnie przyspawa sie drut zloty 4 i laczy z kolnierzem drugiej elek¬ trody obudowy. W celu poprawienia charakte¬ rystyki elektrycznej diody obrzeze plytki krzemo¬ wej ponownie trawi sie, stad zewnetrzne warstwy metalowe i pokrycie obudowy musza byc odporne na trawienie. W koncowej czesci postepowania za¬ bezpiecza sie obrzeze plytki masa izolacyjna 5 któ¬ ra chroni obszar aktywny przed degradacja cha- raktrystyki elektrycznej.Z a s t r z ezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania krzemowych diod, zwlasz¬ cza mikrofalowych, znamienny tym, ze z duzej plytki krzemowej zawierajacej obszar aktywny i po obu stronach kontaktowe warstwy metalowe odporne na trawienie wycina sie male plytki o podstawie czworoboku, w których lekko wytrawia 10 15 sie obrzeza, a nastepnie montuje w obudowie diody lutujac badz spawajac jedna strone plytki do elek¬ trody obudowy a potem lutujac badz spawajac laczy sie jej druga strone z druga elektroda obu¬ dowy, po czym ponownie lekko wytrawia sie obrzeze plytki krzemowej i zabezpiecza sie je masa izolacyjna. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plytke krzemowa równoczesnie spawa sie lub lu¬ tuje do obu elektrod diody. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze równoczesnie laczy sie wiele plytek krzemowych z obudowami diod. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze obrzeze plytki jest trawione dopiero po obustron¬ nym polaczeniu plytki z elektrodami obudowy diody. ÓZGraf. 2.P. Dz-wo, z. 420 (100+15) 12.83 Cena 100 zl PL

Claims (4)

1. Z a s t r z ezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania krzemowych diod, zwlasz¬ cza mikrofalowych, znamienny tym, ze z duzej plytki krzemowej zawierajacej obszar aktywny i po obu stronach kontaktowe warstwy metalowe odporne na trawienie wycina sie male plytki o podstawie czworoboku, w których lekko wytrawia 10 15 sie obrzeza, a nastepnie montuje w obudowie diody lutujac badz spawajac jedna strone plytki do elek¬ trody obudowy a potem lutujac badz spawajac laczy sie jej druga strone z druga elektroda obu¬ dowy, po czym ponownie lekko wytrawia sie obrzeze plytki krzemowej i zabezpiecza sie je masa izolacyjna.
2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plytke krzemowa równoczesnie spawa sie lub lu¬ tuje do obu elektrod diody.
3. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze równoczesnie laczy sie wiele plytek krzemowych z obudowami diod.
4. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze obrzeze plytki jest trawione dopiero po obustron¬ nym polaczeniu plytki z elektrodami obudowy diody. ÓZGraf. 2.P. Dz-wo, z. 420 (100+15) 12.83 Cena 100 zl PL