JP2004045305A - 過電流検出回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベースとコレクタとを接続させたPNPトランジスタ107のベース−エミッタ間電圧Vfは、ダイオード特性を示し、負の温度係数で線形的に温度依存するため、接点Dの電位Vdを制御抵抗101と制御抵抗102とで抵抗分割した接点Bの電位Vbは、正の温度係数で線形的に温度依存する。従って、正の温度係数で線形的に温度依存するセンス抵抗103の抵抗値R3に合わせて制御抵抗101の抵抗値R1と制御抵抗102の抵抗値R2とを調整することにより、R3の温度変化を相殺することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、IGBT等の素子を含んで構成される主として電力用の半導体装置における過電流検出回路に関し、特に、過電流検出回路の温度依存性を低減する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
電力用途に用いられるIGBT等の半導体素子は、過電流が流れた場合に特性が劣化あるいは破壊されてしまうので、それを避けるために、過電流検出回路を備える必要がある。一般的な過電流検出回路は、IGBTのセンス電流端子から、IGBTを流れる主電流に応じたセンス電流を導出し、その導出したセンス電流が過電流であるかどうかを検出することにより、IGBTに過電流が流れているかどうかを検出している。
【0003】
図7は、センス電流を用いた、従来の過電流検出回路の回路図である。
【0004】
制御抵抗201の一端と制御抵抗202の一端とは接点Bにおいて接続される。制御抵抗201の他端は基準電圧Vregに接続される。
【0005】
制御抵抗202の他端とセンス抵抗203の一端とは接点Cにおいて接続されて、接点Cは接地される。センス抵抗203の他端は接点Aにおいてセンス電流入力端子205に接続される。また、コンパレータ204の一方の入力部には接点Aが、他方の入力部には接点Bが、それぞれ接続される。コンパレータ204の出力部には、エラー信号出力端子206が接続される。
【0006】
次に、この過電流検出回路の動作を説明する。センス電流入力端子205からセンス電流が流入してセンス抵抗203を流れると、センス抵抗203の両端に電位差が発生して、接点Aの電位Vaとなる。
【0007】
接点Bの電位Vbは、基準電圧Vregを制御抵抗201と制御抵抗202とで抵抗分割したものであり、制御抵抗201の抵抗値R11と制御抵抗202の抵抗値R12とを変えることにより所定の電位に設定でき、Vb=Vreg×[R12/(R11+R12)]の関係を満たす。
【0008】
コンパレータ204は、接点Aの電位Vaが接点Bの電位Vbがよりも高い場合に、エラー信号出力端子206にエラー信号を出力する。従って、所定の電圧よりもセンス抵抗203の両端の電位差が大きい場合、即ち、センス電流が所定の電流値よりも大きい場合に、エラー信号を発生させることができる。
【0009】
図8は、半導体装置において一般的に用いられる半導体基板上に形成された、抵抗素子における抵抗値Rの、温度Tに対する変化を示したグラフであり、正の温度係数で一次関数的に温度依存することを示している。従って、この過電流検出回路が、IGBT素子を含んで構成される電力用半導体装置に内蔵されていると、電力用半導体装置の温度変化が大きい場合には、検出される電流値が変化して検出精度が低くなってしまうという問題があった。
【0010】
図9は、図7の過電流検出回路において、温度変化による抵抗値の変化を避けるために、センス抵抗203を、IGBT素子を含んで構成される電力用半導体装置の外部に配置したものである。
【0011】
また、図10の過電流検出回路は、温度依存性が小さい制御抵抗209を、IGBT素子を含んで構成される電力用半導体装置の外部に配置することにより、この制御抵抗209と、PNPトランジスタ207,208よりなるカレントミラー回路とで、温度依存性が小さい、基準となる定電流回路を作成したものである。この過電流検出回路回路では、基準となる電流が制御抵抗202に流れることにより発生する接点Bの電位Vbを、センス電流により発生する接点Aの電位Vaと比較することにより、過電流検出を行っている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来の過電流検出回路は、以上のように構成されていた。従って、図7のように、センス抵抗203を、IGBT素子を含んで構成される電力用半導体装置に内蔵させた場合には、温度変化により、検出される電流値が変化して検出精度が低くなってしまうという問題があった。
