JPH10290144A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH10290144A JPH10290144A JP9099201A JP9920197A JPH10290144A JP H10290144 A JPH10290144 A JP H10290144A JP 9099201 A JP9099201 A JP 9099201A JP 9920197 A JP9920197 A JP 9920197A JP H10290144 A JPH10290144 A JP H10290144A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出電圧を基板内に集積した検出素子から
得、基準電圧を外付け基準素子から得るようにしたコン
パレータを内蔵する半導体装置において、検出電圧の温
度特性と基準電圧の温度特性の間のずれを低減する。 【解決手段】 コンパレータ２の検出側回路と基準側回
路のいずれか一方、若しくは両方に、温度依存性半導体
素子(検出側回路にはダイオード９、基準側回路には抵
抗素子13)を設ける。内蔵されたパワー素子18の発熱に
より検出電圧が変動しても、ダイオード９や抵抗素子13
等の各温度特性が、検出電圧と基準電圧の各温度特性の
ずれを低減するように作用する。
得、基準電圧を外付け基準素子から得るようにしたコン
パレータを内蔵する半導体装置において、検出電圧の温
度特性と基準電圧の温度特性の間のずれを低減する。 【解決手段】 コンパレータ２の検出側回路と基準側回
路のいずれか一方、若しくは両方に、温度依存性半導体
素子(検出側回路にはダイオード９、基準側回路には抵
抗素子13)を設ける。内蔵されたパワー素子18の発熱に
より検出電圧が変動しても、ダイオード９や抵抗素子13
等の各温度特性が、検出電圧と基準電圧の各温度特性の
ずれを低減するように作用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特に、パワー素子とコンパレータとを同一半導体基
板に集積化したもので、検出電圧は温度特性の変化が大
きい基板内部の半導体素子から得、基準電圧は温度特性
の変化が非常に少ない外付け部品から得るようにした半
導体装置におけるコンパレータの温度変化に対する出力
特性の変動を低減する回路技術に関する。
り、特に、パワー素子とコンパレータとを同一半導体基
板に集積化したもので、検出電圧は温度特性の変化が大
きい基板内部の半導体素子から得、基準電圧は温度特性
の変化が非常に少ない外付け部品から得るようにした半
導体装置におけるコンパレータの温度変化に対する出力
特性の変動を低減する回路技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパレータは、温度変化に対する出力
特性の変動を抑えるために、検出電圧を得るための素子
(以下、検出素子と略す)と基準電圧を得るための素子
(以下、基準素子と略す)の温度特性を合わせて考慮され
る。例えばコンパレータを内蔵する半導体装置では、検
出素子と基準素子を共に半導体基板に内蔵させる、又は
共に外付け部品で対応するのが一般的である。前者の半
導体基板に内蔵させる構成では、コンパレータの出力特
性は温度変化に対し安定するが、コンパレータの出力特
性は固定されるため、使用者がコンパレータの出力特性
を自由に設定することはできない。後者の共に外付け部
品で対応する構成では、使用者がコンパレータの出力特
性を自由に設定することはできるが、外部接続端子がコ
ンパレータ一つに対し２端子増えることになり、半導体
装置全体の外部端子数が増えることになる。半導体装置
の小型化と外部端子数の減少化を図り、且つコンパレー
タの出力特性を自由に設定できるようにするには、コン
パレータの基準電圧を外付け部品により得る必要があ
る。
特性の変動を抑えるために、検出電圧を得るための素子
(以下、検出素子と略す)と基準電圧を得るための素子
(以下、基準素子と略す)の温度特性を合わせて考慮され
る。例えばコンパレータを内蔵する半導体装置では、検
出素子と基準素子を共に半導体基板に内蔵させる、又は
共に外付け部品で対応するのが一般的である。前者の半
導体基板に内蔵させる構成では、コンパレータの出力特
性は温度変化に対し安定するが、コンパレータの出力特
性は固定されるため、使用者がコンパレータの出力特性
を自由に設定することはできない。後者の共に外付け部
品で対応する構成では、使用者がコンパレータの出力特
性を自由に設定することはできるが、外部接続端子がコ
ンパレータ一つに対し２端子増えることになり、半導体
装置全体の外部端子数が増えることになる。半導体装置
の小型化と外部端子数の減少化を図り、且つコンパレー
タの出力特性を自由に設定できるようにするには、コン
パレータの基準電圧を外付け部品により得る必要があ
る。
【０００３】コンパレータの基準電圧を外付け部品によ
り得る従来技術を用いた例を図７に示す。図７におい
て、１はコンパレータ２と半導体素子である検出抵抗３
とを半導体基板中に内蔵した半導体装置である。４はコ
ンパレータ２の基準電圧のための外部接続端子、５はコ
ンパレータ２の出力端子である。外部接続端子４には定
電流源６と基準用外付け抵抗７が接続されている。コン
パレータ２は、定電流源８、トランジスタ10およびトラ
ンジスタ11からなる検出側回路と、定電流源12、トラン
ジスタ14およびトランジスタ15からなる基準側回路と、
定電流源16とで構成されている。コンパレータ２の基準
電圧は基準用外付け抵抗７で発生する電圧であり、コン
パレータ２の検出電圧は検出抵抗３で発生する電圧であ
る。コンパレータの基準端子は、コンパレータの出力特
性を基準用外付け抵抗７で発生する基準電圧により自由
に設定するために外部接続端子となっている。
り得る従来技術を用いた例を図７に示す。図７におい
て、１はコンパレータ２と半導体素子である検出抵抗３
とを半導体基板中に内蔵した半導体装置である。４はコ
ンパレータ２の基準電圧のための外部接続端子、５はコ
ンパレータ２の出力端子である。外部接続端子４には定
電流源６と基準用外付け抵抗７が接続されている。コン
パレータ２は、定電流源８、トランジスタ10およびトラ
ンジスタ11からなる検出側回路と、定電流源12、トラン
ジスタ14およびトランジスタ15からなる基準側回路と、
定電流源16とで構成されている。コンパレータ２の基準
電圧は基準用外付け抵抗７で発生する電圧であり、コン
