PL114897B1 - Differential comparator with temperature compensation - Google Patents

Differential comparator with temperature compensation Download PDF

Info

Publication number
PL114897B1
PL114897B1 PL1978210234A PL21023478A PL114897B1 PL 114897 B1 PL114897 B1 PL 114897B1 PL 1978210234 A PL1978210234 A PL 1978210234A PL 21023478 A PL21023478 A PL 21023478A PL 114897 B1 PL114897 B1 PL 114897B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
circuit
temperature
current
emitter
Prior art date
Application number
PL1978210234A
Other languages
English (en)
Other versions
PL210234A1 (pl
Inventor
Adel A A Ahmed
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of PL210234A1 publication Critical patent/PL210234A1/pl
Publication of PL114897B1 publication Critical patent/PL114897B1/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0038Circuits for comparing several input signals and for indicating the result of this comparison, e.g. equal, different, greater, smaller (comparing pulses or pulse trains according to amplitude)

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest komparator rózni¬ cowy z kompensacja temperatury, który kompen¬ suje wzgledna skladowa stanu róznicowego pomie¬ dzy porównywanymi zródlami sygnalu i jest wy¬ korzystywany jako modulator szerokosci impulsu w ukladzie korekcji znieksztalcen poduszkowych telewizji.Przelaczany uklad korekcji znieksztalcen podusz¬ kowych jest przedstawiony w opisie patentowym Stanów Zjednoczonych nr 4088931, w którym im- pedancja, polaczona szeregowo z cewkami odchy¬ lania poziomego, jest polaczona równolegle ze ste¬ rowanym przelacznikiem. Przelacznik jest zamknie¬ ty podczas kazdego powtarzajacego sie okresu po¬ wrotu poziomego, który jest stopniowo zmieniany podczas okresu wybierania pionowego. Na poczat¬ ku i na koncu okresu wybierania pionowego prze¬ lacznik jest zamykany stosunkowo pózno podczas okresu powrotu poziomego, co powoduje uzyska¬ nie stosunkowo duzej impedancji sredniej polaczo¬ nej szeregowo z cewkami odchylania poziomego i skutkiem tego zmniejszenie pradu wybierania oraz korekcje znieksztalcen poduszkowych. W srodku okresu wybierania pionowego przelacznik jest zamykany stosunkowo wczesniej, co powoduje zwiekszenie pradu wybierania poziomego, spowo¬ dowane mniejsza impedancja srednia polaczona szeregowo z uzwojeniem odchylajacym.Jak opisano w zgloszeniu Stanów Zjednoczonych z 1977 r., nr serii 766561, impulsy sterujace z mo- 18 15 20 25 dulacja czasu trwania impulsów dla sterowanego przelacznika korekcji znieksztalcen poduszkowych sa wytwarzane przez komparator. Jedno wejscie komparatora jest dolaczone do ukladu calkujacego, który wytwarza sygnal paraboliczny o czestotliwo¬ sci odchylania pionowego z sygnalu piloksztaltnego o czestotliwosci odchylania pionowego. Do dru¬ giego wejscia komparatora jest dolaczone zródlo sygnalów piloksztaltnych o czestotliwosci odchyla¬ nia poziomego poprzez obwód zawierajacy elemen¬ ty sterujace szerokoscia impulsów. Obecnosc ele¬ mentów sterujacych szerokoscia impulsów powo¬ duje wystapienie niekompensowanej skladowej stanu róznicowego czulej na temperature na dru¬ gim wejsciu komparatora.Zwykle stosowana jest przy uzyciu komparato¬ rów kompensacja sygnalów zródel zasilajacych komparator ze wzgledu na zmiany temperatury w stanie róznicowym. Jednakze moze to powodowac inne niepozadane zjawiska, takie jak