PL106378B1 - Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych - Google Patents
Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych Download PDFInfo
- Publication number
- PL106378B1 PL106378B1 PL18295475A PL18295475A PL106378B1 PL 106378 B1 PL106378 B1 PL 106378B1 PL 18295475 A PL18295475 A PL 18295475A PL 18295475 A PL18295475 A PL 18295475A PL 106378 B1 PL106378 B1 PL 106378B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electronic components
- encapsulated
- temperature
- manufacturing
- electronic
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬
nia elementów elektronicznych obudowanych two¬
rzywami sztucznymi.
Znane sa sposoby obudowywania elementów
elektronicznych z podlozami ceramicznymi pole¬
gajace na umieszczeniu ich w pudelkach, zata¬
pianiu lub zalewaniu. Sa one jednak niedogodne,
a czesto powoduja powstawanie dosc znacznej
ilosci braków, Szczególnie procentowo duza ilosc
braków (okolo 35%) wystepuje wtedy, gdy her¬
metyzowane sa tworzywami sztucznymi elementy
elektroniczne z ceramicznymi plytkami podlozo¬
wymi, glównie na skutek pekania plytek. Do¬
tychczas na tego rodzaju obudowy starano sie do¬
bierac tworzywa o podobnym lub bardzo zblizo¬
nym wspólczynniku rozszerzalnosci, przez co obu¬
dowany tworzywem element mial mozliwosc dosc
swobodnego rozszerzania sie i kurczenia podczas
zmian temperaturowych, co powodowalo jego pe¬
kanie lub rozhermetyzowanie.
Sposób wytwarzania obudowanych elementów
elektronicznych wedlug wynalazku polega na za¬
stosowaniu na obudowy takiego tworzywa sztucz¬
nego, które posiada wspólczynnik rozszerzalnosci
3—15 razy wiekszy niz wspólczynnik rozszerzal¬
nosci samego elementu elektronicznego z podlo¬
zem ceramicznym lub szklanym. Proces herme^y-
zacji prowadzi sie w temperaturze wyzszej niz
dopuszczalna temperatura pracy wytwarzanego
elementu elektronicznego, a wiec w granicach
80—250° C, z tym, ze w momencie herrnetyzacji
tworzywem sztucznym — podloze ceramiczne z
naniesiona struktura powinno byc podgrzane w
granicach temperatury 55—85°C. Caly zahermety-
zowany element po wyjeciu z prasy i ewentual¬
nym dotwardzeniu chlodzi sie stopniowo, tak aby
czas dojscia do temperatury pokojowej nie byl
krótszy, niz 20 minut. Uzyskuje sie wówczas efekt
sciskajacy, dzieki któremu plytka podlozowa ele-
mentu elektronicznego wraz z naniesionymi struk¬
turami nie ma mozliwosci rozszerzania sie, a tym
samym pekania lub rozhermetyzowania.
Szczególowy przyklad postepowania wedlug wy¬
nalazku przedstawia sie nastepujaco: elektronicz-
ny mikroelement o funkcji tlumika naniesiony na
plytce podlozowej o wspólczynniku rozszerzal¬
nosci 50 «x 10_7/°C podgrzewa sie do temperatury
65—70°C, a nastepnie hermetyzuje sie na prasie
przetlocznej tworzywem sztucznym typu epoksy-
dowego z wypelniaczami o wspólczynniku roz¬
szerzalnosci 25 x 10-6/°C w temperaturze 160—
190°C. Nastepnie tworzywo podlega utwardzeniu
i stopniowemu ostudzaniu do temperatury poko¬
jowej w czasie okolo 30 minut.
Tak wykonany uklad moze pracowac w zakresie
temperatur —40° do +125°.
