PL114398B2 - Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage - Google Patents

Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage Download PDF

Info

Publication number
PL114398B2
PL114398B2 PL21206178A PL21206178A PL114398B2 PL 114398 B2 PL114398 B2 PL 114398B2 PL 21206178 A PL21206178 A PL 21206178A PL 21206178 A PL21206178 A PL 21206178A PL 114398 B2 PL114398 B2 PL 114398B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
resistor
thermocouples
hot
plate
nickel
Prior art date
Application number
PL21206178A
Other languages
English (en)
Other versions
PL212061A2 (pl
Inventor
Eugeniusz Prociow
Stanislaw Osadnik
Original Assignee
Politechnika Wroclawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Wroclawska filed Critical Politechnika Wroclawska
Priority to PL21206178A priority Critical patent/PL114398B2/pl
Publication of PL212061A2 publication Critical patent/PL212061A2/xx
Publication of PL114398B2 publication Critical patent/PL114398B2/pl

Links

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest szerokopasmowy przet¬ wornik wartosci skutecznej na napiecie stale, zwlaszcza do przetwarzania mocy rzedu setek miliwatów.Z publikacji: New product applications, Microware power measurements compared in terms of accurycy, dynamie range, and stability, IEEE SPECTRUM, Dezember 1970, str. 81 i A.A.Luskow: R.F.power mea- surement — some solutions, Marconi Instrumentation vol. 12, No 5, str. 86-93, znany jest cienkowarstwowy termoelektryczny czujnik mocy, przetwarzajacy zaobsor- bowana moc czynna na napiecia stale, wykorzystujacy efekt termoelektryczny zlacz antymonu i bizmutu.Czujnik zawiera cztery termoelementy polaczone sze¬ regowo, umieszczone symetrycznie na podlozu miko¬ wym, rozmieszczone zazwyczaj na dwóch koncentrycz¬ nie usytuowanych okregach. Dwa z nich, wewnetrzne, wystawione sa na dzialanie temperatury wytwarzanej wskutek rozproszenia mocy czynnej, bezposrednio zaab¬ sorbowanej w cienkiej warstwie zlacz goracych lub w rezystorze wejsciowym, sprzezonej cieplnie poprzez pod¬ loze z tymi zlaczami. Dwa pozostale zlacza zimne, zewnetrzne, sa izolowane od wplywu zmian temperatury powstalej wskutek wydzielania ciepla. Sa one najczesciej naniesione na obudowie izotermicznej. Generowane napiecia w zlaczach goracych i zimnych sa przeciwnie skierowane. Sumacyjne napiecie generowane w zlaczach stanowi napiecie wyjsciowe, którego wielkosc jest zale¬ zna oc mocy czynnej rozpraszanej w czujniku mocy.Znany czujnik charakteryzuje sie tym, ze zaleznosc generowanych napiec od zmian temperatury jest nieli¬ niowa, przez co jest niemozliwe wyeliminowanie w pel¬ nym zakresie wplywu zmian temperatury na wartosc napiecia wyjsciowego. Dla zachowania stalych parame¬ trów czujnika niezbednejest utrzymywanie stalej w czasie temperatury zlacz zimnych, co komplikuje obudowe czujnika majaca za zadanie zapewnienie tej jednakowej temperatury oraz odizolowanie ich od dynamicznych zmian temperatury czujnika wskutek wydzielania w nim energii cieplnej. Ze wzgledu na tu. ze czujnik jest zbudo¬ wany na podlozu z miki, o malej spójnosci mechanicznej w plaszczyznie lupliwosci, ma on ograniczonawytrzyma¬ losc mechaniczna doprowadzen. Podloze tojednoczesnie wyklucza mozliwosc wykonywania przetworników na typowej linii produkcyjnej. Stosowanie w cienkich war¬ stwach na zlacza antymonu i bizmutu oraz srebra na doprowadzenia, powoduje mala stabilnosc parametrów i mala odpornosc termiczna.Przedmiotem wynalazku jest szerokopasmowy przet¬ wornik wartosci skutecznej na napiecie stale, zbudowany z parzystej liczby liniowych termoelementów chromoni- kiel-nikiel i wejsciowego rezystora liniowego z chromoni- klu. galwanicznie odizolowanego od termoelementów.Istota wynalazku polega na tym. ze termoelementy oraz rezystor wykonane w technice cienkowarstwowej sa naniesione najedna strone elektroizolacyjnej plyty stano¬ wiacej podloze, wykonanej z materialu o przewodnosci cieplnej mniejszej niz 1,2 W/mk, najkorzystniej ze szkla.Plyta ma z drugiej strony wglebienie. Gorace zlacza ter¬ moelementów i rezystor sa umieszczone nad wglebie¬ niem, a zimne zlacza i doprowadzenia w obszarze poza j*-'-114 398 nim. Doprowadzenia zarówno termoelementówjak rezy¬ stora wejsciowego sa wykonane z warstwy niklu. Stosu¬ nek grubosci plyty w miejscu wglebienia do pozostalej grubosci wynosi 1/5 do 1/10, zas odleglosc goracych zlacz od rezystora