zmniejszenie „wyczuwania" czy dzialania ukladu sterujacego.Wedlug wynalazku komparator zawiera elemen¬ ty przewodzace czule na temperature, wlaczone w pierwszy obwód pradowy dla wytwarzania sklado¬ wej kompensujacej zmiany punktu przelaczania spowodowane skladowa stanu róznicowego czula na temperature pomiedzy porównywanymi zródla¬ mi dla zmniejszenia zaleznej od temperatury zmia¬ ny — punktu przelaczania.Komparator wedlug wynalazku zawiera drugie 114 897114 897 elementy przewodzace, wlaczone w drugi obwód pradowy, przy czym te drugie elementy przewo¬ dzace maja charakterystyke temperaturowa o war¬ tosciach w zasadzie mniejszych niz charakterysty¬ ki elementów przewodzacych czulych na tempera¬ ture dla przesuwania skladowej elementów prze¬ wodzacych czulych na temperature przy okreslo¬ nej temperaturze. Wecjlug wynalazku wymieniona skladowa jest napieciem.W komparatorze wedlug wynalazku elementy przewodzace czule na temperature zawieraja zla¬ cze pólprzewodnikowe tranzystora. Komparator wedlug wynalazku zawiera trzecie elementy prze¬ wodzace majace charakterystyke temperaturowa 10 dostarczania pradu roboczego storów 1 i 2. Zarówno prad rezystora 21 i prad emitera tranzystora 7 pfyna przez tranzystor 8 i powoduja wystepowanie pradu roboczego na ko¬ lektorach tranzystorów 9"i 10.Sygnal wyjsciowy jest odbierany z kolektora tranzystora 2 przez symetryczny uklad pradowy zlozony z tranzystorów 3 i 4 i jest laczony w spo¬ sób przeciwsobny z sygnalem wyjsciowym kolek¬ tora tranzystora 1. Przeciwsobny sygnal wyjscio¬ wy jest doprowadzany do zacisku wyjsciowego przez negujacy tranzystor wzmacniajacy 11 i tran¬ zystory 12 i 13 wtórnika emiterowego. Kompensa¬ cja punktu przelaczania komparatora jest zape- o: wartosciach, w nasadzie mniejszych niz charak- 15 wniona przez zalezna od temperatury charaktery- terystyka zlacza pólprzewodnikowego dolaczonego styke napieciowa diody 5 wlaczonej w obwód do pierwszego obwojdu pradowego dla sterowania wzmocnieniem koitirjaratora. jJPrzedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie „wykonania na. rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat komparatora wedlug wynalazku oraz fig. 2 i 3 — uklady stosowane w polaczeniu z komparatorem z fig. 1. Na figurze 1 bazy tranzystorów 1 i 2 sa dolaczone odpowiednio do zacisków wejsciowych A i B, podczas gdy po¬ tencjaly na zaciskach A i B moga byc ustalone jako równe przy okreslonej temperaturze, poten¬ cjal na zacisku B wzgledem potencjalu na zacisku A rózni sie skladowa zwiazana z Vbe. Moze to po¬ wodowac niepozadane przesuniecie wzglednego punktu przelaczania komparatora t60 wraz z tem¬ peratura. Emiter tranzystora 1 jest dolaczony po¬ przez polaczone szeregowo rezystor 22 i wlaczony jako dioda tranzystor 5 do kolektora tranzystor 7 stanowiacego zródlo pradu. Emiter tranzystora 2 jest dolaczony poprzez rezystor 23 do kolektora tranzystora 7. Kolektor tranzystora 1 jest dolaczo¬ ny do B+ poprzez wlaczony jako dioda tranzy¬ stor 3. Tranzystor 3 jest dolaczony do zlacza baza — emiter tranzystora 4, którego kolektor jest do¬ laczony do kolektora tranzystora 2. Kolektor tran¬ zystora 2 jest dolaczony równiez do bazy tranzy¬ stora 11, którego * emiter jest dolaczony do B-K Kolektor tranzystora 11 jest dolaczony do bazy tranzystora 12, którego kolektor jest dolaczony do B+. Emiter tranzystora 12 jest dolaczony do bazv tranzystora 13, którego