PL110969B1 - Luminous energy converter - Google Patents
Luminous energy converter Download PDFInfo
- Publication number
- PL110969B1 PL110969B1 PL1975184032A PL18403275A PL110969B1 PL 110969 B1 PL110969 B1 PL 110969B1 PL 1975184032 A PL1975184032 A PL 1975184032A PL 18403275 A PL18403275 A PL 18403275A PL 110969 B1 PL110969 B1 PL 110969B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- protrusions
- needle
- substrate
- emissivity
- transducer according
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 10
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/25—Coatings made of metallic material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S126/00—Stoves and furnaces
- Y10S126/907—Absorber coating
- Y10S126/908—Particular chemical
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12451—Macroscopically anomalous interface between layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12611—Oxide-containing component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/1284—W-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12889—Au-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24174—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including sheet or component perpendicular to plane of web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest przetwornik energi swietl¬ nej stosowany do przemiany padajacego swiatla slo¬ necznego na energie cieplnq.Znane jest z publikacji „Physics Looks at Solar Energy" A.B. Meinel i inni, ukazujace sie w Phisics Today, luty 1972, str. 44-50 urzadzenie do przetwarza¬ nia swiatla slonecznego na energie cieplna posiada¬ jace wielowarstwowe struktury, zwane stosami interfe¬ rencyjnymi lub blokowymi stosami absorpcyjnymi. Stosy te tworza selektywna powierzchnie, która jest czarna dla dlugosci fal krótszych od 1,3 mikronów i zwiercia¬ dlana dla wiekszych dlugosci fal. W ten sposób stosy sluza do tworzenia powierzchni spelniajacej podwójna funkcje, a mianowicie, duzej zdolnosci absorpcyjnej po¬ wyzej pasma emisji slonecznej i malej absorpcji powy¬ zej zakresu emisji ciala czarnego i dlatego nadaja sie do wykorzystania jako wydajne przetworniki energii slo¬ necznej na energie cieplna.W urzadzeniach tych wystepuja problemy trwalosci w umiarkowanych temperaturach, takich jak 550°C i wy¬ magaja one tolerancji grubosci do submikronów na calym obszarze potrzebnym do przemiany promieniowa¬ nia slonecznego. Mala trwalosc cienkich warstw jest glówna przeszkoda w pracy tych urzadzen.Celem wynalazku jest usuniecie wad i niedogodnosci, znanych rozwiazan. Cel ten osiagnieto dzieki temu, ze przetwornik energii swietlnej posiada podloze, a na nim dendrytyczny: uklad materialu posiadajacy w zasadzie wyprostowane iglopodobne wystepy na podlozu, przy czym zageszczenie wystepów, ich dlugosc i szerokosc jest rzedu kilku dlugosci padajacej fali swietlnej.Podloze jest przyczepione do przewodzacego cieplo czlonu, w którym iglopodobne wystepy zwrócone sa w 5 kierunku na zewnatrz od przewodzacego cieplo dla lat¬ wego wystawienia na dzialanie bezposrednio padajace¬ go promieniowania swietlnego.Iglopodobne wystepy skladaja sie z materialu o malej emisyjnosci, korzystnie z szafiru lub z materialu zaro- 10 odpornego, korzystnie z wolframu. Podlozem korzystnie jest stal nierdzewna. Denokrytyczny uklad podloza i wy¬ stepów jest korzystnie pokryty powloka o znacznie mniej¬ szej emisyjnosci anizeli iglopodobne wystepy dla zmniej¬ szenia hemisferycznej emisyjnosci denokrytycznej po- 15 wierzchni.W rozwiazaniu wedlug wynalazku wykorzystano po¬ wierzchnie absorpcyjna, która jest labirynt geometrycz¬ ny, którego mikrostruktura jest geometrycznie podobna do akustycznej powierzchni bezechowej. Powierzchnia op- 20 tyczna absorbujaca energie swietlna sklada sie z ge¬ stych szeregów wyprostowanych iglopodobnych wyste¬ pów o wymiarach rzedu dlugosci fal widzialnych z od¬ stepami pomiedzy takimi wystepami rzedu kilku dlugos¬ ci fal swiatla widzialnego. 