wejsciowego nie wiecej niz 50/im.Korzystne parametry przetwornika dajace kompensacje wplywów zewnetrznych i niedokladnosci wykonawczych uzyskuje sie, gdy wglebienie ma ksztalt kola a rezystor ksztalt pierscienia, natomiast gorace zlacza termoele¬ mentów leza na okregu otaczajacym ten pierscien.Wejsciowy rezystor i gorace zlacza termoelementów sa takjjiozone^zcDoniiecjz^rezystorem a termoelementami jesq bti444vd£)br maje oddalenie zlacz goracych od rezystora i sa umie¬ szczone na tej czesci podloza, która ma dla rezystora wejscio^egb^^najwieksz^ rezystancje cieplna. Zimne konce-teWK^Jementów sa umieszczone na czesci podloza o znacznie mniejszej rezystancji cieplnej. Wyjscie ukladu stanowi pierwsza i ostatnia niklowa elektroda stosu termoparowego.Dzieki tym cechom budowy przetwornika i wlasciwos¬ ciom warstw cienkich oraz zastosowaniu stabilnych i liniowych termoelementów uzyskano szerokopasmowy przetwornik wartosci skutecznej na napiecie stale o " zakresie pasma przetwarzania od Odo kilkuset megaher¬ ców, o cieplnej stalej czasu zlacz goracych zblizonej do cieplnej stalej czasu zlacz zimnych, w zaleznosci od zmian temperatury otoczenia, majacy charakterystyki czestotli¬ wosciowe zblizone od znanego przetwornika, przewyz¬ szajacy go jednak stabilnoscia i liniowoscia przetwarza¬ nia. Dzieki swoim zaletom przetwornik wedlug wynala¬ zku znajduje szerokie zastosowanie, szczególnie do budowy przyrzadów pomiarowych oraz w ukladach ste¬ rowania i regulacji. Przetwornik wedlug wynalazku, w którym na podloze moze byc uzyte szklo, jest dogodna forma do przemyslowego wytwarzania na dostepnych liniach elektronicznych ukladów hybrydowych.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przetwornik w przekroju podluznym równoleglym do linii wyprowadzen, a fig. 2 w widoku z góry.Przykladowe rozwiazanie przetwornika przedstawia sie nastepujaco. W prostokatnej szklanej.plycie 1 o gru¬ bosci 0,8 mm wykonane jest od spodu metoda chemi¬ cznego trawienia kolowe wglebienie 2. Grubosc plyty 1 w miejscu wglebienia 2 wynosi 0,1 mm. Na wierzchu plyty 1 naniesione sa w technice cienkowarstwowej termoele- menty 3chromonikiel-nikiel 80/20, polaczone szeregowo w stos termoparowy. Po tej samej stronie plyty 1 umie¬ szczony jest wejsciowy rezystor 4 wykonany z warstwy chromoniklu. Rezystor 4 ma ksztalt pierscienia i jest usytuowany nad centralna czescia wglebienia 2, wspóls- rodkowo z nim.Wokólrezystora 4, na okregu otaczajacym go, w odda¬ leni inokolo 0,05 mm leza gorace zlacza 5 termoelemen¬ tów 3, przy czym sa one umieszczone równiez nad wglebieniem 2. Warstwy materialów, z których wyko¬ nane sa termoelementy 3, rozszerzaja sie w kierunku promieniowym. W znacznym oddaleniu od wglebienia 2, w poblizu krawedzi plyty 1, leza zimne zlaczac termoele¬ mentów 3, ulozone na okregu wspólsrodkowo usytuowa¬ nym z pierscieniem wejsciowego rezystora 4. Doprowa¬ dzenia 7 termoelementów 3 i rezystora 4 maja ksztalt kwadratów, leza na jednej stronie plyty 1 i sa wykonane z warstwy niklu. Warstwy chromoniklu i niklu maja gru¬ bosc okolo 500nm. Ilosc goracych zlacz 5 równa jest ilosci zimnych zlacz 6. Do wejsciowego rezystora 4 przy¬ laczony jest przetwarzany mierzony sygnalpradowy I„«j.Rezystor 4 galwanicznie izolowany od goracych zlacz 5 termoelementów 3jest z nimi sprzezony cieplnie poprzez cienka warstwe plyty 1 w miejscu nad wglebieniem 2.Gorace zlacza 5 polaczone sa z zimnymi zlaczami 6, kompensacyjnymi, w stos termoparowy, przy czym zla¬ cza 5 i 6 sa termicznie odseparowane duza rezystancja cieplna wskutek znacznego oddalenia wzgledem wejscio¬ wego rezystora 4, okolo 40 razy wiekszego niz oddalenie od niego goracych zlacz 5.Przetwarzany mierzony sygnal pradowy Lej, doprowa¬ dzany do wejsciowego rezystora 4 podlega na jego rezy¬ stancji zamianie na energie cieplna. Duza rezystancja cieplna cienkiej warstwy plyty 1 w miejscu wglebienia 2 i mala pojemnosc cieplna powoduje znaczny wzrost tem¬ peratury plyty 1 w rejonie wglebienia 2 i przeplyw wydzie¬ lanego ciepla do goracych zlacz 5 termoelementów 3.Wartosc wytwarzanego w tych zlaczach 5 napiecia sta¬ lego zalezy od przyrostu temperatury cienkiej warstwy plyty 1 wzgledem otoczenia. Jednoczesnie w zimnych zlaczach 6 wytwarza sie napiecie kompensacyjne, zalezne tylko od temperatury otoczenia. Wyjsciowe stale napie¬ cie U wyj. równe sumie napiec na poszczególnych termoele- mentach 3, jest