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania obudowanych elementów 30 elektronicznych, znamienny tym, ze elektroniczny 106 378106 378 element na podlozu ceramicznym ogrzewa sie do temperatury 55—85°C i hermetyzuje kompozytem tworzywa sztucznego w wspólczynniku rozsze¬ rzalnosci 3—15 razy wiekszym niz obudowywany element, przy czym sam proces hermetyzacji pro¬ wadzi sie w temperaturze 80—250°C, a studzenie zahermetyzowanego elementu do temperatury po¬ kojowej nastepuje w czasie nie krótszym niz 20 minut. PZGraf. Koszalin D-1707 110 egz. A-4 Cena 45 zl
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18295475A PL106378B1 (pl) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18295475A PL106378B1 (pl) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL106378B1 true PL106378B1 (pl) | 1979-12-31 |
Family
ID=19973371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18295475A PL106378B1 (pl) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL106378B1 (pl) |
-
1975
- 1975-08-27 PL PL18295475A patent/PL106378B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IT1110275B (it) | Struttura vetro-ceramica per substrati circuitali e relativo processo di fabbricazione | |
| FR2326039A1 (fr) | Cadre conducteur pour semi-conducteurs | |
| DE69033718D1 (de) | Keramisches Substrat angewendet zum Herstellen einer elektrischen oder elektronischen Schaltung | |
| Kimball et al. | Lattice Softening and Anisotropy at Sn 119 Sites in Sn Mo 6 S 8 | |
| PL106378B1 (pl) | Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych | |
| Makita et al. | Anomalous ultrasonic velocity of the transverse wave in KH3 (SeO3) 2 | |
| DE69117628D1 (de) | Supraleitende Einrichtung mit einer reduzierten Dicke der supraleitenden Schicht und Methode zu deren Herstellung | |
| US3229757A (en) | Heat dissipator apparatus for a transistor | |
| DK418879A (da) | Koeleapparat til stoerkning af vaesker saasom angar i petriskaale | |
| Glaser et al. | Thermal and structural analysis of a PLCC device for surface mount processes | |
| DE69123415D1 (de) | Supraleitendes Bauelement mit verringerter Dicke der supraleitenden Oxydschicht und dessen Herstellungsverfahren | |
| DK386681A (da) | Elektrobyggesaet med plastkomponenter til opbygning af elektriske stroemkredse med modeller af elektriske maskiner eller apparater | |
| FR2571921B1 (fr) | Dissipateur de chaleur pour composants electroniques avec substrat en ceramique | |
| Izumi et al. | Superconducting properties in metallic phase of NbS3 | |
| Hauser et al. | Neutron scattering investigation of 1D and 3D magnetic ordering and excitations in AVX3 (A= Rb, Cs; X= Cl, Br, I) | |
| JPS5458784A (en) | Molded article having laminated resin layers and its manufacture | |
| YU47637B (sh) | MATERIJAL NA BAZI Ca-HIDROSILIKATA ZA TERMO I ELEKTRO IZOLACIJU SA SPOSOBNOŠĆU SELEKTIVNE APSORPCIJE ELEKTROMAGNETNOG SPEKTRA ZRAČENJA I VIBRACIJA I POSTUPAK ZA NJEGOVU PROIZVODNJU | |
| ES482465A1 (es) | Procedimiento para revestir componentes electricos, especialmente condensadores electricos. | |
| Panova et al. | Variation of the Superconducting Properties of the Zr sub 75 Rh sub 2 sub 5 System on Amorphization | |
| FR2576545B1 (fr) | Procede de fabrication d'un materiau isolant electrique souple et materiau isolant electrique souple obtenu par ce procede | |
| Day et al. | Correlation of dielectric cure index to degree of cure for 3501-6 graphite epoxy | |
| Larikov et al. | The conditions for the adhesion of freshly generated metal surfaces under load | |
| JPS5488081A (en) | Mounting method of semiconductor device | |
| Kawanaka et al. | Thermal properties of UPdSn and UCuSn | |
| JPS6433950A (en) | Structure for mounting semiconductor element |