PL110767B1 - Method of pickling aluminium foil for electrolytic condensers - Google Patents
Method of pickling aluminium foil for electrolytic condensers Download PDFInfo
- Publication number
- PL110767B1 PL110767B1 PL20165177A PL20165177A PL110767B1 PL 110767 B1 PL110767 B1 PL 110767B1 PL 20165177 A PL20165177 A PL 20165177A PL 20165177 A PL20165177 A PL 20165177A PL 110767 B1 PL110767 B1 PL 110767B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- etching
- stage
- temperature
- carried out
- solutions
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 title 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 title 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 17
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 8
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- -1 nitrate ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000029087 digestion Effects 0.000 claims description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 claims description 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical class [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007131 hydrochloric acid regeneration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób trawienia fofUii aluminiowej do kondensatorów elektrolitycz¬ nych.Glówne elementy kondensatora elektrolitycznego stanowia: pas folii anodowej, przekladka papiero¬ wa nasycona elektrolitem oraz pas folii katodo¬ wej. Folia anodowa zawiera 99,00% A/l, posiada ona odpowiednio' rozwinieta (powierzchnie (w wy¬ niku trawienia) oraz naniesiona na nia warstewke tlenku aluminium — dielektryka (w wyniku ano¬ dowego utleniania — formowania). Folie anodowa charakteryzuja glównie dwa parametry: pojem¬ nosc wlasciwa ty/F/cm*) i jakosc zaformowania czyli jakosc warstewki dielektrycznej.Parametr pierwszy swiadczy o jakosci procesu trawienia, natomiast drugi okresila jakosc procesu formowania. Pojemnosc wlasciwa folii przy stalym napieciu formowania uzalezniona jest od stopnia rozwiniecia powierzchni w wyniku procesu trawie¬ nia, parametr ten ma istotne znaczenie z punktu widzenia wielkosci produktu finalnego, jak równiez z punktu widzenia zuzycia materialów. Im wyzsza pojemnosc wlasciwa tyim krótszy pas folii ando- wej niezbedny dla uzyskania nominalnej pojemno¬ sci kondensatora elektrolitycznego. Krótszy pas folii anodowej zas pozwala zmontowac mniejszy kondensator oraz zaoszczedzic cennych materialów.W obecnej dobie znanych jest wiele odmiennych technologii trawienia.Generalnie trawienie realzuje sie metoda elek- 10 19 30 trolityczna w kapielach zawierajacych jony chlor¬ kowe Cl- w podwyzszonej temperaturze. Nalezy równiez podkreslic, ze w zaleznosci od napiecia formowania stosuje sie rózne technologie trawienia.Przykladowo procesy trawienia realizowac mozna w sposób nastepujacy: — trawienie folii niskonapieciowej dk 125 V formowania prowadzi sie metoda elektrolityczna, pradem stalym, w kapieli .stezonego chlorku so¬ dowego —NaCl z dodatkiem jonów siarczanowych, o temperaturze bliskiej wrzenia, — trawienie folii wysokonapieciowej, przezna¬ czonej do formowania na napiecie powyzej 125 V, prowadlzi sie metoda elektrolityczna, prad staly z nalozonym nan pradem zmiennym, kapiel stanowi roztwór chlorku sodowego —(Nad, temperatura ponizej wrzenia kapieli. W wyniku tego rodzaju trawienia po formowaniu na 450 V folia charakte¬ ryzuje sie .pojemnoscia wlasciwa srednio, okolo 0,24 |iF/cma. Znacznie wyzsze 'pojemnosci wlasciwe w przypadku folii wysokonapieciowej uzyskac moz¬ na prowadzac proces trawienia w roztworach kwasu solnego.Stosowanie kwasu solnego