【0013】
また、図9や図10のように、センス抵抗203や制御抵抗209を、IGBT素子を含んで構成される電力用半導体装置の外部に配置した場合には、部品コストや製造コストが増加してしまうという問題があった。
【0014】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、IGBT素子等を含んで構成される半導体装置において、部品コストや製造コストを増加させることなく、過電流検出回路の温度依存性を低減する技術を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明に係る過電流検出回路は、センス電流端子を有する半導体素子を含んで構成される半導体装置に内蔵される過電流検出回路であって、前記センス電流端子からの第1の電流の経路に介挿されて第1の電位を発生させる第1の抵抗素子と、基準電圧によって生じる第2の電流の経路に介挿されて第2の電位を発生させる第2の抵抗素子と、前記第2の電流の経路に前記第2の抵抗素子と直列に介挿されて電圧降下が負の係数で温度変化する半導体素子と、前記第1の電位と前記第2の電位とを受け、前記第1の電位と前記第2の電位との比較結果に応じてエラー信号を出力する比較手段とを備える。
【0016】
請求項2に記載の発明に係る過電流検出回路は、請求項1に記載の過電流検出回路であって、前記第2の抵抗素子が、直列に接続された第3の抵抗素子と第4の抵抗素子とを有し、前記第3の抵抗素子と前記第4の抵抗素子との接点において前記第2の電位が発生される。
【0017】
請求項3に記載の発明に係る過電流検出回路は、請求項1乃至請求項2のいずれかに記載の過電流検出回路であって、前記半導体素子が、直列に接続された複数の半導体素子を有する。
【0018】
請求項4に記載の発明に係る過電流検出回路は、請求項3に記載の過電流検出回路であって、前記複数の半導体素子が、互いに導電型の異なる二種類の半導体素子を含む。
【0019】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る過電流検出回路を示す回路図である。この過電流検出回路は、センス電流端子を有するIGBT素子等を含んで構成される半導体装置に内蔵される。
【0020】
制御抵抗の101の一端と制御抵抗102の一端とは接点Bにおいて接続される。制御抵抗101の他端は、ベースとコレクタとを接続させたPNPトランジスタ107のコレクタに接点Dにおいて接続され、PNPトランジスタ107のエミッタは基準電圧Vregに接続される。
【0021】
PNPトランジスタ107のベース−エミッタ間電圧Vfは、ダイオード特性を示し、負の温度係数で一次関数的に温度依存する。図2は、Vfの、温度Tに対する変化を示したグラフである。
【0022】
図1に戻ると、制御抵抗102の他端とセンス抵抗103の一端とは接点Cにおいて接続されて、接点Cは接地される。センス抵抗103の他端は接点Aにおいてセンス電流入力端子105に接続される。センス電流入力端子105は、IGBTのセンス電流端子に接続される。また、コンパレータ104の一方の入力部には接点Aが、他方の入力部には接点Bが、それぞれ接続される。コンパレータ104の出力部には、エラー信号出力端子106が接続される。
【0023】
次に、この過電流検出回路の動作を説明する。センス電流入力端子105から、IGBTを流れる主電流に応じたセンス電流が流入してセンス抵抗103を流れると、センス抵抗103の両端に電位差が発生して、接点Aの電位Vaとなる。
【0024】
また、PNPトランジスタ107での電圧降下は、前述のベース−エミッタ間電圧Vfに等しい。従って、接点Dの電位Vdは、Vd=Vreg−Vfの関係を満たし、正の温度係数で温度依存する。
【0025】
接点Bの電位Vbは、Vdを制御抵抗101と制御抵抗102とで抵抗分割したものであり、制御抵抗101の抵抗値R1と制御抵抗102の抵抗値R2とを変えることにより所定の電位に設定でき、k=R2/(R1+R2)とすると、0≦k≦1であり、Vb=Vd×kである。従って、Vdと同様に、Vbも正の温度係数で温度依存し、Vbの温度変化分ΔVbは、Vfの温度変化分ΔVfを用いて、ΔVb=(−ΔVf)×kと表される。