パレータ２の検出電圧は検出抵抗３で発生する電圧であ
る。コンパレータの基準端子は、コンパレータの出力特
性を基準用外付け抵抗７で発生する基準電圧により自由
に設定するために外部接続端子となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７の
コンパレータ２を使用したとき、コンパレータ２の基準
電圧は基準用外付け抵抗７で発生する電圧であり、且つ
基準用外付け抵抗７は外付け部品であるため、基準電圧
の温度変化に対する変動が小さい。一方、コンパレータ
２の検出電圧は検出抵抗３で発生する電圧であり、且つ
検出抵抗３は半導体基板に内蔵されているために、検出
電圧の温度変化に対する変動が大きい。そのために、コ
ンパレータ２の基準電圧と検出電圧の温度特性にずれが
生じ、コンパレータの出力特性は温度により変動する。
特に半導体基板にパワー素子が内蔵されている場合、パ
ワー素子の発熱により、検出抵抗３の温度変化に対する
変動が更に大きくなるため、コンパレータの出力特性は
温度により大きく変動することになる。
コンパレータ２を使用したとき、コンパレータ２の基準
電圧は基準用外付け抵抗７で発生する電圧であり、且つ
基準用外付け抵抗７は外付け部品であるため、基準電圧
の温度変化に対する変動が小さい。一方、コンパレータ
２の検出電圧は検出抵抗３で発生する電圧であり、且つ
検出抵抗３は半導体基板に内蔵されているために、検出
電圧の温度変化に対する変動が大きい。そのために、コ
ンパレータ２の基準電圧と検出電圧の温度特性にずれが
生じ、コンパレータの出力特性は温度により変動する。
特に半導体基板にパワー素子が内蔵されている場合、パ
ワー素子の発熱により、検出抵抗３の温度変化に対する
変動が更に大きくなるため、コンパレータの出力特性は
温度により大きく変動することになる。
【０００５】本発明は、このように、検出電圧を半導体
基板に内蔵する検出素子から得、基準電圧を外付け基準
素子から得るようにしたコンパレータにおいて、検出電
圧と基準電圧の温度特性のずれを低減するようにした半
導体装置を提供することを目的とする。そして、パワー
素子がコンパレータとともに集積化された半導体装置に
おいて特に有効である。
基板に内蔵する検出素子から得、基準電圧を外付け基準
素子から得るようにしたコンパレータにおいて、検出電
圧と基準電圧の温度特性のずれを低減するようにした半
導体装置を提供することを目的とする。そして、パワー
素子がコンパレータとともに集積化された半導体装置に
おいて特に有効である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置は、コンパレータの検出電圧と
基準電圧の温度特性を合わせるために、コンパレータの
検出側回路若しくは基準側回路の少なくとも一方に温度
依存性半導体素子を備えたものである。検出側回路に設
ける温度依存性半導体素子としてダイオードが、基準側
回路に設ける温度依存性半導体素子として抵抗素子があ
る。検出側回路にダイオードを設けると、ダイオードの
整特性が温度の上昇に伴い減少するため、検出電圧の温
度に対する変化が低減され、コンパレータの検出電圧と
基準電圧の温度特性ずれが低減される。また、基準側回
路に抵抗素子を設けると、温度の上昇に伴い抵抗値が増
加するため、基準電圧の温度に対する変化が増加し、検
出電圧と基準電圧の温度特性ずれが低減される。検出側
回路にダイオードを内蔵させ、基準側回路に抵抗素子を
内蔵させると、コンパレータの検出電圧と基準電圧の温
度特性ずれはより効果的に低減される。
に、本発明の半導体装置は、コンパレータの検出電圧と
基準電圧の温度特性を合わせるために、コンパレータの
検出側回路若しくは基準側回路の少なくとも一方に温度
依存性半導体素子を備えたものである。検出側回路に設
ける温度依存性半導体素子としてダイオードが、基準側
回路に設ける温度依存性半導体素子として抵抗素子があ
る。検出側回路にダイオードを設けると、ダイオードの
整特性が温度の上昇に伴い減少するため、検出電圧の温
度に対する変化が低減され、コンパレータの検出電圧と
基準電圧の温度特性ずれが低減される。また、基準側回
路に抵抗素子を設けると、温度の上昇に伴い抵抗値が増
加するため、基準電圧の温度に対する変化が増加し、検
出電圧と基準電圧の温度特性ずれが低減される。検出側
回路にダイオードを内蔵させ、基準側回路に抵抗素子を
内蔵させると、コンパレータの検出電圧と基準電圧の温
度特性ずれはより効果的に低減される。
【０００７】そこで、本発明の請求項１に記載の発明
は、コンパレータを内蔵し、そのコンパレータに検出電
圧を供給する検出素子は半導体基板に一体的に集積化さ
れており、前記コンパレータの基準電圧は外部接続端子
を介して外付け部品から供給される半導体装置におい
て、前記コンパレータの検出電圧が供給される検出側回
路若しくは基準電圧が供給される基準側回路の少なくと
も一方に、検出電圧と基準電圧の温度特性のずれを低減
するための温度依存性半導体素子を備えた構成とするも
のである。
は、コンパレータを内蔵し、そのコンパレータに検出電
圧を供給する検出素子は半導体基板に一体的に集積化さ
れており、前記コンパレータの基準電圧は外部接続端子
を介して外付け部品から供給される半導体装置におい
て、前記コンパレータの検出電圧が供給される検出側回
路若しくは基準電圧が供給される基準側回路の少なくと
も一方に、検出電圧と基準電圧の温度特性のずれを低減
するための温度依存性半導体素子を備えた構成とするも
のである。
【０００８】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
コンパレータの検出側回路に備えた温度依存性半導体素
子がダイオードからなるものである。
コンパレータの検出側回路に備えた温度依存性半導体素
子がダイオードからなるものである。
【０００９】また、本発明の請求項３に記載の発明は、
コンパレータの基準側回路に備えた温度依存性半導体素
子が抵抗素子からなるものである。
コンパレータの基準側回路に備えた温度依存性半導体素
子が抵抗素子からなるものである。
【００１０】また、本発明の請求項４に記載の発明は、
請求項１，２または３記載の半導体装置において、半導
体基板にパワー素子が内蔵されているものである。
請求項１，２または３記載の半導体装置において、半導
体基板にパワー素子が内蔵されているものである。
【００１１】また、本発明の請求項５に記載の発明は、
温度依存性半導体素子が少なくとも検出側回路若しくは
基準側回路にスイッチを介して設けられているものであ