proporcjonalne do sredniej wartosci mocy czynnej przetwarzanego sygnalu pradowego I«rf.Duza rezystancja cieplna pomiedzy wejsciowym rezysto¬ rem 4 i zimnymi zlaczami 6 oraz cieplna stala czasu tych zlacz zblizona do cieplnej stalej czasu goracych zlacz 5 powoduja, ze zlacza te nie reaguja na dynamiczne stany zmian temperatury rezystora 4 tak jak gorace zlacza 5 podczas przetwarzania, w zaleznosci od ksztaltu sygnalu wejsciowego Uej, gdyz zmiany temperatury ulegaja scal- kowaniu w miejscu umieszczenia zimnych zlacz 6. tak ze odplyw ciepla z obszaru wglebienia 2 plyty 1 powoduje statyczny wzrost temperatury otoczenia calego przetwor¬ nika, któn w jednakowym stopniu wplywa w zakresie temperatur pracy na zlacza 5 i 6 i jest kompensowana.Przy braku sygnalu wejsciowego nie ma sygnalu wyjscio¬ wego. Parametry przykladowego przetwornika sa przed¬ stawione w ponizszej tablicy.Rodzaj parametrów Zakres wartosci Wspólczynnik przetwarzania Moc czynna rozpraszana w przetworniku Temperatura otoczenia Napiecie wyjsciowe Czestotliwosc sygnalu wejsciowego Stala czasowa Rezystancja wejsciowa Drytt temperatury 0,14W/V 0,14 do 200 mW maksimum 300°C 0,010 do 25 mV Odo 150MHz dla 0,63 Uwyj — 0,4 s 0,99 U** — 3s 50-240 omów l,5do4,0/uV/°C114 398 Zastrzezenia patentowe 1. Szerokopasmowy przetwornik wartosci skutecznej na napiecie stale, zbudowany z parzystej liczby liniowych termoelementów chromonikiel-nikiel i wejsciowego rezy¬ stora liniowego z chromoniklu, galwanicznie odizolowa¬ nego od termoelementów, znamienny tym, ze termoele- menty (3) oraz rezystor (4) wykonane w technice cienkowarstwowej sa naniesione na jedna strone elektroi- zolacyjnej plyty (1) stanowiacej podloze, wykonanej z materialu o przewodnosci cieplnej mniejszej niz 1,2 W/mK, najkorzystniej ze szkla, która to plyta (1) ma z drugiej strony wglebienie (2), przy czym gorace zlacza termoelementów (3) i rezystor (4) sa umieszczone nad wglebieniem (2), a zimne zlacza (5) i doprowadzenia (7) w obszarze poza wglebieniem (2), natomiast doprowadza¬ nia (7) zarówno termoelementów (3) jak rezystora (4) sa wykonane z warstwy niklu. 2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosunek grubosci plyty (1) w miejscu wglebienia (2) do pozostalej grubosci wynosi od 1/5 do 1/10, natomiast odleglosc goracych zlacz (5) od rezystora (4) nie przekra¬ cza 50/im. 3. Przetwornik wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, ze wglebienie (2) ma ksztalt kola a rezystor (4) ksztalt pierscienia, natomiast gorace zlacza (5) termoele¬ mentów (3) leza na okregu otaczajacym ten pierscien.Tig.2 PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Szerokopasmowy przetwornik wartosci skutecznej na napiecie stale, zbudowany z parzystej liczby liniowych termoelementów chromonikiel-nikiel i wejsciowego rezy¬ stora liniowego z chromoniklu, galwanicznie odizolowa¬ nego od termoelementów, znamienny tym, ze termoele- menty (3) oraz rezystor (4) wykonane w technice cienkowarstwowej sa naniesione na jedna strone elektroi- zolacyjnej plyty (1) stanowiacej podloze, wykonanej z materialu o przewodnosci cieplnej mniejszej niz 1,2 W/mK, najkorzystniej ze szkla, która to plyta (1) ma z drugiej strony wglebienie (2), przy czym gorace zlacza termoelementów (3) i rezystor (4) sa umieszczone nad wglebieniem (2), a zimne zlacza (5) i doprowadzenia (7) w obszarze poza wglebieniem (2), natomiast doprowadza¬ nia (7) zarówno termoelementów (3) jak rezystora (4) sa wykonane z warstwy niklu.
  2. 2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosunek grubosci plyty (1) w miejscu wglebienia (2) do pozostalej grubosci wynosi od 1/5 do 1/10, natomiast odleglosc goracych zlacz (5) od rezystora (4) nie przekra¬ cza 50/im.
  3. 3. Przetwornik wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, ze wglebienie (2) ma ksztalt kola a rezystor (4) ksztalt pierscienia, natomiast gorace zlacza (5) termoele¬ mentów (3) leza na okregu otaczajacym ten pierscien. Tig.2 PL
PL21206178A 1978-12-21 1978-12-21 Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage PL114398B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21206178A PL114398B2 (en) 1978-12-21 1978-12-21 Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21206178A PL114398B2 (en) 1978-12-21 1978-12-21 Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL212061A2 PL212061A2 (pl) 1980-01-02
PL114398B2 true PL114398B2 (en) 1981-01-31