25 Powierzchnia taka daje gwarancje absorbowania z duza sprawnoscia z powodu wielokrotnych odbic, wyste¬ pujacych gdy padajace promieniowanie przenika do labirynt iglopodobnych wystepów w sposób podobny do absorbcji dzwieku w komorze bezechowej, wskutek 30 wielokrotnego odbicia dzwieku. Dla waskiego stozka pa- 110 969110 969 dajacego swiatla otaczajacego kierunek iglopodobnych wystepów labirynt posiada zdolnosc absorpcyjna osia¬ gajaca 1. Jednakze, tylko niewielka czesc hemisferycz- nej emisyjnósci skupiona jest w. waskim stozku. Wykonu¬ jac w przetworniku wystepy z metalu o malej emisyjnós¬ ci np: wolframu, uzyskuje sie calkowita emisyjnosc hemi- sferyczna urzadzenia znacznie mniejsza od 1.Material posiada korzystnie duza zdolnosc absorpcyjna w obrebie waskiego stozka padajacego swiatla, lecz bardzo mala emisyjnosc hemisferyczna powyzej dlugos¬ ci fal promieniowania ciala czarnego w temperaturze pracy przetwornika.Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przetwornik wedlug wynalazku, schematycznie, czescio¬ wo w przekroju, fig. 2 — przetwornik z fig. 1 w widoku perspektywicznym, w powiekszeniu, fig. 3 — stozek wy¬ sokiej absorpcji, którego pionowa os jest równolegla do promieni padajacego promieniowania i kat stozka wy¬ nosi 15-20 stopni, fig. 4 — schemat zastosowania prze¬ twornika wedlug wynalazku jako odbiornika i akumula¬ tora energii slonecznej, fig. 5 - przetwornik w widoku z boku z uwidocznieniem wplywu chemicznego trawienia na dendrytyczny rozrost powierzchni.Przetwornik wedlug wynalazku (fig. 1) zawiera grafi¬ towy luk weglowy przewodnik bierny 2 umieszczony w komorze 4, przy czym przewodnik bierny 2 utrzymywa¬ ny jest w wymaganej temperaturze 450 do 550°C za pomoca skretek grzejnych 6, otaczajacych komore 4 w poblizu przewodnika biernego 2. Przed: umieszczeniem przewodnika biernego 2 w komorze 4, na przewodniku* biernym 2 zamocowywane sa w róznych miejscach pod¬ loza 8. Podloza 8 wykonane moga byc z szafiru (AI2O3), stali nierdzewnej lub polerowanego wolframu. Najko¬ rzystniejsza jest stal nierdzewna, która jest najpierw tra¬ wiona w HCI dla. rozpuszczenia zawartego w niej chro¬ mu, ewentualnie na stal nierdzewna jest nakladany gal¬ wanicznie nikiel dla zapewnienia podloza, na którym moga rozrastac sie dendryty.Po umieszczeniu podlozy 8 i podtrzymujacego je klocka przewodnika biernego 2 w komorze 4, skretki grzejne 6 zasilane zostaja energia dla nagrzania pod¬ lozy 8 do temperatury pomiedzy 450-550°C za pomca znanych termopar do kontroli temperatury i obwodów sprzezenia zwrotnego dla dostarczania wiekszej lub mniejszej ilosci pradu do skretek grzejnych 6 (nie po¬ kazanych). Jednoczesnie do komory 4 wprowadzane sa wodór H2 i szesciofluorek wolframu WF6 przez otwór wlotowy 1Q. Predkosc przeplywu szesciofluorku Wolframu l(WF6) wynosi 100 cm3 na minute a predkosc przeplywu fH2 wynosi 10—25 litrów na minute, przy cisnieniu atmo¬ sferycznym. Gazy WF6 i H2 reaguja w komorze 4 wedlug wzoru WF6+3H2-*6HF+W, przy czym wol¬ fram osadza sie na podlozach & a niewykorzystane H2, WF6 w stanie gazowym i HF w stanie gazowym jako i produkt reakcji, odprowadzane sa przez otwór wylotowy 12. Proces redukcji wodorem szesciofluorku wolframu, - opisany jest bardziej szczególowo w artykule A.F. Maya- das'a, JJ. Cuemo i H. Rpsenberg'a na stronach 1742- . 