る。
温度依存性半導体素子が少なくとも検出側回路若しくは
基準側回路にスイッチを介して設けられているものであ
る。
【００１２】さらに、本発明の請求項６に記載の発明
は、外付け部品により基準電圧を変え、コンパレータの
出力特性を任意に設定するようにしたものである。
は、外付け部品により基準電圧を変え、コンパレータの
出力特性を任意に設定するようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１におけ
る半導体装置を示したものである。図１において、図７
中の構成要素に付された符号と同一符号のものは同一の
構成要素を表しており、また、９はコンパレータ２の検
出電圧が供給される検出側回路に設けられた温度依存性
半導体素子としてのダイオードであり、スイッチング素
子であるトランジスタ10と直列に接続されている。ダイ
オード９は、温度上昇に伴い両端の電圧が減少する温度
特性を有している。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１におけ
る半導体装置を示したものである。図１において、図７
中の構成要素に付された符号と同一符号のものは同一の
構成要素を表しており、また、９はコンパレータ２の検
出電圧が供給される検出側回路に設けられた温度依存性
半導体素子としてのダイオードであり、スイッチング素
子であるトランジスタ10と直列に接続されている。ダイ
オード９は、温度上昇に伴い両端の電圧が減少する温度
特性を有している。
【００１４】さらに、具体的に説明する。図１におい
て、定電流源６の電流をＩ1とする。またトランジスタ1
0，11，14，15およびダイオード９において、ベース・
エミッタ間電圧をＶF、温度係数を−△αとし、検出抵
抗３の温度係数を△βとする。基準用外付け抵抗７の温
度依存性は検出抵抗３に比べて低いので温度係数はゼロ
とする。コンパレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくな
り、出力端子５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転すると
きの検出抵抗３の抵抗値をＲ3、検出抵抗３に流れる検
出電流をＩsとし、基準用外付け抵抗７の抵抗値をＲ7と
すると、Ａ点における電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖb
は、以下のようになる。
て、定電流源６の電流をＩ1とする。またトランジスタ1
0，11，14，15およびダイオード９において、ベース・
エミッタ間電圧をＶF、温度係数を−△αとし、検出抵
抗３の温度係数を△βとする。基準用外付け抵抗７の温
度依存性は検出抵抗３に比べて低いので温度係数はゼロ
とする。コンパレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくな
り、出力端子５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転すると
きの検出抵抗３の抵抗値をＲ3、検出抵抗３に流れる検
出電流をＩsとし、基準用外付け抵抗７の抵抗値をＲ7と
すると、Ａ点における電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖb
は、以下のようになる。
【００１５】
【数１】Ｖa＝Ｉs・(１＋△β)Ｒ3＋２(１−△α)ＶF
【００１６】
【数２】Ｖb＝Ｉ1・Ｒ7＋(１−△α)ＶF 上記(数１)、(数２)より、検出電流Ｉsは
【００１７】
【数３】 Ｉs＝{Ｉ1・Ｒ7−(１−△α)ＶF}／{(１＋△β)Ｒ3} (数３)において、右辺の分母の(１＋△β)Ｒ3は温度上
昇に伴い増加し、右辺の分子の(１−△α)ＶFは温度上
昇に伴い減少し、右辺の分子全体としては増加する。結
果として、温度上昇により発生する検出電流Ｉsのずれ
は低減される。
昇に伴い増加し、右辺の分子の(１−△α)ＶFは温度上
昇に伴い減少し、右辺の分子全体としては増加する。結
果として、温度上昇により発生する検出電流Ｉsのずれ
は低減される。
【００１８】(実施の形態２)図２は、本発明の実施の形
態２における半導体装置を示したものである。ここで
は、図１のダイオード９の代りにコンパレータの基準電
圧が供給される基準側回路に抵抗素子13が、スイッチン
グ素子であるトランジスタ14と直列に設けられたもので
ある。抵抗素子13は温度上昇に伴い抵抗値が増加し、両
端の電圧が増加する温度依存性半導体素子である。
態２における半導体装置を示したものである。ここで
は、図１のダイオード９の代りにコンパレータの基準電
圧が供給される基準側回路に抵抗素子13が、スイッチン
グ素子であるトランジスタ14と直列に設けられたもので
ある。抵抗素子13は温度上昇に伴い抵抗値が増加し、両
端の電圧が増加する温度依存性半導体素子である。
【００１９】図２において、実施の形態１と同様に、定
電流源６の電流をＩ1とし、トランジスタ10，11，14，1
5のベース・エミッタ間電圧をＶF、温度係数を−△αと
し、検出抵抗３と抵抗13の温度係数を△βとする。ま
た、基準用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗３のそ
れに比べて低いので、その温度係数はゼロとする。コン
パレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子
５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときの検出抵抗
３の抵抗値をＲ3、検出抵抗３に流れる検出電流をＩs、
定電流源12の電流をＩ2、基準用外付け抵抗７の抵抗値
をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13とすると、Ａ点における
電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖbは以下のようになる。
電流源６の電流をＩ1とし、トランジスタ10，11，14，1
5のベース・エミッタ間電圧をＶF、温度係数を−△αと
し、検出抵抗３と抵抗13の温度係数を△βとする。ま
た、基準用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗３のそ
れに比べて低いので、その温度係数はゼロとする。コン
パレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子
５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときの検出抵抗
３の抵抗値をＲ3、検出抵抗３に流れる検出電流をＩs、
定電流源12の電流をＩ2、基準用外付け抵抗７の抵抗値
をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13とすると、Ａ点における
電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖbは以下のようになる。
【００２０】
【数４】Ｖa＝Ｉs・(１＋△β)Ｒ3＋(１−△α)ＶF
【００２１】
【数５】 Ｖb＝Ｉ1・Ｒ7＋(１−△α)ＶF＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13 上記(数４)、(数５)より、検出電流Ｉsは以下のように
表される。
表される。
【００２２】
【数６】Ｉs＝{Ｉ1・Ｒ7＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13}／{(１
＋△β)Ｒ3} (数６)において、右辺の分母の(１＋△β)Ｒ3は温度上
昇に伴い増加し、右辺の分子のＩ2・(１＋△β)Ｒ13も
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子全体としては増加す
る。結果として、温度上昇により発生する検出電流Ｉs
のずれは低減される。
＋△β)Ｒ3} (数６)において、右辺の分母の(１＋△β)Ｒ3は温度上
昇に伴い増加し、右辺の分子のＩ2・(１＋△β)Ｒ13も
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子全体としては増加す
る。結果として、温度上昇により発生する検出電流Ｉs
のずれは低減される。
【００２３】(実施の形態３)図３は、本発明の実施の形
態３における半導体装置を示したものである。ここで
は、コンパレータ２の検出電圧が供給される検出側回路
にダイオード９が、基準電圧が供給される基準側回路に
抵抗素子13がそれぞれ設けられたものである。図３にお
いて、実施の形態１および２と同様に、定電流源６の電
流をＩ1とし、トランジスタ10，11，14，15およびダイ
オード９のベース・エミッタ間電圧をＶF、温度係数を
−△αとし、検出抵抗３と抵抗13の温度係数を△βとす
る。また、基準用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗
３のそれに比べて低いので温度係数はゼロとする。コン
パレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子
５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときの検出抵抗
３の抵抗値をＲ3、検出抵抗３に流れる検出電流をＩs、
定電流源12の電流をＩ2、基準用外付け抵抗７の抵抗値
をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13とすると、Ａ点における
電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖbは以下のようになる。
態３における半導体装置を示したものである。ここで
は、コンパレータ２の検出電圧が供給される検出側回路
にダイオード９が、基準電圧が供給される基準側回路に
抵抗素子13がそれぞれ設けられたものである。図３にお
いて、実施の形態１および２と同様に、定電流源６の電
流をＩ1とし、トランジスタ10，11，14，15およびダイ
オード９のベース・エミッタ間電圧をＶF、温度係数を
−△αとし、検出抵抗３と抵抗13の温度係数を△βとす
る。また、基準用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗
３のそれに比べて低いので温度係数はゼロとする。コン
パレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子
５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときの検出抵抗
３の抵抗値をＲ3、検出抵抗３に流れる検出電流をＩs、
定電流源12の電流をＩ2、基準用外付け抵抗７の抵抗値
をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13とすると、Ａ点における
電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖbは以下のようになる。
【００２４】
【数７】Ｖa＝Ｉs・(１＋△β)Ｒ3＋２(１−△α)ＶF
【００２５】
【数８】 Ｖb＝Ｉ1・Ｒ7＋(１−△α)ＶF＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13 上記(数７)、(数８)より、検出電流Ｉsは以下のように
表される。
表される。
【００２６】
【数９】Ｉs＝{Ｉ1・Ｒ7＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13−(１−
△α)ＶF}／{(１＋△β)Ｒ3} (数９)において、右辺の分母の(１＋△β)Ｒ3は温度上
昇に伴い増加する。右辺の分子のＩ2・(１＋△β)Ｒ13
は温度上昇に伴い増加し、(１−△α)ＶFは減少するた
め、右辺の分子全体としては増加する。結果として、温
度上昇により発生する検出電流Ｉsのずれは低減され
る。
△α)ＶF}／{(１＋△β)Ｒ3} (数９)において、右辺の分母の(１＋△β)Ｒ3は温度上
昇に伴い増加する。右辺の分子のＩ2・(１＋△β)Ｒ13
は温度上昇に伴い増加し、(１−△α)ＶFは減少するた
め、右辺の分子全体としては増加する。結果として、温
度上昇により発生する検出電流Ｉsのずれは低減され
る。
【００２７】(実施の形態４)図４は、本発明の実施の形
態４における半導体装置を示したものである。ここで17
はパワー素子18とパワー素子18の過電流検出用コンパレ
ータとして機能するコンパレータ２と検出抵抗３と抵抗
19とを内蔵した半導体装置である。なお、図１中の構成
要素と同一のものには同一符号を付してある。
態４における半導体装置を示したものである。ここで17
はパワー素子18とパワー素子18の過電流検出用コンパレ