jest jednakze niedo¬ godne z wielu wzgledów, chociazby takich jak: niekorzystny wplyw HO na naturalne srodowisko, intensywne parowanie z nieprzyjemnym zapachem, koniecznosc ibuldowy stacji regeneracji i neutrali¬ zacji kwasu solnego, koniecznosc budowy stacja regeneracji i neutralizacji kwasu solnego, koniecz- 110 7673 nosc stosowania materialów odpornych na kwas solny.W mysl niniejszego wynalazku proponuje sie odmienny sposób trawienia folii aluminiowej, szcze¬ gólnie przeznaczonej na wysokie napiecia formo¬ wania. Istota jego jest dwustopniowa realizacja procesu 'trawienia.W pierwszym stopniu procesu prowadz sie tra¬ wienie elektrolityczne, pradem stalym, w kapie¬ lach -zawierajajcych glównie chlorek sodowy o ste¬ zeniu 10—3K%, w temperaturze 70—400°C. Kapiel Irawiajca moze zawierac ponadto dodatki takich jonów jak siarczany, (borany, chromiany itp. Ge¬ stosc ipradowa jest utrzymywana w zakresie 10— 100 A/dhi1, czas trawienia 20^200 sekund.Drugi stopien stanowi trawienie chemiczne lub elektrochemiczne w roztworach zawierajacych jony azotowe. Sa to przykladowo kapiele zawierajace iwas azotowy/ azotan sodowy, potasowy, amono¬ wy itp. Trawienie elektrolityczne prowadzi sie pra¬ dem stalym, w. roztworach wymienionych suibjstan- fcji o stezeniu 0,&—110%^ w temperaturze 70-— 100°C, przy gestosci pradowej1 100—100 A/cm2 i w czasie 2(0—200 sekund. Trawienie chemiczne prowadzi sie w roztworach substancji zawieraja¬ cych jony azotanowe o stezeniu 0v5—&5% w tem¬ peraturze 70—100°C w czasie 3—(15 minut.Ponadto najlepsze rezultaty uzyskiwane sa .pod¬ czas stosowania w trawieniu dwustopnowym fol:i aluminiowej obrabianej termicznie w temperatu¬ rach od 400 do 600°C.Efektem trawienia dwustopniowego jest nastepu¬ jacy sposób roztwarzania metalu. iW pierwszym stopniu w wyniku reakcji elek¬ trochemicznej na powierzchni folii inicjowane sa -wzery, które w trakcie procesu rozwijaja sie w kierunku prostopadlym do- powierzchni metalu, osiagajac dlugosc okolo 20—50 |im. Srednica wze¬ rów wynosi okolo 0,2—0,5 \vm, jest wiec ona zbyt mala dla folii przeznaczonych do formowania wy¬ sokonapieciowego, w trakcie którego generalnie wytwarzane sa warstewki tlenkowe o grubosci okolo 0,6*5 |im. Tlenek aluminium wypelniajacy calkowicie wzery powoduje redukcje stopnia roz¬ winiecia powierzchni uzyskanego w wyniku tra¬ wienia, co przejawia sie w bardzo niskich pojem¬ nosciach wlasciwych rzedu 04 5 jiF/cm*.W drugim stopniu zachodni roztwarzanie metalu w kierunku prostopadlym do tego jaki ma miejsce podczas trawienia w pierwszym stopniu. Wytra¬ wienie folii aiuminioweji w roztworach zawieraja¬ cych jony azotanowe powoduje zwiekszenie sred¬ nicy wzerów (poszerzenie tunelików) do wartosci okolo 2,0—2,5 firn co eliminuje mozliwosc wypel¬ nienia ich tlenkiem w procesie fprmowania.Folia aluminiowa wytrawiona w powyzej przed¬ stawionym, procesie dwustopniowym umozliwia uzyskanie pojemnosci wlasciwych o okolo 30—50% wyzszych niz w konwencjonalnym procesie jedno- stopniowym. Wzrost pojemnosci wlasciwej folii aluminiowej prowadzi do obnizenia zuzycia cen¬ nych materialów skladajacych sie na kondensator elektrolityczny jak równiez do zmniejszenia jego gabarytów co jest niezmiernie istotne w dobie 0 767 , 4 tendencji do miniaturyzacji wszelkiego rodzaju aparatury elektronicznej.Oryginalnosc wynalazku polega na tym, ze wy¬ raznie wyodrebnia -sie dwa stopnie trawienia oraz 5 drugi stopien, to jest trawienie w roztworach zawierajacych jony azotanowe, prowadzi sie meto¬ da chemiczna lub elektrolityczna.Ponadto wynalazek pozwala w sposób zamierzo¬ ny sterowac srednica wytrawionych tunelików i do- 10 stosowac ja do napiec formowania. Do zalet po¬ wyzszego wynalazku nalezy zalilazyc mozliwosc uzy¬ skania znacznie wyzszych pojemnosci wlasciwych niz w procesach dotychczas stosowanych, bez ko¬ niecznosci uzycia roztworów kwasu solnego. 