45, tom 116 Journal of the Electrochemical Society, wyd. 1969 r.W jednym z przykladów szybkosc przeplywu H2 wy¬ nosi okolo 10 litrów/minute a szybkosc przeplywu WF6 - i 0,1 litra/minute. Po czasie 15 minut, grubosc warstewki 20 wolframu osadzonego na podlozu 8 siega od 125 do 500 mikronów. Po przeanalizowaniu, stwierdzono, ze warstewka wolframu na podlozu z szafiru posiada struk¬ ture krysztalu (111 )W/ / (0001)aAI2O3 i orientacja jej 5 w plaszczyznie warstewki wolframu jest (110~~)W/ / / (1l20)aAI2O3. Orientacja dendrytów wolframu byla blizniacza i ustalono, ze wystepuje ona w dwóch spe¬ cyficznych ukladach, jednym posiadajacym 6-krotnq sy¬ metrie i drugim posiadajacym 3-krotnq symetrie.Dendrytyczny rozrost wolframu osadzonego za pomoca redukcji wodorem szesciofluorku wolframu przy cisnieniu atmosferycznym (fig. 2) daje w rezultacie zazwyczaj po¬ wloke wielowarstwowa. Podloze 8 z szafiru, wolframu, stali nierdzewnej lub podobnego materialu okresla ko- 15 rzystna orientacje, poczatkowych iglopodobnych wyste¬ pów 14 wolframu, które narosly na nim. Poczatkowe wy¬ stepy rosna w pierwszych 10-15 minutach i posiadaja wysokosc okolo 2-3 mikronów. Dalszy rozrost daje ko¬ rzystnie wyzsze ostrza. Zazwyczaj, rozrost ma miejsce dla skutecznego wytworzenia trójwarstowej struktury, zlozonej z podloza 8, rzedów poszczególnych dendrytów formujacych wystepy 14, które posiadaja wysokosc oko¬ lo 5 mikronów i sa oddalone od siebie o okolo 5 mikro¬ nów oraz z mniej zwartych rzedów wolframowych den¬ drytów formujacych wystepy 16, które posiadaja wysokosc od okolo 20 do 40 mikronów i oddalone sa od siebie o 40 do 60 mikronów.Stwierdzono, ze ponad 98 procent energii swietlnej, o dlugosci fal pomiedzy 0,2 do 40 mikronów, absorbo¬ wane jest przez strukture dendrytyczna, jezeli fale te pa¬ daja na rzedy wystepów 14, 16 w obrebie stozka o kacie 5 stopni i os pionowa 1ff tego stozka jest równo¬ legla do kierunku osi rozrostu dendrytów. 35 Wystepy 16 z dendrytycznego wolframu sa szczegól¬ nie korzystne w przetworniku energii swietlnej, ponie¬ waz wolfram jest metalem slabo absorbujacym i slabo emitujacym promieniowanie. Jednakze bezechowe za¬ chowanie sie zageszczonych dendrytów formujacych ig- ^0 lopodobne wystepy 14 i 16 wzgledem padajacego pro¬ mieniowania powoduje to, ze dendrytyczny labirynt po¬ siada duza zdolnosc absorbowania takiego promienio¬ wania, W widoku pod katem 15-30° rzedy wystepów sa czarne, zas w widoku pod katem wiekszym od 30° - 45 powierzchnia ich ma odcien szary, zblizony do srebrne¬ go wskazujacy na to, ze optyczna emisyjnosc dendrytycz- nej struktury jest znacznie mniejsza.Emisyjnosc fo) w stozku prostopadlym do powierzchni przetwornika (fig. 3) równa jest absorpcji promieniowa- 50 nia (At) w tym samym stozku. Idealnie obydwie wiel¬ kosci równe sa 1. Emisyjnosc (e2) pod wszystkimi katami na zewnatrz stozka równa jest absorpcji (A2), a w przy¬ padku idealnym obydwie wielkosci powinny byc bardzo male. Os 18 ukladu ostrzy jest równolegla do padaja- 55 cego promieniowania, które wpada w obrebie stozka o katach 15—30°, przy czym korzystny jest stozek o kacie 5 stopni. Dla takiego stozka zdolnosc absorbowania i emisyjnósci przetwornika jest rzeczywiscie równa jed¬ nosci. 