ータとして機能するコンパレータ２と検出抵抗３と抵抗
19とを内蔵した半導体装置である。なお、図１中の構成
要素と同一のものには同一符号を付してある。
【００２８】図４において、コンパレータ２はパワー素
子18の過電流検出用コンパレータとして動作する。コン
パレータ２がパワー素子18と集積化されていることを除
けば、検出電圧と基準電圧の温度特性ずれの低減手段と
しては実施の形態１と同じである。トランジスタ10，1
1，14，15およびダイオード９において、ベース・エミ
ッタ間電圧をＶF、温度係数を−△αとし、検出抵抗３
の温度係数を△βとする。また、パワー素子18のオン抵
抗と温度係数をそれぞれＲon，△γ、検出抵抗３の抵抗
値をＲ3とする。また、基準用外付け抵抗７の温度依存
性は検出抵抗３のそれに比べて低いので温度係数はゼロ
とする。コンパレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくな
り、出力端子５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転すると
きのパワー素子18に流れる過電流をＩoc1、基準用外付
け抵抗７の抵抗値をＲ7、抵抗19の抵抗値をＲ19とする
と、Ａ点における電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖbは以下
のようになる。
子18の過電流検出用コンパレータとして動作する。コン
パレータ２がパワー素子18と集積化されていることを除
けば、検出電圧と基準電圧の温度特性ずれの低減手段と
しては実施の形態１と同じである。トランジスタ10，1
1，14，15およびダイオード９において、ベース・エミ
ッタ間電圧をＶF、温度係数を−△αとし、検出抵抗３
の温度係数を△βとする。また、パワー素子18のオン抵
抗と温度係数をそれぞれＲon，△γ、検出抵抗３の抵抗
値をＲ3とする。また、基準用外付け抵抗７の温度依存
性は検出抵抗３のそれに比べて低いので温度係数はゼロ
とする。コンパレータ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくな
り、出力端子５の出力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転すると
きのパワー素子18に流れる過電流をＩoc1、基準用外付
け抵抗７の抵抗値をＲ7、抵抗19の抵抗値をＲ19とする
と、Ａ点における電圧ＶaとＢ点における電圧Ｖbは以下
のようになる。
【００２９】
【数１０】Ｖa＝Ｉoc1・(１＋△γ)Ｒon・Ｒ3／(Ｒ3＋
Ｒ19)＋２(１−△α)ＶF
Ｒ19)＋２(１−△α)ＶF
【００３０】
【数１１】Ｖb＝Ｉ1・Ｒ7＋(１−△α)ＶF 上記(数10)、(数11)より、過電流Ｉoc1は以下のように
表される。
表される。
【００３１】
【数１２】Ｉoc1＝(Ｒ3＋Ｒ19)・{Ｉ1・Ｒ7−(１−△
α)ＶF}／{Ｒ3・(１＋△γ)Ｒon} (数12)において、右辺の分母のＲ3・(１＋△γ)Ｒonは
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子の(１−△α)ＶFは
温度上昇に伴い減少して、右辺の分子全体としては増加
する。結果として、検出電流Ｉoc1の温度上昇により発
生するずれは低減される。
α)ＶF}／{Ｒ3・(１＋△γ)Ｒon} (数12)において、右辺の分母のＲ3・(１＋△γ)Ｒonは
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子の(１−△α)ＶFは
温度上昇に伴い減少して、右辺の分子全体としては増加
する。結果として、検出電流Ｉoc1の温度上昇により発
生するずれは低減される。
【００３２】(実施の形態５)図５は、本発明の実施の形
態５における半導体装置を示したものである。ここで
は、図４のダイオード９の代りにコンパレータの基準側
回路に抵抗素子13が設けられたものである。
態５における半導体装置を示したものである。ここで
は、図４のダイオード９の代りにコンパレータの基準側
回路に抵抗素子13が設けられたものである。
【００３３】図５において、コンパレータ２はパワー素
子18の過電流検出用コンパレータとして動作する。コン
パレータ２がパワー素子18と集積化されていることを除
けば、検出電圧と基準電圧の温度特性ずれの低減手段と
しては実施の形態２と同じである。トランジスタ10，1
1，14，15において、ベース・エミッタ間電圧をＶF、温
度係数を−△αとし、検出抵抗３の温度係数を△βとす
る。また、パワー素子18のオン抵抗と温度係数をそれぞ
れＲon，△γ、検出抵抗３の抵抗値をＲ3とする。基準
用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗３のそれに比べ
て低いので温度係数はゼロとする。コンパレータ２のＡ
点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子５の出力が
“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときのパワー素子18に流れ
る過電流をＩoc1、定電流源12の電流をＩ2、基準用外付
け抵抗７の抵抗値をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13、抵抗1
9の抵抗値をＲ19とすると、Ａ点における電圧ＶaとＢ点
における電圧Ｖbは以下のようになる。
子18の過電流検出用コンパレータとして動作する。コン
パレータ２がパワー素子18と集積化されていることを除
けば、検出電圧と基準電圧の温度特性ずれの低減手段と
しては実施の形態２と同じである。トランジスタ10，1
1，14，15において、ベース・エミッタ間電圧をＶF、温
度係数を−△αとし、検出抵抗３の温度係数を△βとす
る。また、パワー素子18のオン抵抗と温度係数をそれぞ
れＲon，△γ、検出抵抗３の抵抗値をＲ3とする。基準
用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗３のそれに比べ
て低いので温度係数はゼロとする。コンパレータ２のＡ
点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子５の出力が
“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときのパワー素子18に流れ