kolektor jest dolaczony do B+ i którego emiter jest dolaczony do zacisku wyjsciowego C komparatora.Zlacze baza —emiter tranzystora 7 jest dolaczo¬ ne do wlaczonego jako dioda tranzystora 6. Tran¬ zystor 6 odbiera prad z B+ poprzez rezystor 21 wlaczony pomiedzy zaciski 50 i 51. Emiter tranzy¬ stora 6 jest dolaczony do bazy wlaczonego jako dioda tranzystora 8, którego emiter jest dolaczony do masy. Emiter tranzystora 6 jest równiez dola¬ czony do baz tranzystorów 9 i 10, których kolek¬ tory sa dolaczone odpowiednio do emiterów tran¬ zystorów 12 i 13. Emiter tranzystora 9 jest dola¬ czony do masy poprzez rezystor 24, a emiter tran¬ zystora 10 jest dolaczony do masy poprzez rezy¬ stor 25.Podczas pracy rezystor 21 powoduje, ze przez tranzystor 6 plynie w zasadzie staly prad, a przez tranzystor 7 plynie proporcjonalny prad w celu 20 25 35 40 45 50 fe laczacy emiter tranzystora 1 z kolektorem tranzy¬ stora 7. Rezystor 23 wlaczony w obwód od emitera tranzystora 2 do kolektora tranzystora 7 jest do¬ brany tak, by suma napiec na tranzystorze 5 i rezystorze 22 byla równa dla okreslonej tempe¬ ratury i przy wymaganym pradzie.Zsumujmy napiecia od kolektora tranzystora 7 do zacisku wejsciowego B+ dla równych pradów w tranzystorach 1 i 2: V 23 + VBE 2 + VIN = VBE 5 + V 22 + VBE 1 (1) gdzie VIN jest napieciem wejsciowym, V22 i V23 sa napieciami odpowiednio na rezystorach 22 i 23 oraz VBE1 i VBE2 sa napieciami baza — emiter odpowiednio tranzystorów li 2.Zalózmy, ze napiecia , baza — emiter tranzysto¬ rów 1 i 2 sa równe: V 23 + VIN = VBE 5 + V22 (2) i VIN = VBE 5 + V22 —V23 (3) Jezeli prady po obu stronach sa równe polowie pradu I0 kolektora tranzystora 7: VIN = VBE 5 + Io/2(R22 — R23) (4) W wyniku wlasciwego dobrania pradu I0 i re¬ zystancji rezystorów 22 i 23, napiecie wejsciowe dla zrównowazenia pradu komparatora moze byc wyregulowane na zero przy okreslonej temperatu¬ rze. Pomimo, ze rezystor 22 moze miec wartosc równa zeru, jego wartosc rózna od zera wspoma¬ ga nastawienie wzmocnienia komparatora na wy¬ magana wartosc. W dowolnym przypadku wspól¬ czynnik temperatury skladowej róznicowej pomiec dzy zródlami sygnalów wejsciowych, która kom¬ parator, kompensuje, bedzie algebraiczna suma wspólczynników temperaturowych elementów po prawej stronie równania (4).W przypadku, gdy wspólczynnik temperatury kompensacji ma byc regulowany przez napiecie przesuniecia tranzystora 5, pozostaly element po prawej stronie równania (4) musi miec wspólczyn¬ nik temperaturowy, który jest w zasadzie równy zeru. W przypadku, gdy wspólczynnik temperatury rezystorów 22 i 23 jest w warunkach nominalnych równy zeru, wówczas jest jedynie konieczne utrzy¬ manie w zasadzie stalej wartosci pradu IQ kolekto¬ ra tranzystora 7 wzgledem temperatury. Jednakze w przypadku, gdy wspólczynnik temperatury rezy¬ storów jest rózny od zera, moze byc konieczne do¬ starczenie pradu kolektora tranzystora 7 zarówno przy dodatnim jak i ujemnym wspólczynniku tem¬ peraturowym. Dodatni wsipólczynnik temperaturo-114 897 wy dla pradu I0 moze byc latwo uzyskany w wy¬ niku wlaczenia ukladu polaczen elementów, takie¬ go jak uklad polaczen 200 z fig. 2a, pomiedzy za¬ ciski 50 i 51 z fig. 1 w miejsce rezystora 21.Uklad polaczen 200 elementów z fig. 2a zawiera rezystor 221 dolaczony do B+ poprzez, zacisk 50.Wiele polaczonych szeregowo diod 201, 202 i 203 jest wlaczonych szeregowo pomiedzy