60 Emisyjnosc hemisferyczna, która jest emisyjnoscia sca¬ lona nad cala hemisfera powierzchni, jest mniejsza od 0,26.W praktycznym zastosowaniu przetwornika wedlug wy¬ nalazku (fig. 4) przewodzacy cieplo czlon 22 w postaci 65 pojemnika z ciecza tworzaca pare wysokoprezna w tern-110 969 peraturze pracy, korzystnie z woda, jest czesciowo oto¬ czony zespolem 24, posiadajacym wlasciwosci fizyczne przetwornika z fig. 2. Promienie sloneczne odbijane sa przez lustro 26 i padaja na labirynt wolframowych den- drytów tworzacych wystepy 14 i 16, zespolu 24 do prze¬ miany promieniowania na cieplo.Dla zaabsorbowania przez dendrytyczny wolfram pro¬ mieniowania o róznej czestotliwosci, niezbedna moze byc zmiana stosunku wysokosci do szerokosci poszcze¬ gólnych iglopodobnych wystepów 14 i 16. Dokonuje sie tego przez trawienie calego ukladu z fig. 2, w roztworze H202 NH4OH. Szerokosci dendrytycznych wystepów wy¬ trawiaja sie szybciej anizeli ich wysokosci tak, ze dla promieniowania o wiekszej dlugosci fal, zastosowac moz¬ na zmodyfikowany uklad pokazany na fig. 5 z lepszym skutkiem, anizeli nietrawiony uklad przedstawiony na fig. 2. Linie przerywane pokazuja szerokosc wystepów po wytrawieniu.Inne wlasnosci absorbowania osiaga sie przez zmiane zageszczenia dendrytycznych wystepów i ich wysokosci.Dokonac tego mozna przez zmiane temperatury osadza¬ nia i szybkosci przeplywu gazu w komorze pokazanej na fig. 1.Korzystne jest nalozenie na iglopodobne wystepy 14 i 16 powloki z materialu o malej emisyjnosci. Wolfram posiada emisyjnosc hemisferyczna wynoszaca 0,08, zas zloto posiada emisyjnosc wynoszaca tylko 0,02 w tem¬ peraturze 550°C. Tak wiec, powloka zlota na wystepach wolframowych obnizylaby emisyjnosc hemisferyczna wol¬ framu z 0,08 do 0,02. Przez rozsadny dobór, powlok, osiagnac mozna porównywalne wlasnosci, uzyskujace jednoczesnie male emisyjnosci. Tego rodzaju powloka o malej emisyjnosci sluzy takze do pasywacji wolframu i wplywa hamujaco na procesy korozji i utlenianie. 15 Przetwornik wedlug wynalazku nadaje sie zwlaszcza do wykorzystania jako przetwornik energii slonecznej, poniewaz uzyty zostal zwykly material zaroodporny, na¬ dajacy przetwornikowi trwalosc. 5 Zastrzezenia pa t e n t o w e 1. Przetwornik energi swietlnej, znamienny tym, ze posiada podloze (8), a na nim dendrytyczny uklad ma¬ lo terialu, posiadajacy w zasadzie wyprostowane iglopo¬ dobne wystepy (14, 16) na podlozu (8), przy czym za¬ geszczenie wystepów (14, 16) ich dlugosc i szerokosc jest rzedu kilku dlugosci padajacej fali swietlnej. 2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podloze (8) przyczepione jest do przewodzacego cieplo czlonu (22), w którym iglopodobne wystepy (14, 16) zwrócone sa w kierunku na zewnatrz od przewodzacego cieplo czlonu (22) dla latwego wystawiania na dziala¬ nie bezposrednie padajacego promieniowania swietl¬ nego. ' 3. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy 0V 16) skladaja sie z materialu o malej emisyjnosci, korzystnie z szafiru. 25 4. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy (14, 16) sa z materialu zarood¬ pornego, korzystnie z wolframu.. 5. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 30 podlozem (8) jest stal nierdzewna. 6. Przetwornik ^wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dendrytyczny uklad podloza (8) i wystepów (14, 16) jest pokryty powloka o znacznie mniejszej emisyjnosci ani¬ zeli iglopodobne wystepy (14, 16) dla zmniejszenia he- 35 misferycznej emisyjnosci dendrytycznej powierzchni.110 969 Fcg.1 Fig. 3 F£9. 4 22 24 .-14,16 F^ 5 LDA-Zaklad 2 - zam. 584/81-120 szt.Cena 45 zl PL PL PL PL
Claims (3)
1. Zastrzezenia pa t e n t o w e 1. Przetwornik energi swietlnej, znamienny tym, ze posiada podloze (8), a na nim dendrytyczny uklad ma¬ lo terialu, posiadajacy w zasadzie wyprostowane iglopo¬ dobne wystepy (14, 16) na podlozu (8), przy czym za¬ geszczenie wystepów (14, 16) ich dlugosc i szerokosc jest rzedu kilku dlugosci padajacej fali swietlnej.
