PL115173B1 - Method of manufacturing semiconductive cadmium fuoride - Google Patents
Method of manufacturing semiconductive cadmium fuoride Download PDFInfo
- Publication number
- PL115173B1 PL115173B1 PL20723478A PL20723478A PL115173B1 PL 115173 B1 PL115173 B1 PL 115173B1 PL 20723478 A PL20723478 A PL 20723478A PL 20723478 A PL20723478 A PL 20723478A PL 115173 B1 PL115173 B1 PL 115173B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cadmium
- fuoride
- annealing
- hydrogen
- crystals
- Prior art date
Links
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 title description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L cadmium fluoride Chemical compound F[Cd]F LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 yttrium ions Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Twórcy wynalazku: Jerzy Wojciechowski, Eliana Kaminska Uprawniony z patentu: Instytut Technologii Elektronowej przy Nauko¬ wo-Produkcyjnym Centrum Pólprzewodników Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania pólprzewodnikowego fluorku kadmu Wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania pólprze¬ wodnikowego fluorku kadmu. Pólprzewodnikowy fluorek kadimu jest materialem stosowanym w optoelektronice do wytwarzania diod swiecacych.Czysty fluorek kadmu jest izolatorem, a prze¬ twarzanie go do postaci przewodzacej elektrycznie tj. pólprzewodnika typu n polega na wprowadze¬ niu domieszek, a mianowicie trójwartosciowych jonów itru lub pierwiastków z grupy lantanow- ców oraz na specjalnej oibróbce cieplnej.Znany sposób obróbki cieplnej polega na wy¬ grzewaniu domieszkowanych krysztalów fluorku kadmu w parach kadmu w temperaturze 500°C i nastepnie gwaltownym studzeniu.Sposób ten jest uciazliwy, bowiem obróbke cieplna prowadzi sie w kwarcowej ampule jed¬ norazowego uzytku, która nalezy odpompowac do cisnienia ok. 10-7 Pa, a nastepnie zatopic. Ponadto wymagane gwaltowne studzenie prowadzi do po¬ wstania duzych naprezen i mikropekniec w krysz¬ talach, a otrzymywanie powtarzalnej rezystyw¬ nosci jest bardzo trudne ze wzgledu na zmniejsza¬ jace sie w sposób dynamiczny warunki podczas ob¬ róbki cieplnej.Wedlug wynalazku pólprzewodnikowy fluorek kadmu otrzymuje sie przez wygrzewanie domiesz¬ kowanych jonami trójwartosciowymi krysztalów fluoru kadmu w atmosferze wodoru, w tempera tu¬ rze z zakresu 250—450°C, przy czym wartosc re-.,JlW zystywnosci reguluje sie przez dobór temperatury" 20 25 i czasu wygrzewania. Zamiast w wodorze wygrze¬ wanie mozna prowadzic w mieszance wodoru i ga¬ zu obojetnego.Proces wygrzewania wedlug wynalazku prowa¬ dzi sie w konwencjonalnym piecu wodorowym, co znacznie obniza pracochlonnosc i koszty jego wy¬ konania. Cenna zaleta tego sposobu jest zastoso¬ wanie nizszych temperatur wygrzewania bez koniecznosci gwaltownego studzenia, co zapobiega powstaniu naprezen i mikropekniec w kryszta¬ lach.Sposób wedlug wynalazku jest objasniony na przykladzie wykonania pólprzewodnikowego fluor¬ ku kadmu o róznych wartosciach rezystywnosci.Domieszkowane itrem krysztaly fluorku kadmu o zawartosci 0,25% mol itru wygrzewa sie w wodo¬ rze w temperaturze 400°C. Po wygrzewaniu w cia¬ gu 0,25 godz. otrzymuje sie krysztaly o rezystyw¬ nosci 19 m Q • m, a po wygrzewaniu w ciagu 0,5 godz. o rezystywnosci 10 m£2*ni. Wygrzewajac te krysztaly w wodorze przy temperaturze 350 C w ciagu 0,5 godz. otrzymuje sie wartosc rezystywno¬ sci 116 m Q • m. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe . Sposób wytwarzania pólprzewodnikowego fluorku kadmu przez domieszkowanie fluorku kadmu jo¬ nami trójwartosciowymi, a nastepnie wygrzewa¬ cie, aittfcSftIenny tym, ze proces wygrzewania pro¬ wadzi sie w atmosferze wodoru, ewentualnie z do¬ datkiem gazu obojetnego. 115 173 PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20723478A PL115173B1 (en) | 1978-05-31 | 1978-05-31 | Method of manufacturing semiconductive cadmium fuoride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20723478A PL115173B1 (en) | 1978-05-31 | 1978-05-31 | Method of manufacturing semiconductive cadmium fuoride |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL207234A1 PL207234A1 (pl) | 1980-02-11 |
| PL115173B1 true PL115173B1 (en) | 1981-03-31 |
Family
ID=19989608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL20723478A PL115173B1 (en) | 1978-05-31 | 1978-05-31 | Method of manufacturing semiconductive cadmium fuoride |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL115173B1 (pl) |
-
1978
- 1978-05-31 PL PL20723478A patent/PL115173B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL207234A1 (pl) | 1980-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4701317A (en) | Highly electroconductive films and process for preparing same | |
| US3146123A (en) | Method for producing pure silicon | |
| GB2180989A (en) | Process for high temperature surface reactions in semiconductor material | |
| EP0529594A1 (en) | A glassy carbon coated graphite component for use in the production of silicon crystal growth | |
| EP2284122B1 (en) | Low nitrogen concentration carbonaceous material | |
| CA1292663C (en) | Process for the production of semiconductor materials | |
| US2711379A (en) | Method of controlling the concentration of impurities in semi-conducting materials | |
| PL115173B1 (en) | Method of manufacturing semiconductive cadmium fuoride | |
| US6554897B2 (en) | Method of producing silicon carbide | |
| CN114613699A (zh) | 一种bcd工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法 | |
| JP2021502944A (ja) | 少量のバナジウムをドーピングした半絶縁炭化ケイ素単結晶、基板、製造方法 | |
| KR20200077184A (ko) | 바나듐 도핑된 탄화규소 분말 및 그 제조방법 | |
| US3335697A (en) | Apparatus for vapor deposition of silicon | |
| JPS55158622A (en) | Manufacture of silicon carbide material for semiconductor | |
| Odier et al. | Synthesis of mercury cuprates | |
| CN112593288A (zh) | 一种准一维超导材料Li0.9Mo6O17的单晶制备方法 | |
| JP2737781B2 (ja) | 化合物半導体基板の熱処理法 | |
| US3036006A (en) | Method of doping a silicon monocrystal | |
| JPS57115823A (en) | Manufacture of amorphous semiconductor film | |
| JPS63299019A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| US3357795A (en) | Method of producing or recrystallising boronphosphide | |
| JPH01169933A (ja) | ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 | |
| SU723990A1 (ru) | Способ изготовлени полупровод-НиКОВыХ пРибОРОВ HA OCHOBE | |
| JPH085654B2 (ja) | ＳｉＣ粉末の製造方法 | |
| US20020071804A1 (en) | Method of producing silicon carbide: high temperature sensor elements |