PL106932B1 - Plat pamieci - Google Patents

Plat pamieci Download PDF

Info

Publication number
PL106932B1
PL106932B1 PL18441275A PL18441275A PL106932B1 PL 106932 B1 PL106932 B1 PL 106932B1 PL 18441275 A PL18441275 A PL 18441275A PL 18441275 A PL18441275 A PL 18441275A PL 106932 B1 PL106932 B1 PL 106932B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
layers
magnetic wires
plates
magnetic
Prior art date
Application number
PL18441275A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18441275A priority Critical patent/PL106932B1/pl
Publication of PL106932B1 publication Critical patent/PL106932B1/pl

Links

Landscapes

  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest plat pamieci o kon¬ strukcji warstwowej, stosowany w elektronicznych maszynach cyfrowych.W platach pamieci o konstrukcji warstwowej nosniki informacji w postaci drutów magnetycz¬ nych sa umieszczone w równolegle usytuowanych kanalach wytworzonych w plytce z materialu izo¬ lacyjnego. Druty magnetyczne stanowia metalo¬ we przewody pokryte cienka warstwa magnetycz¬ na, w której sa przechowywane informacje binar¬ ne, dzieki odpowiedniemu namagnesowaniu po¬ szczególnych odcinków tej warstwy. Dla zapisu informacji binarnej konieczne jest pobudzenie po¬ lem magnetycznym okreslonego odcinka warstwy magnetycznej, co uzyskuje sie poprzez umieszcze¬ nie w bliskiej odleglosci od warstwy prostopadlych do osi drutu magnetycznego przewodów wzbudza¬ nia.W znanym z patentu USA Nr 3641520 placie pa¬ mieci o konstrukcji warstwowej kanaly sa wytwo¬ rzone w dwóch plytkach izolacyjnych stanowia¬ cych dwie równolegle warstwy polaczone w ten sposób, ze kanaly obu warstw znajduja sie jedne nad drugimi tak, ze plaszczyzny prostopadle do po¬ wierzchni obu warstw i przechodzace przez podluz¬ ne osie symetrii drutów magnetycznych jednej warstwy przechodza równiez przez osie symetrii drutów magnetycznych drugiej warstwy.W kazdej parze kanalów lezacych jeden nad dru¬ gim sa umieszczone druty magnetyczne uformo¬ wane w ksztalcie prostokata pozbawionego krótsze¬ go boku. Swobodne konce drutów magnetycznych sa polaczone z koncówkami wyjsciowymi platu znajdujacymi sie na dodatkowej konstrukcji wspor- 6 czej za pomoca elastycznych przejsciówek. Prosto¬ padle do osi kanalów przechodza przewody wzbu¬ dzania umieszczone po obu stronach kazdej war¬ stwy w ten sposób, ze na elementarny odcinek drutu magnetycznego stanowiacego komórke bito- io wa przypada po jednym przewodzie wzbudzania z obu stron warstwy.Opisane rozwiazanie konstrukcyjne platu pamie¬ ci wymaga uzywania drutów magnetycznych o znacznej dlugosci — ponad dwukrotnie wiekszej w niz dlugosc pojedynczego kanalu w placie — co zwieksza prawdopodobienstwo wystapienia wad produkcyjnych warstwy. Ponadto umieszczenie zgietych drutów w odpowiadajacych im parach kanalów stwarza trudnosci technologiczne i czesto 20 powoduje uszkodzenia warstwy magnetycznej dru¬ tu, co wynika z przekroczenia dopuszczalnych na¬ prezen na skutek wyboczen.Stosowanie pojedynczych przewodów wzbudzania przypadajacych na elementarny odcinek drutu ma- 25 gnetycznego powoduje w czasie przeplywu przez nie pradu powstanie niekorzystnego rozkladu pola magnetycznego. Dodaktowo sama technologia wy¬ konywania platu jest skomplikowana i wymaga formowania kanalów w czterech plaszczyznach obu w plytek izolacyjnych, co wydatnie wplywa na po- 106 933106 032 gorszenie jednorodnosci komArek bitowych w pla¬ cie. Stosowanie oddzielnej konstrukcji nosnej pla¬ tu wymaga wprowadzenia specjalnych elastycz- nyeh lacz,ówu^ Uffi ograniczenia pojemnosci platu, uhfetóeziiwiaja^zwiekszenie gestosci upakowania.Zgodnie z wynalazkiem plat pamieci o konstruk¬ cji war^twowej^Mwiera druty magnetyczne u- mieszczc^ jp równolegle usytuowanych kanalach ^wytworzonych"w dwóch plytkach izolacyjnych, sta¬ nowiacych równolegle warstwy. Kanaly w obu warstwach sa tak polozone wzgledem siebie, ze plaszczyzny prostopadle do powierzchni warstw i przechodzace przez podluzne osie symetrii drutów magnetycznych jednej warstwy przechodza równiez przez podluzne osie symetrii drutów magnetycz¬ nych drugiej warstwy.Prostopadle do podluznych osi symetrii drutów magnetycznych leza przewody wzbudzania umiesz¬ czone po obu stronach kazdej warstwy. Przewody te tworza po kazdej stronie warstwy grupy co naj¬ mniej dwóch równoleglych przewodów przypada¬ jacych na elementarny odcinek drutu magnetycz¬ nego, stanowiacy komórke bitowa. Konstrukcje no¬ sna platu stanowia trzy plyty tak usytuowane, ze plyta srodkowa znajduje sie miedzy warstwami, a pozostale dwie na zewnatrz tych warstw.Po jednej stronie platu plyty sa zaopatrzone w pola kontaktowe a mianowicie plyta srodkowa ma pola kontaktowe po obu