る過電流をＩoc1、定電流源12の電流をＩ2、基準用外付
け抵抗７の抵抗値をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13、抵抗1
9の抵抗値をＲ19とすると、Ａ点における電圧ＶaとＢ点
における電圧Ｖbは以下のようになる。
【００３４】
【数１３】Ｖa＝Ｉoc1・(１＋△γ)Ｒon・Ｒ3／(Ｒ3＋
Ｒ19)＋(１−△α)ＶF
Ｒ19)＋(１−△α)ＶF
【００３５】
【数１４】 Ｖb＝Ｉ1・Ｒ7＋(１−△α)ＶF＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13 上記(数13)、(数14)より、過電流Ｉoc1は以下のように
表される。
表される。
【００３６】
【数１５】Ｉoc1＝(Ｒ3＋Ｒ19)・{Ｉ1・Ｒ7＋Ｉ2・(１
＋△β)Ｒ13}／{Ｒ3・(１＋△γ)Ｒon} (数15)において、右辺の分母のＲ3・(１＋△γ)Ｒonは
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子のＩ2・(１＋△β)
Ｒ13も温度上昇に伴い増加し、右辺の分子全体としては
増加する。結果として、温度上昇により発生する検出電
流Ｉoc1のずれは低減される。
＋△β)Ｒ13}／{Ｒ3・(１＋△γ)Ｒon} (数15)において、右辺の分母のＲ3・(１＋△γ)Ｒonは
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子のＩ2・(１＋△β)
Ｒ13も温度上昇に伴い増加し、右辺の分子全体としては
増加する。結果として、温度上昇により発生する検出電
流Ｉoc1のずれは低減される。
【００３７】(実施の形態６)図６は、本発明の実施の形
態６における半導体装置を示したものである。ここで
は、コンパレータ２の検出側回路にダイオード９が、基
準側回路に抵抗素子13がそれぞれ設けられたものであ
る。コンパレータ２はパワー素子18の過電流検出用コン
パレータとして動作する。コンパレータがパワー素子と
ともに集積化されていることを除けば、検出電圧と基準
電圧の温度特性ずれの低減手段としては実施の形態３と
同じである。
態６における半導体装置を示したものである。ここで
は、コンパレータ２の検出側回路にダイオード９が、基
準側回路に抵抗素子13がそれぞれ設けられたものであ
る。コンパレータ２はパワー素子18の過電流検出用コン
パレータとして動作する。コンパレータがパワー素子と
ともに集積化されていることを除けば、検出電圧と基準
電圧の温度特性ずれの低減手段としては実施の形態３と
同じである。
【００３８】トランジスタ10，11，14，15およびダイオ
ード９において、ベース・エミッタ間電圧をＶF、温度
係数を−△αとし、検出抵抗３の温度係数を△βとす
る。また、パワー素子18のオン抵抗と温度係数をそれぞ
れＲon，△γ、検出抵抗３の抵抗値をＲ3とする。ま
た、基準用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗３のそ
れに比べて低いので温度係数はゼロとする。コンパレー
タ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子５の出
力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときのパワー素子18に
流れる過電流をＩoc1、定電流源12の電流をＩ2、基準用
外付け抵抗７の抵抗値をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13、
抵抗19の抵抗値をＲ19とすると、Ａ点における電圧Ｖa
とＢ点における電圧Ｖbは以下のようになる。
ード９において、ベース・エミッタ間電圧をＶF、温度
係数を−△αとし、検出抵抗３の温度係数を△βとす
る。また、パワー素子18のオン抵抗と温度係数をそれぞ
れＲon，△γ、検出抵抗３の抵抗値をＲ3とする。ま
た、基準用外付け抵抗７の温度依存性は検出抵抗３のそ
れに比べて低いので温度係数はゼロとする。コンパレー
タ２のＡ点とＢ点の電圧が等しくなり、出力端子５の出
力が“Ｈ”から“Ｌ”に反転するときのパワー素子18に
流れる過電流をＩoc1、定電流源12の電流をＩ2、基準用
外付け抵抗７の抵抗値をＲ7、抵抗13の抵抗値をＲ13、
抵抗19の抵抗値をＲ19とすると、Ａ点における電圧Ｖa
とＢ点における電圧Ｖbは以下のようになる。
【００３９】
【数１６】Ｖa＝Ｉoc1・(１＋△γ)Ｒon・Ｒ3／(Ｒ3＋
Ｒ19)＋２(１−△α)ＶF
Ｒ19)＋２(１−△α)ＶF
【００４０】
【数１７】 Ｖb＝Ｉ1・Ｒ7＋(１−△α)ＶF＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13 上記(数16)、(数17)より、過電流Ｉoc1は以下のように
表される。
表される。
【００４１】
【数１８】Ｉoc1＝(Ｒ3＋Ｒ19)／{Ｒ3・(１＋△γ)Ｒo
n}・{Ｉ1・Ｒ7＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13−(１−△α)ＶF} (数18)において、右辺の分母のＲ3・(１＋△γ)Ｒonは
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子において、Ｉ2・(１
＋△β)Ｒ13は温度上昇に伴い増加し、また(１−△α)
ＶFは減少するため、右辺の分子全体としては増加す
る。結果として、温度上昇により発生する検出電流Ｉoc
1のずれは低減される。
n}・{Ｉ1・Ｒ7＋Ｉ2・(１＋△β)Ｒ13−(１−△α)ＶF} (数18)において、右辺の分母のＲ3・(１＋△γ)Ｒonは
温度上昇に伴い増加し、右辺の分子において、Ｉ2・(１
＋△β)Ｒ13は温度上昇に伴い増加し、また(１−△α)
ＶFは減少するため、右辺の分子全体としては増加す
る。結果として、温度上昇により発生する検出電流Ｉoc
1のずれは低減される。
【００４２】なお、コンパレータの検出電圧を供給する
検出素子の温度特性と基準電圧を供給する基準素子の温
度特性が異なる場合においても、コンパレータの温度変
化に対する出力特性の変動を抑えることができる。ま
た、コンパレータ及び検出素子を内蔵したパワー素子の
４端子デバイスを得ることができる。通常、これは５端
子化して使用・販売されている。他の機能を生かして外
部端子数を増やすことも可能である。
検出素子の温度特性と基準電圧を供給する基準素子の温