2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podloze (8) przyczepione jest do przewodzacego cieplo czlonu (22), w którym iglopodobne wystepy (14, 16) zwrócone sa w kierunku na zewnatrz od przewodzacego cieplo czlonu (22) dla latwego wystawiania na dziala¬ nie bezposrednie padajacego promieniowania swietl¬ nego. ' 3. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy 0V 16) skladaja sie z materialu o malej emisyjnosci, korzystnie z szafiru. 25 4. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy (14, 16) sa z materialu zarood¬ pornego, korzystnie z wolframu.. 5. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 30 podlozem (8) jest stal nierdzewna. 6. Przetwornik ^wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dendrytyczny uklad podloza (8) i wystepów (14, 16) jest pokryty powloka o znacznie mniejszej emisyjnosci ani¬ zeli iglopodobne wystepy (14, 16) dla zmniejszenia he- 35 misferycznej emisyjnosci dendrytycznej powierzchni.110 969 Fcg.1 Fig.
3. F£9. 4 22 24 .-14,16 F^ 5 LDA-Zaklad 2 - zam. 584/81-120 szt. Cena 45 zl PL PL PL PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/515,780 US4005698A (en) | 1974-10-18 | 1974-10-18 | Photon energy converter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL110969B1 true PL110969B1 (en) | 1980-08-30 |
Family
ID=24052710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1975184032A PL110969B1 (en) | 1974-10-18 | 1975-10-16 | Luminous energy converter |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4005698A (pl) |
| JP (1) | JPS5512562B2 (pl) |
| CA (1) | CA1052212A (pl) |
| CH (1) | CH593462A5 (pl) |
| CS (1) | CS198175B2 (pl) |
| EG (1) | EG12954A (pl) |
| ES (1) | ES441836A1 (pl) |
| FR (1) | FR2346821A1 (pl) |
| GB (1) | GB1515763A (pl) |
| HU (1) | HU172031B (pl) |
| IL (1) | IL48016A (pl) |
| IT (1) | IT1041944B (pl) |
| PL (1) | PL110969B1 (pl) |
| SE (1) | SE417638B (pl) |
| SU (1) | SU741811A3 (pl) |
| YU (1) | YU251875A (pl) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH611405A5 (pl) * | 1976-01-08 | 1979-05-31 | Battelle Development Corp | |
| US4235226A (en) * | 1976-04-15 | 1980-11-25 | Dornier System Gmbh | Collector panel for solar energy |
| DE2616662C2 (de) * | 1976-04-15 | 1984-02-02 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Verfahren zur herstellung einer selektiven solarabsorberschicht auf aluminium |
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
| US4171993A (en) * | 1976-09-01 | 1979-10-23 | Borg-Warner Corporation | Coated metal nodule solar heat collector |
| US4088547A (en) * | 1976-09-01 | 1978-05-09 | Borg-Warner Corporation | Method for producing a coated metal nodular solar heat collector |
| US4448487A (en) * | 1976-09-16 | 1984-05-15 | International Business Machines Corporation | Photon energy conversion |
| US4190321A (en) * | 1977-02-18 | 1980-02-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Microstructured transmission and reflectance modifying coating |
| US4252843A (en) * | 1977-02-18 | 1981-02-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for forming a microstructured transmission and reflectance modifying coating |
| FR2384215A1 (fr) * | 1977-03-18 | 1978-10-13 | Elf Union | Structure de toiture solaire et ses applications |
| IT1084595B (it) * | 1977-05-09 | 1985-05-25 | Pedone Angelo | Collettore solare. |
| US4209008A (en) * | 1977-07-26 | 1980-06-24 | United Technologies Corporation | Photon absorbing surfaces and methods for producing the same |
| PT69113A (en) * | 1978-01-25 | 1979-02-01 | Euratom | Preparation of selective surfaces for high temperature solar energy collectors |
| US4160045A (en) * | 1978-07-25 | 1979-07-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for producing a scabrous photosensitive surface |