stronach, a pozostale dwie plyty maja pola kontaktowe na zewnetrznych po¬ wierzchniach. Pola kontaktowe stanowia równo- czesnie koncówki wyjsciowe platu, do których sa przytwierdzone wystajace z kanalów konce drutów magnetycznych, w ten sposób, ze czesc wystajacych konców drutów magnetycznych obu warstw jest przytwierdzona do pól kontaktowych na srodkowej warstwie, a pozostale sa przytwierdzone do pól kontaktowych na zewnetrznych powierzchniach plyt przylegajacych do warstw z kanalami.Korzystne jest jesli konce drutów magnetycznych w obu warstwach sa przytwierdzone do pól kon¬ taktowych naprzemian, rax do pól kontaktowych na zewnetrznych plytach, a raz* do pól kontakto¬ wych na plycie srodkowej.Natomiast po drugiej stronie platu konce drutów magnetycznych jednej warstwy sa bezposrednio po¬ laczone parami a najblizej polozonymi koncami drutów magnetycznych drugiej warstwy.Rozwiazanie wedlug wynalazku w porównaniu ze znanym z, patentu USA nr 3641520 pozwala na stosowanie w platach pamieci drutów magnetycz¬ nych o polowe krótszych, co znacznie upraszcza technologie wykonywania platów, wplywa na po¬ prawe jednorodnosci komórek bitowych oraz. eli¬ minuje znaczna czesc odpadów drutu magnetycz¬ nego, zwiazanych z uszkodzeniami mechanicznymi w czasie wprowadzania do kanalów.Ponadto dzieki nowej konstrukcji nosnej platu w postaci trzech plyt z polami kontaktowymi sta¬ nowiacymi jednoczesnie koncówki wyjsciowe pla¬ tu unika sie stosowania specjalnych elastycznych laczówek, co pozwala na zwiekszenie gestosci upa¬ kowania.Wprowadzenie grup co najmniej dwóch równole¬ glych przewodów przypadajacych na elementarny io 20 odcinek drutu magnetycznego, wyraznie poprawia rozklad pola magnetycznego jaki wytwarza sie w czasie przeplywu przez nie pradu.Wynalazek jest blizej wyjasniony w przykladzie * wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia wycinek plata pamieci od strony pól kon¬ taktowych w widoku perspektywicznym, a fig. 2 — wycinek plata pamieci od strony polaczenia parami konców drutów magnetycznych.Zgodnie z rysunkiem magnetyczne druty 1 sa umieszczone w równolegle usytuowanych kanalach 2 wytworzonych w dwóch izolacyjnych plytkach z zywicy epoksydowej stanowiacych równolegle war¬ stwy 3 i 4 o jednakowej dlugosci umieszczone jed¬ na nad druga. Kanaly 2 wykonane sposobem w/g patentu PRL nr 67666 w obu warstwach 3 i 4 sa tak polozone wzgledem siebie, ze plaszczyzny pro¬ stopadle do powierzchni warstw 3 i 4 i przecho¬ dzace przez podluzne osie symetrii magnetycznych drutów 1 warstwy 3 przechodza równiez przez po¬ dluzne osie symetrii magnetycznych drutów 1 war¬ stwy 4. Prostopadle do podluznych osi symetrii magnetycznych drutów 1 leza przewody 5 wzbu- dzania umieszczone po obu stronach kazdej war¬ stwy 3 i 4. Przewody 5 wzbudzania tworza po kazdej stronie warstw 3 i 4 grupy 6 dwóch rów¬ noleglych przewodów 5 przypadajacych na ele¬ mentarny odcinek magnetycznego drutu 1. 30 Konstrukcje nosna platu stanowia trzy plyty 7, 8, 9, epoksydowo-szklane tak usytuowane, ze na zewnatrz warstw 3 i 4 sa umieszczone plyty 7 i 9, o takiej samej dlugosci jak wspomniane warstwy 3 14. Natomiast plyta srodkowa 8 jest dluzsza i 35 znajduje sie miedzy warstwami 3 i 4. Po jednej stronie platu plyty 7, 8, 9 sa zaopatrzone w kon¬ taktowe pola 10 w ten sposób, ze plyta srodkowa 8 ma kontaktowe pola 10 po obu stronach, a pozo¬ stale dwie plyty 7 i 9 maja kontaktowe pola 10 40 na zewnetrznych powierzchniach.Do kontaktowych pól 10 stanowiacych jednoczes¬ nie koncówki wyjsciowe platu sa przytwierdzone znanym sposobem np. przez zgrzewanie konce 11 i 12 magnetycznych drutów 1 w obu warstwach 45 3 i 4 naprzemian, raz do kontaktowych pól 10 na zewnetrznych plytach 7 i 9, a raz do kontaktowych pól 10 na srodkowej plycie 8, symetrycznie wzgle¬ dem plaszczyzny równoleglej do srodkowej plyty 8 i przechodzacej przez jej srodek. Przed przytwier- » dzeniem do kontaktowych pól 10 na powierzch¬ niach zewnetrznych konce 11 magnetycznych dru¬ tów 1 warstwy 3 sa zawijane do góry, a warstwy 4 do dolu. Po drugiej stronie platu konce 13 war¬ stwy 3 i konce 14 warstwy 4 magnetycznych dru- 55 tów 1 umieszczonych w najblizej siebie lezacych kanalach 2 jeden nad drugim sa parami pola¬ czone. 60 Zastrzezenia patentowe 1. Plat pamieci o konstrukcji warstwowej* w którym druty magnetyczne sa umieszczone w rów¬ nolegle usytuowanych kanalach, wytworzonych w 65 dwóch plytkach izolacyjnych, stanowiacych rów-1M93Z 6 holegle warstwy tak, ze plaszczyzny prostopadle do powierzchni warstw i przechodzace przez po¬ dluzne osie symetrii drutów magnetycznych jednej warstwy przechodza równiez przez podluzne osie symetrii drutów magnetycznych drugiej warstwy znamienny tym, ze konstrukcje nosna platu sta¬ nowia trzy plyty (7), (8), (9) tak usytuowane, ze srodkowa plyta <8) znajduje sie miedzy warstwami (3 i 4), a pozostale dwie (7 i 9) na zewnatrz tych jacych do warstw (3 i 4) z kanalami (2), natomiast po drugiej stronie platu konce (13) magnetycznych drutów (1) jednej warstwy (3) sa bezposrednio po¬ laczone parami z najblizej polozonymi koncami (14) magnetycznych drutów (1) drugiej warstwy (4). 