zacisk 51 i drugi koniec rezystora 221. Wraz ze wzrostem temperatury maleje napiecie przesuniecia diod 201 i 203, co powoduje wystapienie zwiekszonego na¬ piecia na rezystorze 221 i uzyskanie dodatniego wspólczynnika temperaturowego dla pradu.W przeciwnym przypadku ujemny wspólczynnik temperaturowy moze byc uzyskany w wyniku wlaczenia obwodu takiego jak obwód 250 z fig. 2b pomfedzy zaciski 50 i 51 z fig. 1 w miejsce rezy¬ stora 21. Obwód 250 zawiera tranzystor 251, które¬ go kolektor jest dolaczony do zacisku 51. Emiter tranzystora 251 jest dolaczony do zacisku 50 po¬ przez rezystor 261. Baza tranzystora 251 jest dola¬ czona do masy poprzez rezystor 255 i do zacisku 50 poprzez szeregowe polaczenie wielu diod 252 do 254. Wraz ze wzrostem temperatury maleje napie¬ cie przesuniecia wystepujace na polaczonych sze¬ regowo diodach. Czesc zmniejszonego napiecia jest doprowadzana przez zlacze baza — emiter tranzy¬ stora 251 do rezystora 261, co powoduje uzyskanie ujemnego wspólczynnika temperaturowego pra¬ du I0.Dalsza stabilizacja komperatora w porównaniu z konwencjonalnym ukladem jest zapewniona przez uklad tranzystorów 6 do 10. Jezeli komparator jest stosowany do wytwarzania impulsu, tranzystory 9 i 10 sa okresowo nasycane. Przy nasyceniu wzmo¬ cnienie pradowe tranzystorów 9 i 10 wyraznie ma¬ leje, lecz o wartosc, której nie mozna przewidziec i z góry okreslic. Przy nasyceniu wzrasta w, zwiaz¬ ku z tym obciazenie reprezentowane przez bazy tranzystorów 9 i 10. Dzieki zastosowaniu ukladu tranzystorów 6 do 10 zostaje zmniejszone do mi¬ nimum zjawisko tego obciazenia pradu kolektora tranzystora 7.W celu uzyskania kompensacji temperaturowej mniejszej niz jedno VBE, moga byc zastosowane dwa przyrzady czule na temperature zwiazana z VBE, po jednym w obwodzie emiterowym kazde¬ go z tranzystorów 1 i 2. Dla przykladu, obwód ta¬ ki jak na fig. 3, moze byc wlaczony pomiedzy za¬ ciski 54 i 55 z fig. 1 w miejsce lub w polaczeniu z rezystorem 23. Dobrze znany obwód 300 z fig. 3 zawiera tranzystor 302, którego obwód kolektor — baza jest wlaczony pomiedzy zaciski 54 i 55. Po¬ miedzy zaciski 54 i 55 jest równiez wlaczony dziel¬ nik napiecia skladajacy sie z polaczonych szerego¬ wo rezystorów 304 i 305 a baza tranzystora 302 jest dolaczona do punktu polaczenia rezystorów.Obwód 300 jest ukladem sprzezenia zwrotnego* który wywoluje zmiane przewodzenia tranzystora 302 w taki sposób, by utrzymac napiecie na zaci¬ skach 54 i 55 o wartosci równej napieciu przesu¬ niecia baza — emiter tranzystora pomnozonemu przez staly wspólczynnik zalezny od wspólczynni¬ ka dzielnika napieciowego. Korekcja temperatury komparatora bedzie zwiazana z róznica pomiedzy 10 15 20 25 35 40 45 60 odpowiedzia temperaturowa obwodu 300 i obwodu diody 5.Wówczas gdy obciazenie na bazach tranzystorów 9 i 10 wzrasta, napiecie na tranzystorze 8 dazy do zmniejszenia swej wartosci. Wartosc tej zmiany jest bez znaczenia w porównaniu z napieciem uzy¬ skiwanym na rezystorze 21 i na prad w tym re¬ zystorze nie bedzie miala zasadniczo wplywu. Sy¬ metryczny uklad pradowy zawierajacy diode 51 i tranzystor 7 bedzie odczuwal zmiane napiecia na tranzystorze 8 jako zmiane jego potencjalu na anodzie diody utworzonej przez tranzystor 8 w normalnych warunkach. Napiecie emiter — kolek¬ tor tranzystora 7 ulegnie w zwiazku z tym malej zmianie, która bedzie powodowac jedynie pomijal- na zmiane