| US4340276A (en) * | 1978-11-01 | 1982-07-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby |
| US4316048A (en) * | 1980-06-20 | 1982-02-16 | International Business Machines Corporation | Energy conversion |
| US4335189A (en) * | 1980-07-28 | 1982-06-15 | International Business Machines Corp. | Resolution standard for scanning electron microscope comprising palladium spines on a metal substrate |
| US4420265A (en) * | 1981-07-31 | 1983-12-13 | Everest Charles E | Infrared temperature monitoring apparatus having means for sky radiation compensation |
| US4494881A (en) * | 1982-03-10 | 1985-01-22 | Everest Charles E | Intra-optical light beam sighting system for an infrared thermometer |
| US4521442A (en) * | 1982-06-30 | 1985-06-04 | International Business Machines Corporation | Radiant energy collector having plasma-textured polyimide exposed surface |
| US4478209A (en) * | 1982-06-30 | 1984-10-23 | Guarnieri C Richard | Radiant energy collector having plasma-textured polyimide exposed surface |
| US5185073A (en) * | 1988-06-21 | 1993-02-09 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating nendritic materials |
| US5137461A (en) * | 1988-06-21 | 1992-08-11 | International Business Machines Corporation | Separable electrical connection technology |
| US4920012A (en) * | 1989-06-09 | 1990-04-24 | General Electric Company | Articles having coatings of fine-grained and/or equiaxed grain structure |
| JP3128127B2 (ja) * | 1990-03-28 | 2001-01-29 | 東芝キャリア株式会社 | 空気調和装置 |
| US5298685A (en) * | 1990-10-30 | 1994-03-29 | International Business Machines Corporation | Interconnection method and structure for organic circuit boards |
| US20090074027A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Vatell Corporation | Heat flux sensor incorporating light conveyance |
| DE102009048672A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Zentralrohr für ein linear konzentrierendes solarthermisches Kraftwerk mit Absorberschicht sowie Verfahren zum Aufbringen dieser Absorberschicht |
| US10804841B2 (en) | 2010-12-14 | 2020-10-13 | John C. WEEKLEY | Solar thermal energy collector |
| EP2924144A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | NEM Energy B.V. | Method for treating an outer surface of a heat transfer fluid tube |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1497417A (en) * | 1919-03-31 | 1924-06-10 | Henry C P Weber | Process of coating metals |
| US2588254A (en) * | 1950-05-09 | 1952-03-04 | Purdue Research Foundation | Photoelectric and thermoelectric device utilizing semiconducting material |
| US2677715A (en) * | 1950-09-23 | 1954-05-04 | Alois Vogt Dr | Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode |
| US2899659A (en) * | 1952-03-07 | 1959-08-11 | mcllvaine | |
| US3276903A (en) * | 1953-02-04 | 1966-10-04 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Heat treatment of metals |
| US2836524A (en) * | 1955-12-21 | 1958-05-27 | Gen Electric | Method and apparatus for the production of single crystals |
| US2998006A (en) * | 1958-07-01 | 1961-08-29 | John G Johnston | Solar fluid heater |
| ES247631A1 (es) * | 1959-02-13 | 1959-06-01 | Amat Bargues Miguel | Sistema para el aprovechamiento de la energia contenida en los rayos solares |
| US3173801A (en) * | 1961-05-26 | 1965-03-16 | Thompson Ramo Wooldridge Inc | Electromagnetic radiation energy arrangement |
| US3225208A (en) * | 1962-02-23 | 1965-12-21 | Bell Telephone Labor Inc | Thermoelectric powered satellite |
| US3368914A (en) * | 1964-08-05 | 1968-02-13 | Texas Instruments Inc | Process for adherently depositing a metal carbide on a metal substrate |
| US3229682A (en) * | 1964-03-05 | 1966-01-18 | Perlmutter Morris | Device for directionally controlling electromagnetic radiation |