2. Plat pamieci wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po jednej stronie platu konce (11 i 12) drutów magnetycznych (1) w obu warstwach (3 i 4) sa przytwierdzone do kontaktowych pól (10) naprze- warstw (3 i 4), przy czym po jednej stronie platu w mian, raz do kontaktowych pól (10) na zewnetrz- wspomniane plyty (7, 8 i 9) sa zaopatrzone w kon¬ taktowe pola (10), a mianowicie srodkowa plyta (8) ma kontaktowe pola (10) po obu stronach, a pozostale dwie plyty (7 i 9) maja kontaktowe po¬ la na zewnetrznych powierzchniach, z kolei do kontaktowych pól (10) stanowiacych równoczesnie koncówki wyjsciowe platu, sa przytwierdzone wy¬ stajace z kanalów (2) konce magnetycznych dru¬ tów (1) w ten sposób, ze czesc wystajacych kon¬ ców (11) jest przytwierdzona do kontaktowych pól (10) na srodkowej warstwie, a pozostale konce (12) sa przytwierdzone do kontaktowych pól (10) na ze¬ wnetrznych powierzchniach plyt (T i 9) przylega¬ la 20 nych plytach (7 i 9), a raz do kontaktowych pól na srodkowej plycie <8), symetrycznie wzgledem plaszczyzny równoleglej do srodkowej plyty (8) i przechodzacej przez jej srodek. 3. Plat pamieci wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze posiada przewody (6) wzbudzania, umieszczone prostopadle do osi podluznych magnetycznych dru¬ tów (1) po obu stronach kazdej warstwy (3 i 4) tworzac po kazdej stronie wspomnianych warstw (3 i 4) grupy co najmniej dwóch równoleglych przewodów przypadajacych na elementarny odci¬ nek magnetycznego drutu (1), stanowiacy komórke bitowa.Fig. 11ÓS d3& fc* DN-S, z. 19/80 Cen* 48 il PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Plat pamieci o konstrukcji warstwowej* w którym druty magnetyczne sa umieszczone w rów¬ nolegle usytuowanych kanalach, wytworzonych w 65 dwóch plytkach izolacyjnych, stanowiacych rów-1M93Z 6 holegle warstwy tak, ze plaszczyzny prostopadle do powierzchni warstw i przechodzace przez po¬ dluzne osie symetrii drutów magnetycznych jednej warstwy przechodza równiez przez podluzne osie symetrii drutów magnetycznych drugiej warstwy znamienny tym, ze konstrukcje nosna platu sta¬ nowia trzy plyty (7), (8), (9) tak usytuowane, ze srodkowa plyta <8) znajduje sie miedzy warstwami (3 i 4), a pozostale dwie (7 i 9) na zewnatrz tych jacych do warstw (3 i 4) z kanalami (2), natomiast po drugiej stronie platu konce (13) magnetycznych drutów (1) jednej warstwy (3) sa bezposrednio po¬ laczone parami z najblizej polozonymi koncami (14) magnetycznych drutów (1) drugiej warstwy (4).
  2. 2. Plat pamieci wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po jednej stronie platu konce (11 i 12) drutów magnetycznych (1) w obu warstwach (3 i 4) sa przytwierdzone do kontaktowych pól (10) naprze- warstw (3 i 4), przy czym po jednej stronie platu w mian, raz do kontaktowych pól (10) na zewnetrz- wspomniane plyty (7, 8 i 9) sa zaopatrzone w kon¬ taktowe pola (10), a mianowicie srodkowa plyta (8) ma kontaktowe pola (10) po obu stronach, a pozostale dwie plyty (7 i 9) maja kontaktowe po¬ la na zewnetrznych powierzchniach, z kolei do kontaktowych pól (10) stanowiacych równoczesnie koncówki wyjsciowe platu, sa przytwierdzone wy¬ stajace z kanalów (2) konce magnetycznych dru¬ tów (1) w ten sposób, ze czesc wystajacych kon¬ ców (11) jest przytwierdzona do kontaktowych pól (10) na srodkowej warstwie, a pozostale konce (12) sa przytwierdzone do kontaktowych pól (10) na ze¬ wnetrznych powierzchniach plyt (T i 9) przylega¬ la 20 nych plytach (7 i 9), a raz do kontaktowych pól na srodkowej plycie <8), symetrycznie wzgledem plaszczyzny równoleglej do srodkowej plyty (8) i przechodzacej przez jej srodek.
  3. 3. Plat pamieci wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze posiada przewody (6) wzbudzania, umieszczone prostopadle do osi podluznych magnetycznych dru¬ tów (1) po obu stronach kazdej warstwy (3 i 4) tworzac po kazdej stronie wspomnianych warstw (3 i 4) grupy co najmniej dwóch równoleglych przewodów przypadajacych na elementarny odci¬ nek magnetycznego drutu (1), stanowiacy komórke bitowa. Fig. 11ÓS d3& fc* DN-S, z. 19/80 Cen* 48 il PL
PL18441275A 1975-10-31 1975-10-31 Plat pamieci PL106932B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18441275A PL106932B1 (pl) 1975-10-31 1975-10-31 Plat pamieci

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18441275A PL106932B1 (pl) 1975-10-31 1975-10-31 Plat pamieci

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL106932B1 true PL106932B1 (pl) 1980-01-31

Family

ID=19974090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18441275A PL106932B1 (pl) 1975-10-31 1975-10-31 Plat pamieci

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL106932B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910020756A (ko) 평면형 자기 소자
KR910013258A (ko) 박막필름 자기코어 메모리 및 그 제작방법
US3824433A (en) Universal circuit board
US3614830A (en) Method of manufacturing laminated structures
US4209848A (en) Magnetic domain device shield
PL106932B1 (pl) Plat pamieci
US3623037A (en) Batch fabricated magnetic memory
US3150355A (en) Quad-fold assembly for magnetic cores
US3971126A (en) Method of fabricating magnetic field drive coils for field accessed cylindrical domain memories
EP0213862A2 (en) Magnet assembly for magnetic resonance imaging and method of manufacture
JPS5889784A (ja) 均一化用電池バスバ−
US3538599A (en) Method of manufacturing a plated wire memory system
US3708874A (en) Method of making a batch fabricated magnetic memory
US3218615A (en) Magnetic memory system and solenoid therefor
US3717835A (en) Electrical coil
US3665428A (en) Keepered plated-wire memory
US4414646A (en) Magnetic bubble memory devices
US3164814A (en) Magnetic devices
US3500346A (en) Driving plates for magnetic films
US3869628A (en) Electric machine stator
JPH01173611A (ja) 積層インダクタの製造方法
US3771220A (en) Method of making a plated wire array
US3789376A (en) Matrix memory device of high bit density
US4663737A (en) Magnetic bubble memory unit
JP3591809B2 (ja) インダクタ