jego pradu kolektora.Jezeli natomiast tranzystor 7 odbiera napiecie polaryzacji baza — emiter z diody 8 poprzez po¬ laczenie zlacza baza — emiter tranzystora 7 dola¬ czone do diody 8, wówczas omawiana powyzej zmiana napiecia na diodzie 8 bedzie powodowac duza zmiane pradu kolektora tranzystora 7 w wy¬ niku wykladniczego przebiegu charakterystyki na¬ piecia sterujacego emiter — baza w funkcji pra¬ du kolektora.Inne wykonania wynalazku beda oczywiste dla fachowców. W szczególnosci przyrzad przewodzacy czuly na temperature, posiadajacy wspólczynnik temperaturowy przeciwny wzgledem wspólczynni¬ ka tranzystora 5, moze byc wlaczony w obwód emitera tranzystora 2 zamiast tranzystora 1 w ce¬ lu uzyskania tej samej korekcji. Moga byc rów¬ niez zastosowane inne przyrzady czule na tempe¬ rature, takze jak termistory. Moga byc równiez zastosowane dwa przyrzady czule na temperature, po jednym w kazdym obwodzie emitera, w celu u- zyskania wspólczynnika temperaturowego korekcji, który jest równy róznicy pomiedzy dwoma wspól¬ czynnikami. Moga byc równiez korzystne inne zmiany, takie jak polaczenie rezystorów 24 i 25 w pojedynczy rezystor wspólny dla obwodów emite¬ rów tranzystorów 9 i 10.Zastrzezenia patentowe 1. Komparator róznicowy z kompensacja tempe¬ ratury z polaczonymi emiterami, typu przelaczaja¬ cego, zawierajacy pierwszy tranzystor i drugi tran¬ zystor, elementy laczace kazda z baz pierwszego tranzystora i drugiego tranzystora ze zródlami sygnalów, zródlo pradowe, elementy laczace zródlo pradowe z emiterami pierwszego tranzystora i drugiego tranzystora poprzez odpowiednio pier¬ wszy obwód pradowy i drugi obwód pradowy, elementy zasilajace i wykonawcze dolaczone do kolektorów pierwszego tranzystora i drugiego tran¬ zystora, znamienny tym, ze elementy przewodzace, korzystnie tranzystor (5), czule na temperature, sa wlaczone w pierwszy obwód pradowy dla wytwa¬ rzania skladowej kompensujacej zmiany punktu przelaczania spowodowane skladowa stanu rózni¬ cowego czula na temperature pomiedzy porówny¬ wanymi zródlami dla zmniejszenia zaleznej od temperatury zmiany punktu przelaczania. 2. Komparator wedlug zastrz. 1, znamienny tym,114 897 ze zawiera drugie elementy przewodzace, korzy¬ stnie rezystor (23) albo obwód (300), wlaczone w drugi obwód pradowy, przy czym te drugie ele¬ menty przewodzace maja charakterystyke tempe¬ raturowa o wartosciach w zasadzie mniejszych niz charakterystyki elementów przewodzacych, korzy¬ stnie ukladu polaczen (200) lub obwodu (250), czu¬ lych na temperature dla przesuwania skladowej elementów przewodzacych czulych na temperature przy okreslonej temperaturze. 3. Komparator wedlug zastrz. 1 albo 2, zna¬ mienny tym, ze wymieniona skladowa jest napie¬ ciem. i* 8 4. Komparator wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze elementy przewodzace czule na temperature za¬ wieraja zlacze pólprzewodnikowe tranzystora (5). 5. Komparator wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze zawiera trzecie elementy przewodzace korzy¬ stnie rezystor (21) albo uklad polaczen (200) czy obwód (250) majace charakterystyke temperaturo¬ wa o wartosciach w zasadzie mniejszych niz cha¬ rakterystyka zlacza pólprzewodnikowego dolaczo¬ nego do pierwszego obwodu pradowego dla stero¬ wania wzmocnieniem komparatora (60).Fie.ii. M Fig. ib. 304-5 PZGraf. Koszalin D-476 100 A-4 Cena 100 zl PL PL PL PL PL PL PL PL PL