| US3294654A (en) * | 1965-07-28 | 1966-12-27 | Ethyl Corp | Metal plating process |
| DE1789046B1 (de) * | 1968-09-27 | 1972-02-03 | Siemens Ag | Strahlungsdetektor mit einem halbleiterkoerper mit photo thermomagnetischen effekt |
| GB1326769A (en) * | 1970-10-08 | 1973-08-15 | Fulmer Res Inst Ltd | Formulation of tungsten and molybdenum carbides |
-
1974
- 1974-10-18 US US05/515,780 patent/US4005698A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-08-11 FR FR7525826A patent/FR2346821A1/fr active Granted
- 1975-08-14 CA CA233,465A patent/CA1052212A/en not_active Expired
- 1975-08-15 CH CH1065775A patent/CH593462A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-08-27 IT IT26602/75A patent/IT1041944B/it active
- 1975-08-29 IL IL48016A patent/IL48016A/en unknown
- 1975-09-17 SE SE7510405A patent/SE417638B/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-09-22 GB GB38732/75A patent/GB1515763A/en not_active Expired
- 1975-09-23 JP JP11439575A patent/JPS5512562B2/ja not_active Expired
- 1975-09-27 EG EG572/75A patent/EG12954A/xx active
- 1975-10-06 YU YU02518/75A patent/YU251875A/xx unknown
- 1975-10-10 CS CS756868A patent/CS198175B2/cs unknown
- 1975-10-16 ES ES441836A patent/ES441836A1/es not_active Expired
- 1975-10-16 PL PL1975184032A patent/PL110969B1/pl unknown
- 1975-10-17 HU HU75IE00000717A patent/HU172031B/hu unknown
-
1978
- 1978-08-31 SU SU782180566A patent/SU741811A3/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HU172031B (hu) | 1978-05-28 |
| JPS5158353A (pl) | 1976-05-21 |
| CA1052212A (en) | 1979-04-10 |
| EG12954A (en) | 1980-07-31 |
| DE2539101B2 (de) | 1977-03-03 |
| SU741811A3 (ru) | 1980-06-15 |
| IT1041944B (it) | 1980-01-10 |
| DE2539101A1 (de) | 1976-04-29 |
| JPS5512562B2 (pl) | 1980-04-02 |
| CH593462A5 (pl) | 1977-11-30 |
| GB1515763A (en) | 1978-06-28 |
| FR2346821A1 (fr) | 1977-10-28 |
| AU8575775A (en) | 1977-04-21 |
| US4005698A (en) | 1977-02-01 |
| IL48016A0 (en) | 1975-11-25 |
| SE417638B (sv) | 1981-03-30 |
| CS198175B2 (en) | 1980-05-30 |
| SE7510405L (sv) | 1976-04-20 |
| IL48016A (en) | 1977-11-30 |
| ES441836A1 (es) | 1977-04-01 |
| FR2346821B1 (pl) | 1978-09-01 |
| YU251875A (en) | 1982-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL110969B1 (en) | Luminous energy converter | |
| Cuomo et al. | A new concept for solar energy thermal conversion | |
| US4348254A (en) | Method of making solar cell | |
| US5326454A (en) | Method of forming electrodeposited anti-reflective surface coatings | |
| US8198120B2 (en) | Optical article | |
| TW201809931A (zh) | 熱電裝置及系統 | |
| US4078945A (en) | Anti-reflective coating for silicon solar cells | |
| TW201002848A (en) | Gold-coated polysilicon reactor system and method | |
| JPS57114655A (en) | Formation of black coating based on surface morphology | |
| JP2006515717A (ja) | 球状太陽電池アレイの製造方法 | |
| JPH0641369B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造装置 | |
| Ma et al. | Mesoporous alloy chiral nanoparticles with high production yield and strong optical activities | |
| Wang et al. | Photolithographic patterning of porous silicon using silicon nitride and silicon carbide masks | |
| JPS5956661A (ja) | 太陽熱コレクタ−の製造方法 | |
| JP4412872B2 (ja) | シリコン基板の粗面化法及びそれを用いた太陽電池の形成方法 | |
| JP2001274439A (ja) | 球状半導体素子の電極形成方法 | |
| JP4761705B2 (ja) | エッチング装置 | |
| JPS5956664A (ja) | 太陽熱コレクタ−及びその製造方法 | |
| JP7486908B1 (ja) | 波長選択型赤外放射制御部材 | |
| CN111397231A (zh) | 一种石墨烯基选择性吸收膜系及其吸收层制备方法 | |
| JPS61289623A (ja) | 気相反応装置 | |
| JP2002314110A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS58151070A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| Yan et al. | Formation and preferred growth behavior of grooved seed silicon substrate for kerfless technology | |
| JPH0317770B2 (pl) |