度特性が異なる場合においても、コンパレータの温度変
化に対する出力特性の変動を抑えることができる。ま
た、コンパレータ及び検出素子を内蔵したパワー素子の
４端子デバイスを得ることができる。通常、これは５端
子化して使用・販売されている。他の機能を生かして外
部端子数を増やすことも可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コンパレータの出力特性を基準側で自由に設定するため
に、コンパレータの基準電圧を、外部接続用端子を介し
て外付け部品から供給するようにした半導体装置におい
て、コンパレータの検出側回路および基準側回路の少な
くとも一方に、温度依存性半導体素子を内蔵させること
により、コンパレータに接続する半導体素子の温度特性
に依存することなく、検出電圧と基準電圧の各温度特性
ずれを低減することができるという効果を奏する。
コンパレータの出力特性を基準側で自由に設定するため
に、コンパレータの基準電圧を、外部接続用端子を介し
て外付け部品から供給するようにした半導体装置におい
て、コンパレータの検出側回路および基準側回路の少な
くとも一方に、温度依存性半導体素子を内蔵させること
により、コンパレータに接続する半導体素子の温度特性
に依存することなく、検出電圧と基準電圧の各温度特性
ずれを低減することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の回
路図である。
路図である。
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置の回
路図である。
路図である。
【図３】本発明の実施の形態３における半導体装置の回
路図である。
路図である。
【図４】本発明の実施の形態４における半導体装置の回
路図である。
路図である。
【図５】本発明の実施の形態５における半導体装置の回
路図である。
路図である。
【図６】本発明の実施の形態６における半導体装置の回
路図である。
路図である。
【図７】従来例の半導体装置の回路図である。
１,17…半導体装置、 ２…コンパレータ、 ３…検出
抵抗、 ４…コンパレータの基準電圧供給用の外部接続
端子、 ５…コンパレータの出力端子、 ６,８,12,16
…定電流源、 ７…基準用外付け抵抗、 ９…温度依存
性半導体素子としてのダイオード、 10,11,14,15…ト
ランジスタ、 13…温度依存性半導体素子としての抵抗
素子、 18…パワー素子、 19…抵抗。
抵抗、 ４…コンパレータの基準電圧供給用の外部接続
端子、 ５…コンパレータの出力端子、 ６,８,12,16
…定電流源、 ７…基準用外付け抵抗、 ９…温度依存
性半導体素子としてのダイオード、 10,11,14,15…ト
ランジスタ、 13…温度依存性半導体素子としての抵抗
素子、 18…パワー素子、 19…抵抗。
Claims (6)
- 【請求項１】 コンパレータを内蔵し、そのコンパレー
タに検出電圧を供給する検出素子は半導体基板に一体的
に集積化されており、前記コンパレータの基準電圧は外
部接続端子を介して外付け部品から供給される半導体装
置において、前記コンパレータの検出電圧が供給される
検出側回路若しくは基準電圧が供給される基準側回路の
少なくとも一方に、検出電圧と基準電圧の温度特性のず
れを低減するための温度依存性半導体素子を備えている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 コンパレータの検出側回路に備えた温度
依存性半導体素子がダイオードからなることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 コンパレータの基準側回路に備えた温度
依存性半導体素子が抵抗素子からなることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 半導体基板にパワー素子を含むことを特
徴とする請求項１，２または３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 温度依存性半導体素子がスイッチを介し
て設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項６】 外付け部品により基準電圧を変え、コン
パレータの出力特性を任意に設定することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099201A JPH10290144A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 半導体装置 |
| US09/059,214 US6069501A (en) | 1997-04-16 | 1998-04-13 | Semiconductor device |
| KR1019980013544A KR100282997B1 (ko) | 1997-04-16 | 1998-04-16 | 반도체 장치 |
| CNB981088872A CN1137517C (zh) | 1997-04-16 | 1998-04-16 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099201A JPH10290144A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10290144A true JPH10290144A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14241045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9099201A Pending JPH10290144A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6069501A (ja) |
| JP (1) | JPH10290144A (ja) |
| KR (1) | KR100282997B1 (ja) |
| CN (1) | CN1137517C (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697776B1 (ko) | 2005-06-07 | 2007-03-20 | 주식회사 유니테스트 | 반도체 테스트 장치 |
| JP2009008501A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nec Electronics Corp | コンデンサ容量測定装置 |
| JP2009071534A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Rohm Co Ltd | 電圧比較回路およびそれを利用した電源管理回路および電子機器 |
| US7532063B2 (en) | 2005-11-29 | 2009-05-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for generating reference voltage in semiconductor memory apparatus |
| US8362748B2 (en) | 2007-09-12 | 2013-01-29 | Rohm Co., Ltd. | Voltage comparison circuit |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265857B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-07-24 | International Business Machines Corporation | Constant current source circuit with variable temperature compensation |
| US6181191B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Dual current source circuit with temperature coefficients of equal and opposite magnitude |
| JP2006067660A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US7621671B2 (en) * | 2007-05-16 | 2009-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for thermal protection in an integrated circuit |
| CN107769757B (zh) * | 2017-10-10 | 2020-12-01 | 西安微电子技术研究所 | 一种比较器抗静电电路及其工作方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4198581A (en) * | 1977-10-13 | 1980-04-15 | Rca Corporation | Temperature compensating comparator |
| US4746823A (en) * | 1986-07-02 | 1988-05-24 | Dallas Semiconductor Corporation | Voltage-insensitive and temperature-compensated delay circuit for a monolithic integrated circuit |
| JPH05289760A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 基準電圧発生回路 |
| US5873029A (en) * | 1997-02-19 | 1999-02-16 | Motorola, Inc. | High dynamic range millimeter wave power detector with temperature compensation |
-
1997
- 1997-04-16 JP JP9099201A patent/JPH10290144A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-13 US US09/059,214 patent/US6069501A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-16 CN CNB981088872A patent/CN1137517C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-16 KR KR1019980013544A patent/KR100282997B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697776B1 (ko) | 2005-06-07 | 2007-03-20 | 주식회사 유니테스트 | 반도체 테스트 장치 |
| US7532063B2 (en) | 2005-11-29 | 2009-05-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for generating reference voltage in semiconductor memory apparatus |
| JP2009008501A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nec Electronics Corp | コンデンサ容量測定装置 |
| JP2009071534A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Rohm Co Ltd | 電圧比較回路およびそれを利用した電源管理回路および電子機器 |
| US8362748B2 (en) | 2007-09-12 | 2013-01-29 | Rohm Co., Ltd. | Voltage comparison circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6069501A (en) | 2000-05-30 |
| CN1137517C (zh) | 2004-02-04 |
| KR100282997B1 (ko) | 2001-03-02 |
| KR19980081445A (ko) | 1998-11-25 |
| CN1208857A (zh) | 1999-02-24 |
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