15 Wynalazek zostanie (blizej wyjasniony w poniz¬ szych przykladach wykonania..Przyklad I. Folie aluminiowa wyzarzona w mozliwie najwyzszej temperaturze przez okolo 5 h, 20 trawiono elektrolitycznie pradem stalym o 20P/o roztworze chlorku sodowego o temperaturze nieco ponizej wrzenia. Elektrolit trawiacy zawieral po¬ nadto 5% dodatek siarczanu sodowego. Gestosc pradu utrzymywano w zakresie 50—60 A/dm1, 25 czas trawienia wynosil 55 sekund. Nastepnie folie zanurzono do 10% roztworu kwasu azotowego na czas okolo 10 min. Po formowaniu lalboratoryjnym przy napieciu 450 V uzyskano pojemnosc wlasciwa 0,34 nF/cm*. 30 Przyklad II. Folie aluminiowa wyzarzana sw sposób podany w przykladzie I wytrawiono elek¬ trolitycznie, pradem stalym w 20% roztworze chlor¬ ku sodowego o temperaturze nieco ponizej wrze- 31 nia. Gestosc pradu utrzymywano w zakresie 50^- 60 A/dm", czas trawienia wynosil 55 sekund. Na¬ stepnie folia byla trawiona elektrolitycznie w 2% roztworze azotanu sodowego o temperaturze nieco ponizej wrzenia. Gestosc pradowa wynosila 40 40 A/ldma, czas trawienia 80 sekund. Po formowa¬ niu lalboratoryjnym przy napieciu 450 V uzyiskano .pojemnosc wlasciwa 0,35 ^iF/cm2.Zastrzezenia patentowe 45 1. Sposób trawienia folii aluminiowej przezna¬ czonej na anody kondensatorów elektrolitycznych aluminiowych, glpwnie wysokonapieciowych, zna¬ mienny tym, ze folie po uprzednim wyzarzaniu w 50 temperaturze 40-0—600°C, poddaje sie wytrawianiu w procesie dwustopniowymi, przy czym pierwszy stopien jest procesem elektrochemicznym z udzia¬ lem jonów chlorkowych, a drugi stopien jest pro¬ cesem chemicznym lub elektrochemicznym z udzia- 55 lem jonów azotanowych, 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie wedlug stopnia pierwszego prowadzi sie na drodze elektrochemicznej w roztworach chlor¬ ku sodowego o stezeniu 10—30%, w temperaturze w 70^-<100oC, przy gestosci pradu 10—rtOO A/dm* i w czasie 20^200 sekund. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie wedlug stopnia drugiego prowadzi sie na drodze de!ktrochemdcznej w roztworach kwasu ge azotowego lub jego soli takiioh jak azotan sodowy,110 767 5 6 potasowy, amonowy o stezeniu 0,5—10%, w tem¬ peraturze 70—100°C, przy gestosci pradowej 10— 100 A/dm* i w czasie 20—200 .sekund. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie wedlug stopnia drugiego prowadzi sie na drodze chemicznej w roztworach kwasu azoto¬ wego o stezeniu 0,5—25%, w temperaturze 70— 100°C i w czasie 3—15 minut. PL
Claims (4)
- Zastrzezenia patentowe 45 1. Sposób trawienia folii aluminiowej przezna¬ czonej na anody kondensatorów elektrolitycznych aluminiowych, glpwnie wysokonapieciowych, zna¬ mienny tym, ze folie po uprzednim wyzarzaniu w 50 temperaturze 40-0—600°C, poddaje sie wytrawianiu w procesie dwustopniowymi, przy czym pierwszy stopien jest procesem elektrochemicznym z udzia¬ lem jonów chlorkowych, a drugi stopien jest pro¬ cesem chemicznym lub elektrochemicznym z udzia- 55 lem jonów azotanowych,