Family

ID=19993436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21206178A PL114398B2 (en) 1978-12-21 1978-12-21 Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL114398B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL212061A2 (pl) 1980-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201923319A (zh) 以阻測溫術在雙極電晶體中操作溫度判定
US2429200A (en) Method and means for measuring high-frequency energy
PL114398B2 (en) Wide band transducer of root-mean-square value into dc voltage
Glanc et al. Temperature autostabilizing nonlinear dielectric element (TANDEL). I. Construction of TGS—element and its properties
US6310280B1 (en) Electric voltage source for semiconductor components
Kodato et al. New structure for DC-60 GHz thermal power sensor
GB2539187A (en) Electrochemical device comprising a thermo-couple for measuring temperature distribution inside the device
Saeung et al. Improved efficiency of insect pest control system by SSPA
Shin et al. Planar-type thermoelectric micro devices using ceramic catalytic combustor
JPH075050A (ja) 温度センサ
JP4171804B2 (ja) 熱電型交直変換素子
US11884538B2 (en) Root mean square sensor device
JPS58209174A (ja) 熱電対素子
JP2513892B2 (ja) 強磁界用温度センサ
SU1475425A1 (ru) Бесконтактный термоэлектрический преобразователь
Koike et al. Thin-film thermoelectric transducer for measurements of low-level power between 0 and II GHz
Maruyama et al. Generation of 10 Vrms waveforms using AC-programmable Josephson voltage standard system with 10 K cooler
Kinard et al. High-current thin-film multijunction thermal converters and multiconverter modules
SU703767A1 (ru) Анизотропный термопреобразователь
Amagai et al. Low-frequency AC–DC differences of a series–parallel circuit of thermal converters
Anderson et al. A Comparison of Relative Seebeck Coefficients for Screen Printed Flexible Thermocouples Using Commercially Available Conductive Inks
Botello-Perez et al. CENAM's Primary Standard for High Frequency Power Up to 50 GHz
Klushinţ et al. Programmable voltage standards based on HTS Josephson junction arrays
JP3022552B1 (ja) 熱電対電力検出器
SU1004897A1 (ru) Преобразователь действующего значени электрических сигналов