【0026】
コンパレータ104は、接点Aの電位Vaが接点Bの電位Vbよりも高い場合に、エラー信号出力端子106にエラー信号を出力する。従って、所定の電圧よりもセンス抵抗103の両端の電位差が大きい場合、即ち、センス電流が所定の電流値よりも大きい場合に、エラー信号を発生させることができる。
【0027】
接点Aの電位Vaの温度変化分ΔVaは、センス抵抗103の抵抗値R3の温度変化分ΔR3と、センス電流値Iを用いて、ΔVa=ΔR3×Iで表される。センス抵抗103は正の温度係数で温度依存するため、接点Aの電位Vaも正の温度係数で温度依存する。ここで、ΔR3とΔVfとに合わせてkを設定、即ち、R1とR2を設定することで、コンパレータ104で検出すべき所定のセンス電流値Iに対し、ΔVa=ΔVbとすることができる。即ち、検出されるセンス電流値の温度変化を打ち消すことができる。
【0028】
Vfは、ダイオード特性を示すため、電流値の変化に対する電圧値の変化が小さく(例えば電流値が2倍になっても電圧値は20mV程度しか変動しない)、安定した電圧値を得ることができる。また、Vfの温度特性は、プロセス変動の要因が比較的少ないため安定している。さらに、ベースとコレクタとを接続させたPNPトランジスタ107は、バイポーラ半導体内に容易に形成できる。
【0029】
従って、既存のプロセス技術を用いて、安定した過電流検出回路を製造することができる。
【0030】
<実施の形態2>
実施の形態1の過電流検出回路は、1個のPNPトランジスタ107を備えるものである。kは1よりも大きい値を取り得ないため、ΔR3×I>−ΔVfの場合には、ΔVa=ΔVbとすることができず、従って検出されるセンス電流値の温度変化を完全に打ち消すことができない場合がある。
【0031】
図3は、本発明の実施の形態2に係る過電流検出回路を示す回路図である。この過電流検出回路は、センス電流端子を有するIGBT素子等を含んで構成される半導体装置に内蔵される。
【0032】
制御抵抗の101の一端と制御抵抗102の一端とは接点Bにおいて接続される。制御抵抗101の他端は、ベースとコレクタとを接続させたPNPトランジスタ107を直列にn個接続したPNPトランジスタ群108のコレクタに接点Dにおいて接続され、PNPトランジスタ群108のエミッタは基準電圧Vregに接続される。図3は、n=2の場合を示している。
【0033】
個々のPNPトランジスタ107のベース−エミッタ間電圧Vfは、ダイオード特性を示し、負の温度係数で一次関数的に温度依存する。図2は、個々のVfの、温度Tに対する変化を示したグラフである。
【0034】
図3に戻ると、制御抵抗102の他端とセンス抵抗103の一端とは接点Cにおいて接続されて、接点Cは接地される。センス抵抗103の他端は接点Aにおいてセンス電流入力端子105に接続される。センス電流入力端子105は、IGBTのセンス電流端子に接続される。また、コンパレータ104の一方の入力部には接点Aが、他方の入力部には接点Bが、それぞれ接続される。コンパレータ104の出力部には、エラー信号出力端子106が接続される。
【0035】
次に、この過電流検出回路の動作を説明する。センス電流入力端子105からIGBTを流れる主電流に応じたセンス電流が流入してセンス抵抗103を流れると、センス抵抗103の両端に電位差が発生して、接点Aの電位Vaとなる。
【0036】
また、個々のPNPトランジスタ107での電圧降下は、前述のベース−エミッタ間電圧Vfに等しい。従って、PNPトランジスタ群108の接点Dの電位Vdは、Vd=Vreg−(Vf×n)の関係を満たし、正の温度係数で温度依存する。
【0037】
接点Bの電位Vbは、Vdを制御抵抗101と制御抵抗102とで抵抗分割したものであり、制御抵抗101の抵抗値R1と制御抵抗102の抵抗値R2とを変えることにより所定の電位に設定でき、k=R2/(R1+R2)とすると、0≦k≦1であり、Vb=Vd×kである。従って、Vdと同様に、Vbも正の温度係数で温度依存し、Vbの温度変化分ΔVbは、Vfの温度変化分ΔVfを用いて、ΔVb=−ΔVf×n×kと表される。
【0038】