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie wedlug stopnia pierwszego prowadzi sie na drodze elektrochemicznej w roztworach chlor¬ ku sodowego o stezeniu 10—30%, w temperaturze w 70^-<100oC, przy gestosci pradu 10—rtOO A/dm* i w czasie 20^200 sekund.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie wedlug stopnia drugiego prowadzi sie na drodze de!ktrochemdcznej w roztworach kwasu ge azotowego lub jego soli takiioh jak azotan sodowy,110 767 5 6 potasowy, amonowy o stezeniu 0,5—10%, w tem¬ peraturze 70—100°C, przy gestosci pradowej 10— 100 A/dm* i w czasie 20—200 .sekund.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie wedlug stopnia drugiego prowadzi sie na drodze chemicznej w roztworach kwasu azoto¬ wego o stezeniu 0,5—25%, w temperaturze 70— 100°C i w czasie 3—15 minut. PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20165177A PL110767B1 (en) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | Method of pickling aluminium foil for electrolytic condensers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20165177A PL110767B1 (en) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | Method of pickling aluminium foil for electrolytic condensers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL201651A1 PL201651A1 (pl) | 1979-05-21 |
| PL110767B1 true PL110767B1 (en) | 1980-07-31 |
Family
ID=19985160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL20165177A PL110767B1 (en) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | Method of pickling aluminium foil for electrolytic condensers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL110767B1 (pl) |
-
1977
- 1977-10-19 PL PL20165177A patent/PL110767B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL201651A1 (pl) | 1979-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1151102A (en) | Electrochemical removal of surface copper from aluminum foil | |
| KR860001218A (ko) | 고전압 캐패시터용 알루미늄 양극박막 및 그 에칭공정 | |
| EP0064607B1 (de) | Verfahren zum Ätzen einer rekristallisierten Aluminiumfolie für Elektrolytkondensatoren | |
| DE1621115B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines traegers aus aluminium fuer lithographische druckplatten | |
| ES8101130A1 (es) | Un procedimiento de oxidacion anodica de materiales en formade tiras,chapas o laminas | |
| DE3624667A1 (de) | Kupferaetzverfahren und loesung zur verwendung beim kupferaetzen | |
| Quang et al. | Pitting mechanism of aluminum in hydrochloric acid under alternating current | |
| JPS6245320B2 (pl) | ||
| CA1168965A (en) | Chemical etching of aluminum capacitor foil | |
| US4319972A (en) | AC Etching of aluminum capacitor foil | |
| CA1239900A (en) | Two-stage electrolytic etching of aluminium capacitor foil | |
| PL110767B1 (en) | Method of pickling aluminium foil for electrolytic condensers | |
| US2853445A (en) | Process of etching aluminum foil for electrolytic capacitor | |
| JPS61210191A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ箔のエツチング法 | |
| US3259475A (en) | Etched metal valve surfaces of tantalum or niobium or titanium | |
| JPS5825218A (ja) | 低圧電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| US4381231A (en) | DC Etching of aluminum electrolytic capacitor foil | |
| US4332651A (en) | AC Etching of aluminum capacitor foil | |
| US3321389A (en) | Method of anodically etching aluminum foils at elevated temperatures in an electrolyte including chloride and sulfate ions | |
| US1946150A (en) | Coating of aluminum | |
| JP4163022B2 (ja) | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 | |
| KR930005783A (ko) | 인쇄 플레이트용 지지체 물질로서의 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 조삭시키는 방법 및 당해 방법으로부터 제조한 지지체 물질로 이루어진 인쇄 플레이트 | |
| JP3729031B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP4338444B2 (ja) | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 | |
| JP3248251B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |