PL106378B1 - Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych - Google Patents

Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych Download PDF

Info

Publication number
PL106378B1
PL106378B1 PL18295475A PL18295475A PL106378B1 PL 106378 B1 PL106378 B1 PL 106378B1 PL 18295475 A PL18295475 A PL 18295475A PL 18295475 A PL18295475 A PL 18295475A PL 106378 B1 PL106378 B1 PL 106378B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
electronic components
encapsulated
temperature
manufacturing
electronic
Prior art date
Application number
PL18295475A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18295475A priority Critical patent/PL106378B1/pl
Publication of PL106378B1 publication Critical patent/PL106378B1/pl

Links

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia elementów elektronicznych obudowanych two¬ rzywami sztucznymi.
Znane sa sposoby obudowywania elementów elektronicznych z podlozami ceramicznymi pole¬ gajace na umieszczeniu ich w pudelkach, zata¬ pianiu lub zalewaniu. Sa one jednak niedogodne, a czesto powoduja powstawanie dosc znacznej ilosci braków, Szczególnie procentowo duza ilosc braków (okolo 35%) wystepuje wtedy, gdy her¬ metyzowane sa tworzywami sztucznymi elementy elektroniczne z ceramicznymi plytkami podlozo¬ wymi, glównie na skutek pekania plytek. Do¬ tychczas na tego rodzaju obudowy starano sie do¬ bierac tworzywa o podobnym lub bardzo zblizo¬ nym wspólczynniku rozszerzalnosci, przez co obu¬ dowany tworzywem element mial mozliwosc dosc swobodnego rozszerzania sie i kurczenia podczas zmian temperaturowych, co powodowalo jego pe¬ kanie lub rozhermetyzowanie.
Sposób wytwarzania obudowanych elementów elektronicznych wedlug wynalazku polega na za¬ stosowaniu na obudowy takiego tworzywa sztucz¬ nego, które posiada wspólczynnik rozszerzalnosci 3—15 razy wiekszy niz wspólczynnik rozszerzal¬ nosci samego elementu elektronicznego z podlo¬ zem ceramicznym lub szklanym. Proces herme^y- zacji prowadzi sie w temperaturze wyzszej niz dopuszczalna temperatura pracy wytwarzanego elementu elektronicznego, a wiec w granicach 80—250° C, z tym, ze w momencie herrnetyzacji tworzywem sztucznym — podloze ceramiczne z naniesiona struktura powinno byc podgrzane w granicach temperatury 55—85°C. Caly zahermety- zowany element po wyjeciu z prasy i ewentual¬ nym dotwardzeniu chlodzi sie stopniowo, tak aby czas dojscia do temperatury pokojowej nie byl krótszy, niz 20 minut. Uzyskuje sie wówczas efekt sciskajacy, dzieki któremu plytka podlozowa ele- mentu elektronicznego wraz z naniesionymi struk¬ turami nie ma mozliwosci rozszerzania sie, a tym samym pekania lub rozhermetyzowania.
Szczególowy przyklad postepowania wedlug wy¬ nalazku przedstawia sie nastepujaco: elektronicz- ny mikroelement o funkcji tlumika naniesiony na plytce podlozowej o wspólczynniku rozszerzal¬ nosci 50 «x 10_7/°C podgrzewa sie do temperatury 65—70°C, a nastepnie hermetyzuje sie na prasie przetlocznej tworzywem sztucznym typu epoksy- dowego z wypelniaczami o wspólczynniku roz¬ szerzalnosci 25 x 10-6/°C w temperaturze 160— 190°C. Nastepnie tworzywo podlega utwardzeniu i stopniowemu ostudzaniu do temperatury poko¬ jowej w czasie okolo 30 minut.
Tak wykonany uklad moze pracowac w zakresie temperatur —40° do +125°.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania obudowanych elementów 30 elektronicznych, znamienny tym, ze elektroniczny 106 378106 378 element na podlozu ceramicznym ogrzewa sie do temperatury 55—85°C i hermetyzuje kompozytem tworzywa sztucznego w wspólczynniku rozsze¬ rzalnosci 3—15 razy wiekszym niz obudowywany element, przy czym sam proces hermetyzacji pro¬ wadzi sie w temperaturze 80—250°C, a studzenie zahermetyzowanego elementu do temperatury po¬ kojowej nastepuje w czasie nie krótszym niz 20 minut. PZGraf. Koszalin D-1707 110 egz. A-4 Cena 45 zl
PL18295475A 1975-08-27 1975-08-27 Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych PL106378B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18295475A PL106378B1 (pl) 1975-08-27 1975-08-27 Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18295475A PL106378B1 (pl) 1975-08-27 1975-08-27 Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL106378B1 true PL106378B1 (pl) 1979-12-31

Family

ID=19973371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18295475A PL106378B1 (pl) 1975-08-27 1975-08-27 Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL106378B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT1110275B (it) Struttura vetro-ceramica per substrati circuitali e relativo processo di fabbricazione
BR7904949A (pt) Composicao hidrofuga em po a base de cimento e processo para sua preparacao,bem como reboco,produto moldado,ou elemento para captacao de energia solar,fabricado com uso de tal composicao
FR2326039A1 (fr) Cadre conducteur pour semi-conducteurs
Kimball et al. Lattice Softening and Anisotropy at Sn 119 Sites in Sn Mo 6 S 8
ES8608020A1 (es) Procedimiento de fabricar estratificados para usos electri- cos
PL106378B1 (pl) Sposob wytwarzania obudowanych elementow elektronicznych
NL185937C (nl) Epoxyharssamenstelling voor de vervaardiging van prepregs, die onder warmte en druk verharden tot isolerende substraten voor brandvertragende, met glas versterkte gedrukte schakelpanelen en met deze samenstelling vervaardigde schakelpanelen.
BE861428A (fr) Procede de fabrication d'une resine d'echange
IT7951008A0 (it) Perfezionamento nelle strutture di dispositivi elettronici a semiconduttore e procedimento di fabbricazione
DK386681A (da) Elektrobyggesaet med plastkomponenter til opbygning af elektriske stroemkredse med modeller af elektriske maskiner eller apparater
Izumi et al. Superconducting properties in metallic phase of NbS3
KONDO Application of analytical solution to the ground surface temperature and heat flux estimation
Hauser et al. Neutron scattering investigation of 1D and 3D magnetic ordering and excitations in AVX3 (A= Rb, Cs; X= Cl, Br, I)
JPS5458784A (en) Molded article having laminated resin layers and its manufacture
ES482465A1 (es) Procedimiento para revestir componentes electricos, especialmente condensadores electricos.
DE3660300D1 (en) Flexible electrical insulation material and method of manufacturing it
Larikov et al. The conditions for the adhesion of freshly generated metal surfaces under load
JPS5488081A (en) Mounting method of semiconductor device
Kawanaka et al. Thermal properties of UPdSn and UCuSn
JPS6433950A (en) Structure for mounting semiconductor element
Brun et al. Physical properties of copper selenide.).
FR2621910B1 (fr) Materiau ceramique a haut pouvoir de dissipation thermique, son procede de fabrication et ses applications notamment dans l'industrie electronique
JPS5793506A (en) Insulating layer of coil
TILLER et al. Fabrication and properties of multilayer structures[Semiannual Technical Report, 1 Sep. 1981- 28 Feb. 1982]
Koleshko et al. Influence of Thermal Processing on the Density of Thin Films of Aluminum Alloys.(Translation)