コンパレータ104は、接点Aの電位Vaが接点Bの電位Vbよりも高い場合に、エラー信号出力端子106にエラー信号を出力する。従って、所定の電圧よりもセンス抵抗103の両端の電位差が大きい場合、即ち、センス電流が所定の電流値よりも大きい場合に、エラー信号を発生させることができる。
【0039】
接点Aの電位Vaの温度変化分ΔVaは、センス抵抗103の抵抗値R3の温度変化分ΔR3と、センス電流値Iを用いて、ΔVa=ΔR3×Iで表される。センス抵抗103は正の温度係数で温度依存するため、接点Aの電位Vaも正の温度係数で温度依存する。ここで、ΔR3とΔVf×nとに合わせてkを設定、即ち、R1とR2を設定することで、コンパレータ104で検出すべき所定のセンス電流値Iに対し、ΔVa=ΔVbとすることができる。即ち、検出されるセンス電流値の温度変化を打ち消すことができる。
【0040】
本実施の形態では、PNPトランジスタ群108が有する、直列に接続されたPNPトランジスタ107の数nを増やすことにより、ΔVbを大きくすることができるので、ΔR3×I>−ΔVfの場合にも、ΔVa=ΔVbとすることができ、従って検出されるセンス電流値の温度変化を完全に打ち消すことができる。
【0041】
<実施の形態3>
実施の形態1の過電流検出回路は、1個のPNPトランジスタ107を備えるものであったが、PNPトランジスタの代わりに、NPNトランジスタを備えてもよい。
【0042】
図4は、図1の過電流検出回路において、PNPトランジスタ107の代わりに、NPNトランジスタ109を備えたものである。図1と同様の機能を有する要素については同一符号を付しており、実施の形態1と同様の動作を行う。従って、ここでの詳細な説明は省略する。
【0043】
<実施の形態4>
実施の形態2の過電流検出回路は、PNPトランジスタ107を直列にn個接続したPNPトランジスタ群108を備えるものであったが、PNPトランジスタ群108の代わりに、NPNトランジスタを直列にn個接続したNPNトランジスタ群を備えてもよい。
【0044】
図5は、図3の過電流検出回路において、PNPトランジスタ107を直列にn個接続したPNPトランジスタ群108の代わりに、NPNトランジスタ109を直列にn個接続したNPNトランジスタ群110を備えたものである。図3と同様の機能を有する要素については同一符号を付しており、実施の形態2と同様の動作を行う。従って、ここでの詳細な説明は省略する。
【0045】
<実施の形態5>
実施の形態2の過電流検出回路は、PNPトランジスタ107を直列にn個接続したPNPトランジスタ群108を備えるものであったが、PNPトランジスタ群108の代わりに、PNPトランジスタとNPNトランジスタとを直列にn個接続したトランジスタ群を備えてもよい。
【0046】
図6は、図3の過電流検出回路において、PNPトランジスタ107を直列にn個接続したPNPトランジスタ群108の代わりに、PNPトランジスタ107とNPNトランジスタ109とを直列にn個接続したトランジスタ群111を備えたものである。ここでは、n=2の場合を示している。図3と同様の機能を有する要素については同一符号を付しており、実施の形態2と同様の動作を行う。従って、ここでの詳細な説明は省略する。
【0047】
同一種類のトランジスタは、同一のプロセスにより製造される。従って、同一種類の複数個のトランジスタを接続すると、プロセス上に原因により個々のトランジスタの特性にずれがあった場合には、そのずれが累積されて大きくなってしまう可能性が大きい。本実施の形態では、異なる種類の複数個のトランジスタを接続しているため、個々のトランジスタの特性のずれが累積されて大きくなってしまうことを防ぐことができ、従って、過電流検出精度を高めることができる。
【0048】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1に記載の発明に係る過電流検出回路は、センス電流端子を有する半導体素子を含んで構成される半導体装置に内蔵される過電流検出回路であって、前記センス電流端子からの第1の電流の経路に介挿されて第1の電位を発生させる第1の抵抗素子と、基準電圧によって生じる第2の電流の経路に介挿されて第2の電位を発生させる第2の抵抗素子と、前記第2の電流の経路に前記第2の抵抗素子と直列に介挿されて電圧降下が負の係数で温度変化する半導体素子と、前記第1の電位と前記第2の電位とを受け、前記第1の電位と前記第2の電位との比較結果に応じてエラー信号を出力する比較手段とを備えるので、前記第1の電位の温度変化を前記半導体素子の温度変化で相殺させることにより、IGBT素子等を含んで構成される半導体装置に内蔵されている過電流検出回路の温度依存性を低減できる。また、電流値の変化に対しても検出精度が安定している。さらに、既存のプロセス技術を用いて製造可能である。