Claims (1)

1.
PL1978210234A 1977-10-13 1978-10-12 Differential comparator with temperature compensation PL114897B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/841,966 US4198581A (en) 1977-10-13 1977-10-13 Temperature compensating comparator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL210234A1 PL210234A1 (pl) 1979-07-16
PL114897B1 true PL114897B1 (en) 1981-02-28

Family

ID=25286199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1978210234A PL114897B1 (en) 1977-10-13 1978-10-12 Differential comparator with temperature compensation

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4198581A (pl)
JP (1) JPS5464923A (pl)
DE (1) DE2844737A1 (pl)
ES (1) ES474183A1 (pl)
FI (1) FI783051A7 (pl)
FR (1) FR2406242A1 (pl)
GB (1) GB2006561B (pl)
IT (1) IT7828565A0 (pl)
NL (1) NL7810285A (pl)
PL (1) PL114897B1 (pl)
SE (1) SE7810486L (pl)
ZA (1) ZA785658B (pl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2944657C2 (de) * 1979-11-06 1985-02-14 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Komparatorschaltung
US4471236A (en) * 1982-02-23 1984-09-11 Harris Corporation High temperature bias line stabilized current sources
EP0111230B1 (en) * 1982-11-26 1987-03-11 Nec Corporation Voltage comparator circuit
US4591740A (en) * 1983-02-28 1986-05-27 Burr-Brown Corporation Multiple input port circuit having temperature zero voltage offset bias means
US4521727A (en) * 1983-05-23 1985-06-04 Honeywell Inc. Hall effect circuit with temperature compensation
US4727269A (en) * 1985-08-15 1988-02-23 Fairchild Camera & Instrument Corporation Temperature compensated sense amplifier
JPH0693485B2 (ja) * 1985-11-29 1994-11-16 日本電装株式会社 半導体装置
IT1244341B (it) * 1990-12-21 1994-07-08 Sgs Thomson Microelectronics Generatore di tensione di riferimento con deriva termica programmabile
JP2688035B2 (ja) * 1992-02-14 1997-12-08 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド 温度補償回路及び動作方法
US5611952A (en) * 1994-06-30 1997-03-18 Jones; Thaddeus M. Temperature sensor probe and sensor detection circuit
JPH10290144A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JP2000221468A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Citizen Watch Co Ltd 液晶駆動装置
US6957047B1 (en) 1999-02-18 2005-10-18 Ydi Wireless, Inc. Bi-directional switched RF amplifier, waterproof housing, electrostatic overvoltage protection device, and mounting bracket therefor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2871376A (en) * 1953-12-31 1959-01-27 Bell Telephone Labor Inc Temperature sensitive transistor control circuit
US3188576A (en) * 1962-02-16 1965-06-08 Cons Electrodynamics Corp Temperature compensation for d.c. amplifiers

Also Published As

Publication number Publication date
NL7810285A (nl) 1979-04-18
FR2406242A1 (fr) 1979-05-11
JPS5464923A (en) 1979-05-25
ES474183A1 (es) 1979-05-16
IT7828565A0 (it) 1978-10-09
DE2844737A1 (de) 1979-04-26
US4198581A (en) 1980-04-15
ZA785658B (en) 1979-09-26
FI783051A7 (fi) 1979-04-14
GB2006561A (en) 1979-05-02
PL210234A1 (pl) 1979-07-16
GB2006561B (en) 1982-03-31
SE7810486L (sv) 1979-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4350904A (en) Current source with modified temperature coefficient
US4502020A (en) Settling time reduction in wide-band direct-coupled transistor amplifiers
PL114897B1 (en) Differential comparator with temperature compensation
EP0344855B1 (en) Transconductance circuit
US3641448A (en) Transistor signal translating stage
US4268789A (en) Limiter circuit
US3374361A (en) Zener coupled wide band logarithmic video amplifier
US4159431A (en) Electronic switch maintaining a predetermined state independent of supply voltage variation
US4520282A (en) Electronic impedance circuit including a compensation arrangement for d.c. offset
US3418592A (en) Direct coupled amplifier with temperature compensating means
US5180989A (en) Wideband amplifier
US4122402A (en) Buffer amplifier circuit suitable for manufacture in monolithic integrated circuit form
JPH04369107A (ja) 差動増幅器
US5113146A (en) Amplifier arrangement
EP0182201B1 (en) Speed control apparatus for a dc motor
US4058775A (en) Over-current prevention circuitry for transistor amplifiers
US4409558A (en) Gain compensated transistor amplifier
US3018446A (en) Series energized transistor amplifier
US3222607A (en) Transistor amplifier circuit
US3916293A (en) Signal clipping circuit utilizing a P-N junction device
EP0112358B1 (en) Current mirror circuit arrangement
US3416067A (en) Constant voltage regulator dependent on resistor ratios
US3226652A (en) Transistor amplifier having means for compensating for nonlinear base-to-emitter impedance
US3249880A (en) Temperature stabilized semiconductor detector
US3467908A (en) Input current compensation with temperature for differential transistor amplifier