【0049】
また、請求項2に記載の発明に係る過電流検出回路は、請求項1に記載の過電流検出回路であって、前記第2の抵抗素子が、直列に接続された第3の抵抗素子と第4の抵抗素子とを有し、前記第3の抵抗素子と前記第4の抵抗素子との接点において前記第2の電位が発生されるので、前記第1の電位の温度変化の大きさと、前記半導体素子による電圧降下の温度変化の大きさとが異なる場合にも、前記第3の抵抗素子と前記第4の抵抗素子との抵抗値の比を調整することにより、前記第1の電位の温度変化を前記半導体素子の電圧降下の温度変化で相殺させることができる。
【0050】
また、請求項3に記載の発明に係る過電流検出回路は、請求項1乃至請求項2のいずれかに記載の過電流検出回路であって、前記半導体素子が、直列に接続された複数の半導体素子を有するので、前記第1の電位の温度変化の大きさが、前記半導体素子による電圧降下の温度変化の大きさよりも大きい場合にも、前記複数の半導体素子の個数を増やすことにより、前記第1の電位の温度変化を前記半導体素子の電圧降下の温度変化で相殺させることができる。
【0051】
また、請求項4に記載の発明に係る過電流検出回路は、請求項3に記載の過電流検出回路であって、前記複数の半導体素子が、互いに導電型の異なる二種類の半導体素子を含むので、個々の半導体素子の特性のずれが累積されて大きくなってしまうことを防ぐことができ、従って、過電流検出精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る過電流検出回路を示す回路図である。
【図2】実施の形態1〜5に係るトランジスタのベース−エミッタ間電圧の温度特性を示す図である。
【図3】実施の形態2に係る過電流検出回路を示す回路図である。
【図4】実施の形態3に係る過電流検出回路を示す回路図である。
【図5】実施の形態4に係る過電流検出回路を示す回路図である。
【図6】実施の形態5に係る過電流検出回路を示す回路図である。
【図7】従来の過電流検出回路を示す回路図である。
【図8】従来の抵抗素子の抵抗値の温度特性を示す図である。
【図9】従来の過電流検出回路を示す回路図である。
【図10】従来の過電流検出回路を示す回路図である。
【符号の説明】
101,102,201,202,209 制御抵抗、103,203 センス抵抗、104,204 コンパレータ、105,205 センス電流入力端子、106,206 エラー信号出力端子 107,207,208 PNPトランジスタ、109 NPNトランジスタ、108 PNPトランジスタ群、110 NPNトランジスタ群、111 トランジスタ群。
Claims (4)
- センス電流端子を有する半導体素子を含んで構成される半導体装置に内蔵される過電流検出回路であって、
前記センス電流端子からの第1の電流の経路に介挿されて第1の電位を発生させる第1の抵抗素子と、
基準電圧によって生じる第2の電流の経路に介挿されて第2の電位を発生させる第2の抵抗素子と、
前記第2の電流の経路に前記第2の抵抗素子と直列に介挿されて電圧降下が負の係数で温度変化する半導体素子と、
前記第1の電位と前記第2の電位とを受け、前記第1の電位と前記第2の電位との比較結果に応じてエラー信号を出力する比較手段と
を備える過電流検出回路。 - 請求項1に記載の過電流検出回路であって、
前記第2の抵抗素子が、直列に接続された第3の抵抗素子と第4の抵抗素子とを有し、前記第3の抵抗素子と前記第4の抵抗素子との接点において前記第2の電位が発生される過電流検出回路。 - 請求項1乃至請求項2のいずれかに記載の過電流検出回路であって、
前記半導体素子が、直列に接続された複数の半導体素子を有する過電流検出回路。 - 請求項3に記載の過電流検出回路であって、
前記複数の半導体素子が、互いに導電型の異なる二種類の半導体素子を含む過電流検出回路。
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